EN/JA

テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KS4
62mmC-SerienModulmitschnellemIGBT2fürhochfrequentesSchalten
62mmC-seriesmodulewiththefastIGBT2forhigh-frequencyswitching
IGBT- インバータ/IGBT,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
コレクタ・エミッタ間電圧
Collector-emittervoltage
Tvj = 25°C
VCES
1200
V
連続DCコレクタ電流
ContinuousDCcollectorcurrent
TC = 60°C, Tvj max = 150°C
TC = 25°C, Tvj max = 150°C
IC nom
IC
300
370
繰り返しピークコレクタ電流
Repetitivepeakcollectorcurrent
tP = 1 ms
ICRM
600
A
トータル損失
Totalpowerdissipation
TC = 25°C, Tvj max = 150
Ptot
1950
W
ゲート・エミッタ間ピーク電圧
Gate-emitterpeakvoltage
VGES
+/-20
V
電気的特性/CharacteristicValues
min.
コレクタ・エミッタ間飽和電圧
Collector-emittersaturationvoltage
IC = 300 A, VGE = 15 V
IC = 300 A, VGE = 15 V
ゲート・エミッタ間しきい値電圧
Gatethresholdvoltage
IC = 12,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
ゲート電荷量
Gatecharge
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VCE sat
A
A
typ.
max.
3,20
3,85
3,75
V
V
VGEth
4,5
5,5
6,5
V
VGE = -15 V ... +15 V
QG
3,20
µC
内蔵ゲート抵抗
Internalgateresistor
Tvj = 25°C
RGint
1,0
Ω
入力容量
Inputcapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cies
20,0
nF
帰還容量
Reversetransfercapacitance
f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V
Cres
1,40
nF
コレクタ・エミッタ間遮断電流
Collector-emittercut-offcurrent
VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C
ICES
5,0
mA
ゲート・エミッタ間漏れ電流
Gate-emitterleakagecurrent
VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C
IGES
400
nA
ターンオン遅れ時間(誘導負荷)
Turn-ondelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td on
0,10
0,11
µs
µs
ターンオン上昇時間(誘導負荷)
Risetime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGon = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tr
0,06
0,07
µs
µs
ターンオフ遅れ時間(誘導負荷)
Turn-offdelaytime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
td off
0,53
0,55
µs
µs
ターンオフ下降時間(誘導負荷)
Falltime,inductiveload
IC = 300 A, VCE = 600 V
VGE = ±15 V
RGoff = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
tf
0,03
0,04
µs
µs
ターンオンスイッチング損失
Turn-onenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V, di/dt = 5000 A/µs
RGon = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon
25,0
mJ
mJ
ターンオフスイッチング損失
Turn-offenergylossperpulse
IC = 300 A, VCE = 600 V, LS = 60 nH
VGE = ±15 V, du/dt = 7500 V/µs
RGoff = 3,0 Ω
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eoff
15,0
mJ
mJ
短絡電流
SCdata
VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V
VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt
ISC
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
IGBT部(1素子当り)/perIGBT
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,03
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.2
1
tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C
2000
A
0,064 K/W
K/W
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KS4
Diode、インバータ/Diode,Inverter
最大定格/MaximumRatedValues
ピーク繰返し逆電圧
Repetitivepeakreversevoltage
Tvj = 25°C
連続DC電流
ContinuousDCforwardcurrent
ピーク繰返し順電流
Repetitivepeakforwardcurrent
tP = 1 ms
電流二乗時間積
I²t-value
VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C
VRRM 1200
V
IF
300
A
IFRM
600
A
I²t
18000
A²s
電気的特性/CharacteristicValues
min.
typ.
max.
2,00
1,70
2,55
順電圧
Forwardvoltage
IF = 300 A, VGE = 0 V
IF = 300 A, VGE = 0 V
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
VF
ピーク逆回復電流
Peakreverserecoverycurrent
IF = 300 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
IRM
230
300
A
A
逆回復電荷量
Recoveredcharge
IF = 300 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Qr
18,0
42,0
µC
µC
逆回復損失
Reverserecoveryenergy
IF = 300 A, - diF/dt = 5000 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C
VR = 600 V
Tvj = 125°C
VGE = -15 V
Erec
7,00
15,0
mJ
mJ
ジャンクション・ケース間熱抵抗
Thermalresistance,junctiontocase
/Diode(1素子当り)/perdiode
RthJC
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/Diode(1素子当り)/perdiode
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
RthCH
0,06
動作温度
Temperatureunderswitchingconditions
Tvj op
-40
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.2
2
V
V
0,10 K/W
K/W
125
°C
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KS4
モジュール/Module
絶縁耐圧
Isolationtestvoltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
ベースプレート材質
Materialofmodulebaseplate
内部絶縁
Internalisolation
基礎絶縁(クラス1,IEC61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
沿面距離
Creepagedistance
VISOL 2,5
kV
Cu
Al2O3
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
29,0
23,0
mm
空間距離
Clearance
連絡方法-ヒートシンク/terminaltoheatsink
連絡方法-連絡方法/terminaltoterminal
23,0
11,0
mm
相対トラッキング指数
Comperativetrackingindex
CTI
> 400
ケース・ヒートシンク間熱抵抗
Thermalresistance,casetoheatsink
/モジュール/permodule
λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K)
内部インダクタンス
Strayinductancemodule
パワーターミナル・チップ間抵抗
Moduleleadresistance,terminals-chip
TC=25°C,/スイッチ/perswitch
保存温度
Storagetemperature
min.
typ.
max.
