力率改善制御IC FA1A10N 電源設計例 ： 390V/200W Reference Design 1．概要 本資料は、力率改善制御用IC FA1A10Nシリーズを使用したPFC回路の設計例です。出力電力は200Wで構成さ れています。 2．特長 •入力電圧検出レスにより低待機電力 •高精度電流検出：0.6V±2% •周波数低減機能により軽負荷時の高効率化 •入力電圧波形の低位相角時のデッドアングル低減による力率改善 を実現 •オーバーシュート低減機能、ダイナミックOVP回路により音鳴りを 軽減 •高耐圧CMOSプロセスにより、低消費電力化を実現 •スタートアップ500µA(typ)、動作時1.5mA(typ) •パワーMOSFETを直接駆動可能 出力ピーク電流：ソース1A / シンク1A •FBショート検出回路により、出力電圧検出部が異常になった場合、 回路動作を停止 •低電圧誤動作防止回路内蔵 •リスタートタイマー •パッケージ：SOP-8 3．回路図 L202 short R203 short D101 600V/25A J101 L 1 F101 6.3A R101 510k R102 510k R204 short TH101 ZT101 L101 C101 0.47u C102 1000p L102 C103 1000p R103 510k N L201 175uH L203 short C105 2200p C104 0.47u C106 2200p C201 1u 3 R205 short R208 D204 10 R207 100 JP101 JP102 R206 short JP103 C204 100p R209 47k D203 GND R215 1.5M R216 1.5M R217 1.5M R218 1M R213 47 1 VCC 2 R214 100k C209 0.1u R221 open R222 open R223 open R224 open RTZC 4 6 GND RT 3 7 OUT COMP 2 8 VCC FB 1 FA1A10N C211 56u 4 JP104 IC201 D205 1 C202 220u Q201 FMH20N60S1 R202 open J202 J201 D201 YG952S6RP R201 0.068 5 CS Vout C208 2200p C210 0.01u R219 33k VR201 5k C205 0.1u R210 33k C206 0.47u C212 open R211 200k C207 open R212 68k GND Feb,2016 RD_FA1A10N_200W Rev0.0 1 /5 © Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. FA1A10N Reference Design 4．電源仕様 Item Input voltage Output voltage Output power Protection function Value Unit 90 to 264 Vac 390 Vdc 200 W Overcurrent limiting of power MOSFET Overvoltage limiting Open/Short protection at FB pin Soft Start function 5．代表特性 Feb,2016 RD_FA1A10N_200W Rev0.0 2 /5 © Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. FA1A10N Reference Design 6．動作波形(AC input current) 100Vac Po=200W 240Vac Po=200W 1A/div 5ms/div Feb,2016 RD_FA1A10N_200W Rev0.0 0.5A/div 5ms/div 3 /5 © Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. FA1A10N Reference Design 9.部品表 Component IC201 Q201 D101 D201 D203 D204 D205 L101,L102 L201 C101 C102,C103 C104 C105,C106 C201 C202 C204 C205,C209 C206 C207,C210 C208 C211 R101,R102, R103 R201 R207 R208 R209 R210 R211 R212 R213 R214 R215,R216, R217 R218 R219 R221 R224 VR201 F101 ZT101 TH101 J101 J201 J202 Item PFC IC MOSFET Bridge Diode Diode Zenner Diode Diode Diode Inductor Inductor Film capacitor Ceramic capacitor Film capacitor Ceramic capacitor Film capacitor Electrolytic capacitor Ceramic capacitor Ceramic capacitor Ceramic