テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 EconoDUAL™3モジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3andエミッターコントロール3 diode内蔵andNTCサーミスタ EconoDUAL™3modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC 暫定データ/PreliminaryData VCES = 600V IC nom = 600A / ICRM = 1200A 一般応用 • チョッパーアプリケーション TypicalApplications • ChopperApplications 電気的特性 • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • Tvjop=150°C 機械的特性 • 標準ハウジング MechanicalFeatures • StandardHousing ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues コレクタ・エミッタ間電圧 Collector-emittervoltage Tvj = 25°C VCES 600 V 連続DCコレクタ電流 ContinuousDCcollectorcurrent TC = 80°C, Tvj max = 150°C IC nom 600 A 繰り返しピークコレクタ電流 Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1200 A トータル損失 Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 150 Ptot 2250 W ゲート・エミッタ間ピーク電圧 Gate-emitterpeakvoltage VGES +/-20 V 電気的特性/CharacteristicValues min. コレクタ・エミッタ間飽和電圧 Collector-emittersaturationvoltage IC = 600 A, VGE = 15 V IC = 600 A, VGE = 15 V ゲート・エミッタ間しきい値電圧 Gatethresholdvoltage IC = 24,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C ゲート電荷量 Gatecharge Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat typ. max. 1,30 1,35 1,60 V V VGEth 4,9 5,8 6,5 V VGE = -15 V ... +15 V QG 9,60 µC 内蔵ゲート抵抗 Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,33 Ω 入力容量 Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 60,0 nF 帰還容量 Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 1,70 nF コレクタ・エミッタ間遮断電流 Collector-emittercut-offcurrent VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA ゲート・エミッタ間漏れ電流 Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA ターンオン遅れ時間（誘導負荷） Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 150 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,115 0,115 µs µs ターンオン上昇時間（誘導負荷） Risetime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 150 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,15 0,16 µs µs ターンオフ遅れ時間（誘導負荷） Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 150 V VGE = ±15 V RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 0,81 0,85 µs µs ターンオフ下降時間（誘導負荷） Falltime,inductiveload IC = 600 A, VCE = 150 V VGE = ±15 V RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,09 0,11 µs µs ターンオンスイッチング損失 Turn-onenergylossperpulse IC = 600 A, VCE = 150 V, LS = 40 nH VGE = ±15 V, di/dt = 3000 A/µs RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 4,00 6,10 mJ mJ ターンオフスイッチング損失 Turn-offenergylossperpulse IC = 600 A, VCE = 150 V, LS = 40 nH VGE = ±15 V, du/dt = 1500 V/µs RGoff = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 15,5 17,5 mJ mJ 短絡電流 SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 6300 4500 A A ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase IGBT部（１素子当り）/perIGBT RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink IGBT部（１素子当り）/perIGBT λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,016 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 2 tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C tP ≤ 6 µs, Tvj = 125°C 0,055 K/W K/W 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 600 V IF 600 A IFRM 1200 A I²t 20000 A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,15 1,05 1,45 順電圧 Forwardvoltage IF = 600 A, VGE = 0 V IF = 600 A, VGE = 0 V ピーク逆回復電流 Peakreverserecoverycurrent IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 150 V Tvj = 125°C IRM 80,0 150 A A 逆回復電荷量 Recoveredcharge IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 150 V Tvj = 125°C Qr 10,0 30,0 µC µC 逆回復損失 Reverserecoveryenergy IF = 600 A, - diF/dt = 3000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 150 V Tvj = 125°C Erec 3,00 7,50 mJ mJ ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,023 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF V V 0,08 K/W K/W 125 °C Diode、リバース/Diode,Reverse 最大定格/MaximumRatedValues ピーク繰返し逆電圧 Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C 連続DC電流 ContinuousDCforwardcurrent ピーク繰返し順電流 Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms 電流二乗時間積 I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VRRM 600 V IF 60 A IFRM 120 A I²t 700 A²s 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. 1,25 1,20 1,60 順電圧 Forwardvoltage IF = 60 A, VGE = 0 V IF = 60 A, VGE = 0 V ジャンクション・ケース間熱抵抗 Thermalresistance,junctiontocase /Diode（１素子当り）/perdiode RthJC ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /Diode（１素子当り）/perdiode λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH 0,23 動作温度 Temperatureunderswitchingconditions Tvj op -40 preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 3 VF V V 0,80 K/W K/W 125 °C テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor 電気的特性/CharacteristicValues min. typ. max. R25 5,00 kΩ ∆R/R -5 5 % P25 20,0 mW 定格抵抗値 Ratedresistance TC = 25°C R100の偏差 DeviationofR100 TC = 100°C, R100 = 493 Ω 損失 Powerdissipation TC = 25°C B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-定数 B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K 適切なアプリケーションノートによる仕様 Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. モジュール/Module 絶縁耐圧 Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. ベースプレート材質 Materialofmodulebaseplate 内部絶縁 Internalisolation 基礎絶縁(クラス1,IEC61140) basicinsulation(class1,IEC61140) 沿面距離 Creepagedistance VISOL 2,5 kV Cu Al2O3 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 14,5 13,0 mm 空間距離 Clearance 連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink 連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal 12,5 10,0 mm 相対トラッキング指数 Comperativetrackingindex CTI > 200 ケース・ヒートシンク間熱抵抗 Thermalresistance,casetoheatsink /モジュール/permodule λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) 内部インダクタンス Strayinductancemodule パワーターミナル・チップ間抵抗 Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,/スイッチ/perswitch 保存温度 Storagetemperature min. typ. max. RthCH 0,009 LsCE 20 nH RCC'+EE' 1,10 mΩ Tstg -40 125 °C K/W 取り付けネジ締め付けトルク Mountingtorqueformodulmounting 取り付けネジM5 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,00 - 6,00 Nm 主端子ネジ締め付けトルク Terminalconnectiontorque 取り付けネジM6 適切なアプリケーションノートによるマウンティング ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M 3,0 - 6,0 Nm 質量 Weight G 345 g preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 4 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData 出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 1200 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1100 900 900 800 800 700 700 IC [A] 1000 IC [A] 1000 600 600 500 500 400 400 300 300 200 200 100 100 0 0,0 0,3 0,6 0,9 VGE = 19 V VGE = 17 V VGE = 15 V VGE = 13 V VGE = 11 V VGE = 9 V 1100 1,2 1,5 1,8 VCE [V] 2,1 2,4 2,7 0 3,0 伝達特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,3 0,6 0,9 1,2 1,5 1,8 VCE [V] 2,1 2,4 2,7 3,0 スイッチング損失IGBT-ブレーキチョッパー(Typical) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=2.4Ω,RGoff=2.4Ω,VCE=150V 1200 50 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 45 1000 40 900 35 800 30 E [mJ] IC [A] 700 600 500 25 20 400 15 300 10 200 5 100 0 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 5 0 200 400 600 IC [A] 800 1000 1200 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失IGBT-ブレーキチョッパー(Typical) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=600A,VCE=150V 過渡熱インピーダンスIGBT-ブレーキチョッパー transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 65 0,1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 60 ZthJC : IGBT 55 50 45 ZthJC [K/W] E [mJ] 40 35 30 0,01 25 20 15 10 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0033 0,01815 0,0176 0,01595 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 5 0 0 2 4 6 8 0,001 0,001 10 12 14 16 18 20 22 24 RG [Ω] 逆バイアス安全動作領域IGBT-ブレーキチョッパー（RBSOA）) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=2.4Ω,Tvj=125°C 1400 IC, Modul IC, Chip 0,01 0,1 t [s] 1 10 順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー（typical) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 1200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1100 1200 1000 900 1000 800 700 IF [A] IC [A] 800 600 600 500 400 400 300 200 200 100 0 0 200 400 VCE [V] 600 0 800 preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 6 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 VF [V] 1,4 1,6 1,8 2,0 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData スイッチング損失Diode、ブレーキチョッパー(Typical) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) RGon=2.4Ω,VCE=150V スイッチング損失Diode、ブレーキチョッパー(Typical) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=600A,VCE=150V 12 12 Erec, Tvj = 125°C 10 10 9 9 8 8 7 7 6 6 5 5 4 4 3 3 2 2 1 1 0 0 200 400 Erec, Tvj = 125°C 11 E [mJ] E [mJ] 11 600 IF [A] 800 1000 0 1200 過渡熱インピーダンスDiode、ブレーキチョッパー transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 0 1 2 3 4 5 6 7 RG [Ω] 8 9 10 11 12 順電圧特性Diode、リバース（typical) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) 0,1 120 ZthJC : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C 110 100 90 70 IF [A] ZthJC [K/W] 80 0,01 60 50 40 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0048 0,0264 0,0256 0,0232 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 0 10 preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 7 0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 VF [V] 1,0 1,2 1,4 1,6 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData 過渡熱インピーダンスDiode、リバース transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJC=f(t) NTC-サーミスタサーミスタの温度特性 NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 1 100000 ZthJC : Diode Rtyp R[Ω] ZthJC [K/W] 10000 0,1 1000 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,048 0,264 0,256 0,232 τi[s]: 0,01 0,02 0,05 0,1 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 100 10 preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 8 0 20 40 60 80 100 TC [°C] 120 140 160 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData 回路図/circuit_diagram_headline パッケージ概要/packageoutlines Infineon preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 9 テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation IGBT-モジュール IGBT-modules FD600R06ME3_S2 暫定データ PreliminaryData この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。 利用規約 このデータシートに記載されているデータ類は、技術者向けの物です。このデバイスを使用される際は、製品が 使用されるアプリケーションにて、ご評価頂いた上で、アプリケーションに適切かご判断願います。 このデータシートには、保証されている特性が記述されております。 その他、保証内容は個々の契約期間や条件に応じて決定されます。 保証は、アプリケーションやその特性に対しては行いません。 実際のアプリケーションでの利用に関しては、必ず相当モジュールのアセンブリノートをご確認ください。 追加の技術的情報、アプリケーションでの使用方法について、ご質問がある際には、最寄のセールスオフィスに お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照) 製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。 技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、 製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。 航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。 ー リスク 及び 品質の評価 ー 品質契約 ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。 必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。 インフィニオンにこのデータシートを変更する権利を有します。 Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. ShouldyouintendtousetheProductinaviationapplications,inhealthorliveendangeringorlifesupportapplications,pleasenotify.Please note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend -toperformjointRiskandQualityAssessments; -theconclusionofQualityAgreements; -toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon therealizationofanysuchmeasures. Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers. Changesofthisproductdatasheetarereserved. preparedby:CU dateofpublication:2013-10-03 approvedby:MK revision:2.4 10