CMOSリニアイメージセンサ S10227-10 小型・樹脂封止型CMOSイメージセンサ S10227-10は、従来品 (S9227シリーズ)と比べて小型で高いコストパフォーマンスを実現した樹脂封止型のCMOSリニ アイメージセンサです。 特長 用途 小型で高いコストパフォーマンスを実現 表面実装型パッケージ: 4.4 × 9.1 × 1.6t mm 画素ピッチ: 12.5 μm 画素高さ: 250 μm バーコードリーダ 512画素 簡易型分光器 変位計 屈折計 干渉計 単一5 V電源動作 ビデオデータレート: 5 MHz max. 同時電荷蓄積 シャッタ機能 高感度、低暗電流、低ノイズ タイミング発生回路を内蔵し、スタートパルスと クロックパルスだけで動作 感度波長範囲: 400～1000 nm 構成 項目 画素数 画素ピッチ 画素高さ 有効受光面長 パッケージ 封止材 仕様 512 12.5 250 6.4 ガラスエポキシ シリコーン樹脂 単位 μm μm mm - 絶対最大定格 項目 電源電圧 クロックパルス電圧 スタートパルス電圧 動作温度*1 保存温度*1 リフローはんだ付け条件*2 記号 Vdd V(CLK) V(ST) Topr Tstg Tsol 条件 Ta=25 °C Ta=25 °C Ta=25 °C 定格値 -0.3 ～ +6 -0.3 ～ +6 -0.3 ～ +6 -25 ～ +85 -25 ～ +85 ピーク温度 260 °C, 3回 (P.6 参照) 単位 V V V °C °C - *1: 結露なきこと 高湿環境においては、製品とその周囲で温度差があると製品表面が結露しやすく、特性や信頼性に影響が及ぶことがあります。 *2: JEDEC level 2a 注) 絶対最大定格を一瞬でも超えると、製品の品質を損なう恐れがあります。必ず絶対最大定格の範囲内で使用してください。 浜松ホトニクス株式会社 1 S10227-10 CMOSリニアイメージセンサ 推奨端子電圧 項目 記号 Vdd 電源電圧 Highレベル Lowレベル Highレベル Lowレベル クロックパルス電圧 スタートパルス電圧 V(CLK) V(ST) Min. 4.75 Vdd - 0.25 Vdd - 0.25 - Typ. 5 Vdd 0 Vdd 0 Max. 5.25 Vdd + 0.25 Vdd + 0.25 - 単位 V V V V V Typ. f(CLK) 26 1.6 Max. 5M 32 - 単位 Hz Hz mA μV/e- Max. 単位 nm nm mV V mV rms V % 電気的特性 [Ta=25 °C, Vdd=5 V, V(CLK)=V(ST)=5 V] 項目 クロックパルス周波数 ビデオデータレート 消費電流 変換効率 Min. 50 k 20 - 記号 f(CLK) VR I CE 電気的および光学的特性 [Ta=25 °C, Vdd=5 V, V(CLK)=V(ST)=5 V, f(CLK)=5 MHz] 項目 感度波長範囲 最大感度波長 暗出力電圧*3 飽和出力電圧*4 読み出しノイズ 出力オフセット電圧 感度不均一性*5 *6 Min. 記号 λ λp Vd Vsat Nr Vo PRNU Typ. 400 ～ 1000 700 1 4.3 0.45 0.6 - 4 0.4 - 10 1 0.9 ±8.5 *3: 蓄積時間=10 ms *4: Voとの差 *5: 感度不均一性は、飽和露光量の50%の均一光を受光部全体に当てた場合の出力均一性で、両端の画素を除いた510画素で次のよう に定義します。 PRNU= ∆X/X × 100 (%) X: 両端の画素を除いた510画素の出力の平均, ∆X: 最大出力または最小出力とXとの差 *6: 2856 K, タングステンランプ ブロック図 分光感度特性 (代表例) (Ta=25 °C) 100 CLK 8 ST 7 GND 1 Vdd 4 ΗͼηϋΈ อٝႹ 80 చۜഽ (%) ΏέΠτΐΑΗ γȜσΡٝႹ 60 6 EOS 5 Video ΙλȜΐͺϋίͺτͼ 1 40 2 3 4 έΠΘͼȜΡ 511 512 ͺτͼ KMPDC0167JC 20 0 400 500 600 700 800 900 1000 1100 1200 ෨ಿ (nm) KMPDB0258JD 2 S10227-10 CMOSリニアイメージセンサ タイミングチャート Πς΄ 1/f(CLK) 1 2 3 4 5 6 7 8 9 101112 