本ドキュメントはCypress (サイプレス) 製品に関する情報が記載されております。 富士通マイクロエレクトロニクス DS04–71113–1a DATA SHEET ASSP 電源用 評価用ボード MB39A108 ■ 概要 MB39A108 評価ボードは 5 チャネルのダウンコンバージョン , アップ / ダウン , アップコンバージョン回路の表面実装 回路基板です。内部はステップダウン方式 2 チャネル , Sepic 方式 1 チャネル , トランス方式 2 チャネル で構成していて , 計 8 系統の出力端子から－ 7.5 V ～＋ 15.0 V までの出力電圧を設定しており , ＋ 2.5 V ～＋ 5.0 V の電源電圧から最大 500 mA の電流を供給します。 保護機能により短絡保護検出時や低 VCC 時誤動作防止回路動作時にトランジスタをオフし , 出力を停止します。 また , ショート検知コンパレータにより外部入力からのショート検知が可能です。更にチャネルごとのオンオフコントロール・ ソフトスタート設定が可能です。 ■ 評価ボード仕様 (Ta ＝＋ 25 °C) 項 目 入力電圧 発振周波数 出力電圧 出力電流 端子 規 格 値 単位 最 小 標 準 最 大 VIN 2.5 4 5 V 780 970 1160 kHz DVo1 1.18 1.2 1.22 V DVo2 2.46 2.5 2.54 V TVo1-1 13.5 15 16.5 V TVo1-2 4.92 5 5.08 V SVo1 3.25 3.3 3.35 V TVo2-1 13.5 15 16.5 V TVo2-2 4.92 5 5.08 V TVo2-3 － 8.3 － 7.5 － 6.7 V DVo1 500 mA DVo2 250 mA TVo1-1 10 mA TVo1-2 50 mA SVo1 500 mA TVo2-1 10 mA TVo2-2 50 mA TVo2-3 －5 mA （続く） Copyright©2005-2008 FUJITSU MICROELECTRONICS LIMITED All rights reserved 2005.3 MB39A108 （続き） (Ta ＝＋ 25 °C) 項 目 端子 単位 最 小 標 準 最 大 0.92 1.54 3.03 ms DVo1 5.7 10 20.2 ms DVo2 7.8 12.3 22.8 ms TVo1-2 78 123 228 ms SVo1 78 123 228 ms TVo2-2 78 123 228 ms ショート検出時間 ソフトスタート時間 規 格 値 ■ 端子情報 記 号 機 能 説 明 VIN DC/DC コンバータ入力端子です。 VIN ＝ 2.5 V ～ 5 V ( 標準値 4 V) VCC IC 電源端子です。 VIN ＝ 2.5 V ～ 5 V ( 標準値 4 V) DVoX, TVoX, SVo1 CTLSW DC/DC コンバータ出力端子です。 電源制御端子 (SW を介して CTL, CTL3 ～ CTL5 に接続 ) VCTL ＝ 0 V ～ 0.5 V：Standby mode VCTL ＝ 1.5 V ～ VIN：Operation mode PGND DC/DC コンバータ接地端子です。 ICGND MB39A108 接地端子です。 GND メイン接地端子です ■ SW 情報 SW 名 称 機 能 ON OFF 1 CS1 CH1 コントロール 出力 OFF 出力 ON 2 CS2 CH2 コントロール 出力 OFF 出力 ON 3 CTL3 CH3 コントロール 出力 ON 出力 OFF 4 CTL4 CH4 コントロール 出力 ON 出力 OFF 5 CTL5 CH5 コントロール 出力 ON 出力 OFF 6 CTL 電源制御 Operation mode Standby mode ■ セットアップ & 確認方法 ・セットアップ ・電源側端子を VIN & GND へ接続します。Vo 側を必要な負荷装置または測定器に接続してください。 ・別途 CTLSW 端子へ 1.5 V から VIN までの起動電源を接続してください (VIN 端子からショートでも可 ) 。 ・SW6 (CTL) は OFF (Standby mode) , SW1, 2 (CS1, 2) は ON ( 出力 OFF) , SW3, 4, 5 (CTL3, 4, および CTL5) は OFF ( 出力 OFF) 状態にしてください。 ・確認方法 VIN ( 電源 ) へ電力を投入し , SW6 を ON (Operation mode) , SW1, 2 を OFF ( 出力 ON) , SW3, 4 および SW5 を ON ( 出力 ON) にしてください。 DVo1 ＝ 1.2 V (Typ) , DVo2 ＝ 2.5 V (Typ) , TVo1-1 ＝ 15 V (Typ) , TVo1-2 ＝ 5 V (Typ) , SVo1 ＝ 3.3 V (Typ) , TVo2-1 ＝ 15 V (Typ) , TVo2-2 ＝ 5 V (Typ) , TVo2-3 ＝－ 7.5 V (Typ) が出力されていれば , IC は正常に動作して います。 2 MB39A108 ■ 部品配置図 ・ボード部品配置図 GND PGND VIN L1 Q1 R12 VD1 C1 OUT1-1 R35 R37 4 Q5 R20 R22 R53 R51 R56 R62 D6 C12 SVo1 C13 R7 ON GND5 TVo2-3 C11 C18 R10 VD8 R65 2 Q9 CTL3 T2 8 1 3 TVo2-2 C17 4 R9 CTL5 VD7 C15 4 Q8 5 CTL R30 D9 CTL2 CTL5 R27 L5 CTL 5 6 C16 TVo2-1 C14 R8 D11 C22 GND6 D8 R34 D7 L6 VD9 R11 R31 R45 R64 R59 R57 VD6 L4 Q7 SW1 R26 TVo1-1 D4 CTL4 CTLSW C9 5 C7 R4 1 CTL4 R24 R5 CTL1 Q12 GND4 R25 R54 R52 R58 R61 C29 1 Q11 OFF CTL3 T1 8 VD4 C8 C31 CTL1 CTL2 C10 TVo1-2 R28 R14 R32 C27 R41 R47 Q6 R16 R60 FB4 R23 OUT4 R6 D5 R18 C34 OUT5 GND3 VD5 R17 R21 R48 C6 C5 OUT3 FB5 20 CS4 R46 ICGND OUT2 C24 C33 R55 Q4 DVo3 D3 C32 R49 R50 VD3 R3 R19 CS3 C36 CSCP C30 L3 R15 D13 M1 CS5 VREF C37 GND2 C3 R33 C23 R63 CT19 C35 FB3 C4 R2 D12 R38 CS2 FB1 CS1 R43 VCCO 1 38 -INS DVo2 VD2 D2 R29 R39 Q3 OUT1-2 C25 FB2 C28 R44 GND1 L2 R36 R40 R42 Q2 R13 C26 VCC DVo1 C2 D1 R1 D10 C20 SVo2 L7 C21 Q10 C19 GND7 3 MB39A108 ・ボードレイアウト 4 Top Side Inside VIN & GND (Layer 2) Inside GND (Layer 3) Bottom Side MB39A108 ■ 接続図 降圧 ( 同期整流 ) R35 R36 510Ω 4.3kΩ -INE1 A R37 CH1 ON/OFF 信号 (L:ON, H:OFF) CTL1 24kΩ Error Amp1 10µA CS1 a VREF L 優先 37 <<CH1>> VCCO ＝ 4 V 時 Io = 130 mA PWM Comp.1 38 Dead Time (1.0V) C25 0.1µF 36 スレッショルド電圧 1.0V±1% FB1 B 2 R41 15kΩ CH2 ON/OFF 信号 (L:ON, H:OFF) CTL2 Error Amp2 10µA CS2 b VREF L 優先 C27 0.1µF 33 C2 4.7µF GND1 R13 0Ω OUT1-2 降圧 VD2 B Q3 MCH3317 Drive2 32 