English/Japanese

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
EasyPIM™モジュール高速トレンチ/フィールドストップIGBT3andエミッターコントロール3diode内蔵
andNTCサーミスタ
EasyPIM™modulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diodeandNTC
暫定データ/PreliminaryData
VCES = 600V
IC nom = 10A / ICRM = 20A
一般応用
• スタティックインバーター
• 空冷
• モーター駆動
TypicalApplications
• AuxiliaryInverters
• AirConditioning
• MotorDrives
電気的特性
• 低スイッチング損失
• トレンチIGBT3
• 正温度特性を持ったVCEsat飽和電圧
• 低VCEsat飽和電圧
ElectricalFeatures
• LowSwitchingLosses
• TrenchIGBT3
• VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient
• LowVCEsat
機械的特性
• 低熱インピーダンスのAl2O3　DCB
• コンパクトデザイン
• 半田接合技術
• 固定用クランプによる強固なマウンティング
MechanicalFeatures
• Al2O3SubstratewithLowThermalResistance
• Compactdesign
• SolderContactTechnology
• Rugged mounting due to integrated mounting
clamps
ModuleLabelCode
BarcodeCode128
DMX-Code
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
ContentoftheCode
Digit
ModuleSerialNumber
ModuleMaterialNumber
ProductionOrderNumber
Datecode(ProductionYear)
Datecode(ProductionWeek)
1-5
6-11
12-19
20-21
22-23
ULapproved(E83335)
1
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-　インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
10
16
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
20
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
68,0
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 10 A, VGE = 15 V
IC = 10 A, VGE = 15 V
IC = 10 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,10
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
0,55
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,017
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,012
0,012
0,012
µs
µs
µs
tr
0,009
0,013
0,014
µs
µs
µs
td off
0,10
0,12
0,125
µs
µs
µs
tf
0,085
0,13
0,135
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 300 V, LS = 60 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, di/dt = 1500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGon = 27 Ω
Tvj = 150°C
Eon
0,14
0,20
0,22
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 300 V, LS = 60 nH
Tvj = 25°C
VGE = ±15 V, du/dt = 4100 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C
RGoff = 27 Ω
Tvj = 150°C
Eoff
0,24
0,30
0,32
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
70
50
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
2,00
2,20 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
2
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
12,5
9,50
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,00
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
18,0
19,0
21,0
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,50
0,85
1,10
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
VGE = -15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,11
0,20
0,26
mJ
mJ
mJ
V
V
V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
2,90
3,20 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,40
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
°C
Diode、整流器/Diode,Rectifier
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
VRRM 1600
V
最大実効順電流/chip
MaximumRMSforwardcurrentperchip
TC = 80°C
IFRMSM 30
A
整流出力の最大実効電流
MaximumRMScurrentatrectifieroutput
TC = 80°C
IRMSM 30
A
サージ順電流
Surgeforwardcurrent
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
IFSM
300
245
A
A
電流二乗時間積
I²t-value
tp = 10 ms, Tvj = 25°C
tp = 10 ms, Tvj = 150°C
I²t
450
300
A²s
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
VF
0,80
V
IR
2,00
mA
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
1,20
1,35 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,15
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
順電圧
Forwardvoltage
Tvj = 150°C, IF = 10 A
逆電流
Reversecurrent
Tvj = 150°C, VR = 1600 V
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
3
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
IGBT-ブレーキチョッパー/IGBT,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
600
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 80°C, Tvj max = 175°C
TC = 25°C, Tvj max = 175°C
IC nom
IC
10
16
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
20
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 175
Ptot
68,0
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
min.
IC = 10 A, VGE = 15 V
IC = 10 A, VGE = 15 V
IC = 10 A, VGE = 15 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 0,30 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
VCE sat
A
A
typ.
max.
1,55
1,70
1,80
2,00
V
V
V
VGEth
4,9
5,8
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
0,10
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
0,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
0,55
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
0,017
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 600 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
1,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
td on
0,012
0,012
0,012
µs
µs
µs
tr
0,009
0,013
0,014
µs
µs
µs
td off
0,10
0,12
0,125
µs
µs
µs
tf
0,085
0,13
0,135
µs
µs
µs
ターンオン遅れ時間（誘導負荷）
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオン上昇時間（誘導負荷）
Risetime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ遅れ時間（誘導負荷）
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオフ下降時間（誘導負荷）
Falltime,inductiveload
IC = 10 A, VCE = 300 V
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGon = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eon
0,14
0,20
0,22
mJ
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 10 A, VCE = 300 V, LS = t.b.d. nH
VGE = ±15 V
RGoff = 27 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Eoff
0,24
0,30
0,32
mJ
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 360 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
tP ≤ 8 µs, Tvj = 25°C
tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C
ISC
70
50
A
A
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
RthJC
2,00
2,20 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部（１素子当り）/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,35
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
4
150
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
Diode、ブレーキチョッパー/Diode,Brake-Chopper
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C
VRRM 600
V
IF
10
A
IFRM
20
A
I²t
12,5
9,50
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
1,60
1,55
1,50
2,00
A²s
A²s
順電圧
Forwardvoltage
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
IF = 10 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
IRM
18,0
19,0
21,0
A
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Qr
0,50
0,85
1,10
µC
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 10 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C)
VR = 300 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
Erec
0,11
0,20
0,26
mJ
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode（１素子当り）/perdiode
RthJC
2,90
3,20 K/W
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode（１素子当り）/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
1,40
K/W
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
150
min.
typ.
max.
