NJU7719 ボルテージディテクタ ■概要 NJU7719はC-MOSプロセスを使用した、超低消費、 高精度電圧検出器です。 検出電圧精度は±1.0%、検出電圧は内部固定式で、 1.3V ∼ 6.0Vの範囲でシリーズ化が可能です。 出力形式はNchオープンドレインとなっております ■特徴 ●高精度検出電圧 ●超低消費電流 ●検出電圧 ●出力形式 ●C-MOS構造 ●パッケージ ■外形 NJU7719U/U1 ± 1.0% 0.8µA typ 1.3 ∼ 6.0V(0.1V step) Nchオープンドレイン SOT-89-3 ■ 端子配列 2 1 2 PIN FUNCTION 1. VDD 2. VSS 3. VOUT 3 NJU7719U/U1 ■ 等価回路図 VDD VOUT Vref VSS ■ 検出電圧ランク 品名 NJU7719U/U1-21 NJU7719U/U1-23 NJU7719U/U1-27 NJU7719U/U1-29 NJU7719U/U1-32 Ver.2004-12-22 検出電圧 2.1V 2.3V 2.7V 2.9V 3.2V 品名 NJU7719U/U1-34 NJU7719U/U1-39 NJU7719U/U1-42 NJU7719U/U1-45 検出電圧 3.4V 3.9V 4.2V 4.5V -1- NJU7719 (Ta=25°C) ■ 絶対最大定格 項 目 入力電圧 出力電圧 出力電流 消費電力 動作温度 保存温度 記 号 VDD VOUT IOUT PD Topr Tstg 定 格 +10 VSS-0.3 ∼ +10 50 350(*1) −40 ∼ +85 −40 ∼ +125 単 位 V V mA mW °C °C (*1): 単体時 (Ta=25°C) ■ 電気的特性 項 目 検出電圧 ヒステリシス電圧 記 号 VDET 条 VHYS 消費電流 ISS VDD=VDET+1V 出力電流 IOUT Nch, VDS=0.5V ILEAK ∆VDET/∆Ta VDD VDD=VOUT=9V Ta=0 ∼ +85°C RL=100kΩ 出力リーク電流 検出電圧温度係数 動作電圧(*2) 件 VDET=1.3V ∼ 1.7V品 VDET=1.8V ∼ 6.0V品 VDD=1.2V VDD=2.4V (≥2.7V品) 最小 標準 最大 単位 -1.0% V − +1.0% VDET VDET VDET V ×0.03 ×0.05 ×0.08 0.5 1.0 − µA 0.8 1.6 − µA 0.75 2.0 mA − 4.5 7.0 mA − 0.1 − − µA − − ppm/°C ± 100 0.8 9 V − (*2): 動作電圧の最小値(VOPL)は、出力電圧(VOUT)が入力電圧(VDD)の10%以下となった時の値です。 -2- Ver.2004-12-22 NJU7719 ■ 測定回路図 1共通測定回路 RL ISS A V DD V OUT NJM7719 V V DD V V DET / V OPL V OUT V SS 2出力電流/出力リーク電流測定回路 ILEAK / IOUT V DD V OUT A NJM7719 V DD V OUT / V DS V SS 応用回路例 V DD RL: 100kΩ V DD V OUT NJM7719 Reset Signal INPUT Micro-Processor etc V SS V SS Ver.2004-12-22 -3- NJU7719 TYPICAL CHARACTERISTICS NJU7719 Input Voltage vs. Quiescent Current 2.5 2.5 NJU7719 Input Voltage vs.Output Voltage 0.5 VDET=2.1V VDET=2.9V VDET=4.5V 2 1 1 0.5 0.5 0 0 0 2 4 6 Input Voltage:V DD 10 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0 0 0 0.1 0.2 [V] 0.3 0.4 Input Voltage:V 0.8 0.6 0.4 0.4 0.2 0.5 DD 0.6 0.7 [V] NJU7719U21 Detection Voltage vs.Ambient Temperature 1 0.6 0.4 0.3 12 VDET=2.1V VDET=2.9V VDET=4.5V 0.8 Leak Current: I LEAK [nA] 8 NJU7719 Output Voltage vs.Leak Current 1 2.13 2.13 2.12 2.12 2.11 2.11 2.1 2.1 2.09 2.09 2.08 2.08 0.2 0 0 0 2 4 6 8 Output Voltage: V OUT [V] -4- Output Voltage: V OUT [v] 1.5 1.5 VDET=2.1V VDET=2.9V VDET=4.5[V 0.4 Detection Voltage:V DET [V] Quiescent Current: I SS [µA] 2 0.5 10 12 2.07 2.07 -50 0 50 100 150 Ambient Temperature:Ta [°C] Ver.2004-12-22 NJU7719 特性例 NJU7719 Drain-Source Voltage vs.Output Curent VDD=1.2V VDD=2.4V VDD=4.2V Output Current: I OUT [mA] 20 25 100 20 15 15 10 10 5 5 0 0 0 0.2 100 VDET=2.1V VDET=2.9V VDET=4.5V Fall Delay Time:t PHL [us] 25 NJU7719 Ambient Temperature vs.Fall Delay Time 0.4 0.6 0.8 10 10 1 1 -50 0 Drain-Source Voltage: VDS [V] 10 0 50 100 Ambient Temperature:Ta [°C] Ver.2004-12-22 1 150 0.6 Ta=-50[ ‹C] Ta=25[ ‹C] Ta=100[ ‹C] 0.5 Output Voltage:V OUT [V] Rise Delay Time:t PLH [us] VDET=2.1V VDET=2.9V VDET=4.5V -50 NJU7719 Input Voltage vs.Output Voltage 0.6 100 100 1 1 150 100 Ambient Temperature:Ta [°C] NJU7719 Ambient Temperature vs.Rise Delay Time 10 50 0.5 0.4 0.4 0.3 0.3 0.2 0.2 0.1 0.1 0 0 0 0.2 0.4 0.6 Input Voltage:V DD 0.8 1 [V] -5- NJU7719 特性例 NJU7719 Drain-Source Voltage vs.Output Curent 25 VDD=1.2V VDD=2.4V VDD=4.2V 20 Output Current: I OUT [mA] 20 25 15 15 10 10 5 5 0 0 0 0.2 0.4 0.6 Drain-Source Voltage: V -6- 0.8 DS 1 [V] Ver.2004-12-22 NJU7719 特性例 Transient Response Transient Response NJU7719U29 VDD=10→1V,Tf=50ns,RL=100kΩ NJU7719U29 VDD=1→10V,Tr=50ns,RL=100kΩ VDD 0V→ VOUT 0V→ Time Time 5μs/Div. Div. Ver.2004-12-22 VDD 0V→ VOUT Div. VOUT 5 5V V/Div. Div. VOUT 5 5V V/Div. VOUT VDD Div. VDD 5 5V V/Div. Div. VDD 5 5V V/Div. VDD VOUT 0V→ Time Time 5μs/Div. Div. -7- NJU7719 <注意事項> このデータブックの掲載内容の正確さには 万全を期しておりますが、掲載内容について 何らかの法的な保証を行うものではありませ ん。とくに応用回路については、製品の代表 的な応用例を説明するためのものです。また、 工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴 うものではなく、第三者の権利を侵害しない ことを保証するものでもありません。 -8- Ver.2004-12-22