2 SiCデバイス/SiC Devices SiCデバイス SiC Devices SiC デバイスは、高耐圧、低損失、高周波動作および高温動作 を実現する優れた特性を持っています。SiC を適用したパワー 半導体は、大幅な省エネと搭載製品の小型・軽量化を実現す ることができます。 SiC SiC devices have excellent characteristics that realize high blocking voltage, low power dissipation, high-frequency operation and high-temperature operation. Power semiconductors that make use of SiC achieve significant reduction in energy consumption, and can be used to develop smaller and lighter products. ■ SiC-SBD搭載IGBTハイブリッドモジュールVシリーズ IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series Ɣ High performance chips ■特長 Features 高性能チップ適用 · V series IGBT for low loss operation ・低損失の V シリーズ IGBT · SiC-SBD for low loss operation ・低損失の SiC-SBD Ɣ The same package lineup as the conventional Si-IGBT 従来の Si-IGBT モジュール製品とパッケージ互換 modules ■６個組 EconoPACK™ 1200V クラス 6-pack EconoPACK™ 1200 volts class Solder pins N 1200V Ic IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series 100A 6MSI100VB-120-50 Thermistor P P U U V W 62 V W 2 12 N M633 Dimension [mm] 型 式 Device type ● 6MSI100VB-120-50 VCES VGES Volts Volts 1200 ±20 PC IC Cont. VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Amps. Watts Volts 100 520 1.75 Amps. 100 ●：新製品 New Products 注: EconoPACK™はInfineon Technologies社の登録商標です。 Note: EconoPACK™ is registered trademarks of Infineon Technologies AG, Germany. 46 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝsec. ȝsec. ȝsec. 0.39 0.42 0.05 パッケージ 質量 Package Net mass Grams M633 300 SiCデバイス/SiC Devices 2 ■ PIM（コンバータ部、ブレーキ部内蔵）EconoPIM™ 600, 1200V クラス PIM/Built-in converter and brake EconoPIM™ 600, 1200 volts class P P) P P1 N N1 R 62 S V U T Ic 35A 50A 75A 100A W R S T B U V W 2 12 M712 N N) 600V 1200V IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series 7MSR35VB120-50 7MSR50VB060-50 7MSR50VB120-50 7MSR75VB060-50 7MSR100VB060-50 SiC Thermistor B Dimension [mm] 型 式 Device type ● ● ● ● ● 7MSR50VB060-50 7MSR75VB060-50 7MSR100VB060-50 7MSR35VB120-50 7MSR50VB120-50 ブレーキ部 Brake [IGBT+FED] コンバータ部 Converter [Diode] VCES IC VRRM VRRM IO VFM IFSM Typ. Cont. Cont. Volts Volts Volts Amps. Amps. Volts Amps. 600 50 600 800 50 1.3 210 600 50 600 800 75 1.25 500 600 50 600 800 100 1.25 700 1200 25 1200 1600 35 1.35 260 1200 35 1200 1600 50 1.35 360 インバータ部 Inverter [IGBT] VCES IC PC VCE(sat) Typ. Cont. Volts Amps. Watts Volts 600 50 215 1.6 600 75 300 1.6 600 100 335 1.6 1200 35 210 1.85 1200 50 280 1.85 パッケージ 質量 Package Net mass Grams M712 330 M712 330 M712 330 M712 330 M712 330 ●：新製品 New Products 注: EconoPIM™はInfineon Technologies社の登録商標です。 Note: EconoPIM™ is registered trademarks of Infineon Technologies AG, Germany. ■２個組 1200, 1700V クラス Standard 2-pack 1200, 1700 volts class Ic 92 45 1200V 1700V IGBT Hybrid Modules with SiC-SBD V series 200 2MSI200VAB-120-53 M274 300 2MSI300VAH-120C-53 8 62 10 M276 300 2MSI300VAN-120-53 450 2MSI450VAN-120-53 550 600 2MSI600VAN-120-53 400 Thermistor 0 15 62 M254 80 2MSI450VAN-170-53 2MSI550VAN-170-53 2MSI400VE-170E-53 0 11 M277 1200 14 0 2MSI1200VAT-170PC 2MSI1200VAT-170EC 0 13 M256 Dimension [mm] 型 式 Device type 〇 ● 〇 〇 〇 〇 〇 ● 〇 〇 2MSI200VAB-120-53 2MSI300VAH-120C-53 2MSI300VAN-120-53 2MSI450VAN-120-53 2MSI600VAN-120-53 2MSI450VAN-170-53 2MSI550VAN-170-53 2MSI400VE-170-53 2MSI1200VAT-170PC 2MSI1200VAT-170EC VCES VGES Volts Volts 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1200 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 