MS P043

InSb Semiconductor Magnetoresistive Element
MS-P043
MS-P043はバイアス磁石と組み合わせることにより歯車モジュールm=0.4のA/B相を出力します。
１つのパッケージの中に、
2個のSMR素子チップ（Z相用、
A/B相用各１素子）を有し、
同一の素子を２個上下に配置しています。
2素子の間隔は、
4.3±0.2mm*です。(300pcs/pack)
Shipped in stick (300 pcs per pack)
注意：弊社製品のご検討にあたっては本カタログの表紙裏の「重要注意事項」を
良くお読みください。
Notice : It is requested to read and accept "IMPORTANT NOTICE"
written on the back of the front cover of this catalogue.
●最大定格 (Ta=25℃) Absolute Maximum Ratings
項 目
Item
記号
Symbol
定 格
Limit
単 位
Unit
許 容 損 失
Max.Input.Power
PD
710
mW
動 作 温 度
Operating Temp. Range
Topr.
−40 ∼ 100
℃
保 存 温 度
Storage Temp. Range
Tstg.
−40 ∼ 125
℃
（注意）実使用時の最大制御電圧はバイアスマグネットに依存します。
●外形寸法図 Dimensional Drawing (Unit:mm)
項 目
Item
記号
Symbol
測 定 条 件
Conditions
無磁界入力抵抗（B=0)*1 R (0)
in Ⅰc=1mA, B=0T
Input Resistance
最小
Min.
標準
Typ.
230
Vc=5V, B=0T
2.46
2.5
2.54
V
2.5
2.54
V
V
B相有磁界中性電位*3
VB(B) Vc=5V, B=0.45T
Phase-B Voltage(B=0.45T)
2.46
2.5
2.54
V
6
4
5
*3
入力抵抗磁気抵抗変化率
△Rin/Rin Ⅰc=1mA, B=0.45/0T
Input Resistance Change Ratio
170
%
170
%
*4
出力抵抗磁気抵抗変化率
△R /R Ⅰ =1mA, B=0.45/0T
Output Resistance Change Ratio out out c
6.2
7.2
8.8
600
9.5
10.5
12.4
12.6
500
0.6
許容損失：PD（mW）
700
400
300
200
100
0
–60
7.05
入 力
4（＋） 6（ー）
Input
出 力 3（A相） 5（B相）
Output Phase A Phase B
+2.5°
中心線 角度ズレ公差90°
-0.0°
2.5°
入 力
2（＋） 8（ー）
Input
出 力 1（Za相） 7（Zb相）
Output Phase Za Phase Zb
0.2
リ ー ド 接 続
Pinning
11.8
9.4
0.7
0.5
●許容損失 Power Dissipation
12
2.2 0.7
7.05
4.95
5.85
±0.1
11.4
12.0
*1 Rin(0)：B=0Tにおける2（＋）
−8（−）間の抵抗および、
4（＋）
−6（−）間の抵抗
Rout(0)：B=0Tにおける1（＋）
−7（−）間の抵抗および、
3（＋）
−5（−）間の抵抗
*2 VA(0)：B=0Tにおける、
2（＋）
−8（−）間にVc=5Vを印加した状態での1（Za相）
の電圧
および、
4（＋）
−6(−)間にVc=5Vを印加した状態での、
3（A相）
の電圧
VB(0)：B=0Tにおける、
2（＋）
−8（−）間にVc=5Vを印加した状態での7（Za相）
の電圧
および、
4（＋）
−6(−)間にVc=5Vを印加した状態での、
5(A相)の電圧
*3 VA(B)：B=0.45Tにおける、
2（＋）
−8（−）間にVc=5Vを印加した状態での1（Za相）
の電圧
および、
4（＋）
−6（−）間にVc=5Vを印加した状態での、
3(A相)の電圧
VB(B)：B=0.45Tにおける、
2（＋）
−8（−）間にVc=5Vを印加した状態での7（Za相）
の
電圧および、
4（＋）
−6（−）間にVc=5Vを印加した状態での、
5(A相)の電圧
*4 ΔRin/Rin =（Rin（B）
−Rin（0））/Rin（0） Rin（B）
：B=0.45Tにおける入力抵抗
ΔRout/Rout =（Rout（B）-Rout（0））/Rout（0）Rout（B）
：B=0.45Tにおける出力抵抗
1.6
.2
R8
5
R7.
2.54
7
3
1.4
2.5
8
4.3±0.2
1.2
2.46
2
0.70
A相有磁界中性電位*3
VA(B) Vc=5V, B=0.45T
Phase-A Voltage(B=0.45T)
1
2.542.54 2.54
B相無磁界中性電位*2
VB(0)
Phase-B Voltage(B=0)
Ω
1.2
2.46
375
9.4
1.4
0.5
.7
Vc=5V, B=0T
Ω
1.6
A相無磁界中性電位*2 VA(0)
Phase-A Voltage(B=0)
375
2.9
2.7
2.2
0.5
R0
230
単位
Unit
2.54
9.5
10.5
12.4
12.6
無磁界出力抵抗（B=0)*1
R (0) Ⅰc=1mA, B=0T
Output Resistance out
最大
Max.
中心線角度ズレ ±１°
●磁気及び電気的特性（Ta=25℃）Magnetic & Electrical Characteristics (Ta=25℃)
–40
–20
0
20
40
60
80
周囲温度:Ta［℃］Ambient Temperature
100
6.2
7.2
8.8
9.4
12
*注1) 公差は特に定める以外は±0.1mm とします。
Note 1) The tolerances of dimensions with no mentions is ±0.1mm
MS-P043
•製品はある確率で故障する可能性がございます。医療機器、自動車、航空宇宙用機器、原子力制御用機器等、その装置・機器の故障や動作不良が、直接または間接を問わず、生命、
身体、財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社の書面による同意をおとり
下さい。
•Please be aware that our products are not intended for use in life support equipment, devices, or systems. Use of our products in such applications requires the
advance written approval of our sales staff.
