1-1-3 DC/DCコンバータIC SI-8511NVS 面実装・同期整流型降圧スイッチング方式制御IC ■特長 ■絶対最大定格 ・面実装パッケージ （TSSOP24） ・同期整流型により高効率：92%（VIN＝5V, IO＝1A, VO＝2.5V時） ・高周波化（400kHz TYP.オンタイム制御）により、 チョークコイルの小型化が可能（当社比） ・基準電圧（Vref） が1.1Vと低圧、又、出力電圧を 1.1Vから設定可能（1.1V∼6V) ・高速負荷応答性 ・低ESRコンデンサ対応 ・ソフトスタート・出力ON/OFF可能 ・過電流保護・出力過電圧保護回路内蔵 ・出力電圧の状態を示すPWRGD機能付き ・基準電圧高精度 1.1V±1.2% （Ta ＝ 25℃） 項 目 制御系直流入力電圧 直流入力電圧 Boostブロック入力電圧 EN端子入力電圧 PWRGD端子印加電圧 接合部温度 保存温度 記 号 VCC VIN VH VEN VPWRGD Tj Tstg 定格値 7 25 30 VCC 7 ＋150 −40∼＋150 単 位 V V V V V ℃ ℃ ■用途 ・ノートPC・携帯機器用電源 ・各種オンボードローカル電源 ・OA機器 ・スイッチング電源2次側出力電圧安定化 ■推奨動作条件 項 目 制御系入力電圧範囲 入力電圧範囲 出力電圧範囲 動作温度範囲 記 号 VCC VIN VO Top 規格値 4.5∼5.5 3∼18 1.1∼6 −20∼＋85 ■電気的特性 （特に指定のない限り、Ta ＝ 25℃） 項 目 動特性 回路電流 低入力禁止 オンタイム制御 ハイサイドドライブ ローサイドドライブ ブートストラップ 保護系 68 IC 単 位 V V V ℃ 出力電圧 出力電圧温度係数 回路電流（VCC端子） 回路電流（VIN端子） スタンバイ電流1（VCC端子） スタンバイ電流2（VIN端子） 低入力禁止動作電圧1（VCC端子） 低入力禁止動作電圧2（VIN端子） オン時間 最小オフ時間 REF端子電圧 REF端子ソース電流 オン抵抗（ハイ側） オン抵抗（ロー側） オン抵抗（ハイ側） オン抵抗（ロー側） ブートストラップ電圧 電流制限検出用電流 ソフトスタート端子電流 ENローレベル電圧 ENハイレベル電圧 ENバイアス電流 PWRGD Good電圧（ハイ側） PWRGD Good電圧（ロー側） PWRGDロー出力電圧 PWRGD端子電流 PWRGD漏れ電流 記 号 VO ΔVO/ΔT Iop Iop Istd1 Istd2 Vuvlo1 Vuvlo2 Ton Toff Vref Iref RonHH RonHL RonLH RonLL VH-VLIN Ilim Iss Vcelo Vcehi ICE Vsens Vsens Vpwrgd Ipwrgd Ipwrgd min. −1.2% 規格値 typ. 1.1 ±0.03 6 1 100 50 4.45 2.9 3.7 2.5 1.1 4.5 90 max. ＋1.2% 1.27 0.7 1.2 5.5 5.5 5.5 5.5 5 100 ±20 0 2.4 1.3 100 5.5 110 0.8 VCC 5 1.32 0.88 0.4 120 5 単 位 V mV/℃ mA mA μA μA V V μS μS V μA Ω Ω Ω Ω V μA μA V V μA V V V μA μA 条 件 VIN＝5V, VCC＝5V, VSNSをVOに接続, IO＝0A VIN＝5V, VCC＝5V, VSNSをVOに接続, IO＝0A, Ta＝0∼85℃ VCC＝5V, EN＝H, FADJ：open VIN＝5V, EN＝H VCC＝5V, EN＝L VIN＝5V, EN＝L VIN＝5V VCC＝5V VCC＝5V, VIN＝5V, VO＝2.5V VCC＝5V VCC＝5V VCC＝5V VH-VLIN＝5V VH-VLIN＝5V VCC＝5V VCC＝5V VCC＝5V, VIN＝5V VCC＝5V VCC＝5V VCC＝5V VCC＝5V, EN＝5V VCC＝5V VCC＝5V VCC＝5V, Ipwrgd＝120μA