Pch R23 0Ω DVo2 2.5V/250mA L2 15µH C3 1µF OUT2 C4 4.7µF D2 SBS004 GND2 1.23V R14 0Ω R43 0Ω R44* DTC2 -INE3 C R45 R46 680Ω 30kΩ C29 0.1µF L 優先 VREF Error Amp3 1µA C <<CH3>> L 優先 Max Duty VREF 90%±5% PWM Comp.3 R5 0Ω 31 Pch SB05-05CP D5 C8 1µF Drive3 FB3 D R51 R52 300Ω 30kΩ DTC3 -INE4 R53 18kΩ CS4 C31 0.1µF 21 VREF L 優先 R57 R58 680Ω 30kΩ 1µA Max Duty VREF 90%±5% DTC4 CS5 PWM Comp.4 30 D R28 0Ω C12 D6 4.7µF SBS004 SVo1 3.3V/500mA C13 10µF L5 15µH Q7 MCH3405 OUT4 1.23V GND5 R19 0Ω スレッショルド電圧 1.23V±1% 23 VCCO ＝ 4 V 時 Io = 130 mA FB5 DTC5 E トランス SB05-05CP 26 VREF L 優先 Error Amp5 1µA Max Duty VREF 90%±5% <<CH5>> L 優先 VD8 PWM Comp.5 27 25 24 29 28 R20 GNDO 0Ω C14 1µF -7.5V/-5mA Q9 D9 SB05-05CP MCH3405 C18 2.2µF C16 C17 2.2µF 2.2µF GND6 SCP Comp. VCC H：SCP 時 SCP 1V OFF 15 9 OSC bias VREF UVLO1 R63 6.8kΩ 13 VREF CT C36 100pF 精度± 5％ (2.0MHz) 対応 Power ON/OFF CTL 6 CTL 精度 ± 0.8％ 2.0V 12 RT VR C23 0.1µF 11 C37 0.1µF R32 0Ω CTL4 CTL5 f H：ON (Power ON) L：OFF (standby mode) VTH ＝ 1.0 V 14 GND 精度 ± 1％ CTL a b c d 6 UVLO2 CTL3 4 5 H:ON L:OFF VTH=1.0V 8 0.4V CH CTL CS2 VCC 3 CTL5 7 5 ErrorAmp 基準 1.23V 2 CTL4 ErrorAmp 電源 SCPComp. 電源 H：UVLO 解除 0.9V ON SW1 1 CS1 C35 2200pF CTL3 TVo2-2 5.0V/50mA D8 SB05-05CP VCCO ＝ 4 V 時 Io = 130 mA スレッショルド電圧 1.23V±1% 100kΩ ショート検知信号 (L：ショート時 ) OUT5 1.23V 10 TVo2-1 15V/10mA TVo2-3 Drive5 Nch VREF -INS CSCP R29 0Ω D7 R8 0Ω T2 C34 0.1µF R62* 0 10µH C11 1µF Drive4 Nch R60 1kΩ R61* L4 C32 0.1µF R59 10kΩ C33 0.1µF Error Amp4 VD6 R7 <<CH4>> L 優先 20 R54 1kΩ -INE5 E e GND4 昇降圧 VCCO ＝ 4 V 時 Io = 130 mA スレッショルド電圧 1.23V±1% 16 FB4 R56* d C10 2.2µF C9 2.2µF R6 0Ω R17 0Ω 17 22 R55* c TVo1-2 5.0V/50mA SB05-05CP OUT3 1.23V R26 0Ω TVo1-1 15V/10mA D4 T1 C30 0.1µF R50* 充電電流 1µA VD4 Q5 MCH3306 19 R48 1kΩ R49* GND VCCO ＝ 4 V 時 Io = 130 mA スレッショルド電圧 1.23V±1% 18 R47 10kΩ CS3 トランス 3 FB2 4 VIN (2.5V-5V) D1 SBS004 C28 0.047µF R65* VIN Q2 MCH3405 R2 0Ω Q12* R42 1kΩ DVo1 1.2V/500mA <<CH2>> PWM Comp.2 1 OUT1-1 VCCO ＝ 4 V 時 Io = 130 mA L 優先 Max Duty VREF 90%±5% C1 1µF PGND Drive1-2 Nch -INE2 L1 10µH R12 0Ω Dead Time (td=50ns) R39 R40 510Ω 15kΩ A Q1 VD1 MCH3317 R1 0Ω C24 0.1µF 34 Pch C26 0.047µF R64* VCCO R33 0Ω Drive1-1 Q11* R38 2kΩ 35 f e CTLSW 上図にて全 CH ON 状態 ICGND ＊：印および回路図に表記されていない部品は , 全て未実装です。 5 MB39A108 ■ 部品表 記号 仕 様 項 ( 回路図 表記 ) 品名 型格 1 M1 IC MB39A108 PFT 2 Q1 Pch FET MCH3317 PD ＝ 0.8 W 3 Q2 Nch FET MCH3405 4 Q3 Pch FET 5 Q4 6 パッケージ メーカ 備考 定格 1 定格 2 定格 3 値 偏差 特性 FPT-38P-M03 FUJITSU VDSS ＝ ID ＝ － 12 V － 1.5 A MCPH3 SANYO PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ 20 V 1.8 A MCPH3 SANYO MCH3317 PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ － 12 V － 1.5 A MCPH3 SANYO Pch FET MCH3317 PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ － 12 V － 1.5 A MCPH3 SANYO Q5 Pch FET MCH3306 PD ＝ 1W VDSS ＝ ID ＝ － 20 V － 2 A MCPH3 SANYO 7 Q6 Nch FET MCH3405 PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ 20 V 1.8 A MCPH3 SANYO 8 Q7 Nch FET MCH3405 PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ 20 V 1.8 A MCPH3 SANYO 9 Q8 Pch FET MCH3306 PD ＝ 1W VDSS ＝ ID ＝ － 20 V － 2 A MCPH3 SANYO 10 Q9 Nch FET MCH3405 PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ 20 V 1.8 A MCPH3 SANYO 11 Q10 Nch FET MCH3405 PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ 20 V 1.8 A MCPH3 SANYO 未実装 12 Q11 Nch FET MCH3405 PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ 20 V 1.8 A MCPH3 SANYO 未実装 13 Q12 Nch FET MCH3405 PD ＝ 0.8 W VDSS ＝ ID ＝ 20 V 1.8 A MCPH3 SANYO 未実装 14 D1 SBD SBS004 VRRM ＝ 15 V VF ＝ 0.3 V IO ＝ 1A CPH3 SANYO 15 D2 SBD SBS004 VRRM ＝ 15 V VF ＝ 0.3 V IO ＝ 1A CPH3 SANYO 16 D3 SBD SBS004 VRRM ＝ 15 V VF ＝ 0.3 V IO ＝ 1A CPH3 SANYO 17 D4 SBD SB05-05CP VRM ＝ VF ＝ 50 V 0.55 V IO ＝ 500 mA CP SANYO 18 D5 SBD SB05-05CP VRM ＝ VF ＝ 50 V 0.55 V IO ＝ 500 mA CP SANYO 19 D6 SBD SBS004 VRRM ＝ 15 V IO ＝ 1A CPH3 SANYO 20 D7 SBD SB05-05CP VRM ＝ VF ＝ 50 V 0.55 V IO ＝ 500 mA CP SANYO 21 D8 SBD SB05-05CP VRM ＝ VF ＝ 50 V 0.55 V IO ＝ 500 mA CP SANYO 22 D9 SBD SB05-05CP VRM ＝ VF ＝ 50 V 0.55 V IO ＝ 500 mA CP SANYO 23 D10 SBD SBS004 VRRM ＝ 15 V VF ＝ 0.3 V IO ＝ 1A CPH3 SANYO 未実装 24 D11 SBD SBS004 VRRM ＝ 15 V VF ＝ 0.3 V IO ＝ 1A CPH3 SANYO 未実装 25 D12 SBD SBS004 VRRM ＝ 15 V VF ＝ 0.3 V IO ＝ 1A CPH3 SANYO 未実装 VF ＝ 0.3 V 未実装 未実装 未実装 未実装 （続く） 6 MB39A108 記号 項 ( 回路図 表記 ) 26 D13 27 仕 様 品名 型格 定格 1 VRRM ＝ 15 V 定格 2 VF ＝ 0.3 V 定格 3 IO ＝ 1A 値 偏差 特性 パッケージ メーカ 備考 未実装 SBD SBS004 L1 コイル RLF5018T- IDC1 ＝ 100MR94 0.94 A IDC2 ＝ 1.3 A 10 µH ± 20％ RDC ＝ 67 mΩ TDK 28 L2 コイル RLF5018T- IDC1 ＝ 150MR76 0.76 A IDC2 ＝ 1.0 A 15 µH ± 20％ RDC ＝ 120 mΩ TDK 29 L3 コイル 30 L4 コイル RLF5018T- IDC1 ＝ 100MR94 0.94 A IDC2 ＝ 1.3 A 10 µH ± 20％ RDC ＝ 67 mΩ TDK 31 L5 コイル RLF5018T- IDC1 ＝ 150MR76 0.76 A IDC2 ＝ 1.0 A 15 µH ± 20％ RDC ＝ 120 mΩ TDK 32 L6 コイル 未実装 33 L7 コイル 未実装 34 T1 トランス 5388-T138 15 V, － 7.5 V, 5V SUMIDA 35 T2 トランス 5388-T138 15 V, － 7.5 V, 5V SUMIDA 36 C1 セラコン C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 37 C2 セラコン C3216JB1C 475K 16 V 4.7 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 38 C3 セラコン C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 39 C4 セラコン C3216JB1C 475K 16 V 4.7 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 40 C5 セラコン C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 未実装 41 C6 セラコン C3216JB1C 475K 16 V 4.7 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 未実装 42 C7 セラコン C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 未実装 43 C8 セラコン C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 44 C9 セラコン C3216JB1E 225K 25 V 2.2 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 45 C10 セラコン C3216JB1E 225K 25 V 2.2 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 46 C11 セラコン C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 47 C12 セラコン C3216JB1C 475K 16 V 4.7 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 48 C13 セラコン C3216JB0J 106K 6.3 V 10 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 49 C14 セラコン C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK CPH3 SANYO 未実装 （続く） 7 MB39A108 記号 項 仕 様 ( 回路図 表記 ) 品名 型格 50 C15 セラコン 51 C16 52 パッケージ メーカ 備考 定格 1 定格 2 定格 3 値 偏差 特性 C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK セラコン C3216JB1E 225K 25 V 2.2 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK C17 セラコン C3216JB1E 225K 25 V 2.2 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 53 C18 セラコン C3216JB1E 225K 25 V 2.2 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 54 C19 セラコン C3216JB1E 105K 25 V 1 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 未実装 55 C20 セラコン C3216JB1C 475K 16 V 4.7 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 未実装 56 C21 セラコン C3216JB1C 475K 16 V 4.7 µF ± 10％ 温特 B 3216 TDK 未実装 57 C22 セラコン C1608JB1A 105K 10 V 1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 未実装 58 C23 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 59 C24 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 60 C25 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 61 C26 セラコン C1608JB1H 473K 50 V 0.047 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 62 C27 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 63 C28 セラコン C1608JB1H 473K 50 V 0.047 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 64 C29 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 65 C30 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 66 C31 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 67 C32 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 68 C33 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 69 C34 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 70 C35 セラコン C1608JB1H 222K 50 V 2200 pF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 71 C36 セラコン C1608CH1 H101J 50 V 100 pF ± 5％ 温特 CH 1608 TDK 72 C37 セラコン C1608JB1H 104K 50 V 0.1 µF ± 10％ 温特 B 1608 TDK 73 R1 ジャン パー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 74 R2 ジャン パー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 未実装 （続く） 8 MB39A108 記号 項 ( 回路図 表記 ) 75 R3 76 仕 様 品名 型格 パッケージ メーカ 備考 定格 1 定格 2 定格 3 値 偏差 特性 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 未実装 R4 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 未実装 77 R5 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 78 R6 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 79 R7 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 80 R8 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 81 R9 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 未実装 82 R10 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ 3216 KOA 未実装 83 R11 ジャンパー RK73Z2B 2A 0Ω Max 50 mΩ － 3216 KOA 未実装 84 R12 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 85 R13 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 86 R14 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 87 R15 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 88 R16 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 89 R17 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 90 R18 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 91 R19 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 92 R20 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 93 R21 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 94 R22 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 95 R23 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 96 R24 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 97 R25 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 98 R26 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 （続く） 9 MB39A108 記号 項 ( 回路図 表記 ) 99 R27 100 仕 様 品名 型格 パッケージ メーカ 備考 定格 1 定格 2 定格 3 値 偏差 特性 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA R28 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 101 R29 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 102 R30 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 103 R31 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 104 R32 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 105 R33 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 106 R34 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 107 R35 抵抗 RR0816P511-D 1/16 W 510 Ω ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 108 R36 抵抗 RR0816P432-D 1/16 W 4.3 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 109 R37 抵抗 RR0816P243-D 1/16 W 24 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 110 R38 抵抗 RR0816P202-D 1/16 W 2 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 111 R39 抵抗 RR0816P511-D 1/16 W 510 Ω ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 112 R40 抵抗 RR0816P153-D 1/16 W 15 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 113 R41 抵抗 RR0816P153-D 1/16 W 15 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 114 R42 抵抗 RR0816P102-D 1/16 W 1 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 115 R43 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 116 R44 抵抗 － 1608 KOA 1608 未実装 未実装 未実装 117 R45 抵抗 RR0816P681-D 1/16 W 680 Ω ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C 118 R46 抵抗 RR0816P303-D 1/16 W 30 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 