str3a400 ds jp

PWM オフラインスイッチング電源用パワーIC
STR3A400 シリーズ
データシート
概要
パッケージ
STR3A400 シリーズは、パワーMOSFET と電流
モード型 PWM 制御 IC を 1 パッケージにした PWM
型スイッチング電源用パワーIC です。
低消費電力および低スタンバイ電力に対応する
ため、起動回路とスタンバイ機能を内蔵しています。
通常動作時は PWM 動作、軽負荷時はバースト動作
へ自動的に切り替わります。充実した保護機能によ
り、構成部品が尐なく、コストパフォーマンスの高
い電源システムを容易に構成できます。
DIP8
特長
● 高放熱パッケージ
● 回路効率の向上(ステップドライブ制御により、
二次側整流ダイオードは従来より低耐圧品を選
定でき、低 VF 化が可能)
● 電流モード PWM 制御
● ソフトスタート機能
● オートスタンバイ機能
無負荷時入力電力 PIN < 15mW
● 動作モード
通常時 -----------------------------------------PWM モード
軽負荷時 --------------------------------- グリーンモード
スタンバイ時 -------------------- バースト発振モード
● ランダムスイッチング機能
● スロープ補正機能(サブハーモニック発振の防止)
● リーディング・エッジ・ブランキング機能
● バイアスアシスト機能
● 保護機能
過電流保護(OCP) ----------- パルス・バイ・パルス
2 種類の OCP を搭載、入力補正機能付き
タイマー内蔵過負荷保護(OLP) --------- 自動復帰
過電圧保護(OVP) -------------ラッチ or 自動復帰
過熱保護(TSD) ------------------------------------------ラッチ or ヒステリシス付き自動復帰
応用回路例
L51
BR1
D51
T1
VAC
VOUT
R1
C5
PC1
C1
P
R55
C51
D1
S
R54
R51
R52
C53
C52 R53
8
7
6
U51
5
D2
D/ST D/ST D/ST
NC D/ST
C4
R2
U1
原寸大ではありません。
シリーズラインアップ
● 代表特性
fOSC(AVG)(typ.) = 65 kHz
VDSS(min.) = 650 V
製品名
OVP、TSD の動作
ラッチ
STR3A45×
自動復帰
STR3A45×D
● MOSFET ON 抵抗、出力電力 POUT*
製品名
STR3A451
RDS(ON)
(max.)
POUT
(Adapter)
AC85
AC230V
~265V
POUT
(Open frame)
AC85
AC230V
~265V
4.0 Ω
29.5 W
19.5 W
37 W
23 W
1.9 Ω
37 W
27.5 W
53 W
35 W
1.1 Ω
45 W
35 W
65 W
44 W
STR3A451D
STR3A453
STR3A453D
STR3A455
STR3A455D
* 周囲温度 50°C における実質的な連続出力電力です。最
大出力電力は連続出力電力の 120%~140%程度まで出
力可能です。ただし、コアサイズ、トランス設計時の
ON Duty の設定、放熱設計により、出力電力の制限を受
けることがあります。
アプリケーション
● AC/DC アダプタ
● 白物家電
● その他 SMPS
R56
GND
STR3A400
C2
D
S/OCP VCC GND FB/OLP
1
2
ROCP
3
4
C3
PC1
CY
TC_STR3A400_1_R2
STR3A400-DSJ Rev.2.1
サンケン電気株式会社
2015.09.18
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1
STR3A400 シリーズ
目次
概要 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 1
目次 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 2
1. 絶対最大定格 ------------------------------------------------------------------------------------------------------ 3
2. 電気的特性 --------------------------------------------------------------------------------------------------------- 4
3. 代表特性 ------------------------------------------------------------------------------------------------------------ 5
3.1 ディレーティング曲線 ------------------------------------------------------------------------------------ 5
3.2 MOSFET ASO 曲線---------------------------------------------------------------------------------------- 6
3.3 TA-PD1 曲線 --------------------------------------------------------------------------------------------------- 7
3.4 過渡熱抵抗曲線 --------------------------------------------------------------------------------------------- 8
4. ブロックダイアグラム ------------------------------------------------------------------------------------------ 9
5. 各端子機能 --------------------------------------------------------------------------------------------------------- 9
6. 応用回路例 -------------------------------------------------------------------------------------------------------- 10
7. 外形図--------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 11
8. 捺印仕様 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------- 11
9. 動作説明 ----------------------------------------------------------------------------------------------------------- 12
9.1 起動動作 ----------------------------------------------------------------------------------------------------- 12
9.2 低入力時動作禁止回路(UVLO) -------------------------------------------------------------------- 12
9.3 バイアスアシスト機能 ----------------------------------------------------------------------------------- 12
9.4 ソフトスタート機能 -------------------------------------------------------------------------------------- 13
9.5 定電圧制御回路動作 -------------------------------------------------------------------------------------- 13
9.6 リーディング・エッジ・ブランキング機能 ------------------------------------------------------- 14
9.7 ランダムスイッチング機能 ----------------------------------------------------------------------------- 14
9.8 オートスタンバイ機能 ----------------------------------------------------------------------------------- 14
9.9 ステップドライブ制御 ----------------------------------------------------------------------------------- 15
9.10 過電流保護機能(OCP) ------------------------------------------------------------------------------- 16
9.10.1 過電流保護動作 ------------------------------------------------------------------------------------- 16
9.10.2 過電流保護入力補正機能 ------------------------------------------------------------------------- 16
9.11 過負荷保護機能(OLP)-------------------------------------------------------------------------------- 17
9.12 過電圧保護機能(OVP) ------------------------------------------------------------------------------- 17
9.13 過熱保護機能(TSD) --------------------------------------------------------------------------------------- 18
10. 設計上の注意点 -------------------------------------------------------------------------------------------------- 18
10.1 外付け部品 -------------------------------------------------------------------------------------------------- 18
10.1.1 入力、出力の平滑用電解コンデンサ ---------------------------------------------------------- 18
10.1.2 S/OCP 端子周辺回路 ------------------------------------------------------------------------------- 19
10.1.3 VCC 端子周辺回路 --------------------------------------------------------------------------------- 19
10.1.4 FB/OLP 端子周辺回路 ----------------------------------------------------------------------------- 19
10.1.5 スナバ回路-------------------------------------------------------------------------------------------- 19
10.1.6 二次側エラーアンプ周辺回路 ------------------------------------------------------------------- 19
10.1.7 トランス ----------------------------------------------------------------------------------------------- 19
10.2 パターン設計 ----------------------------------------------------------------------------------------------- 20
11. パターンレイアウト例 ----------------------------------------------------------------------------------------- 22
12. 電源回路例 -------------------------------------------------------------------------------------------------------- 23
使用上の注意 ---------------------------------------------------------------------------------------------------------- 25
注意書き ---------------------------------------------------------------------------------------------------------------- 26
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STR3A400 シリーズ
1.
絶対最大定格
● 電流値の極性は、IC を基準としてシンクが“+”、ソースが“-”と規定
● 特記がない場合の条件 TA = 25 °C、5 pin = 6 pin = 7 pin = 8 pin
項目
記号
測定条件
IDPEAK
シングルパル
ス
端子
定格
単位
3.6
ドレインピーク電流
(1)
アバランシェエネルギ
耐量(2)(3)
8–1
ILPEAK = 2.13 A
EAS
ILPEAK = 2.46 A
8–1
ILPEAK = 3.05 A
5.2
3A451 / 51D
A
3A455 / 55D
53
3A451 / 51D
72
mJ
110
1–3
−2~6
V
制御部電源電圧
VCC
2–3
32
V
FB/OLP 端子電圧
VFB
4–3
− 0.3 ~ 14
V
FB/OLP 端子流入電流
IFB
4–3
1.0
mA
VD/ST
8−3
−1 ~ VDSS
V
MOSFET 部許容損失
PD1
基板実装時
基 板 サ イ ズ
15mm×15mm
1.68
8–1
1.76
3A451 / 51D
W
1.81
PD2
2–3
1.3
W
動作周囲温度
TOP
−
− 40 ~ 125
°C
Tstg
−
− 40 ~ 125
°C
Tch
−
150
°C
チャネル温度
(5)
3A453 / 53D
3A455 / 55D
制御部許容損失(MIC)
保存温度
3A453 / 53D
3A455 / 55D
VS/OCP
(4)
3A453 / 53D
7.2
S/OCP 端子電圧
D/ST 端子電圧
備考
VCC×ICC で規定
(1)
3.2 MOSFET ASO 曲線参照
図 3-2 アバランシェエネルギ耐量ディレーレィング曲線参照
(3)
Single pulse, VDD = 99 V, L = 20 mH
(4)
3.3 Ta-PD1 曲線参照
(5)
動作時推奨フレーム温度 TF = 115 °C(max.)