RthCH
0,01
LsCE
20
nH
RCC'+EE'
0,70
mΩ
Tstg
-40
125
°C
K/W
取り付けネジ締め付けトルク
Mountingtorqueformodulmounting
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
3,00
-
6,00
Nm
主端子ネジ締め付けトルク
Terminalconnectiontorque
取り付けネジM6
適切なアプリケーションノートによるマウンティング
ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
M
2,5
-
5,0
Nm
質量
Weight
G
340
g
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.2
3
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KS4
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
VGE=15V
出力特性IGBT- インバータ(Typical)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VCE)
Tvj=125°C
600
600
500
500
400
400
IC [A]
IC [A]
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
300
300
200
200
100
100
0
0
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V]
伝達特性IGBT- インバータ(Typical)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
IC=f(VGE)
VCE=20V
VGE =8V
VGE =9V
VGE =10V
VGE =12V
VGE =15V
VGE =20V
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0
VCE [V]
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(IC),Eoff=f(IC)
VGE=±15V,RGon=3Ω,RGoff=3Ω,VCE=600V
600
70
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
60
500
50
400
E [mJ]
IC [A]
40
300
30
200
20
100
0
10
5
6
7
8
9
VGE [V]
10
11
0
12
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.2
4
0
100
200
300
IC [A]
400
500
600
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KS4
スイッチング損失IGBT- インバータ(Typical)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
Eon=f(RG),Eoff=f(RG)
VGE=±15V,IC=300A,VCE=600V
過渡熱インピーダンスIGBT- インバータ
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
ZthJC=f(t)
140
1
Eon, Tvj = 125°C
Eoff, Tvj = 125°C
ZthJC : IGBT
120
100
0,1
E [mJ]
ZthJC [K/W]
80
60
0,01
40
20
0
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,00384 0,02112 0,02048 0,01856
τi[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
2
4
6
8
10 12
RG [Ω]
14
16
18
0,001
0,001
20
逆バイアス安全動作領域IGBT- インバータ(RBSOA))
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
IC=f(VCE)
VGE=±15V,RGoff=3Ω,Tvj=125°C
0,01
0,1
t [s]
1
10
順電圧特性Diode、インバータ(typical)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
IF=f(VF)
700
600
IC, Modul
IC, Chip
650
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
600
500
550
500
400
450
IF [A]
IC [A]
400
350
300
300
250
200
200
150
100
100
50
0
0
200
400
600
800
VCE [V]
1000
1200
0
1400
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.2
5
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4 2,6
VF [V]
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KS4
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(IF)
RGon=3Ω,VCE=600V
スイッチング損失Diode、インバータ(Typical)
switchinglossesDiode,Inverter(typical)
Erec=f(RG)
IF=300A,VCE=600V
20
20
Erec, Tvj = 125°C
18
18
16
16
14
14
12
12
E [mJ]
E [mJ]
Erec, Tvj = 125°C
10
10
8
8
6
6
4
4
2
2
0
0
100
200
300
IF [A]
400
500
0
600
過渡熱インピーダンスDiode、インバータ
transientthermalimpedanceDiode,Inverter
ZthJC=f(t)
1
ZthJC : Diode
ZthJC [K/W]
0,1
0,01
i:
1
2
3
4
ri[K/W]: 0,006 0,033 0,032 0,029
τi[s]:
0,01 0,02 0,05 0,1
0,001
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.2
6
0
2
4
6
8
10 12
RG [Ω]
14
16
18
20
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KS4
回路図/circuit_diagram_headline
パッケージ概要/packageoutlines
j
j
n
n
i
i
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.2
7
テクニカルインフォメーション/TechnicalInformation
IGBT-モジュール
IGBT-modules
FF300R12KS4
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
この日本訳は、あくまで参考訳となりますので、正式はデータシートに記載されている英文の物となります。
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お問い合わせ願います。 (www.infineon.com参照)
製品にご興味頂き必要があれば、アプリケーションノートを準備させて頂くケースもあります。
技術的な要求によっては、当該製品が危険な物になり得る可能性があります。この様なことが起こる可能性がある場合は、
製品を使用される方の責任にて、弊社セールスオフィスに連絡願います。
航空関連、もしくは医療機器や生命維持装置に使用される場合は、インフィニオンと下記の項目を合意しているか、ご確認願います。
ー リスク 及び 品質の評価
ー 品質契約
ー アプリケーションの共同評価 上記の内容の状況に応じて、製品を出荷の判断をさせて頂く場合がございます。
必要に応じて、この規約を関係される方々に送付してください。
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ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically
interestedwemayprovideapplicationnotes.
Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe
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note,thatforanysuchapplicationsweurgentlyrecommend
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-theconclusionofQualityAgreements;
-toestablishjointmeasuresofanongoingproductsurvey,andthatwemaymakedeliverydependedon
therealizationofanysuchmeasures.
Ifandtotheextentnecessary,pleaseforwardequivalentnoticestoyourcustomers.
Changesofthisproductdatasheetarereserved.
preparedby:MK
dateofpublication:2013-10-03
approvedby:WR
revision:3.2
8