R25
5,00
kΩ
∆R/R
-5
5
%
P25
20,0
mW
V
V
V
°C
NTC-サーミスタ/NTC-Thermistor
電気的特性/CharacteristicValues
定格抵抗値
Ratedresistance
TC = 25°C
R100の偏差
DeviationofR100
TC = 100°C, R100 = 493 Ω
損失
Powerdissipation
TC = 25°C
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/50
3375
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/80
3411
K
B-定数
B-value
R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))]
B25/100
3433
K
適切なアプリケーションノートによる仕様
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
5
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Al2O3
沿面距離
Creepagedistance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
11,5
6,3
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
10,0
5,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 200
VISOL kV
2,5
min.
typ.
max.
LsCE
30
nH
RCC'+EE'
RAA'+CC'
8,00
6,00
mΩ
Tstg
-40
125
°C
Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder
mountig force per clamp
F
20
-
50
N
質量
Weight
G
24
g
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 30 A effektiv pro Anschlusspin begrenzt.
The current under continuous operation is limited to 30 A rms per connector pin.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
6
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT-　インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=150°C
20
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
16
16
14
14
12
12
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0,0
0,3
0,6
0,9
VGE = 19 V
VGE = 17 V
VGE = 15 V
VGE = 13 V
VGE = 11 V
VGE = 9 V
18
IC [A]
IC [A]
18
1,2
1,5 1,8
VCE [V]
2,1
2,4
2,7
0
3,0
伝達特性IGBT-　インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
VCE [V]
3,5
4,0
4,5
5,0
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=27Ω,RGoff=27Ω,VCE=300V
20
0,8
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
16
0,6
14
E [mJ]
IC [A]
12
10
0,4
8
6
0,2
4
2
0
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0,0
12
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
7
0
5
10
IC [A]
15
20
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失IGBT-　インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=10A,VCE=300V
過渡熱インピーダンスIGBT-　インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJH=f(t)
1,0
10
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 150°C
Eoff, Tvj = 150°C
0,8
ZthJH : IGBT
E [mJ]
ZthJH [K/W]
0,6
0,4
1
0,2
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,2865 0,7818 1,2381 1,0436
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0,0
0
30
60
90
0,1
0,001
120 150 180 210 240 270 300
RG [Ω]
逆バイアス安全動作領域IGBT-　インバータ（RBSOA）)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=27Ω,Tvj=150°C
1
10
20
IC, Modul
IC, Chip
20
18
18
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
16
16
14
14
12
12
IF [A]
IC [A]
0,1
t [s]
順電圧特性Diode、インバータ（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
22
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0,01
0
200
400
VCE [V]
600
0
800
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
8
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=27Ω,VCE=300V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=10A,VCE=300V
0,5
0,5
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
Erec, Tvj = 125°C
Erec, Tvj = 150°C
0,3
0,3
E [mJ]
0,4
E [mJ]
0,4
0,2
0,2
0,1
0,1
0,0
0
2
4
6
8
10 12
IF [A]
14
16
18
0,0
20
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJH=f(t)
0
30
60
90
120 150 180 210 240 270 300
RG [Ω]
順方向特性Diode、整流器（典型)
forwardcharacteristicofDiode,Rectifier(typical)
IF=f(VF)
10
20
ZthJH : Diode
Tvj = 25°C
Tvj = 150°C
IF [A]
ZthJH [K/W]
15
1
10
5
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,3672 1,1544 1,8358 0,9426
τi[s]:
0,0005 0,005 0,05
0,2
0,1
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
0
10
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
9
0,0
0,2
0,4
0,6
VF [V]
0,8
1,0
1,2
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
出力特性IGBT-ブレーキチョッパー(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
順電圧特性Diode、ブレーキチョッパー（typical)
forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical)
IF=f(VF)
20
20
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
18
16
16
14
14
12
12
IF [A]
IC [A]
18
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0,0
0,5
1,0
1,5
VCE [V]
2,0
2,5
0
3,0
NTC-サーミスタサーミスタの温度特性
NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical)
R=f(T)
100000
Rtyp
R[Ω]
10000
1000
100
0
20
40
60
80
100
TC [°C]
120
140
160
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
10
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Tvj = 150°C
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
回路図/circuit_diagram_headline
J
パッケージ概要/packageoutlines
Infineon
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
11
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FP10R06W1E3
暫定データ
PreliminaryData
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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ー　品質契約
ー　アプリケーションの共同評価　上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
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Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:DK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:MB
revision:2.1
12