(2)
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STR3A400 シリーズ
2.
電気的特性
● 電流値の極性は、IC を基準としてシンクが“+”、ソースが“-”と規定
● 特記がない場合の条件 TA = 25 °C、VCC = 18 V、5 pin = 6 pin = 7 pin = 8 pin
項目
記 号
測定条件
端子
Min.
Typ.
Max.
単位
VCC(ON)
2−3
13.8
15.0
16.2
V
VCC(OFF)
2−3
7.6
8.5
9.2
V
2−3
−
1.7
3.0
mA
40
47
55
V
− 4.5
− 2.5
− 1.2
mA
2−3
8.0
9.6
10.5
V
fOSC(AVG)
8−3
58
65
72
kHz
Δf
8−3
−
5.4
−
kHz
4−3
− 110
− 72
− 40
µA
− 21
− 13
−5
µA
2.64
3.30
3.96
2.40
3.00
3.60
2.40
3.00
3.60
2.10
2.62
3.14
23
30
37
1.40
1.53
1.66
1.25
1.37
1.49
備考
電源起動動作
動作開始電源電圧
動作停止電源電圧
(1)
動作時回路電流
ICC(ON)
最低起動電圧
VST(ON)
8−3
起動電流
ICC(ST)
VCC = 13.5 V 2 − 3
起動電流供給しきい電圧
VCC(BIAS)
VCC = 12 V
ICC=−500µA
通常動作
平均発振周波数
発振周波数変動幅
最大フィードバック電流
IFB(MAX)
最小フィードバック電流
IFB(MIN)
4−3
周波数低減開始 FB/OLP 端
子電圧
VFB(FDS)
1−8
周波数低減停止 FB/OLP 端
子電圧
VFB(FDE)
最低発振周波数
fOSC(MIN)
5−8
VFB(OFF)
4−3
VCC = 12 V
軽負荷動作
1−8
V
3A451 / 51D
3A453 / 53D
3A455 / 55D
V
3A451 / 51D
3A453 / 53D
3A455 / 55D
kHz
スタンバイ動作
発振停止 FB 電圧
V
3A451 / 51D
3A453 / 53D
3A455 / 55D
保護動作
最大オンデューティ幅
リーディング・エッジ・ブ
ランキング時間
DMAX
8−3
70
75
80
%
tBW
−
−
330
−
ns
過電流補正値
DPC
−
−
17.3
−
mV/μs
過電流補正制限デューティ
DDPC
−
−
36
−
%
ゼロオンデューティ時 OCP
しきい電圧
VOCP(L)
1−3
0.735
0.795
0.855
V
36%duty 時 OCP しきい電圧
VOCP(H)
1−3
0.843
0.888
0.933
V
LEB(tBW)時 OCP しきい電圧
VOCP(LEB)
1−3
−
1.69
−
V
OLP しきい電圧
VFB(OLP)
VCC = 32 V
4−3
6.8
7.3
7.8
V
OLP 動作後回路電流
ICC(OLP)
VCC = 12 V
2−3
−
260
−
µA
tOLP
−
55
75
90
ms
VFB(CLAMP)
4−3
10.5
11.8
13.5
V
OLP 遅延時間
FB/OLP 端子クランプ電圧
(1)
VCC(OFF) < VCC(BIAS) の関係が成り立つ
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STR3A400 シリーズ
項目
記 号
測定条件
端子
Min.
Typ.
Max.
単位
OVP しきい電圧
VCC(OVP)
2−3
27.0
29.1
31.2
V
熱保護動作温度
Tj(TSD)
−
127
145
−
°C
Tj(TSD)HYS
−
−
80
−
°C
熱保護動作温度ヒステリシ
ス
備考
3A4××D
MOSFET 部
ドレイン・ソース間電圧
VDSS
IDS = 300 µA
8–1
650
−
−
V
ドレイン漏れ電流
IDSS
VDS = VDSS
8–1
−
−
300
μA
−
−
4.0
−
−
1.9
−
−
1.1
−
−
250
ns
−
−
18
°C/W
3A451 / 51D
3A453 / 53D
−
−
17
°C/W
3A455 / 55D
ON 抵抗
RDS(ON)
スイッチング・タイム
IDS = 0.4 A
8–1
tf
8–1
θch-C
−
3A451 / 51D
Ω
3A453 / 53D
3A455 / 55D
熱抵抗
チャネル − ケース間(2)
(2)
MOSFET のチャネルとケース間の熱抵抗。ケース温度(TC)は捺印面中央部の温度で規定
代表特性
3.
3.1
ディレーティング曲線
100
EAS温度ディレーティング係数 (%)
ASO温度ディレーティング係数 (%)
100
80
60
40
20
0
0
25
50
75
100
125
150
80
60
40
20
0
25
チャネル温度 Tch (°C)
図 3-1 ASO 温度ディレーティング係数曲線
50
75
100
125
150
チャネル温度 Tch (°C)
図 3-2 アバランシェエネルギ耐量ディレーレィング
曲線
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STR3A400 シリーズ
3.2
MOSFET ASO 曲線
IC を使用する際は、図 3-1 より温度ディレーティング係数を求め、ASO 曲線のディレーティングを行いま
す。破線は、オン抵抗による制限曲線です。
特記がない場合の条件は TA = 25 °C、Single pulse です。
● STR3A453 / 53D
10
1
1ms
0.1
0.1ms
ドレイン電流 ID (A)
ドレイン電流 ID (A)
0.1ms
S_STR3A451x_R1
10
1
S_STR3A453x_R1
● STR3A451 / 51D
1ms
0.1
0.01
0.01
1
10
100
1
1000
10
100
1000
ドレイン・ソース間電圧 (V)
ドレイン・ソース間電圧 (V)
● STR3A455 / 55D
ドレイン電流 ID (A)
0.1ms
1
S_STR3A455x_R1
10
1ms
0.1
0.01
1
10
100
1000
ドレイン・ソース間電圧 (V)
STR3A400-DSJ Rev.2.1
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STR3A400 シリーズ
TA-PD1 曲線
PD1 = 1.68 W
PD1_STR3A453x_R2
2.0
1.8
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
● STR3A453 / 53D
PD1_STR3A451x_R2
許容損失PD1 (W)
● STR3A451 / 51D
2.0
PD1 = 1.76 W
1.8
1.6
許容損失PD1 (W)
3.3
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 TA (°C )
周囲温度 TA (°C )
● STR3A455 / 55D
PD1_STR3A455x_R2
2.0
PD1 = 1.81 W
1.8
許容損失PD1 (W)
1.6
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0.0
0
25
50
75
100
125
150
周囲温度 TA (°C )
STR3A400-DSJ Rev.2.1
サンケン電気株式会社
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7
STR3A400 シリーズ
過渡熱抵抗曲線
3.4
● STR3A451 /51D
過渡熱抵抗
TR_STR3A451x_R1
θch-c (°C/W)
10
1
0.1
0.01
1µ
10µ
100µ
1m
10m
100m
時間 t (s)
TR_STR3A453x_R1
● STR3A453 / 53D
過渡熱抵抗
θch-c (°C/W)
10
1
0.1
0.01
1µ
10µ
100µ
1m
10m
100m
1m
10m
100m
時間 t (s)
TR_STR3A455x_R1
● STR3A455 / 55D
過渡熱抵抗
θch-c (°C/W)
10
1
0.1
0.01
1µ
10µ
100µ
時間 t (s)
STR3A400-DSJ Rev.2.1
サンケン電気株式会社
2015.09.18
http://www.sanken-ele.co.jp
© SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2014
8
STR3A400 シリーズ
4.