1700 ±20 IC PC Cont. Amps. 200 300 300 450 600 450 550 400 1200 1200 VCE(sat) (VGE=15V) Typ. IC Watts Volts 1500 1.75 1600 1.75 1595 1.75 2270 1.75 3750 1.85 2500 2.00 3750 2.15 4540 2.00 7040 1.80 7040 2.00 Amps. 200 300 300 450 600 450 550 400 1200 1200 スイッチングタイム Switching time ton toff tf Typ. Typ. Typ. ȝsec. ȝsec. ȝsec. T.B.D T.B.D T.B.D 0.82 0.84 0.09 T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D 1.05 1.95 0.09 T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D T.B.D パッケージ 質量 Package Net mass Grams M274 270 M276 370 M254 300 M254 300 M254 300 M254 300 M254 300 M277 470 M256 900 M256 900 ●：新製品 New Products ○：開発中 Under development 47 2 SiCデバイス/SiC Devices ■ SiC ショットキーバリアダイオード SiC Schottky-Barrier Diodes (SBD) ■特長 Features 高速スイッチング特性 Ɣ High speed switching ・電源の高周波動作、システムの小型軽量化 · High-frequency operation,miniaturization,weight saving 低 VF 特性 Ɣ Low-VF 低 IR 特性 Ɣ Low-IR SiC ・Tj=175℃保証、電源の高温動作、低損失化、高効率化 高逆サージ耐量 · Tj=175°C Guaranteed, High-temperature operation, Low-Loss, High efficiency Ɣ High avalanche capability ■ SiC-SBD シリーズ SiC-SBD Series SiC-SBD Series 結線 シングル Single デュアル Dual VRRM (V) 650 1200 650 1200 型 式 Device type ○ ○ ○ ○ ○ ○ ○ FDCP06S65 FDCP08S65 FDCP10S65 FDCP20C65 FDCP25S65 FDCA10S65 FDCA20C65 FDCA25S65 FDCA06S65 FDCA08S65 FDCY10S65 FDCY20C65 FDCY25S65 FDCY50C65 FDCC10S65 FDCC20C65 FDCC25S65 FDCA18S120 FDCY18S120 FDCY36C120 Io (A) 6 8 10 25 18 20 50 36 絶対最大定格 Maximaum rating VRRM IO *1 Volts Amps. 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 1200 1200 1200 TO-220 TO-220F IFSM *2 Amps. 6 8 10 20 25 10 20 25 6 8 10 20 25 50 10 20 25 18 18 36 ○：開発中 Under development *1 50Hz 方形波 duty=1/2 *2 正弦波 10ms *3 VR=VRRM 48 *1 50Hz Square wave duty=1/2 *2 Sine half wave, 10ms *3 VR=VRRM 34 40 50 50 100 50 50 100 34 40 50 50 100 100 50 50 100 90 90 90 接合温度 Thermal rating Tj (°C) MAX 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 175 TO-247 T-Pack(s) 電気的特性 (Ta=25°C) Characteristics VFM IRRM *3 MAX. Volts MAX. A 1.8 10 1.8 10 1.8 10 1.8 10 1.6 10 1.8 10 1.8 10 1.6 10 1.8 10 1.8 10 1.8 10 1.8 10 1.6 10 1.6 10 1.8 10 1.8 10 1.6 10 1.7 10 1.7 10 1.7 10 パッケージ Package TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220 TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-220F TO-247 TO-247 TO-247 TO-247 T-Pack(S) T-Pack(S) T-Pack(S) TO-220F TO-247 TO-247 SiCデバイス/SiC Devices 2 ■自動車用 SiC ショットキーバリアダイオード Automotive SiC Schottky-Barrier Diodes 結線 ｼﾝｸﾞﾙ Single デュアル Dual VRRM (V) 650 1200 FDCP10S65A FDCY10S65A FDCC10S65A FDCP20C65A FDCY20C65A FDCC20C65A FDCP25S65A FDCY25S65A FDCC25S65A FDCY50C65A FDCY18C120A FDCY36C120A TO-247 T-Pack(s) Io (A) 10 25 18 20 50 36 1200 650 型 式 Device type TO-220 SiC SiC-SBD Series VRRM Io IFSM VF max. Volts Amps. 10 10 10 20 20 20 25 25 25 50 18 36 Amps. 100 100 100 100 100 100 190 190 190 190 180 180 Volts 650 650 650 650 650 650 650 650 650 650 1200 1200 *1 *1 *1 *1 *1 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.8 1.7 1.7 1.7 1.7 1.8 1.8 IRRM max. rating Tj and Tstg mA °C 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.005 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 0.01 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 -55 to +175 パッケージ 質量 Package Net mass Grams TO-220 2.0 TO-247 6.4 T-Pack(S) 1.6 TO-220 2.0 TO-247 6.4 T-pack 1.6 TO-220 2.0 TO-247 6.4 T-pack 1.6 TO-247 6.4 TO-247 6.4 TO-247 6.4 * 1 : 2 in 1 package, IF=0.5Io 49