fmu-12s ds jp

SANKEN ELECTRIC CO., LTD.
FMU-12S/R
1 適用範囲
Scope
この規格は、FMU-12S/Rについて適用する。
The present specifications shall apply to an FMU-12S/R.
2 概要
Outline
種
Type
別
拡散型ダイオード
Silicon Diode
構
Structure
造
樹脂封止型
Resin Molded
主
用
Applications
途
高周波整流
High Frequency Rectification
3 不燃化度
Flammability
規格 UL94V-0 相当品
UL94V-0(Equivalent)
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FMU-12S/R
4 絶対最大定格
Absolute maximum ratings
項
No.
1
2
3
4
目
Item
ピーク非繰返し逆電圧
Transient Peak Reverse Voltage
ピーク繰返し逆電圧
Peak Reverse Voltage
平均順電流
Average Forward Current
サージ順電流
Peak Surge Forward Current
2
5
6
7
I t 限界値
I2t Limiting Value
接合部温度
Junction Temperature
保存温度
Storage Temperature
記号
単位
Symbol
Unit
Rating
VRSM
V
250
VRM
V
200
IF(AV)
A
5.0
減定格7項参照
Refer to Derating of 7
IFSM
A
30
10msec.正弦半波単発
I2 t
A2s
4.5
1msec≦t≦10msec
Tj
℃
-40∼+150
Tstg
℃
-40∼+150
定
格
条
件
Conditions
Half sinewave, one shot
No.1,2,4,5 は一素子当たりの定格を示す。
No.1,2,4&5show ratings per one chip.
5 電気的特性(特に指定の無い場合は、25℃とする。)
Electrical characteristics (Ta=25℃ ,unless otherwise specified)
項
No.
1
2
目
Item
順方向降下電圧
Forward Voltage Drop
逆方向漏れ電流
Reverse Leakage Current
特
性
条
件
記号
単位
Symbol
Unit
Value
VF
V
1.5 max.
IF=2.5A
IR
uA
50 max.
VR=VRM
H・IR
uA
500 max.
VR=VRM, Tj=150℃
trr1
ns
400 max.
IF=IRP=100mA
90% Recovery point, Tj=25℃
trr2
ns
180 max.
IF=100mA,IRP=200mA
75% Recovery point, Tj=25℃
Rth(j-c)
℃/W
4.0 max.
Conditions
高温逆方向漏れ電流
3
4
5
Reverse Leakage Current Under
High Temperature
逆方向回復時間
Reverse Recovery Time
熱抵抗
Thermal Resistance
接合部−裏面取付け穴周辺部
Between Junction and case
No.1,2,3,4 は一素子当たりの特性を示す。
No.1,2,3&4 show characteristics per one chip.
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FMU-12S/R
6 特性
Characteristics
平均順電流―順電力損失
IF(AV) − PF
10
Tj=150℃
順電力損失 PF (W)
Forward Power Dissipation (W)
8
t
T
t/T=1/6
6
t/T=1/3,sinewave
t/T=1/2
4
DC
2
0
0
1
2
3
4
5
平均順電流 IF(AV) (A)
Average Forward Current (A)
逆電圧―逆電力損失
VR − PR
1.2
Tj=150℃
1.0
t
逆電力損失 PR (W)
Reverse Power Dissipation (W)
T
1-t/T=5/6
0.8
1-t/T=2/3
0.6
0.4
1-t/T=1/2
0.2
sinewave
0.0
0
50
100
150
200
逆電圧 VR (V)
Reverse Voltage (V)
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FMU-12S/R
7 減定格
Derating
ケース温度―平均順電流
Tc − IF(AV)
VR=200(V)
5
平均順電流 IF(AV) (A)
Average Forward Current (A)
4
DC
t/T=1/6
3
t/T=1/3
t/T=1/2
2
Tj=150℃
sinewave
1
t
T
0
100
110
120
130
140
150
ケース温度 Tc (℃)
Case Temperature (℃)
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FMU-12S/R
8 外形
Package information
8-1外形、寸法および材質
Package type, physical dimensions and material
10.0
φ3 .3
4.2
2.8
C 0.5
4.0
8.4
16.9
※1
*1
※2
0.8
*2
※3
※2.6±0.1
1.35
3.9
※ 根元寸法
※ root dimension
(13.5)
0.85
※2.54±0.1
0.45
※2.54±0.1
指 示 な き 公 差 ± 0.2
tolerance − ±0.2
単位:㎜
Dimensions in ㎜
8-2外観
Appearance
本体は、汚れ、傷、亀裂等なく綺麗であること。
The body shall be clean and shall not bear any stain, rust or flaw.
8-3標示
Marking
標
品
名
Type Name
示
Marking
*1
品名
Type Name
*2
極性
*3
Polarity
ロット番号
Lot number
第 1 文字:年(西暦年号下一桁)
1st letter: Last digit of year
第 2 文字:月 1∼9 月→1∼9
FMU-12S
FMU12S
2nd letter: Month From 1 to 9 for Jan. to Sep.,
10 月→O、11 月→N、12 月→D
O for Oct., N for Nov., D for Dec.
FMU-12R
FMU12R
第 3,4 文字:日
3rd & 4th letter: Day
例:5420 (2005 年 4 月 20 日製造)
ex. 5420 (APRIL 20, 2005)
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