ブロックダイアグラム
VCC
D/ST
2
STARTUP
UVLO
REG
PWM OSC
S Q
VREG
OVP
5~8
TSD
DRV
R
OCP
VCC
OLP
Feedback
Control
FB/OLP
Drain Peak Current
Compensation
S/OCP
LEB
4
1
GND
Slope
Compensation
3
BD_STR3A400_R1
5.
各端子機能
S/OCP
1
8
D/ST
VCC
2
7
D/ST
GND
3
6
D/ST
FB/OLP
4
5
D/ST
端子番号
端子名
機能
1
S/OCP
パワーMOSFET ソース/過電流検出信号入力
2
VCC
制御回路電源入力/過電圧検出信号入力
3
GND
グランド
4
FB /OLP
定電圧制御信号入力/過負荷保護信号入力
D/ST
パワーMOSFET ドレイン/起動電流入力
5
6
7
8
STR3A400-DSJ Rev.2.1
サンケン電気株式会社
2015.09.18
http://www.sanken-ele.co.jp
© SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2014
9
STR3A400 シリーズ
6.
応用回路例
放熱効果を上げるため、D/ST 端子(5~8 番ピン)のパターンは極力広くします。
D/ST 端子のサージ電圧が大きくなる電源仕様の場合は、P 巻線間に CRD クランプスナバ回路や、D/ST 端
子と S/OCP 端子間に C または RC ダンパースナバ回路を追加します。
CRDクランプスナバ
L51
BR1
D51
T1
VAC
VOUT
R1
C5
PC1
C1
P
R55
C51
D1
S
R54
R51
R52
C53
C52 R53
8
7
6
U51
5
D2
D/ST D/ST D/ST
NC D/ST
C4
U1
R56
GND
STR3A400
C(RC)
ダンパースナバ
R2
C2
D
S/OCP VCC GND FB/OLP
1
2
ROCP
3
4
C3
CY
PC1
TC_STR3A400_2_R2
図 6-1
応用回路例
STR3A400-DSJ Rev.2.1
サンケン電気株式会社
2015.09.18
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© SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2014
10
STR3A400 シリーズ
7.
外形図
● DIP8
備考
● 単位:mm
● Pb フリー品(RoHS 対応)
8.
捺印仕様
8
製品名 (3A4×× / 3A4××D)
YMD
ロット番号
Y = 西暦下一桁 (0~9)
1
M = 月 (1~9、O、N、D)
D =日 (1~3)
1 : 1~10
2 : 11~20
3 : 21~ 31
管理番号
STR3A400-DSJ Rev.2.1
サンケン電気株式会社
2015.09.18
http://www.sanken-ele.co.jp
© SANKEN ELECTRIC CO.,LTD. 2014
11
STR3A400 シリーズ
動作説明
特記のない場合の特性数値は Typ.値を表記しま
す。
電流値の極性は、IC を基準として、シンクを“+”、
ソースを“−”と規定します。
9.1
t START  C2 ×
VCC ( ON )-VCC( INT )
(2)
I CC(ST )
ここで、
tSTART
:IC の起動時間 (s)
VCC(INT) :VCC 端子の初期電圧 (V)
起動動作
VCC 端子周辺回路を図 9-1 に示します。
9.2
VCC 端子電圧と回路電流 ICC の関係を図 9-2 に示
します。制御回路動作後、VCC 端子電圧が動作停止
しきい値 VCC(OFF) = 8.5 V に低下すると、低入力時動
作禁止(UVLO:Undervoltage Lockout)回路により、
制御回路は動作を停止し、再び起動前の状態に戻り
ます。
T1
BR1
VAC
C1
5-8
D/ST
VCC
2
D2
図 9-1
R2
回路電流 ICC
C2
GND
P
VD
D
3
停止
U1
低入力時動作禁止回路(UVLO)
VCC 端子周辺回路
本 IC は起動回路を内蔵し、起動回路は D/ST 端子
に接続しています。D/ST 端子の電圧が最低起動電
圧 VST(ON) = 47 V になると起動回路が動作します。
IC 内部で定電流化した起動電流 ICC(ST) = − 2.5 mA
は、VCC 端子に接続した電解コンデンサ C2 を充電
し、VCC 端子電圧が動作開始電源電圧 VCC(ON) = 15.0
V まで上昇すると、制御回路が動作を開始します。
制御回路が動作すると、VCC 端子への印加電圧は、
図 9-1 の補助巻線電圧 VD を整流平滑した電圧にな
ります。
電源起動後、起動回路は自動的に IC 内部で遮断
するため、起動回路による電力消費はなくなります。
補助巻線 D の巻数は、電源仕様の入出力変動範囲内
で、VCC 端子電圧が次式(1)の範囲になるように、
調整します。補助巻線電圧の目安は 18 V 程度です。
VCC( BIAS) (max .)  VCC  VCC(OVP ) (min .)
⇒10.5 (V) < VCC < 27.0 (V)
(1)
IC の起動時間は、C2 のコンデンサ容量で決まり、
起動時間の概算値は次式(2)で算出します。
VCC(OFF)
図 9-2
9.3
起動
9.
VCC(ON)
VCC
端子電圧
VCC 端子電圧と回路電流 ICC
バイアスアシスト機能
バイアスアシスト機能は、起動不良の抑制と、
ラッチ動作の保持をする機能です。
バイアスアシスト機能は、以下の条件で動作しま
す。ここで、VFB(OFF)は発振停止 FB 電圧、VCC(BIAS)
は起動電流供給しきい電圧です。
● 自動復帰タイプ:STR3A4××D
FB 端子電圧が VFB(OFF)以下のときに、VCC 端子電
圧が VCC(BIAS) = 9.6 V まで低下すると動作。
● ラッチタイプ:STR3A4××
FB 端子電圧が VFB(OFF)以下、もしくは保護機能に
より IC がラッチ状態のときに、VCC 端子電圧が
VCC(BIAS) = 9.6 V まで低下すると動作。
バイアスアシスト機能が動作すると、起動回路か
ら起動電流 ICC(ST)を供給し、VCC 端子電圧は VCC(BIAS)
でほぼ一定になります。これにより VCC 端子電圧
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が VCC(OFF)まで低下しないようにします。
バイアスアシスト機能により起動不良を抑制で
きるため、VCC 端子に接続するコンデンサ C2 の容
量を小さくできます。これにより、IC の起動時間と
過電圧保護機能(OVP)の応答時間の短縮が可能です。
電源起動時、バイアスアシスト機能は以下のよう
に動作します。起動不良が起きないよう、最終的に
実機で動作を確認し、定数を調整します。
電源起動時の VCC 端子電圧波形例を図 9-3 に示
します。起動時は、VCC 端子電圧が VCC(ON) = 15.0 V
に達すると、IC が動作開始して IC の回路電流が増
加するため、VCC 端子電圧が低下します。それと同
時に補助巻線電圧 VD は出力電圧の立ち上がり電圧
に比例して上昇します。これら電圧のバランスが
VCC 端子電圧を作ります。
起動時、VCC 端子電圧が低下して VCC(OFF) = 8.5 V
に達すると、制御回路が停止して起動不良になりま
す。起動時の出力負荷が軽負荷の場合、フィード
バック制御の応答遅れにより、出力電圧が設定電圧
以上になることがあります。このとき、フィード
バック制御により FB 端子電圧が低下して VFB(OFF)
以下になると、IC が発振を停止し、VCC 端子電圧
が低下します。この状態で VCC 端子電圧が VCC(BIAS)
に低下すると、バイアスアシスト機能が動作し、起
動不良を抑制します。
VCC端子
電圧
IC動作開始
ICの起動 電源の起動
定常状態
tSTART
VCC(ON)
VCC(OFF)
時間
ソフトスタート動作期間
約8.75 ms(内部固定)
D/ST端子
電流, ID
OCPで制限
tLIM < tOLP (min.)