VCC＝5V, Vpwrgd＝0.4V Vpwrgd＝5V SI-8511NVS ■外形図 （単位：mm） φ 2.0 鏡面 深さ 0.02~0.08 11 ° A 11 ° 13 24 φ 1.0 鏡面 (6.4) 12 11 ° 1 11 ° 1.90 3.00 7.6±0.2 5.60±0.1 深さ 0.02~0.08 +0.1 0.15 –0.05 0.65 0.375 TYP 0.22+0.1 –0.05 0.12 M A 7.80±0.1 0.4 7.9±0.2 1.15±0.05 11° 11° 樹脂封じ型 不燃化度：UL規格94V-0 製品質量：約1.36g 1° 1 0.08 S ° 0~10 11° 0.10±0.05 S 0.50±0.2 ■ブロック図（ピン配置） VIN + +5V VCC1 ILIM VIN ISEN VCC2 OCP PRE_REG EN H : ON L : OFF EN UVLO Vpreg VH Level Shift Gate Driver OFF Clamp Latch Buff DRVH VO Synchronous Cont. (Logic) POWER_GOOD H : GOOD L : NG LIN + Buff Logic Power Good PWRGD DRVL PGND – Switching + Constant On Time Cont. + COMP – VO VSNS – OSC + SS GND OVP_SL FADJ FSET Open : Change Frequency Short : 400KHz Operation 14 SS 12 SKIP Open : Skip Mode L : No Skip Mode ■標準接続回路図 VIN R2 C1 : 10 µ F VCC : 5V D2 : SFPL52 C7 : 0.1 µ F R1 5mΩ R5 10Ω 1 2 3 4 C6 0.1 ~ 1 µ F C9 1000 pF 5 6 7 8 VCC R7 47kΩ R10 2.2kΩ R9 9 10 NC NC DRVH LIN VH DRVL VIN PGND ISEN VCC2 ILIN OVP_SL SI-8511NVS GND VSNS VO VCC1 SS EN PWRGD SKIP REF FADJ Q1 24 L1 : 10 µ H 23 22 21 20 VO + Q2 D1 SJPJ-L3 R6 10Ω C5 : 4.7 µ F R12 18 C4 : 3.3 µ F 16 15 12 NC NC ダイオードＤ1 ・Ｄ1には、必ずショットキーバリアダイオードを使用してください。 ファーストリカバリダイオードを使用した場合、 リカバリおよびオン電圧による 逆電圧印加により Ｉ Ｃを破壊する恐れがあります。 チョークコイルＬ1 ・チョークコイルの巻き線抵抗が大きい場合、効率が低下し規格の値に達し ない場合があります。 ・過負荷・負荷短絡時の磁気飽和によるチョークコイルの発熱に注意願いま す。 VCC 17 C8 : 220pF EN SKIP PWRGD 11 R13 19 C2 : 330 µ F MOS FET Q1、Q2 ・Q1、Q2には、必ずロジックタイプMOS FETを使用してください。 通常のパワーMOS FETタイプを使用した場合、VGSの不足からオン抵抗 が下がらず、効率が悪くなり、大きな発熱を生じる可能性があります。 14 13 R4 47kΩ C3 0.1 µ F コンデンサー Ｃ1、 Ｃ2 ・Ｃ1、 Ｃ2には大きなリップル電流が流れますので、 スイッチング電源用高周波 低インピーダンス品をご使用ください。特にＣ2のインピーダンスが高い場 合、低温時にスイッチング波形に異常を起こすことがあります。又、 Ｃ2にセ ラミックコンデンサー等直流等価抵抗（ＥＳＲ）が極端に小さいコンデンサー を使用した場合、異常発振となる可能性があるため使用しないでください。 R11 : 100kΩ R8 : 200kΩ ◎最適な動作環境とするためには、各部品を最短で配置することが必要です。 IC 69