131415 CLK ಇୟশۼ 2.5·υΛ· 8.5·υΛ· ST tlp(ST) thp(ST) tpi(ST) 100 ns 14·υΛ· 512 Video EOS tf(CLK) tr(CLK) CLK CLK 1/f(CLK) ST Video tr(ST) tvd1 tf(ST) thp(ST) tvd2 tlp(ST) tpi(ST) KMPDC0166JF 項目 スタートパルス周期 スタートパルスHigh期間 スタートパルスLow期間 スタートパルス上昇／下降時間 クロックパルスデューティ比 クロックパルス上昇／下降時間 ビデオ遅延時間 1 ビデオ遅延時間 2 記号 tpi(ST) thp(ST) tlp(ST) tr(ST), tf(ST) tr(CLK), tf(CLK) tvd1 tvd2 Min. 530/f(CLK) 8/f(CLK) 15/f(CLK) 0 45 0 32 40 Typ. 20 50 20 40 50 Max. 1100 m 1000 m 100 m 30 55 30 48 60 単位 s s s ns % ns ns ns 注) スタートパルス周期、スタートパルスHigh期間を長くすると、暗出力が増加します。 STがLowになった直後のCLKの立ち上がりで内蔵タイミング回路が動作を開始します。 蓄積時間は、STのHigh期間 + CLK6周期分に相当します。 1 ch目は、STの立ち下がりの14クロック + 100 ns後に出力されます。 EOSは、CLKの立ち下がりの39 ns後に出力されます。 最終画素 (512 ch)の読み出し後の出力電圧は、不定となります。 スタートパルスの設定例 (スタートパルス周期を最小にして、蓄積時間を最大にする場合) スタートパルスHigh期間=515/f(CLK)、スタートパルスLow期間=15/f(CLK) 3 CMOSリニアイメージセンサ S10227-10 外形寸法図（単位：mm） 9.1 1.35 ± 0.2 3.2 4.4 ໐ (6.4 × 0.25) ΏςȜϋਏড ࿂ ષ࿂ 1.6 ± 0.2 512 ch 1 ch 0.3 ± 0.15 1.437 ± 0.2 [ષ࿂] ΄ρΑε΅Ώ ئ࿂ 2.54 2.54 2.54 2.54 (0.9) [௰࿂] [ئ࿂] ഩޭ໐ (8 ×) ɸ0.5 ͼϋΟΛ·ΑζȜ· ঐা̧̈́ओ: ±0.1 ( )ඤ͉४ࣉ KMPDA0316JB ピン接続 ピンNo. 1 2 3 4 5 6 7 8 記号 GND NC NC Vdd Video EOS ST CLK I/O I O O I I 説明 グランド 無接続 無接続 電源電圧 ビデオ信号出力 エンドオブスキャン スタートパルス クロックパルス 推奨ランドパターン (単位: mm) 2.54 (8 ×) ɸ0.7 2.54 2.54 2.54 KMPDC0257JA 4 S10227-10 CMOSリニアイメージセンサ 外観検査規格 項目 受光部上の異物 判定基準 10 μm max. 検査方法 自動機カメラ 標準梱包仕様 リール (JEITA ET-7200 準拠 ) 外形寸法 330 mm ハブ径 100 mm テープ幅 16 mm 材質 PPE 静電気特性 導電性 エンボステープ (単位: mm, 材質: ポリカーボネイト樹脂, 導電性) 1.75 ± 0.1 4.0 ± 0.1 9.45 ± 0.1 0.32 ± 0.05 +0.3 7.5 ± 0.1 2.0 ± 0.05 16.0-0.1 +0.1 ɸ1.5-0 +0.25 ɸ1.5-0 8.0 ± 0.1 1 ch 1.89 ± 0.1 ςȜσ̧͈̱༷֨࢜ 4.75 ± 0.1 KMPDC0450JA 梱包数量 2000個/リール 梱包形態 リールと乾燥剤を防湿梱包 (脱気密封) 5 S10227-10 CMOSリニアイメージセンサ リフローはんだ付けの推奨温度プロファイル (代表例) 300 °C άȜ·أഽ 260 °C max. ઌأ 3 °C/s max. άȜ·أഽ - 5 °C 30 s max. ႖ݕ 6 °C/s max. 217 °C أഽ 200 °C 150 °C ထح 60ȡ120 s ུح 60ȡ150 s শۼ KMPDB0405JB ・本製品は、鉛フリーはんだ付けに対応しています。梱包開封後は、温度 30 °C 以下、湿度 60％以下の環境で保管して、4 週間以内に はんだ付けをしてください。 ・使用する基板・リフロー炉によって、リフローはんだ付け時に製品が受ける影響が異なります。リフローはんだ条件の設定時には、 あらかじめ実験を行って、製品に問題が発生しないことを確認してください。 ・未開封状態で 3 ヶ月以上または上記の環境下で保管しなかった場合は、ベーキングを実施してください。ベーキング方法については、関 連情報の「樹脂封止型 CMOS リニアイメージセンサ／使用上の注意」を確認してください。 使用上の注意 (1) 静電気対策 ・本製品は静電気に対する保護回路を内蔵していますが、静電気による破壊を未然に防ぐために、作業者・作業台・作業工具の接地などの 静電気対策を実施してください。また、周辺機器からのサージ電圧を防ぐようにしてください。 (2) パッケージの取り扱い ・本製品の受光部は透明樹脂にて保護されています。ガラス窓材などと比較して、透明樹脂は軽微な凹凸が見られる場合があり、また 傷が付きやすい性質をもっています。取り扱いや光学設計に注意してご使用ください。 ・受光面上にゴミなどが付着すると、感度均一性が損なわれます。ゴミを取り除く際は圧搾気体を吹きつけてください。 (3) 表面保護テープ ・受光面保護のため、製品表面に保護テープを貼り付けてあります。組立完了後にテープを剥がして使用してください。 (4) 動作／保存環境 ・絶対最大定格で定めた温度範囲にて取り扱ってください。過度の高温高湿条件下においては、特性に変化を生じることがあります。 (5) 紫外線照射 ・本製品は紫外線照射による特性劣化を抑えるように設計されていないため、紫外線は照射しないようにしてください。 6 CMOSリニアイメージセンサ S10227-10 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 製品に関する注意事項とお願い ・ イメージセンサ／使用上の注意 ・ 樹脂封止型CMOSリニアイメージセンサ／使用上の注意 技術情報 ・ イメージセンサ／用語の説明 本資料の記載内容は、平成28年6月現在のものです。 ୋ͈ॽအ͉Ȃ٨ၻ͈̹̈́̓͛ထ̩࣬̈́་ࢵ̳̭̦̜̳ͥ͂ͤ͘ȃུၳ͉ୃ̹̳͛ͥܢͬږਹͅै଼̯̹͈̳̦ͦ́͜Ȃͦ͘ͅࢋܱ̈́̓ͥ͢ͅࢋ̦ͤ ̜ͥાࣣ̦̜̳ͤ͘ȃུୋͬঀဥ̳ͥष͉ͅȂຈ̴ොවॽအ̮ͬဥྵ͈ષȂड૧͈ॽအ̮̞̯̺̩ͬږȃ ུୋ͈༗બ͉ȂොවࢃIJාոඤ̦ͅอࡉ̯ͦḀ̑̾২̯̹ͦͅાࣣȂུୋ͈ਘၑ̹͉͘య͈ොවͬࡠഽ̱̳͂͘ȃ̹̺̱Ȃ༗બۼܢඤ̜́̽̀͜Ȃ ഛब̤͍͢ະഐ୨̈́ঀဥ֦̳ܳͥͅఅ͉̞̀̾ͅٺȂ২̷͉͈ୣ̵̞ͬͭ͘ȃ ུၳ͈ܱशඤယ̞̾̀ͅȂ২͈ݺౄ̱̈́ͅഢश̹͉͘ໝୋ̳̭̲̳ͥ͂ͬ͘ȃ ŸŸŸįũŢŮŢŮŢŵŴŶįŤŰŮ ୵రުאਫ਼ ಆ෨ުאਫ਼ ުאނਫ਼ ಎ໐ުאਫ਼ ఱिުאਫ਼ ୌུުאਫ਼ ɧĺĹıĮııijIJ ɧĴıĶĮıĹIJĸ ɧIJıĶĮıııIJ ɧĵĴıĮĹĶĹĸ ɧĶĵIJĮııĶij ɧĹIJijĮııIJĴ ୵రঌဩߊಎ؇ĴĮijĮIJġĩဩίρΎIJIJٴĪ ֟ઽࡇ̩̾͊ঌࡄڠݪĶĮIJijĮIJıġĩࡄڠݪΑ·;ͿͺΫσĸٴĪ ނസࢽߊࡵΦĴĮĹĮijIJġĩࡵΦĴĴ૩ΫσĶٴĪ ຩઐঌಎߊग५ĴijĶĮķġĩུྵຩઐפஜΫσĵٴĪ ఱिঌಎ؇ߊհാijĮĴĮIJĴġĩఱि࣭षΫσIJıٴĪ ؖঌฎఉߊฎఉפIJĮIJĴĮķġĩಅ५ฎఉΫσĶٴĪ ŕņōġĩıijijĪġijķĸĮıIJijIJġġŇłřġĩıijijĪġijķĸĮıIJĴĶ ŕņōġĩıijĺĪġĹĵĹĮĶıĹıġġŇłřġĩıijĺĪġĹĶĶĮIJIJĴĶ ŕņōġĩıĴĪġĴĵĴķĮıĵĺIJġġŇłřġĩıĴĪġĴĵĴĴĮķĺĺĸ ŕņōġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJijġġŇłřġĩıĶĴĪġĵĶĺĮIJIJIJĵ ŕņōġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĵIJġġŇłřġĩıķĪġķijĸIJĮıĵĶı ŕņōġĩıĺijĪġĵĹijĮıĴĺıġġŇłřġĩıĺijĪġĵĹijĮıĶĶı ࡥఘުאଔૺ໐ȁɧĵĴĶĮĹĶĶĹȁຩઐঌߊঌIJIJijķĮIJȁŕņōġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĴĴIJIJȁŇłřġĩıĶĴĪġĵĴĵĮĶIJĹĵ Cat. No. KMPD1152J04 Jun. 2016 DN 7