分层隔离

分层隔离
作者:Mark Cantrell
利用序列光耦合器建立双隔离栅会存在一些问题,因为数据完
GND1 1
整性很差,而且没有一种紧凑和廉价的方式为两个隔离栅之间
VDD1 1
的 接 口 提 供 电 源 。 随 着 iCoupler ® 等 高 性 能 数 字 隔 离 器 以 及
GND1 2
isoPower®器件集成电源的问世,通过分层隔离器建立高压隔离
VIB 4
VIA 3
16 VISO
15 GNDISO
ADuM6200
RCIN 5
栅现在已经成为一种可行解决方案。
RCSEL 6
由于新型电池和发电产业的快速扩张,我们需要具有很高工作
15 NC
ADuM2200
14 VDD2
VIA 4
13 VOB
VIB 5
12 VOB
12 NC
NC 6
11 NC
GND1 7
10 NC
10 VE2
GND1 8
VDD1 3
14 VOA
11 VSEL
NC 7
16 GND2
NC 2
9
NC 8
13 VOA
9
GND2
GNDISO
电压的接口,还要求提供加强绝缘。例如,太阳能逆变器应用
具有以下要求:
如果必须跨越两个隔离栅输送电源,以便为隔离负载供电,则
• 800 VDC的工作电压
必须按以下所示方式级联两个isoPower器件。
• 2级污染等级
VDD1 1
• 过压类别III
16 VISO
GND1 2
VIA 3
VIB 4
根据IEC 62109-1标准的有关加强绝缘的规定,这需要:
15 GNDISO
ADuM6200
RCIN 5
• 脉冲耐受6000 VPEAK电压
14 VOA
VIA 3
13 VOB
VIB 4
12 NC
RCSEL 6
11 VSEL
NC 7
10 VE2
GND1 8
VDD1 1
9
GNDISO
16 VISO
GND1 2
15 GNDISO
ADuM6200
RCIN 5
14 VOA
13 VOB
12 NC
RCSEL 6
11 VSEL
NC 7
10 VE2
GND1 8
9
GNDISO
• 800 VDC的工作电压
• 8 mm的增强电气间隙
这种配置非常紧凑,但总功效非常低。下图显示了负载的功
• 16 mm的增强爬电距离
效。如果数据传输速率高于1
此爬电距离在当前封装中不可能实现。但是,如果隔离栅可以
可用功率,每个阶段的功耗必须进行详细计算。如上所示,该
分成基本隔离栅和补充隔离栅,则对每个隔离栅的要求是:
应用从原边输入获取大约40 mA功率,以创建整个接口。
• 脉冲耐受6000 VPEAK电压
12
• 800 VDC的工作电压
10
EFFICIENCY (%)
• 5.5 mm的基本/补充电气间隙
• 8 mm的基本/补充爬电距离
SOIC16W封装的iCoupler器件,可以达到基本/补充绝缘电气间
8
6
4
隙、爬电距离和脉冲电压要求。
2
以下框图显示如何级联isoPower器件和标准高压iCoupler器件以
0
提供所需的隔离。必须非常小心地确定数据通道的整体性能。
Mbps,则数据传输将使用一部分
0
5
10
15
20
LOAD CURRENT (mA)
25
30
两个组件之间的传播延迟、脉冲宽度失真和通道匹配值将会增
这种方法可以解决太阳能逆变器应用中的一大难题。在不同的
加。最大数据速率将受到两个器件中速率较慢器件的限制。
标准和应用中,可以应用此方法来实现不同目标,这要取决于
isoPower器件提供运行中间接口的电源。在高达1 Mbps的数据速
特定系统标准的具体细节。可以使用isoPower器件、数字隔离
率下,整个隔离栅在5 V电压下需要大约20 mA的功率,在更高数
器和器件接口的多种组合来创建隔离数字I2C和USB接口,向终
据速率下,还需要更高功率。
端负载提供或不提供功耗。
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