時間
図 9-4
起動成功
VCC端子電圧
起動時の動作波形
設定電圧
VCC(ON)
VCC(BIAS)
出力電圧の
立ち上がりによる上昇
バイアスアシスト期間
VCC(OFF)
起動不良時
時間
図 9-3 起動時の VCC 端子電圧
9.4
ります。また、ソフトスタート動作期間が終わり、
出力電圧が設定電圧になるまでの期間は、D/ST 端
子電流 ID を過電流保護機能(OCP)で制限します。
この期間を tLIM とします。本 IC は、tLIM が OLP 遅
延時間 tOLP 以上になると、過負荷保護動作(OLP)
で出力電力を制限します。そのため、起動時におけ
る tLIM は、tOLP = 55 ms (min.)未満になるように、出
力の電解コンデンサの容量や、トランスの D 巻線の
巻数比を調整します。
ソフトスタート機能
図 9-4 に起動時の動作波形を示します。本 IC は、
電源起動時にソフトスタート機能が動作します。ソ
フトスタート動作期間は、IC 内部で約 8.75 ms に設
定しており、この期間に過電流しきい値が 7 段階で
ステップアップします。これにより、パワー
MOSFET および二次側整流ダイオードの、電圧・電
流ストレスを低減します。
ソフトスタート動作期間は、リーディング・エッ
ジ・ブランキング機能(9.6 項参照)が無効になる
ため、tBW = 330 ns 以下のオン時間となる場合があ
9.5
定電圧制御回路動作
出力電圧の定電圧制御は、過渡応答および安定性
に優れた電流モード制御(ピーク電流モード制御)
を使用しています。本 IC は、電流検出抵抗 ROCP の両
端電圧(VROCP )と目標電圧(VSC )を内部の FB
コンパレータで比較し、VROCP のピーク値が VSC に
近づくように制御します。VSC は、FB/OLP 端子の
電圧を Feedback Control 回路 (4.ブロックダイアグ
ラムの項参照)に入力し、スロープ補正を加えて作
ります(図 9-5、図 9-6 参照)。
● 軽負荷の場合
負荷が軽くなると、出力電圧の上昇に伴い二次側
エラーアンプのフィードバック電流が増加しま
す。この電流がフォトカプラを介して流れる IFB
を FB/OLP 端子から引き抜くことにより、FB/OLP
端子電圧は低下します。これにより、目標電圧
VSC が下がるため、VROCP のピーク値が低下するよ
うに制御を行います。その結果、ドレイン電流の
ピーク値が減尐し、出力電圧の上昇を抑えます。
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● 重負荷の場合
負荷が重くなると、軽負荷時の逆の動作になり、
FB コンパレータの目標電圧 VSC が高くなるため、
ドレイン電流のピーク値が増加し出力電圧の低
下を抑えます。
ピーク電流モード制御の PWM 方式が連続モード
で動作すると、ドレイン電流波形が台形波状になり
ます。このモードは、制御量(目標電圧 VSC)で決
まるドレインピーク電流値が一定でも、オン期間が
ドレイン電流の初期値により変化するため、図 9-7
のようにサブハーモニック発振が生じます。サブ
ハーモニック発振とは、オン期間がスイッチング周
期の整数倍で変動する動作です。これを防ぐため、
FB/OLP 端子電圧信号にダウンスロープ補正信号
(オンデューティーが広くなるほどドレインピー
ク電流値を下げる信号)を加えて目標電圧 VSC を作
り、サブハーモニック発振を抑える制御を行います。
なお、フィードバック制御が外れる電源過渡状態
(電源起動時、負荷短絡時など)では、サブハーモ
ニック発振が発生する場合がありますが、動作上の
問題はありません。
U1
S/OCP
1
GND FB/OLP
3
4
PC1
VROCP
ROCP
C3
FBコンパレータによる目標電圧
(スロープ補正がない場合)
tON1
t
図 9-7
9.6
スロープ補正を
加えた目標電圧
VSC
+
VROCP
FBコンパレータ
ROCPの両端電圧
ドレイン電流
ID
図 9-6
t
サブハーモニック発振時のドレイン電流
波形例
リーディング・エッジ・ブランキン
グ機能
IFB
FB/OLP 端子周辺回路
-
t
本 IC は出力電圧の定電圧制御にピーク電流モー
ド制御方式を使用しています。ピーク電流モード制
御方式の場合、パワーMOSFET がターンオンしたと
きに発生する急峻なサージ電流により、FB コンパ
レータや過電流保護回路が応答し、パワーMOSFET
がオフする可能性があります。
この現象を防ぐため、パワーMOSFET がターン
オンした瞬間から、リーディング・エッジ・ブラン
キング時間 tBW = 330 ns を設けています。この期間
は、過電流の検出電圧が VOCP(LEB) = 1.69 V になり、
ターンオン時のドレイン電流サージに応答しない
ようにしています(9.10 過電流保護機能の項参照)。
9.7
図 9-5
tON2
定常時の ID と FB コンパレータ動作
ランダムスイッチング機能
本 IC は、PWM 平均発振周波数 fOSC(AVG)に周波数
変動を重畳する機能を内蔵しています。スイッチン
グ動作中は、fOSC(AVG)に対してランダムに微変動し
ます。これにより、この機能がない製品と比較し、
雑音端子電圧(コンダクションノイズ)が低減する
ため、入力部のノイズフィルタなどを簡略化できま
す。
9.8
オートスタンバイ機能
本 IC は、軽負荷時の効率を改善するため、オー
トスタンバイ機能を搭載しています。オートスタン
バイ機能とは、負荷に応じてグリーンモード、バー
スト発振動作に自動的に切り替わる機能で、これに
よりスイッチング損失を低減します(図 9-8 参照)。
負荷が軽くなると FB/OLP 端子電圧が低下します。
FB/OLP 端子電圧が周波数低減開始 FB/OLP 端子電
圧 VFB(FDS)以下になるとグリーンモードに移行し、
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周波数低減停止 FB/OLP 端子電圧 VFB(FDE)になるま
で周波数を低減させます(表 9-1 参照)。このとき
の最低発振周波数は fOSC(MIN) = 30 kHz です。
さらに FB/OLP 端子電圧が低下し、FB/OLP 端子
電圧がスタンバイ動作点に達すると、バースト発振
動作に移行します。図 9-9 のように、バースト発振
動作時は発振期間と発振停止期間があります。発振
期間は fOSC(MIN)でスイッチング動作をします。
動電流 ICC(ST) を VCC 端子へ供給します。これによ
り VCC 端子電圧の低下を抑え、安定したスタンバ
イ動作が行えます。なお、定常動作時(バースト発
振動作時を含む)にバイアスアシスト機能が動作す
ると、消費電力が増加するため、VCC 端子電圧は常
に VCC(BIAS) より高くする必要があり、トランスの補
助巻線と二次巻線の巻数比や VCC 端子に接続する
R2 を小さくするなどの調整が必要です(R2 の詳細
は 10.1 外付け部品”の項参照)。
発振周波数
fOSC
fOSC(AVG)
通常動作
fOSC(MIN)
バースト
発振動作
グリーン
モード
出力電力PO
軽負荷
図 9-8
スタンバイ動作時の発振周波数
表 9-1 周波数低減開始/停止 FB/OLP 端子電圧
製品名
VFB(FDS) (Typ.)
VFB(FDE) (Typ.)
