KBPC2500I ... KBPC2510I KBPC2500I ... KBPC2510I Silicon-Bridge-Rectifiers Silizium-Brückengleichrichter Version 2012-10-01 7.3 ±0.2 28.6 ~ + Type Ø 5.2 Alternating input voltage Eingangswechselspannung 35...700 V 28.6 x 28.6 x 7.3 [mm] Weight approx. – Gewicht ca. 17 = 5 25 A Case – Gehäuse ~ = 5 Nominal current Nennstrom 5 2.0±0.5 Ø 1.2 Dimensions - Maße [mm] 17 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging bulk Standard Lieferform lose im Karton Recognized Product – Underwriters Laboratories Inc.® File E175067 Anerkanntes Produkt – Underwriters Laboratories Inc.® Nr. E175067 Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Max. alternating input voltage Max. Eingangswechselspannung VVRMS [V] Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] 1) KBPC2500I 35 50 KBPC2501I 70 100 KBPC2502I 140 200 KBPC2504I 280 400 KBPC2506I 420 600 KBPC2508I 560 800 KBPC2510I 700 1000 Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 60 A 2) Peak forward surge current 50 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 270 A Peak forward surge current 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 300 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Tj TS 375 A2s -50...+150°C -50...+150°C Valid per diode – Gültig pro Diode Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 KBPC2500I ... KBPC2510I Characteristics Kennwerte 1 Max. current with cooling fin 300 cm² Dauergrenzstrom mit Kühlblech 300 cm² TA = 50°C R-load C-load IFAV IFAV 25 A 20 A Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 12.5 A VF < 1.2 V 2) Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Isolation voltage terminals to case Isolationsspannung Anschlüsse zum Gehäuse VISO > 2500 V Thermal resistance junction to case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 2.0 K/W Admissible torque for mounting Zulässiges Anzugsdrehmoment 10-32 UNF M5 120 18 ± 10% lb.in. 2 ± 10% Nm 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 1 60 40 10-1 20 IF IFAV 0 10-2 0 TA 50 100 150 [°C] Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 270a-(12a-1.2v) 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 1 2 Valid, if the temperature of the case is kept to TC = 120°C – Gültig, wenn die Gehäusetemperatur auf TC = 120°C gehalten wird Valid per diode – Gültig pro Diode 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG