(3 k Ω)(1 0 0Ω) E 2SB1259 シリコンPNPエピタキシャルプレーナ型トランジスタ(2SD2081とコンプリメンタリ) VCEO −120 V IEBO VEBO −6 V V(BR)CEO A hFE VCE=−4V, IC=−5A 2000min mA V A VCE(sat) IC=−5A, IB=−10mA − 1.5max W VBE(sat) IC=−5A, IB=−10mA − 2.0max V ℃ fT VCE=−12V, IE=0.2A 100typ MHz ℃ COB VCB=−10V, f=1MHz 145typ pF V 1.35±0.15 1.35±0.15 RL (Ω) IC (A) VBB1 (V) VBB2 (V) IB1 (mA) IB2 (mA) ton (μs) tstg (μs) tf (μs) –30 10 –3 –10 5 –6 6 0.6typ 1.6typ 0.5typ A –5 –1 –2 –3 –4 –5 –5A –1 0 –0.2 –6 –1 –10 –100 500 100 5000 12 5˚ C 25 1000 500 ˚C –3 0˚ C 100 50 –1 –5 20 –0.02 –10 –0.1 コレクタ電流 I C (A) –0.5 –1 –5 –10 0.3 1 10 ) 温度 P c – Ta定 格 自然空冷 シリコーングリス 放熱板はアルミ 寸法単位はmm 10 s s m 大 150x150x2 放 熱 100x100x2 板 付 自然空冷 放熱板なし 限 –1 –0.5 20 無 最大許容損失 P C (W) s DC 0µ 1m 10 –5 コレクタ電流 I C (A) 1000 30 –10 100 100 時間 t(ms) –20 Typ 温度) 0.5 AS O 曲 線( 単 発 パ ル ス ) (V CE = – 12V) ース 1 コレクタ電流 I C (A) f T – I E 特性(代表 例 ) –2 –2.2 5 過渡熱抵抗 θ j- a (˚C/W) 直流電流増幅率 h F E 1000 遮断周波数 f T (MH Z ) 直流電流増幅率 h FE 5000 –1 θ j-a – t特 性 (V C E = – 4V) 20000 10000 Typ 200 0 ベース・エミッタ間電圧 V B E (V) h FE – I C 温 度 特 性( 代 表 例 ) 20000 –0.5 0 –1000 ベース電流 I B (mA) (V CE = – 4V) –0.1 度) –2 h FE – I C 特性(代表 例 ) 50 –0.03 –4 –1A コレクタ・エミッタ間電圧 V CE (V) 10000 ス温 I C =–10A –6 ケー I B =–1mA –2 ˚C( –2mA 0 –8 125 コレクタ電流 I C (A) –10 A コレクタ電流 I C (A) –5m コレクタ飽和電圧 V C E (s e t ) (V) A 0m –5 –1 (V C E = – 4V) A 0m –3m 0 I C – V BE 温 度 特 性( 代 表 例 ) –10 –3 –15 製品質量 約2.0g イ.品名 ロ.ロット番号 B C E V CE (sat) – I B 特 性( 代 表 例 ) I C – V CE 特性(代 表 例 ) 0m 2.4±0.2 2.2±0.2 VCC (V) –2 0.85 +0.2 -0.1 0.45 +0.2 -0.1 2.54 2.54 ■代表的スイッチング特性(エミッタ接地) A ø3.3±0.2 イ ロ ケース −55∼+150 Tstg −10max −120min 4.2±0.2 2.8 c0.5 ˚C ( 150 Tj VEB=−6V IC=−10mA 10.1±0.2 −30 30(Tc=25℃) PC μA C(ケ −1 IB −10max 25˚ −10(パルス−15) IC VCB=−120V 4.0±0.2 ICBO 単位 0.8±0.2 V 規格値 ±0.2 −120 試 験 条 件 3.9 VCBO 記 号 外形図 FM20(TO220F) (Ta=25℃) 単 位 8.4±0.2 ■電気的特性 (Ta=25℃) 規 格 値 記 号 C 用途:ソレイド、リレー、モータ駆動、一般用 16.9±0.3 ■絶対最大定格 B 等価回路 13.0min ダーリントン 10 50x50x2 –0.1 0 0.05 0.1 0.5 1 エミッタ電流 I E (A) 5 10 放熱板なし –0.05 2 –0.03 –3 0 –5 –10 –50 –100 コレクタ・エミッタ間電圧 V C E (V) –200 0 25 50 75 100 125 150 周囲温度 Ta( ˚C) 41