STR3A451 / 51D
STR3A453 / 53D
3.30 V
3.00 V
STR3A455 / 55D
3.00 V
2.62 V
ステップドライブ制御
9.9
図 9-10 にフライバック方式の回路図を示します。
パワーMOSFET のターンオン時、二次側の整流ダイ
オード D51 の両端にはサージ電圧が発生します。そ
のため D51 はこのサージ電圧を考慮した耐圧を選
定する必要があります。本 IC は、負荷条件に応じ
てパワーMOSFET のゲートドライブを内部で最適
に制御し(ステップドライブ制御)、ターンオン時
の D51 のサージ電圧を低減します(図 9-11 参照)。
これにより、D51 の耐圧は従来よりも低く設定でき
るため、D51 の低コスト化と D51 の低 VF 化による
回路効率の向上が実現できます。
VD51
BR1
VAC
T1
D51
P1
C1
ID
発振期間
発振停止期間
fOSC(MIN)で動作
C51
ID
5-8
U1 D/ST
時間
S1
S/OCP
1
ROCP
図 9-9
スタンバイ動作波形
図 9-10 フライバック方式
一般的に、軽負荷時の効率を改善するため、バー
スト間隔は、数 kHz 以下にします。この低周波数動
作により、トランスから音鳴りが生じる場合があり
ます。本 IC は、バースト発振動作時のドレイン電
流ピークを低く抑え、トランスの音鳴りを抑制しま
す。一般的に、IC には応答遅れがあり、ドレイン電
流 ID の傾きは、電源入力電圧が高いほど急峻になり
ます。このため、電源入力電圧が高い方がオートス
タンバイ動作時の ID のピークは高くなります。すな
わち、電源入力電圧が高くなるとバースト発振周波
数が下がるため、注意が必要です。
バースト発振動作に切り替わる過渡期間に、VCC
端子電圧が起動電流供給しきい値 VCC(BIAS) = 9.6 V
に低下すると、バイアスアシスト機能が動作し、起
ID
Time
Time
サージ電圧を低減
VD51
Time
ステップドライブ制御
をしていない場合
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図 9-11
Time
ステップドライブ制御
をしている場合
ID、VD51 波形
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9.10.2 過電流保護入力補正機能
9.10.1 過電流保護動作
過電流保護機能(OCP:Overcurrent Protection)は、
パワーMOSFET のドレインピーク電流値が、OCP
しきい電圧に達すると、パワーMOSFET をターンオ
フして電力を制限します(パルス・バイ・パルス方
式)。リーディング・エッジ・ブランキング時間中
の OCP しきい電圧は、通常のしきい電圧より高い
VOCP(LEB)= 1.69 V に設定されています。しきい電圧
を高くすることで、ターンオン時のドレイン電流
サージに応答しないようにしています。この過電流
保護は、出力巻線の短絡時や、二次側整流ダイオー
ドの耐圧異常時などの保護として動作します。
ターンオン時に S/OCP 端子に生じるサージ電圧
の幅は、図 9-12 のように tBW 以下にする必要があり
ます。サージ電圧を抑えるため、電流検出抵抗 ROCP
のパターンレイアウトは注意が必要です。10.2 パ
ターン設計の項を参照し、レイアウトを設計します。
また、図 9-13 のようにダンパースナバ回路がある
場合、サージ電圧を抑えるため、コンデンサの容量
を小さくします。
tBW
約1.7V
VOCP’
一般的な PWM 制御 IC は、制御系を含めた回路
に伝播遅延時間があります。そのため、電源の入力
電圧が高く、ドレイン電流傾斜が急峻なほど、実際
に流れるドレイン電流のピークは高くなり、検出電
圧は OCP しきい電圧よりも高くなります。このよ
うに、OCP 動作時のドレイン電流のピークは、入力
電圧の変化に対してバラツキが生じる傾向があり
ます。このバラツキを低減するため、本 IC は入力
補正機能を内蔵しています。
入 力補 正機 能とは 、電 源入 力電 圧に 応じて 、
図 9-14 のように、OCP のしきい電圧を補正する機
能です。入力電圧が低い(オンデューティーが広い)
ときは、OCP しきい電圧が高くなるように制御し、
入力電圧が高い(オンデューティーが狭い)ときと
のドレイン電流ピークの差を小さくします。
補正量はオンデューティーに依存し、オンデュー
ティーに対する補正後の OCP しきい電圧 VOCP' は
次式(3)になります。ただし、オンデューティーが
36 %以上は、VOCP(H) = 0.888 V 一定になります。
補正後のOCPしきい電圧 VOCP'
9.10 過電流保護機能(OCP)
1.0
VOCP(H)
VOCP(L)
DDPC=36% DMAX=75%
0.5
ターンオン時のサージ電圧幅
図 9-12
0
50
100
ON Duty (%)
図 9-14
S/OCP 端子電圧波形
C(CR)
ダンパースナバ
T1
オンデューティーと補正後の VOCP
VOCP '  VOCP ( L)  DPC  ONTime
D51
C1
C51
 VOCP ( L )  DPC 
5~8
D/ST
U1
C(CR)
ダンパースナバ
S/OCP
1
ROCP
図 9-13
ダンパースナバ
ONDuty
f OSC ( AVG )
(3)
ここで、
VOCP(L) :ゼロオンデューティー時 OCP しきい
電圧
DPC
:過電流補正値
ONTime :MOSFET のオン時間
ONDuty :MOSFET のオンデューティー
fOSC(AVG) :平均発振周波数
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9.11 過負荷保護機能(OLP)
図 9-15 に FB/OLP 端子の周辺回路、図 9-16 に過
負荷保護機能(OLP:Overload Protection)動作時の
波形を示します。
U1
GND
FB/OLP
1
8
VCC
7
PC1
D2 R2
9.12 過電圧保護機能(OVP)
C5
C4
VCC 端子と GND 端子間に、OVP しきい電圧
VCC(OVP) = 29.1 V 以上の電圧を印加すると、過電圧
保護機能(OVP:Overvoltage Protection)が動作します。
OVP 検出後の動作は、ラッチタイプと、自動復帰タ
イプがあります。
VCC 端子電圧をトランスの補助巻線から供給す
る場合は、VCC 端子電圧が出力電圧に比例するため、
出力電圧検出回路オープン時などの二次側の過電
圧を検出できます。この場合、過電圧保護動作時の
二次側出力電圧 VOUT(OVP)は、次式(4)で概略計算でき
ます。
D
図 9-15
FB/OLP 端子周辺回路
発振停止期間
発振停止期間
VCC端子電圧
VCC(ON)
VCC(OFF)SKP
VCC(OFF)
FB/OLP端子電圧
VCC 端子電圧が VCC(ON)に達すると、制御回路が
動作します。動作回路電流により VCC 端子電圧は
低下し、VCC(OFF) = 8.5 V に達すると制御回路は動作
を停止します。
このように、UVLO 動作(9.2 項参照)時に VCC(OFF)
をスキップすることで、発振停止期間を長くし、間
欠発振動作時のパワーMOSFET の温度上昇を抑制
します。
過負荷の要因を取り除くと、通常の動作に自動復
帰します。
tOLP
tOLP
tOLP
VFB(OLP)
VOUT(OVP) 
ドレイン電流, ID
VOUT ( NORMAL )
VCC( NORMAL )
ここで、
VOUT(NORMAL)
VCC(NORMAL)
図 9-16 OLP 動作波形
過負荷状態(過電流動作によりドレインピーク電
流値を制限している状態)になると、出力電圧が低
下し、二次側のフォトカプラに流れる電流がゼロに
なります。そのため、フィードバック電流 IFB は
FB/OLP 端子に接続している C5 を充電し、FB/OLP
端子電圧が上昇します。FB/OLP 端子電圧が、OLP
しきい電圧 VFB(OLP) = 7.3 V を超えている状態を OLP
遅延時間 tOLP = 75 ms 継続すると、過負荷保護機能
(OLP)が動作してスイッチング動作を停止します。
OLP 動作時は、VCC 端子電圧による間欠発振動
作を行い、パワーMOSFET や二次側整流ダイオード
などの部品ストレスを低減します。
OLP 動作後、IC のスイッチング動作が停止する
と VCC 端子電圧が低下します。OLP 動作時はバイ