Certain applications using semiconductor devices may involve potential risks of personal injury, property damage, or loss of life. In order to minimize these risks,
adequate design and operating safeguards should be provided by the customer to minimize inherent or procedural hazards. Inclusion of our products in such
applications is understood to be fully at the risk of the customer using our devices or systems.
•当製品にはガリウムヒ素（GaAs）が使用されています。取り扱い及び廃棄に注意してください。
•This product contains galium arsenide（GaAs）.Handling and discarding precautions required.
●配置図 Configuration
●等価回路 Equivalent Circuit
0.640mm
2（＋）
4（＋）
R1
R1
R2
1（Za相）
R3
Vc=5V
7（Zb相）
R1
R2
3（A相）
R3
R2
R3
R4
Vc=5V
5（B相）
m=0.4 JIS歯車
m=0.4 Geartooth R4
R4
8（−）
6（−）
●素子特性曲線図 Element Characteristic Curves
Rin-T
800
400
600
300
入力抵抗：Rin(0)［Ω］
Input Resistance
磁気抵抗変化率：△Rin/Rin［％］
Resistance Change Ratio
△Rin/Rin-B
400
200
200
100
Ta=25[℃]
0
–1.0
–0.5
0.0
磁束密度：B［T］
0.5
0
–50
1.0
0
Magnetic Flux Density
△Rin/Rin-T
100
A相中性電圧：VA（0）
［mV］
A-Phase Voltage
2540
200
100
2520
2500
2480
B=0.45[T]
0
–50
150
VA（0）-T
300
磁気抵抗変化率：△Rin/Rin［％］
Magnetoresistance Ratio
50
周囲温度：Ta［℃］
Ambient Temperature
0
50
周囲温度：Ta [℃]
Ambient Temperature
100
150
2460
–50
Vc=5[V]
B=0
0
50
周囲温度：Ta [℃]
Ambient Temperature
100
150
MS-P043
●歯車特性曲線図
Characteristic Curves for Geartooth
（参考）出力電圧振幅 Vp-p GAP
（Reference）Output Amplitude-GAP（Package-Geartooth）
m＝0.4 JIS 歯車
m＝0.4 Geartooth
400
出力信号振幅：VP-P [mV]
Output amplitude
Vc=5V
出力信号
Output
300
MS-P043
200
N S
(参考）バイアス磁石
Sm2Co17
Bias Magnet
100
0
0
GAP
0.2
0.4
0.6
パッケージ表面−歯車間のギャップ
Package-Geartooth Gap
0.8
6.0×9.3×t5.0mm
1
：GAP [mm]
（参考）出力電圧振幅 Vp-p Ta
（参考）歪率K*5−Gap
（Reference）Output Amplitude-Ta
（Reference）Distortion ratio K-GAP（Package-Geartooth）
2
1.5
150
歪率：K [%]
Distortion ratio
出力電圧振幅：VP-P [mV]
Output Amplitude
200
100
1
0.5
50
Vc=5V
Gap=0.4mm
0
-50
0
0
50
周囲温度:Ta［℃］
Ambient Temperature
100
150
0
0.2
0.4
0.6
パッケージ表面−歯車間のギャップ
Package-Geartooth Gap
0.8
：GAP [mm]
*5：歪率は、以下の式で定義されています。
Distortion Ratio is difined by the following formula
K=
E22＋E32＋E42＋…
E1
E1：基本波の振幅 Fundamental Wave
E2：2次高調波の振幅 Second Harmonic Wave
E3：3次高調波の振幅 Third Harmonic Wave
・
・
・
1
重要注意事項
●
本書に記載された製品、および、製品の仕様につきましては、製品改善のために予告なく変更することがあ
ります。従いまして、ご使用を検討の際には、本書に掲載した情報が最新のものであることを弊社営業担当、
あるいは弊社特約店営業担当にご確認ください。
●
本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報は、半導体製品の動作例、
応用例を説明するものです。お客様の機器設計において本書に記載された周辺回路、応用回路、ソフトウェア
およびこれらに関連する情報を使用される場合は、お客様の責任において行ってください。本書に記載された
周辺回路、応用回路、ソフトウェアおよびこれらに関連する情報の使用に起因してお客様または第三者に生じ
た損害に対し、弊社はその責任を負うものではありません。また、当該使用に起因する、工業所有権その他の
第三者の所有する権利に対する侵害につきましても同様です。
●
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する際に同法に基づく輸出許可が必要です。
●
医療機器、安全装置、航空宇宙用機器、原子力制御用機器など、その装置・機器の故障や動作不良が、直接
または間接を問わず、生命、身体、財産等へ重大な損害を及ぼすことが通常予想されるような極めて高い信頼
性を要求される用途に弊社製品を使用される場合は、必ず事前に弊社代表取締役の書面による同意をお取りく
ださい。
●
この同意書を得ずにこうした用途に弊社製品を使用された場合、弊社は、その使用から生ずる損害等の責任
を一切負うものではありませんのでご了承ください。
●
お客様の転売等によりこの注意事項の存在を知らずに上記用途に弊社製品が使用され、その使用から損害等
が生じた場合は全てお客様にてご負担または補償して頂きますのでご了承下さい。
2013 年 1 月 28 日現在
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Note1) A critical component is one whose failure to function or perform may reasonably be
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January 28, 2013