119 R47 抵抗 RR0816P103-D 1/16 W 10 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 120 R48 抵抗 RR0816P102-D 1/16 W 1 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 121 R49 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ － 1608 KOA 未実装 122 R50 抵抗 － － － 1608 － 未実装 ssm （続く） 10 MB39A108 （続き） 記号 仕 様 項 品名 ( 回路図 表記 ) 123 R51 抵抗 124 R52 125 型格 パッケージ メーカ 備考 定格 1 定格 2 定格 3 値 偏差 RR0816P301-D 1/16 W 300 Ω ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 抵抗 RR0816P303-D 1/16 W 30 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm R53 抵抗 RR0816P183-D 1/16 W 18 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 126 R54 抵抗 RR0816P102-D 1/16 W 1 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 127 R55 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 128 R56 抵抗 1608 未実装 129 R57 抵抗 RR0816P681-D 1/16 W 680 Ω ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 130 R58 抵抗 RR0816P303-D 1/16 W 30 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 131 R59 抵抗 RR0816P103-D 1/16 W 10 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 132 R60 抵抗 RR0816P102-D 1/16 W 1 kΩ ± 0.5％ ± 25 1608 ppm/ °C ssm 133 R61 ジャンパー RK73Z1J 1A 0Ω Max 50 mΩ 1608 KOA 未実装 134 R62 抵抗 1608 未実装 135 R63 抵抗 1/16 W 6.8 kΩ ± 0.5％ 136 R64 抵抗 1608 未実装 137 R65 抵抗 1608 未実装 138 SW1 スイッチ DMS-6H MATSUKYU 139 接続端子 WT-2-1 マック エイト SANYO TDK SUMIDA KOA ssm MATSUKYU マックエイト RR0816P682-D 特性 ± 25 1608 ppm/ °C ssm 三洋電機株式会社 TDK 株式会社 スミダコーポレーション株式会社 コーア株式会社 進工業株式会社 松久株式会社 株式会社マックエイト 11 MB39A108 ■ 初期設定 ・出力電圧設定 CH1 : DVo1 (V) ＝ 1.0 / R37 × (R35 ＋ R36 ＋ R37) ≒ 1.2 (V) CH2 : DVo2 (V) ＝ 1.23 / R41 × (R39 ＋ R40 ＋ R41) ≒ 2.5 (V) CH3 : TVo1-2 (V) ＝ 1.23 / R47 × (R45 ＋ R46 ＋ R47) ≒ 5 (V) CH4: SVo1 (V) ＝ 1.23 / R53 × (R51 ＋ R52 ＋ R53) ≒ 3.3 (V) CH5 : TVo2-2 (V) ＝ 1.23 / R59 × (R57 ＋ R58 ＋ R59) ≒ 5 (V) ・発振周波数 fosc (kHz) = 659600 / (C36 (pF) × R63 (kΩ) ) ≒ 970 (kHz) ・ソフトスタート時間 CH1 : ts (s) ＝ 0.10 × C25 (µF) ≒ 10 (ms) CH2 : ts (s) ＝ 0.123 × C27 (µF) ≒ 12.3 (ms) CH3 : ts (s) ＝ 1.23 × C29 (µF) ≒ 123 (ms) CH4 : ts (s) ＝ 1.23 × C31 (µF) ≒ 123 (ms) CH5 : ts (s) ＝ 1.23 × C33 (µF) ≒ 123 (ms) ・ショート検出時間 tscp (s) ＝ 0.70 × C35 (µF) ≒ 1.54 (ms) 12 MB39A108 ■ 参考データ ・効率－入力電圧特性 TOTAL 効率 TOTAL 効率－入力電圧特性 100 95 TOTAL 効率 η (％) 90 85 80 CH1：降圧方式 / 同期整流有 DVo1 ＝ 1.2 V, DIo1 ＝ 500 mA CH2：降圧方式 DVo2 ＝ 2.5 V, DIo2 ＝ 250 mA CH3：トランス式方 TVo1-1 ＝ 15 V, TIo1-1 ＝ 10 mA TVo1-2 ＝ 5 V, TIo1-2 ＝ 50 mA CH4：SEPIC 方式 SVo1 ＝ 3.3 V, SIo1 ＝ 500 mA CH5：トランス方式 TVo2-1 ＝ 15 V, TIo2-1 ＝ 10 mA TVo2-2 ＝ 5 V, TIo2-2 ＝ 50 mA TVo2-3 ＝－ 7.5 V, TIo2-3 ＝－ 5 mA fosc ＝ 1 MHz 設定 75 70 65 60 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 入力電圧 VIN (V) 各 CH 効率 各 CH 効率－入力電圧特性 100 95 各 CH 効率 η (％) 90 CH2 85 CH4 CH1 80 CH5 75 CH3 70 ( 注意 ) 当該 CH のみ ON 外付け SW Tr 駆動電流含む 65 60 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 入力電圧 VIN (V) 13 MB39A108 ・ロードレギュレーション (VIN ＝ 3.6 V) CH1, CH2, CH4 DC/DC コンバータ出力電圧－負荷電流特性 ( ロードレュギレーション ) DC/DC コンバータ出力電圧 (V) 5 4 SVo1 (CH4) ＝ 3.3 V 設定 3 DVo2 (CH2) ＝ 2.5 V 設定 2 DVo1 (CH1) ＝ 1.2 V 設定 1 0 0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500 負荷電流 Io (mA) CH3, CH5 DC/DC コンバータ出力電圧－負荷電流特性 ( ロードレュギレーション ) DC/DC コンバータ出力電圧 (V) 7 6 TVo1-2, TVo2-2 ＝ 5 V 設定 5 4 ( 注意 ) トランス使用 CH はフィードバック制御を 行っている出力のみ取得 TVo1-1 (15 V) ：TIo1-1 ＝ 10 mA 固定 TVo2-1 (15 V) ：TIo2-1 ＝ 10 mA 固定 TVo2-3 ( － 7.5 V) ：TIo2-3 ＝－ 5 mA 固定 3 2 0 5 10 15 20 25 30 負荷電流 Io (mA) 14 35 40 45 50 MB39A108 ・ラインレギュレーション DC/DC コンバータ出力電圧 (V) DC/DC コンバータ出力電圧－入力電圧特性 ( ラインレギュレーション：出力フィードバック制御有 ) 6 TVo1-2 (CH3) , TVo2-2 (CH5) ＝ 5 V 設定 5 4 SVo1 (CH4) ＝ 3.3 V 設定 3 DVo2 (CH2) ＝ 2.5 V 設定 2 DVo1 (CH1) ＝ 1.2 V 設定 1 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 