アスアシスト機能が無効になり、VCC 端子電圧が
VCC(OFF)SKP(約 9 V)になると、起動電流により VCC
端子電圧を上昇させます。
 29.1 (V)
(4)
:定常動作時の出力電圧
:定常動作時の VCC 端子電
圧
● ラッチタイプ(STR3A4××)
OVP が動作すると、ラッチ状態でスイッチング動
作を停止します。スイッチング動作が停止すると、
VCC 端子電圧は下降します。ラッチ状態を保持す
るため、VCC 端子電圧が VCC(BIAS)まで低下すると、
バイアスアシスト機能が動作し、VCC 端子電圧を
VCC(OFF)以上に保持します。
ラッチ状態の解除は、電源電圧をオフし、VCC
端子電圧を VCC(OFF)以下に下げることで行います。
● 自動復帰タイプ(STR3A4××D)
OVP が動作すると、スイッチング動作を停止しま
す。OVP 動作時は、バイアスアシスト機能が無効
になり、UVLO による間欠発振動作を繰り返しま
す(9.11 項参照)。過電圧の要因を取り除くと、
通常の動作に自動復帰します(図 9-17 参照)。
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VCC端子電圧
ジャンクション温度 Tj
VCC(OVP)
Tj(TSD)
Tj(TSD)−Tj(TSD)HYS
VCC(ON)
VCC(OFF)
バイアスアシスト
機能
ドレイン電流
ID
ON
ON
OFF
OFF
VCC端子電圧
VCC(ON)
VCC(BIAS)
VCC(OFF)
図 9-17 OVP 動作波形
ドレイン電流
ID
9.13 過熱保護機能(TSD)
IC の 制 御 回 路 部 の 温 度 が 、 熱 保 護 動 作 温 度
Tj(TSD) = 145 °C 以上に達すると、過熱保護機能
(TSD:Thermal Shutdown)が動作します。TSD 検出
後の動作は、ラッチタイプと、自動復帰タイプがあ
ります。
● ラッチタイプ(STR3A4××)
TSD が動作すると、ラッチ状態でスイッチング動
作を停止します。スイッチング動作が停止すると、
VCC 端子電圧は下降します。ラッチ状態を保持す
るため、VCC 端子電圧が VCC(BIAS)まで低下すると、
バイアスアシスト機能が動作し、VCC 端子電圧を
VCC(OFF)以上に保持します。
ラッチ状態の解除は、電源電圧をオフし、VCC
端子電圧を VCC(OFF)以下に下げることで行います。
図 9-18 TSD 動作波形(自動復帰タイプ)
10. 設計上の注意点
10.1 外付け部品
各部品は使用条件に適合したものを使用します。
CRDクランプスナバ
BR1
T1
VAC
C5
C1
P
D1
8
● 自動復帰タイプ(STR3A4××D)
図 9-18 に自動復帰タイプの TSD 動作波形を示し
ます。自動復帰タイプの TSD には温度ヒステリ
シスがあります。TSD が動作すると、スイッチン
グ動作を停止し、VCC 端子電圧が低下します。
VCC 端子電圧が VCC(BIAS)まで低下すると、バイア
ス ア シ ス ト 機 能 が 動 作 し 、 VCC 端 子 電 圧 を
VCC(OFF)以上に保持します。
ジャンクション温度が Tj(TSD)−Tj(TSD)HYS 以下にな
ると、バイアスアシスト機能は無効になり、VCC
端子電圧は低下します。VCC 端子電圧が VCC(OFF)
になると制御回路は動作を停止します。その後、
VCC 端子電圧は起動電流により上昇し、VCC(ON)
に達すると、制御回路が再び動作します。
このように、過熱状態のときは、TSD と UVLO
による間欠発振動作を繰り返します。
過熱の要因を取り除き、IC 制御回路部の温度が
Tj(TSD)−Tj(TSD)HYS 以下になると通常の動作に自動
復帰します。
R1
C4
7
6
D2
5
R2
D/ST D/ST D/ST
NC D/ST
U1
C2
STR3A400
C(CR)
ダンパースナバ
D
S/OCP VCC GND FB/OLP
1
2
ROCP
3
4
C3
PC1
図 10-1 IC 周辺回路
10.1.1 入力、出力の平滑用電解コンデンサ
電解コンデンサは、リップル電流・電圧・温度上
昇に対し、適宜設計マージンを設けます。
また、リップル電圧を低減するため、スイッチング
電源設計に適した、低 ESR タイプを推奨します。
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10.1.2 S/OCP 端子周辺回路
10.1.6 二次側エラーアンプ周辺回路
図 10-1 に示す ROCP は、電流検出用抵抗です。高
周波スイッチング電流が流れるので、内部インダク
タンスが小さく、かつ許容損失を満足するものを使
用します。
一般的なシャントレギュレータ(U51)を使用し
た二次側エラーアンプ周辺回路を図 10-3 に示しま
す。
C52、R53 は位相補償用のコンデンサと抵抗です。
C52 の容量および抵抗 R53 の抵抗値は、それぞれ
0.047 μF~0.47 μF、4.7 kΩ~470 kΩ 程度が目安です。
C52、R53 は、最終的に実機で動作を確認し、定
数の調整を行います。
10.1.3 VCC 端子周辺回路
一般的な電源仕様の場合、図 10-1 に示す C2 の容
量は 10 μF~47 μF 程度を接続します(C2 は起動時
間に影響するので、“9.1 起動動作”を参照)。
また、実際の電源回路は、図 10-2 のように二次
側出力電流 IOUT により VCC 端子電圧が増加し、過
電圧保護動作(OVP)になる場合があります。これ
は、パワーMOSFET がターンオフした瞬間に発生す
るサージ電圧が補助巻線にも誘起し、C2 をピーク
充電するためです。これを防止するには、図 10-1
のように、整流用ダイオード D2 と直列に、抵抗 R2
(数 Ω~数十 Ω)の追加が有効です。ただし、出力
電流に対する VCC 端子電圧の変化は、使用するト
ランスの構造により異なるため、実際に使用するト
ランスに合わせて R2 の最適値を調整する必要があ
ります。
VCC端子電圧
R2がない場合
R2がある場合
出力電流IOUT
図 10-2
R2 による出力電流 IOUT-VCC 端子電圧
10.1.4 FB/OLP 端子周辺回路
図 10-1 に示す C3 は、高周波ノイズ除去、位相補
償用で、FB/OLP 端子と GND 端子近くに接続します。
C3 の容量は 2200 pF~0.01 μF 程度が目安です。C3
は最終的に実機で動作を確認し、定数を調整します。
10.1.5 スナバ回路
VDS サージ電圧が大きくなる電源仕様の場合は以
下のような回路を追加します(図 10-1)。
● P 巻線間に CRD クランプスナバ回路を追加
● D/ST 端子と S/OCP 端子間に C、または CR ダン
パースナバ回路を追加
(ダンパースナバ回路を追加する場合は、D/ST
端子と S/OCP 端子の直近に接続)
L51
T1
VOUT
(+)
D51
PC1
R55
C51
S
R54
R51
R52
C53
C52 R53
U51
R56
(-)
図 10-3 二次側シャントレギュレータ(U51)の周
辺回路
10.1.7 トランス
トランスは、銅損・鉄損による温度上昇に対し、
適宜設計マージンを設けます。スイッチング電流は
高周波成分を含むため、表皮効果が影響する場合が
あります。
このためトランスに使用する巻線の線径は、動作
電流の実効値を考慮し、電流密度が 4~6 A/mm2 を
目安に選定します。表皮効果の影響などで、さらに
温度対策が必要な場合は、巻線表面積を増加させる
ため、以下の内容を検討します。
● 巻線の本数を増やす
● リッツ線を使用する
● 線径を太くする
以下の場合は VCC 端子のサージ電圧が大きくな
ります。
● 低出力電圧、大電流負荷仕様など一次側主巻線 P
のサージ電圧が高い場合
● 補助巻線 D が一次側主巻線 P のサージの影響を受
けやすいトランス構造の場合
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D 巻線のサージ電圧が大きいと、VCC 端子電圧が
増加し、過電圧保護動作(OVP)になる場合があり
ます。そこで、トランス設計時は、以下の内容を考
慮する必要があります。
● P 巻線と二次側出力巻線 S の結合を良くする
(リーケージインダクタンスを小さくする)
● D 巻線と S 巻線の結合を良くする
● D 巻線と P 巻線の結合を悪くする
また、多出力の場合は出力電圧のレギュレーシ
ョン特性を向上させるため、二次側安定化出力巻線