capacitor Ceramic capacitor Ceramic capacitor Electrolytic capacitor Value 600V/25A Maker Note Fuji Fuji SHINDENGEN Fuji 27V 0.2W 15mH 4A Lp=175uH AC275V,0.47uF AC250V,1000pF AC275V,0.47uF AC250V,2200pF 630V, 1uF 450V, 270uF 2kV,100pF 50V, 0.1uF 50V, 0.47uF 50V, 1000pF 50V, 2200pF 50V, 56uF Resister 1/8W, 510kΩ Resister Resister Resister Resister Resister Resister Resister Resister Resister 3W, 0.068Ω 1/4W, 100Ω 1/4W, 10Ω 1/8W, 47kΩ 1/8W, 33kΩ 1/8W, 200kΩ 1/8W, 68kΩ 1/8W, 47Ω 1/8W, 100kΩ Resister 1/8W, 1.5MΩ Resister Resister Resister Resister Variable Resistor Fuse Transient/Surge Absorber Thermistor Connector Connector Connector 1/8W, 1MΩ 1/8W, 33kΩ 1/8W, 2.2MΩ 1/8W, 390kΩ 5kΩ AC250V 6.3A SVR471D10 3D-22 B2P3-VH B4P-VH B2B-EH Feb,2016 RD_FA1A10N_200W Rev0.0 Part. No FA1A10N / 11N FMH20N60S1 D25SB60 YG952S6RP ERA91-002 1SS244 Fuji ROHM LE474-M DE1E3KX102MA4BL01 LE474-M DE1E3KX222MA4BL01 OKAYA MURATA OKAYA MURATA PQ32/30 JST JST JST 4 /5 © Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved. FA1A10N Reference Design ご注意 1. この資料の内容（製品の仕様、特性、データ、材料、構造など）は2016年2月現在のものです。この内容は製 品の仕様変更のため、または他の理由により事前の予告なく変更されることがあります。この資料に記載さ れている製品を使用される場合には、その製品の最新版の仕様書を入手して、データを確認してください。 2. 本資料に記載してある応用例は、富士電機製品を使用した代表的な応用例を説明するものであり、本資料 によって工業所有権、その他権利の実施に対する保証または実施権の許諾を行うものではありません。 3. 富士電機（株）は絶えず製品の品質と信頼性の向上に努めています。しかし、半導体製品はある確率で故障 する可能性があります。 富士電機製半導体製品の故障が、結果として人身事故、火災等による財産に対する損害や、社会的な損 害を起こさぬように冗長設計、延焼防止設計、誤動作防止設計など安全確保のための手段を講じてくださ い。 4. 本資料に記載している製品は、普通の信頼度が要求される下記のような電子機器や電気機器に使用される ことを意図して造られています。 ・コンピュータ ・OA機器 ・通信機器（端末） ・計測機器 ・工作機械 ・オーディオビジュアル機器 ・家庭用電気製品 ・パーソナル機器 ・産業用ロボット など 5. 本資料に記載の製品を、下記のような特に高い信頼度を持つ必要がある機器に使用をご予定のお客様は、 事前に富士電機（株）へ必ず連絡の上、了解を得てください。この資料の製品をこれらの機器に使用するに は、そこに組み込まれた富士電機製半導体製品が故障しても、機器が誤動作しないように、バックアップ・シ ステムなど、安全維持のための適切な手段を講じることが必要です。 ・輸送機器（車載、舶用など） ・幹線用通信機器 ・交通信号機器 ・ガス漏れ検知及び遮断機 ・防災／防犯装置 ・安全確保のための各種装置 6. 極めて高い信頼性を要求される下記のような機器には、本資料に記載の製品を使用しないでください。 ・宇宙機器 ・航空機搭載用機器 ・原子力制御機器 ・海底中継機器 ・医療機器 7. 本資料の一部または全部の転載複製については、文書による当社の承諾が必要です。 8. 本資料の内容にご不明の点がありましたら、製品を使用する前に富士電機（株）または、その販売店へ質問 してください。本注意書きの指示に従わないために生じたいかなる損害も富士電機（株）とその販売店は責 任を負うものではありません。 本資料の内容は、改良などのために予告無く変更することがあります。 本資料に記載されている応用例や部品定数は、設計の補助を目的とするものであり、 部品バラツキや使用条件を充分に考慮したものではありません。 ご使用にあたっては、これら部品バラツキや使用条件等を考慮した設計をお願いします。 Feb,2016 RD_FA1A10N_200W Rev0.0 5 /5 © Fuji Electric Co., Ltd. All rights reserved.