－ 富士 IGBT モジュール V シリーズ 1200V 系列 － 大電流出力特性 V シリーズ 条件： 1200V 系列 Tj=25℃、125℃、150℃ Vge=15V 注）本データは代表波形であるとともに、モジュールの内部抵抗を含まないチップでの数値です。 Ratio of collector current to rating (a.u.) 4.5 Tj=25deg.C Tj=125deg.C Tj=150deg.C 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 Vge=15V 0.5 0.0 0 1 2 3 4 5 6 7 8 Collector to Emitter voltage Vce (V) 9 10 技術資料：MT5F24326 1