入力電圧 VIN (V) DC/DC コンバータ出力電圧－入力電圧特性 ( ラインレギュレーション：出力フィードバック制御無 ) DC/DC コンバータ出力電圧 (V) 17 16 TVo1-1 ＝ 15 V 設定 15 TVo2-1 ＝ 15 V 設定 14 13 12 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 入力電圧 VIN (V) DC/DC コンバータ出力電圧 (V) DC/DC コンバータ出力電圧－入力電圧特性 ( ラインレギュレーション：出力フィードバック制御無 ) −5 −6 −7 TVo2-3 ＝－ 7.5 V 設定 −8 −9 −10 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 入力電圧 VIN (V) 15 MB39A108 ■ 部品選択方法 ・ボード写真 P-ch MOS FET ショットキーバリア ダイオード N-ch MOS FET インダクタ (L1) 出力平滑コンデンサ GND PGND VIN D1 R35 150 R24 5 D4 C31 VD6 D6 C12 SC 3 C3 100 L5 Q7 KE MCC 682 102 CTL 4 Q8 R34 D11 C22 GND6 D8 C16 R27 D7 VD9 R31 L6 R11 CH5 TVo2-1 C14 R8 CTLSW 5 000 0 6 6 CTL5 CTL TVo2-2 C17 B 5 5 R9 8V B 4 4 T2 8 1 VD7 C15 R30 3 3 D9 R10 VD8 Q9 R29 2 2 TVo2-3 C18 B 1 CTL4 CTL5 CH4 GND5 150 C11 CTL3 CTL4 出力平滑コンデンサ KE ON 1 CTL2 OFF R65 Q12 SVo1 C13 0 R20 R22 R53 R51 R7 R26 C7 R4 L4 CH3 TVo1-1 R25 R54 102 4 Q5 CTL1 CTL3 GND4 C9 R28 000 B 8V R5 183 301 0 R14 432 R32 153 243 R52 R58 R61 SC 3 C3 115 R37 R39 115 C27 R41 102 0 303 T1 8 1 VD4 C8 TVo1-2 B 103 FB4 Q6 R16 C10 0 C34 OUT5 JF C29 OUT4 R60 D5 000 R21 103 R18 C33 102 R6 VD5 0 ショットキーバリアダイオード GND3 C5 R17 OUT3 C32 R47 OUT2 CH2 トランス (T1) DVo3 C6 D3 C24 FB5 20 CS4 303 R56 R62 R45 R59 R57 189 R64 CTL2 VD3 Q4 R3 M1 CS5 SW1 OFF 0 R15 D13 Q11 CTL1 GND2 L3 R19 R55 681 303 R46 R48 CS3 R49 R50 ICGND R63 CT19 C35 FB3 C4 R23 VREF C37 C36 CSCP C30 202 MB39A108 0333 402 ES C23 -INS C3 R33 0 R38 CS2 FB1 CS1 VCCO 1 38 D2 000 D12 C25 0 FB2 R43 R2 DVo2 VD2 JS OUT1-2 R36 153 R40 R42 C28 R44 CH1 GND1 L2 Q3 C26 VCC KE Q2 0 DVo1 C2 SC 3 C3 000 OUT1-1 R13 VD1 JS C1 インダクタ (L2) L1 Q1 0 100 R12 R1 D10 C20 SVo2 L7 C21 出力平滑コンデンサ Q10 C19 GND7 インダクタ (L4) Nch MOS FET インダクタ トランス (T2) (L5) Board Photograph 16 ショットキーバリアダイオード MB39A108 • CH1：1.2 V 出力 ( 降圧方式 ) VIN (Max) ＝ 5 V, Io ＝ 500 mA, fosc ＝ 1000 kHz 1. P-ch MOS FET (MCH3317 (SANYO 製 ) ) VDS ＝－ 12 V, VGS ＝± 10 V, ID ＝－ 1.5 A, RDS (ON) ＝ 290 mΩ (Max) , Qg ＝ 2.6 nC N-ch MOS FET (MCH3405 (SANYO 製 ) ) VDS ＝ 20 V, VGS ＝± 10 V, ID ＝ 1.8 A, RDS (ON) ＝ 210 mΩ (Max) , Qg ＝ 4.5 nC ドレイン電流：ピーク値 FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。 FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると , ID は下記の式で求められます。 メイン側 VIN － Vo tON ID ≧ IO ＋ 2L 5 － 1.2 1 × × 0.24 2 × 10 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 0.5 ＋ ≧ 545.6 mA VO と tON は下記の式で求められます。 tON Vo ＝ VIN × t tON ＝ t × Vo ＝ VIN 1 × fosc Vo VIN 同期整流側 Vo 2L ID ≧ Io ＋ ≧ 0.5 ＋ tOFF 1.2 1 × × (1 － 0.24) 2 × 10 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 545.6 mA ドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧 FET のドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧は FET の定格電圧値内である必要があります。 FET のドレイン・ソース電圧を VDS, ゲート・ソース電圧を VGS とすると , VDS と VGS は下記の式で求められます。 メイン側 VDS ≦－ VIN (Max) ≦－ 5 V VGS ≦－ VIN (Max) ≦－ 5 V 同期整流側 VDS ≧ VIN (Max) ≧5V VGS ≧ VIN (Max) ≧5V 17 MB39A108 2. インダクタ (L1：RLF5018T-100MR94：TDK 製 ) 10 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 0.94 A 使用電圧範囲 , および全負荷電流条件にて連続電流であるためには , L は下記の条件を満足しなければなりません。 L≧ ≧ VIN － Vo 2Io 5 － 1.2 2 × 0.5 tON × 1 × 0.24 1000 × 103 ≧ 0.91 µH 連続電流条件になる負荷電流値 Io ≧ ≧ Vo tOFF 2L 1.2 1 × × (1 － 0.24) 2 × 10 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 45.6 mA インダクタ電流：ピーク値 インダクタ電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 インダクタ電流のピーク値を IL とすると , IL は下記の式で求められます。 IL ≧ Io ＋ ≧ 0.5 ＋ VIN － Vo 2L tON 5 － 1.2 1 × × 0.24 2 × 10 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 545.6 mA インダクタ電流：ピークピーク値 インダクタ電流のピークピーク値を ∆IL とすると , ∆IL は下記の式で求められます。 ∆IL ＝ ＝ VIN － Vo L 5 － 1.2 1 × × 0.24 10 × 10 － 6 1000 × 103 ≒ 91.2 mA 18 tON MB39A108 • CH2：2.5 V 出力 ( 降圧方式 ) VIN (Max) ＝ 5 V, Io ＝ 250 mA, fosc ＝ 1000 kHz 1. P-ch MOS FET (MCH3317 (SANYO 製 ) ) VDS ＝－ 12 V, VGS ＝± 10 V, ID ＝－ 1.5 A, RDS (ON) ＝ 290 mΩ (Max) , Qg ＝ 2.6 nC ドレイン電流：ピーク値 FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。 FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると , ID は下記の式で求められます。 VIN － Vo 2L ID ≧ Io ＋ ≧ 0.25 ＋ tON 5 － 2.5 1 × × 0.5 2 × 15 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 291.7 mA VO と tON は下記の式で求められます。 tON Vo ＝ VIN × t tON ＝ t × Vo ＝ VIN 1 × fosc Vo VIN ドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧 FET のドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧は FET の定格電圧値内である必要があります。 FET のドレイン・ソース電圧を VDS, ゲート・ソース電圧を VGS とすると , VDS と VGS は下記の式で求められます。 VDS ≦－ VIN (Max) ≦－ 5 V VGS ≦－ VIN (Max) ≦－ 5 V 2. インダクタ (L2：RLF5018T-150MR76：TDK 製 ) 15 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 0.76 A 使用電圧範囲 , および全負荷電流条件にて連続電流であるためには , L は下記の条件を満足しなければなりません。 L≧ ≧ VIN － Vo 2Io tON 5 － 2.5 1 × × 0.5 2 × 0.25 1000 × 103 ≧ 2.5 µH 連続電流条件になる負荷電流値 Io ≧ ≧ Vo tOFF 2L 2.5 1 × × (1 － 0.5) 2 × 15 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 41.7 mA 19 MB39A108 インダクタ電流：ピーク値 インダクタ電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 インダクタ電流のピーク値を IL とすると , IL は下記の式で求められます。 IL ≧ Io ＋ VIN － Vo 2L ≧ 0.25 ＋ tON 5 － 2.5 1 × × 0.5 2 × 15 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 291.7 mA インダクタ電流：ピークピーク値 インダクタ電流のピークピーク値を ∆IL とすると , ∆IL は下記の式で求められます。 ∆IL ＝ ＝ VIN － Vo L tON 5 － 2.5 15 × 10 － 6 × 1 × 0.5 1000 × 103 ≒ 83.3 mA 3. ショットキーバリアダイオード (SBS004：SANYO 製 ) VRRM ( 繰返しピーク逆電圧 ) ＝ 15 V, IF ( 平均出力電流 ) ＝ 1.0 A, IFSM ( サージ順電流 ) ＝ 10 A, VF ( 順電圧 ) ＝ 0.35 V ダイオード電流：ピーク値 ダイオード電流のピーク値はダイオードの定格電流値内である必要があります。 ダイオード電流のピーク値を IFSM とすると IFSM は下記の式で求められます。 Vo 2L IFSM ≧ Io ＋ tOFF 2.5 1 × × (1 － 0.5) 1000 × 103 2 × 15 × 10 － 6 ≧ 0.25 ＋ ≧ 291.7 mA ダイオード電流：平均値 ダイオード電流の平均値はダイオードの定格電流値内である必要があります。 ダイオード電流の平均値を IF とすると IF は下記の式で求められます。 IF ≧ Io × tOFF t ≧ 0.25 × (1 － 0.5) ≧ 125 mA 繰返しピーク逆電圧 ダイオードの繰返しピーク逆電圧はダイオードの定格電圧値内である必要があります。 ダイオードの繰返しピーク逆電圧を VRRM とすると VRRM は下記の式で求められます。 VRRM ≧ VIN (Max) ≧ 5V 20 MB39A108 • CH3：( トランス方式 ) VIN (Max) ＝ 5 V, TVo1-1 ＝ 15 V, TIo1-1 ＝ 10 mA VIN (Min) ＝ 2.5 V, TVo1-2 ＝ 5 V, TIo1-2 ＝ 50 mA ｛ 1. P-ch MOS FET (MCH3306：SANYO 製 ) VDS ＝－ 20 V, VGS ＝± 10 V, ID ＝－ 2 A, RDS (ON) ＝ 145 mΩ (Max) , Qg ＝ 10 nC FET のドレイン電流の定格は 0.31 A 以上である必要があります。 また , FET のドレイン・ソース電圧の定格は 11 V 以上である必要があります。 2. ショットキーバリアダイオード (SB05-05CP：SANYO 製 ) VRRM ( 繰り返しピーク逆電圧 ) ＝ 50 V, IF ( 平均出力電流 ) ＝ 500 mA, IFSM ( サージ順電流 ) ＝ 5 A ダイオードの定格は , それぞれ , VRRM ( 繰り返しピーク逆電圧 ) ＝ 27 V, IF ( 平均出力電流 ) ＝ 50 mA, IFSM ( サージ順電流 ) ＝ 0.3 A 以上である必要があります。 21 MB39A108 • CH4：3.3 V 出力 (Sepic 方式 ) VIN ＝ 2.5 V ～ 5 V, Io ＝ 500 mA, fosc ＝ 1000 kHz 1. N-ch MOS FET (MCH3405 (SANYO 製 ) ) VDS ＝ 20 V, VGS ＝± 10 V, ID ＝ 1.8 A, RDS (ON) ＝ 210 mΩ (Max) , Qg ＝ 4.5 nC ドレイン電流：ピーク値 FET のドレイン電流のピーク値は FET の定格電流値内である必要があります。 FET のドレイン電流のピーク値を ID とすると , ID は下記の式で求められます。 ID ≧ ≧ VO ＋ VIN (Min) 1 × Io ＋ VIN (Min) 2 3.3 ＋ 2.5 × 0.5 ＋ 2.5 1 2 1 1 ＋ L4 L5 × VIN (Min) × tON 1 1 ＋ 10 × 10 － 6 15 × 10 － 6 × 2.5 × 1 × 0.57 1000 × 103 ≧ 1.279 A VO と tON は下記の式で求められます。 tON Vo ＝ VIN × tOFF tON ＝ t × ＝ Vo VIN ＋ VO 1 × fosc Vo VIN ＋ VO ドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧 FET のドレイン・ソース電圧 / ゲート・ソース電圧は FET の定格電圧値内である必要があります。 FET のドレイン・ソース電圧を VDS, ゲート・ソース電圧を VGS とすると , VDS と VGS は下記の式で求められます。 VDS ≧ VIN (Max) ＋ Vo ≧ 5 ＋ 3.3 ≧ 8.3 V VGS ≧ VIN (Max) ≧ 5V 2. インダクタ (L4：RLF5018T-100MR94：TDK 製 ) 10 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 0.94 A 使用電圧範囲 , および全負荷電流条件にて連続電流であるためには , L は下記の条件を満足しなければなりません。 L≧ ≧ VIN (Max) 2 2IoVO 52 1 × × 0.57 2 × 0.5 × 3.3 1000 × 103 ≧ 4.3 µH 22 × tON MB39A108 連続電流条件になる負荷電流値 Io ≧ ≧ VIN (Max) 2 2LVO × tON 52 1 × × 0.57 2 × 10 × 10 － 6 × 3.3 1000 × 103 ≧ 216 mA （注意事項）L5 の IO といずれか大きい値にて連続電流条件になります。 