(定電圧制御をしている出力ラインの巻線)S1 と、
他出力巻線(S2、S3…)の結合を良くする必要があ
ります。
こ れら を考 慮した 二出 力の トラ ンス 参考例 を
図 10-4 に示します。
● 巻線構造例①
P1、P2 で S1 を挟み、P1、P2 と S1 の結合を良く
し、P1、P2 のサージを小さくする。
D を P1、P2 から離し、結合を悪くして、D のサー
ジを小さくする。
● 巻線構造例②
P1、P2 と S1 を近くに巻き、結合を良くし、P1、
P2 のサージを小さくする。
D と S2 を S1 で挟み、D と S1、S1 と S2 の結合を
良くする。これにより D のサージが小さくなり、
S2 出力電圧のレギュレーション特性が向上する。
Bobbin
Margin tape
P1 S1 P2 S2 D
Margin tape
巻線構造例①
Bobbin
Margin tape
P1 S1 D S2 S1 P2
Margin tape
巻線構造例②
図 10-4
巻線構造例
10.2 パターン設計
スイッチング電源は、高周波かつ高電圧の電流経
路が存在し、基板のパターンや部品の実装条件が、
動作、ノイズ、損失などに大きく影響します。その
ため、高周波電流ループは極力小さくし、パターン
を太くして、ラインインピーダンスを低くする必要
があります。
また、GND ラインは輻射ノイズに大きな影響を与
えるため、極力太く、短く配線します。
さらに、以下に示す内容を配慮したパターン設計
が必要です。
図 10-5 に IC 周辺回路の接続例を示します。
(1) 主回路パターン
スイッチング電流が流れる主回路パターンです。
このパターンは極力太く、電流ループを小さく
配線します。IC と入力電解コンデンサ C1 の距
離が離れている場合は、高周波電流ループの
インピーダンスを下げるため、トランスもしく
は IC の近くに、電解コンデンサやフィルムコン
デンサ(0.1μF 程度)を追加します。
(2) 制御系 GND パターン
制御系 GND パターンに主回路の大電流が流れ
ると、IC の動作に影響を与える可能性がありま
す。制御系の GND は専用パターンにし、ROCP
のできるだけ近くに配線します
(図 10-5 の A 点)。
(3) VCC 端子周り
このパターンは、IC の電源供給用パターンのた
め、極力電流ループを小さく配線します。
IC と電解コンデンサ C2 の距離が離れている場
合は、VCC 端子と GND 端子の近くにフィルム
コンデンサ Cf(0.1μF~1.0μF 程度)などを追加
します。
(4) 電流検出用抵抗 ROCP 周り
ROCP は、S/OCP 端子の近くに配置します。主回
路系と制御系のグランドは ROCP 近傍で接続しま
す(図 10-5 の A 点)。
(5) FB/OLP 端子周り
FB/LP 端子の接続部品は IC の近くに配置し、最
短で FB/OLP 端子に接続します。
(6) 二次側整流平滑回路
このパターンは、スイッチング電流が流れる二
次側主回路パターンです。このパターンは極力
太く、電流ループを小さく配線します。
このパターンのインピーダンスを下げると、パ
ワーMOSFET がターンオフする際に発生する
サージ電圧を減らすことができます。これによ
り、パワーMOSFET の耐圧マージンを増やし、
クランプスナバ回路のストレスや損失を低減で
きます。
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(7) 温度に関する注意事項
パワーMOSFET の ON 抵抗 RDS(ON) は、正の温度
係数のため、熱設計に注意が必要です。IC の下
のパターンや、D/ST 端子のパターンは、放熱板
として機能するため、極力広く設計します。
(1) 主回路パターン
太く、ループを小さく配線
(6) 二次側主回路パターン
太く、ループを小さく配線
D51
T1
R1
C5
C1
P
DST
(7)D/ST端子
放熱のためパターンを広くする
8
7
D/ST D/ST
C4
6
C51
D1
S
5
D2
NC
D/ST
D/ST
R2
U1
STR3A400
C2
D
S/OCP VCC GND FB/OLP
1
2
3
4
(3) 電源供給パターンは
ループを小さく配線
ROCP
PC1
C3
(5)FB/OLP端子の周辺部
品はICの近くに配置
し、最短で端子に接続
A
(4)ROCPは、S/OCP端子の近くに配置。
CY
(2)制御系GND
専用パターンで、ROCPの近くに一点で配線
図 10-5
電源 IC 周辺回路の接続例
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11. パターンレイアウト例
以下に、STR3A400 シリーズを使用した 2 出力タイプのパターンレイアウト例と、その回路図を示します。
パターンレイアウト例は他 IC と共用です。図 11-2 に記載してある部品のみ使用します。
図 11-1
1
パターンレイアウト例
F1
L1
C10
C2
C1
D1
D2 TH1
D4
D3
L51
T1
CN51
D51
VOUT1
R5
C11
C4
3
R1
R54
R51
C56 R62
C3
J1
P1
R4
PC1
C51
R52
R53
U51
8
7
6
D/ST
D/ST
D/ST
NC
JW52
GND
D/ST
JW51
D6
S/OCP VCC
2
R60
JW53
STR3A400
1
C52
R56
5
U1
C8
C53
R57
S1
D5
R55
D52
R2
R58
R59
L52
GND FB/OLP
3
OUT2
4
C5
D
C57 R63
C54
C55
R61
C7
R3
GND
C6
図 11-2
PC1
C9
CN52
パターンレイアウト回路図
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12. 電源回路例
電源回路例として、電源仕様と、その回路図および部品表、トランス仕様を以下に示します。
● 電源仕様
使用 IC
STR3A453D
入力電圧
AC85V~AC265V
最大出力電力
34.8 W (40.4 W peak)
出力 1
8 V / 0.5 A
出力 2
14 V / 2.2 A (2.6 A peak)
● 回路図
図 11-2 参照
● 部品表
記号
F1
L1
TH1
D1
D2
D3
D4
D5
D6
C1
C2
C3
C4
C5
C6
C7
C8
C9
C10
C11
R1
R2
R3
R4
R5
PC1
U1
T1
部品名
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(3)
(2)
(2)
(2)
(3)
定格(1)
Fuse
CM inductor
NTC thermistor
General
General
General
General
General
Fast recovery
Film, X2
Electrolytic
Electrolytic
Ceramic
Electrolytic
Ceramic
Ceramic
Ceramic
Ceramic, Y1
Ceramic
Ceramic
Metal oxide
General
General
General
Metal oxide
Photo-coupler
IC
AC 250 V, 3 A
3.3 mH
Short
600 V, 1 A
600 V, 1 A
600 V, 1 A
600 V, 1 A
800 V, 1.2 A
200 V, 1 A
0.1 μF, 275 V
Open
150 μF, 400 V
1000 pF, 2 kV
22 μF, 50 V
0.01 μF
Open
15 pF, 2 kV
2200 pF, 250 V
Open
Open
330 kΩ, 1 W
10 Ω
0.47 Ω, 1/2 W
47 Ω, 1 W
Open
PC123 相当
-
Transformer
トランス仕様参照
弊社
推奨部品
EM01A
EM01A
EM01A
EM01A
SARS01
AL01Z
STR3A453D
記号
L51
L52
D51
D52
C51
C52
C53
C54
C55
C56
C57
R51
R52
R53
R54
R55
R56
R57
R58
R59
R60
R61
R62
R63
JW51
JW52
JW53
部品名
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
(2)
U51
Inductor
Inductor
Schottky
Schottky
Electrolytic
