MB9B160R シリーズ 32 ビット・マイクロコントローラ FM4 ファミリ データシート Errata Sheet ページ 場所 訂正内容 Original document code: DS709-00004-1v0-J Rev. 1.0 January 9, 2014 電気的特性 以下の 72 で示すように訂正。 2 推奨動作 条件 項目 電源電圧 アナログ基準電圧 規格値 最小 最大 記号 条件 単位 VCC - 2.7 5.5 V AVRH - *4 AVCC V 備考 *4：アナログ基準電圧は、コンペアクロック周期によって規格値が異なります。 詳細は「5. 12 ビット A/D コンバータ」の章を参照してください。 Rev. 2.0 の訂正内容（P.4）を参照してください。 145 電気的特性 「A/D 変換部電気的特性」を、以下の 5. 12 ビット (誤) A/D コン バータ 項目 基準電圧 記号 端子名 - AVRH で示すように訂正。 最小 規格値 標準 最大 2.7 - AVCC 最小 規格値 標準 最大 4.5 2.7 - AVCC AVCC 単位 備考 V (正) 項目 基準電圧 記号 端子名 - AVRH Publication Number MB9B160R_DS709-00004-1v0-J-DE CONFIDENTIAL Revision 3.0 単位 備考 V Tcck ＜ 50ns Tcck ≧ 50ns Issue Date September 24, 2015 E R R A T A ページ Rev. 2.0 48 場所 S H E E T 訂正内容 April 25, 2014 入出力 回路形式 以下の 分類 H で示すように追加。 回路 P-ch Digital output 備考 ・ CMOS レベル出力 ・ CMOS レベルヒステリ シス入力 ・スタンバイ制御あり ・ IOH = -20.5 mA, IOL = 18.5 mA Digital output N-ch R Digital input Standby mode control 49 入出力 回路形式 以下の 分類 I で示すように追加。 回路 備考 P-ch P-ch N-ch Digital output Digital output R Pull-up resistor control Digital input ・CMOS レベル出力 ・CMOS レベルヒステリ シス入力 ・プルアップ抵抗制御あ り ・5V トレラント ・スタンバイ制御あり ・ プルアップ抵抗 : 約 50 kΩ ・IOH = -4 mA, IOL = 4 mA ・ PZR レジスタ制御可能 Standby mode control 2 CONFIDENTIAL MB9B160R_DS709-00004-1v0-J-DE3, September 24, 2015 E R R A T A ページ 場所 訂正内容 各CPU ステー ・VBAT ドメイン端子状態一覧表を以下の トにおける (誤) 端子状態 VBAT 端子状態形式 70 S H E E T S グループ 機能名 INITX 入力 状態 デバイス 内部 リセット 状態 電源安定 電源安定 INITX=0 INITX=1 ‐ ‐ GPIO 選択時 GPIO 選択時 設定不可 設定不可 設定不可 設定不可 で示すように訂正。 タイマモード, RTC モード または ストップモード 状態 ディープスタンバイ RTC モード または ディープスタンバイ ストップモード 状態 ディープ スタンバイ モード 復帰直後 状態 電源安定 INITX=1 SPL=0 SPL=1 電源安定 INITX=1 SPL=0 SPL=1 電源安定 INITX 1 - 直前状態 保持 直前状態 保持 Hi-Z/ GPIO 選択 Hi-Z/ 内部入力 "0"固定 内部入力 "0"固定 内部入力 "0"固定 Hi-Z/ GPIO 選択 Hi-Z/ 内部入力 内部入力 内部入力 "0"固定 "0"固定 "0"固定 GPIO 選択 GPIO 選択 外部サブ クロック 入力 T 設定不可 設定不可 直前状態 保持 選択時 サブ水晶 Hi-Z/ Hi-Z/ Hi-Z/ 内部入力 "0"固定 直前状態 保持 Hi-Z/ 内部入力 直前状態 保持 "0"固定 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 保持/ 保持/ 保持/ 保持/ 保持/ 発振 発振 発振 発振 発 振 出 力 内部入力 内部入力 停止時*は 停止時*は 停止時*は 停止時*は "0"固定 "0"固定 端子 Hi-Z/ Hi-Z/ Hi-Z/ Hi-Z/ 発振 停止時*は Hi-Z/ 内部入力 内部入力 内部入力 内部入力 内部入力 "0"固定 "0"固定 "0"固定 "0"固定 "0"固定 *ストップモード, ディープスタンバイストップモードは発振が停止します。 