IL 電流：ピーク値 IL 電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 IL 電流は下記の式で求められます。 IL ≧ ≧ Vo VIN (Min) IO ＋ × tON VIN (Min) 2L 3.3 2.5 × 0.5 ＋ 2.5 1 × × 0.57 2 × 10 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 731 mA 3. インダクタ (L5：RLF5018T-150MR76：TDK 製 ) 15 µH ( 許容差± 20％) , 定格電流＝ 0.76 A 使用電圧範囲 , および全負荷電流条件にて連続電流であるためには , L は下記の条件を満足しなければなりません。 L≧ ≧ VIN (Max) 2Io × tON 5 1 × × 0.57 2 × 0.5 1000 × 103 ≧ 2.9 µH 連続電流条件になる負荷電流値 Io ≧ ≧ VIN (Max) 2L × tON 5 1 × × 0.57 2 × 10 × 10 － 6 1000 × 103 ≧ 143 mA （注意事項）L4 の IO といずれか大きい値にて連続電流条件になります。 IL 電流：ピーク値 IL 電流のピーク値はインダクタの定格電流値内である必要があります。 IL 電流は下記の式で求められます。 IL ≧ Io ＋ ≧ 0.5 ＋ VIN (Max) × tON 2L 5 1 × × 0.57 1000 × 103 2 × 15 × 10 － 6 ≧ 595 mA 23 MB39A108 4. ショットキーバリアダイオード (SBS004：SANYO 製 ) VRRM ( 繰返しピーク逆電圧 ) ＝ 15 V, IF ( 平均出力電流 ) ＝ 1.0 A, IFSM ( サージ順電流 ) ＝ 10 A, VF ( 順電圧 ) ＝ 0.35 V ダイオード電流：ピーク値 ダイオード電流のピーク値はダイオードの定格電流値内である必要があります。 ダイオード電流のピーク値を IFSM とすると , IFSM は下記の式で求められます。 IFSM ≧ ≧ VO ＋ VIN (Min) 1 × Io ＋ VIN (Min) 2 3.3 ＋ 2.5 × 0.5 ＋ 2.5 1 2 1 1 ＋ L4 L5 × VO × tOFF 1 1 ＋ 10 × 10 － 6 15 × 10 － 6 × 3.3 × 1 × (1 － 0.57) 1000 × 103 ≧ 1.279 A ダイオード電流：平均値 ダイオード電流の平均値はダイオードの定格電流値内である必要があります。 ダイオード電流の平均値を IF とすると IF は下記の式で求められます。 IF ≧ Io ≧ 0.5 A 繰返しピーク逆電圧 ダイオードの繰返しピーク逆電圧はダイオードの定格電圧値内である必要があります。 ダイオードの繰返しピーク逆電圧を VRRM とすると , VRRM は下記の式で求められます。 VRRM ≧ VIN (Max) ＋ Vo ≧ 5 ＋ 3.3 ≧ 8.3 V 24 MB39A108 • CH5：( トランス方式 ) VIN (Max) ＝ 5 V, TVo2-1 ＝ 15 V, TIo2-1 ＝ 10 mA VIN (Min) ＝ 2.5 V, TVo2-2 ＝ 5 V, TIo2-2 ＝ 50 mA TVo2-3 ＝－ 7.5 V, TIo2-3 ＝ － 5 mA ｛ 1. N-ch MOS FET (MCH3405 (SANYO 製 ) ) VDS ＝ 20 V, VGS ＝± 10 V, ID ＝ 1.8 A, RDS (ON) ＝ 210 mΩ (Max) , Qg ＝ 4.5 nC FET のドレイン電流の定格は 0.33 A 以上である必要があります。 また , FET のドレイン・ソース電圧の定格は 11 V 以上である必要があります。 2. ショットキーバリアダイオード (SB05-05CP：SANYO 製 ) VRRM ( 繰り返しピーク逆電圧 ) ＝ 50 V, IF ( 平均出力電流 ) ＝ 500 mA, IFSM ( サージ順電流 ) ＝ 5 A, ダイオードの定格はそれぞれ , VRRM ( 繰り返しピーク逆電圧 ) ＝ 27 V, IF ( 平均出力電流 ) ＝ 50 mA, IFSM ( サージ順電流 ) ＝ 0.3 A 以上である必要があります。 25 MB39A108 ■ オーダ型格 26 EV ボード型格 EV ボード版数 MB39A108EVB-01 MB39A108EVBoard Rev1.0 備 考 MB39A108 MEMO 27 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 〒 163-0722 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fml/ お問い合わせ先 富士通エレクトロニクス株式会社 〒 163-0731 東京都新宿区西新宿 2-7-1 新宿第一生命ビル http://jp.fujitsu.com/fei/ 電子デバイス製品に関するお問い合わせは , こちらまで , 0120-198-610 受付時間 : 平日 9 時～ 17 時 ( 土・日・祝日 , 年末年始を除きます ) 携帯電話・PHS からもお問い合わせができます。 ※電話番号はお間違えのないよう , お確かめのうえおかけください。 本資料の記載内容は , 予告なしに変更することがありますので , ご用命の際は営業部門にご確認ください。 本資料に記載された動作概要や応用回路例は , 半導体デバイスの標準的な動作や使い方を示したもので , 実際に使用する機器での動作を保証するも のではありません。従いまして , これらを使用するにあたってはお客様の責任において機器の設計を行ってください。これらの使用に起因する損害な どについては , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された動作概要・回路図を含む技術情報は , 当社もしくは第三者の特許権 , 著作権等の知的財産権やその他の権利の使用権または実施 権の許諾を意味するものではありません。また , これらの使用について , 第三者の知的財産権やその他の権利の実施ができることの保証を行うもので はありません。したがって , これらの使用に起因する第三者の知的財産権やその他の権利の侵害について , 当社はその責任を負いません。 本資料に記載された製品は , 通常の産業用 , 一般事務用 , パーソナル用 , 家庭用などの一般的用途に使用されることを意図して設計・製造されてい ます。極めて高度な安全性が要求され , 仮に当該安全性が確保されない場合 , 社会的に重大な影響を与えかつ直接生命・身体に対する重大な危険性を 伴う用途（原子力施設における核反応制御 , 航空機自動飛行制御 , 航空交通管制 , 大量輸送システムにおける運行制御 , 生命維持のための医療機器 , 兵 器システムにおけるミサイル発射制御をいう）, ならびに極めて高い信頼性が要求される用途（海底中継器 , 宇宙衛星をいう）に使用されるよう設計・ 製造されたものではありません。したがって , これらの用途にご使用をお考えのお客様は , 必ず事前に営業部門までご相談ください。ご相談なく使用 されたことにより発生した損害などについては , 責任を負いかねますのでご了承ください。 半導体デバイスはある確率で故障が発生します。当社半導体デバイスが故障しても , 結果的に人身事故 , 火災事故 , 社会的な損害を生じさせないよ う , お客様は , 装置の冗長設計 , 延焼対策設計 , 過電流防止対策設計 , 誤動作防止設計などの安全設計をお願いします。 本資料に記載された製品を輸出または提供する場合は , 外国為替及び外国貿易法および米国輸出管理関連法規等の規制をご確認の上 , 必要な手続き をおとりください。 本書に記載されている社名および製品名などの固有名詞は , 各社の商標または登録商標です。 編集 販売戦略部