Ceramic
Electrolytic
Electrolytic
Electrolytic
Ceramic
Ceramic
General
General
General
General, 1%
General, 1%
General, 1%
General
General
General
General, 1%
General
General
General
Shunt
regulator
定格(1)
Short
Short
60 V, 1.5 A
100V, 10A
680 μF, 25 V
0.1 μF, 50 V
680 μF, 25 V
470 μF, 16 V
Open
Open
Open
Open
1.5 kΩ
100 kΩ
Open
Open
10 kΩ
Open
1 kΩ
6.8 kΩ
39 kΩ
Open
Open
Open
Short
Short
Short
VREF = 2.5 V
弊社
推奨部品
EK16
FMEN-210A
TL431 相当
(1)
特記のない部品の定格は、コンデンサ:50 V 以下、抵抗:1/8 W 以下
実機評価で調整が必要な部品
(3)
高圧の DC 電圧が印加する高抵抗のため、電源要求仕様に応じて、電食を考慮した抵抗を選択したり、直列に抵抗を追
加して、個々の印加電圧を下げたりするなどの配慮をします
(2)
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● トランス仕様
一次側インダクタンス LP
コアサイズ
Al-value
巻線仕様
巻線名称
一次巻線
一次巻線
VCC 用補助巻線
出力 1 巻線
出力 1 巻線
出力 2 巻線
出力 2 巻線
:518 μH
:EER-28
:245 nH/N2 (センターギャップ 0.56 mm)
記号
P1
P2
D
S1-1
S1-2
S2-1
S2-2
巻数(T)
18
28
12
6
6
4
4
線形(mm)
φ 0.23 × 2
φ 0.30
φ 0.30 × 2
φ 0.4 × 2
φ 0.4 × 2
φ 0.4 × 2
φ 0.4 × 2
形式
1 層密巻
1 層密巻
密巻
密巻
密巻
密巻
密巻
4mm
2mm
VDC
P2
8V
D
S2-1 S1-1
P2
P1
Pin side
S2-2 S1-2
Margin tape
Margin tape
P1
S1-2
Drain
14V
VCC
D
Bobbin
Core
S1-1
S2-1
S2-2
GND
GND
トランス断面図
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●印:巻き始め
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使用上の注意
弊社の製品を使用、またはこれを使用した各種装置を設計する場合、定格値に対するディレーティングを
どの程度行うかにより、信頼性に大きく影響します。ディレーティングとは信頼性を確保または向上するた
め、各定格値から負荷を軽減した動作範囲を設定したり、サージやノイズなどについて考慮したりすること
です。ディレーティングを行う要素には、一般的に電圧、電流、電力などの電気的ストレス、周囲温度、湿
度などの環境ストレス、半導体製品の自己発熱による熱ストレスがあります。これらのストレスは、瞬間的
数値、あるいは最大値、最小値についても考慮する必要があります。
なお、パワーデバイスやパワーデバイス内蔵 IC は、自己発熱が大きく接合部温度のディレーティングの程
度が、信頼性を大きく変える要素となるので十分に配慮してください。
保管環境、特性検査上の取り扱い方法によっては信頼度を損なう要因となるので、注意事項に留意してく
ださい。
保管上の注意事項
● 保管環境は、常温 (5~35°C)、常湿 (40~75%)中が望ましく、高温多湿の場所、温度や湿度の変化が
大きな場所を避けてください
● 腐食性ガスなどの有毒ガスが発生しない、塵埃の尐ない場所で、直射日光を避けて保管してください
● 長期保管したものは、使用前にはんだ付け性やリードの錆などについて再点検してください
特性検査、取り扱い上の注意事項
受入検査などで特性検査を行う場合は、測定器からのサージ電圧の印加、端子間ショートや誤接続などに
十分注意してください。また定格以上の測定は避けてください
放熱用シリコーングリースを使用する場合の注意事項
● 放熱用シリコーングリースを使用する場合は、均一に薄く塗布してください。必要以上に塗布すると、無
理な応力を加えます
● 長時間放置した放熱用シリコーングリースは、ひび割れによる放熱効果の悪化や、ビス止め時にモールド
樹脂クラックの原因となります
● 放熱用シリコーングリースの中には異物が入らないよう十分ご注意ください。異物が入ると放熱性を損ね
たり、絶縁板を使用する場合は絶縁板が傷つき絶縁不良を起こしたりする場合があります
● 放熱用シリコーングリースは樹脂封止型半導体への使用を推奨するものを使用してください。弊社では下
記の放熱用シリコーングリースおよびその同等品を推奨しております
品名
G746
YG6260
SC102
メーカー名
信越化学工業(株)
モメンティブ・パフォーマンス・マテリアルズ・ジャパン合同会社
東レ・ダウコーニング(株)
はんだ付け方法
● はんだ付けをする場合は、下記条件以内で、できるだけ短時間で作業してください
260 ± 5 °C
10 ± 1 s (フロー、2 回)
80 ± 10 °C
3.5 ± 0.5 s (はんだごて、1 回)
● はんだ付けは製品本体より 1.5 mm のところまでとします
静電気破壊防止のための取扱注意
● 製品を取り扱う場合は、人体アースを取ってください。人体アースはリストストラップなどを用い、感電
防止のため、1MΩ の抵抗を人体に近い所へ入れてください
● 製品を取り扱う作業台は、導電性のテーブルマットやフロアマットなどを敷き、アースを取ってください
● カーブトレーサーなどの測定器を使う場合、測定器もアースを取ってください
● はんだ付けをする場合、はんだごてやディップ槽のリーク電圧が、製品に印加するのを防ぐため、はんだ
ごての先やディップ槽のアースを取ってください
● 製品を入れる容器は、弊社出荷時の容器を用いるか、導電性容器やアルミ箔などで、静電対策をしてくだ
さい
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注意書き
● 本書に記載している内容は、改良などにより予告なく変更することがあります。ご使用の際には、最新の
情報であることを確認してください
● 本書に記載している動作例、回路例および推奨例は、使用上の参考として示したもので、これらに起因す
る弊社もしくは第三者の工業所有権、知的所有権、生命権、身体権、財産権、その他一切の権利の侵害問
題について弊社は一切責任を負いません
● 弊社の合意がない限り、弊社は、本書に含まれる本製品(商品適性および特定目的または特別環境に対す
る適合性を含む)ならびに情報(正確性、有用性、信頼性を含む)について、明示的か黙示的かを問わず、
いかなる保証もしておりません
● 弊社は品質、信頼性の向上に努めていますが、半導体製品では、ある確率での欠陥、故障の発生は避けら
れません。製品の故障により結果として、人身事故、火災事故、社会的な損害などが発生しないよう、使
用者の責任において、装置やシステム上で十分な安全設計および確認を行ってください
● 本書に記載している製品は、一般電子機器(家電製品、事務機器、通信端末機器、計測機器など)に使用
することを意図しております。高い信頼性を要求する装置(輸送機器とその制御装置、交通信号制御装置、
防災・防火装置、各種安全装置など)への使用を検討、および一般電子機器であっても長寿命を要求する
場合は、必ず弊社販売窓口へ相談してください。極めて高い信頼性を要求する装置(航空宇宙機器、原子
力制御、生命維持のための医療機器など)には、弊社の文書による合意がない限り使用しないでください
● 本書に記載している製品の使用にあたり、本書に記載している製品に他の製品・部材を組み合わせる場合、
あるいはこれらの製品に物理的、化学的、その他何らかの加工・処理を施す場合には、使用者の責任にお
いてそのリスクを検討の上行ってください
● 本書に記載している製品は耐放射線設計をしておりません
● 弊社物流網以外での輸送、製品落下などによるトラブルについて、弊社は一切責任を負いません
● 本書に記載している内容を、文書による弊社の承諾なしに転記・複製することを禁じます
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