VBAT 端子状態形式 (正) S INITX 入力 状態 デバイス 内部 リセット 状態 タイマモード, RTC モード または ストップモード 状態 ディープスタンバイ RTC モード または ディープスタンバイ ストップモード 状態 ディープ スタンバイ モード 復帰直後 状態 電源安定 INITX=0 ‐ 電源安定 INITX=1 ‐ 電源安定 INITX=1 SPL=0 SPL=1 電源安定 INITX=1 SPL=0 SPL=1 電源安定 INITX=1 - 選択時 直前状態 保持 直前状態 直前状態 直前状態 保持 保持 保持 直前状態 保持 直前状態 保持 直前状態 保持 GPIO 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 直前状態 選択時 保持 保持 保持 保持 直前状態 直前状態 直前状態 保持 保持 保持 グループ 機能名 GPIO 保持 保持 保持 外部サブ ク ロ ッ ク 直前状態 入力 保持 直前状態 直前状態 直前状態 保持 保持 保持 T 選択時 直前状態 直前状態 サブ水晶 発振出力 端子 直前状態 直前状態 保持 保持 直前状態 直前状態 保持/ 保持/ 保持/ 保持/ 発振 発振 発振 発振 停止時は 停止時は Hi-Z * Hi-Z * 停止時は 停止時は Hi-Z * Hi-Z * 直前状態 保持 *WTOSCCNT レジスタの連携制御ビット(SOSCNTL)が”0”の場合は、直前状態保持。 WTOSCCNT レジスタの連携制御ビット(SOSCNTL)が”1”の場合は、ストップモード, ディープスタンバイストップモード時に発振が停止します。 September 24, 2015, MB9B160R_DS709-00004-1v0-J-DE3 CONFIDENTIAL 3 E R R A T A ページ 場所 72 電気的特性 S H E E T 訂正内容 以下の で示すように訂正。 2 推奨動作 条件 項目 電源電圧 記号 条件 VCC - 規格値 最小 最大 単 位 2.7*5 V 5.5 備考 アナログ基準電圧 AVRH *4 AVCC V *4：アナログ基準電圧は、コンペアクロック周期によって規格値が異なります。 詳細は「5. 12 ビット A/D コンバータ」の章を参照してください。 *5：電源電圧が最小値未満かつ低電圧リセット/割込み検出電圧以上の間は、内蔵高速 CR クロック(メイン PLL 使用含む)または内蔵低速 CR クロックでの命令実行と低電圧 検出のみ動作可能です。 86 電気的特性 (3) 内蔵 CR 発振規格を以下の で示すように訂正 4. 交流規格 (VCC = 2.7V ~ 5.5V, VSS = 0V) 項目 クロック 周波数 記号 規格値 単位 最小 標準 最大 条件 FCRH Tj = -20°C ~ + 105°C 3.92 4 4.08 Tj = - 40°C ~ + 125°C 3.88 4 4.12 Tj = - 40°C ~ + 125°C 3 4 5 MHz 備考 トリミング時 *1 非トリミング 時 周波数安定 tCRWT 30 μs *2 時間 *1: 出荷時に設定されるフラッシュメモリ内の CR トリミング領域の値を周波数トリミン グ値/温度トリミング値に使用した場合 *2: トリミング値設定後に高速 CR クロックの周波数が安定するまでの時間です。なお、 トリミング値設定後、周波数安定時間が経過するまでの期間も高速 CR クロックを ソースクロックとして使用できます。 148 電気的特性 6. 12 ビット D/A コンバー タ ・D/A 変換部電気的特性を以下の で示すように追加。 (VCC = AVCC = 2.7V～5.5V, VSS = AVSS = AVRL = 0V, Ta = - 40℃～ + 105℃) 項目 分解能 変換時間 記号 端子名 規格値 単位 最小 標準 最大 - - - 12 bit tc20 0.56 0.69 0.81 μs 負荷 20pF 負荷 100pF tc100 2.79 3.42 4.06 μs 直線性誤差* INL -16 - + 16 LSB 微分直線性誤差* DNL -0.98 - + 1.5 LSB 出力電圧 オフセット VOFF アナログ出力 インピーダンス 電源電流* 備考 DAx RO IDDA IDSA AVCC - - 10.0 mV 0x000 設定時 - 20.0 - + 1.4 mV 0xFFF 設定時 3.10 3.80 4.50 kΩ D/A 動作時 2.0 - - MΩ D/A 停止時 260 330 410 μA D/A 動作時 AVCC=3.3V 400 510 620 μA D/A 動作時 AVCC=5.0V - - 14 μA D/A 停止時 *:無負荷時 4 CONFIDENTIAL MB9B160R_DS709-00004-1v0-J-DE3, September 24, 2015 E R R A T A ページ 場所 151 電気的特性 10. スタンバ イ復帰時間 S H E E T 訂正内容 「(1)復帰要因:割込み/WKUP」の・復帰カウント時間を以下の で示すように訂正。 (誤) 項目 記号 サブタイマモード RTC モード ストップモード (メイン/高速 CR/PLL ランモード復帰) RTC モード ストップモード (サブ/低速 CR ラン モード復帰) ディープスタンバイ RTC モード ディープスタンバイ ストップモード Ticnt 標準 規格値 最大* 881 1136 μs 270 581 μs 240 480 μs 308 667 μs RAM 保持なし 308 667 μs RAM 保持あり 単位 備考 (正) 項目 記号 サブタイマモード RTC モード ストップモード (メイン/高速 CR/PLL ランモード復帰) RTC モード ストップモード (サブ/低速 CR ラン モード復帰) ディープスタンバイ RTC モード ディープスタンバイ ストップモード Ticnt September 24, 2015, MB9B160R_DS709-00004-1v0-J-DE3 CONFIDENTIAL 標準 規格値 最大* 896 1136 μs 316 581 μs 270 540 μs 365 667 μs RAM 保持なし 365 667 μs RAM 保持あり 単位 備考 5 E R R A T A ページ 場所 153 電気的特性 10. スタンバ イ復帰時間 S H E E T 訂正内容 「(2)復帰要因: リセット」の・復帰カウント時間を以下の で示すように訂正。 (誤) 項目 スリープモード 高速 CR タイマモード メインタイマモード PLL タイマモード 低速 CR タイマモード サブタイマモード RTC モード ストップモード ディープスタンバイ RTC モード ディープスタンバイ ストップモード 記号 Ticnt 規格値 標準 最大* 116 266 単位 備考 μs 116 266 μs 258 258 567 567 μs μs 258 567 μs 308 667 μs RAM 保持なし 308 667 μs RAM 保持あり (正) 項目 スリープモード 高速 CR タイマモード メインタイマモード PLL タイマモード 低速 CR タイマモード サブタイマモード RTC モード ストップモード ディープスタンバイ RTC モード ディープスタンバイ ストップモード 6 CONFIDENTIAL 記号 Ticnt 規格値 標準 最大* 155 266 単位 備考 μs 155 266 μs 315 315 567 567 μs μs 315 567 μs 336 667 μs RAM 保持なし 336 667 μs RAM 保持あり MB9B160R_DS709-00004-1v0-J-DE3, September 24, 2015 E R R A T A ページ S H E E T 場所 訂正内容 Rev. 3.0 September 24, 2015 158 14.5 12ビット A/D 変換部電気的特性(サンプリング時間、動作許可状態遷移時間)を以下の A/Dコンバー タ で示すように訂正。 (誤) 項目 サンプリング 時間 コンペアク ロック周期*3 動作許可状 態遷移時間 記号 端子名 tS - tCCK - tSTT - 記号 端子名 tS - tCCK - tSTT - 規格値 最小 標準 *2 - 最大 10 *2 - 25 - 1000 50 - 1000 1.0 - - 単位 μs 備考 AVCC≧4.5 V AVCC < 4.5 V ns AVCC≧4.5 V AVCC < 4.5 V μs (正) 項目 サンプリング 時間 コンペアク ロック周期*3 動作許可状 態遷移時間 September 24, 2015, MB9B160R_DS709-00004-1v0-J-DE3 CONFIDENTIAL 規格値 最小 標準 0.15 - 最大 10 0.3 - 25 - 1000 50 - 1000 - - 1.0 単位 μs 備考 AVCC≧4.5 V AVCC < 4.5 V ns AVCC≧4.5 V AVCC < 4.5 V μs 7