プリアンプ付Siフォトダイオード S9269 S9270 フォトダイオードとプリアンプ、フィードバック 抵抗／容量を一体化 S9269, S9270は、標準セラミックパッケージと同一平面サイズ内にオペアンプ、フィードバック抵抗、フィードバック容量を 内蔵した低雑音の光センサです。分析用、計測用など幅広い用途に使用が可能です。フォトダイオード受光面をGND端子に接 続することで、EMCノイズに強い構造となっています。 なお紫外域高感度タイプ、赤外感度抑制タイプ、赤外域高感度タイプのフォトダイオードとの組み合わせも可能です。(特注品) 特長 用途 可視～近赤外精密測光用Siフォトダイオードを使用 精密測光 小型パッケージ S9269: 10.1 × 8.9 × 4.0 t mm S9270: 16.5 × 15.0 × 4.15 t mm 受光面サイズ S9269: 5.8 × 5.8 mm S9270: 10 × 10 mm 低消費電力のFET入力オペアンプを使用 光計測一般 Rf=1 GΩ, Cf=5 pFを内蔵 低雑音、低NEP 絶対最大定格 (Ta=25 °C) 項目 電源電圧 (オペアンプ用) 許容損失 動作温度 保存温度 記号 Vcc P Topr Tstg 定格値 ±20 500 -20 ～ +60 -20 ～ +80 単位 V mW °C °C 注) 絶対最大定格の範囲内で必ず使用してください。絶対最大定格を超えると、1項目だけで瞬時であっても製品の品質を損なう恐れが あります。 電気的および光学的特性 (Ta=25 °C, Vcc=±15 V, RL=1 MΩ) 項目 記号 感度波長範囲 最大感度波長 フィードバック抵抗 (内蔵) * フィードバック容量 (内蔵) * 受光感度 λ λp Rf Cf S 出力雑音電圧 Vn 雑音等価電力 NEP 出力オフセット電圧 遮断周波数 出力電圧振幅 電源電流 Vos fc Vo Icc 条件 λ=λp 暗状態, f=10 Hz 暗状態, f=20 Hz λ=λp, f=10 Hz λ=λp, f=20 Hz 暗状態 -3 dB RL=10 kΩ 暗状態 Min. 0.5 - S9269 Typ. 340 ～ 1100 960 1 5 0.62 7.3 6.5 12 12 ±4 32 13 0.3 Max. 0.6 Min. 0.5 - S9270 Typ. 340 ～ 1100 960 1 5 0.62 9.7 9.1 16 17 ±4 32 13 0.3 Max. 0.6 単位 nm nm GΩ pF V/nW μVrms/Hz1/2 fW/Hz1/2 mV Hz V mA * Rf, Cfの変更などのカスタム対応も可能です。 浜松ホトニクス株式会社 1 S9269, S9270 プリアンプ付Siフォトダイオード 分光感度特性 周波数特性 (Typ. Ta=25 °C, Vcc=±15 V) 0.7 (Typ. Ta=25 °C, Vcc=±15 V) 10 0.6 0 (dB) (V/nW) 0.5 0.4 -10 0.3 0.2 -20 0.1 0 300 400 500 600 700 800 900 1000 -30 0.001 1100 0.01 0.1 (nm) 10 1 (kHz) KSPDB0239JC KSPDB0240JB 雑音等価電力－周波数 出力雑音電圧－周波数 !!" #% $& $%$ #$# ! ""# KSPDB0241JA KSPDB0242JA 2 S9269, S9270 プリアンプ付Siフォトダイオード 応用回路例 Ω KSPDC0050JA 外形寸法図 (単位: mm, 指示なき交差: ±0.2) S9269 S9270 # $%% $ &' ()) *+ ())$ KSPDA0160JB " !"#$ %%& " ! ! " ! ! ! ,- " # ' () *++" &,*++' KSPDA0161JB 3 プリアンプ付Siフォトダイオード S9269, S9270 使用上の注意 ● 静電破壊 S9269, S9270は、人体に帯電する静電気、測定装置からのサージ電圧、はんだごての漏洩電圧、梱包材などにより破壊または劣化を 起こす危険性があります。 静電気対策のため、素子、作業者、作業場所、治具などをすべて同電位にする必要があります。使用に際しては以下の事項について注 意してください。 · 作業者および衣服に帯電した静電気による破壊を防止するため、リストストラップなどで人体を高抵抗 (1 MΩ)を介してアースし てください。 · 作業場所は作業台と床に半導電シート(1 MΩ～100 MΩ)を敷いてアースしてください。 · はんだごては絶縁抵抗が10 MΩ以上のものを使用し、アースしてください。 · 運搬、梱包用の容器としては、導電性材料やアルミ箔などを推奨します。帯電防止材料は、0.1 MΩ/cm2 ～ 1 GΩ/cm2 のものを使 用してください。 ● 配線 プリアンプなどの電子部品は、極性を間違えて電圧・電流を印加すると、特性が劣化したり、素子が破壊される恐れがあります。外形 寸法図を確認し、間違いのないように注意してください。 関連情報 www.hamamatsu.com/sp/ssd/doc_ja.html 注意事項 ・ 注意事項とお願い ・ メタル・セラミック・プラスチックパッケージ製品／使用上の注意 技術情報 ・ Siフォトダイオード／技術資料 ・ Siフォトダイオード／用語の説明 ・ Siフォトダイオード／信頼性 ・ Siフォトダイオード／応用回路例 本資料の記載内容は、平成23年9月現在のものです。 Cat. No. KSPD1066J03 Sep. 2011 DN 4