中文数据手册

提供OVP和EMI保护的精密、
低噪声、低偏置电流运算放大器
ADA4177-2
产品特性
OUT A 1
–IN A 2
+IN A 3
–IN B
5
+IN B
精密二极管功率测量。ADA4177-2适用于交流供电仪器仪
表、便携式仪器仪表、精密滤波器、电压或电流测量及电
平设置。
ADA4177-2工作温度范围为−40°C至+125°C工业温度范围。
ADA4177-2提供8引脚SOIC和8引脚MSOP两种封装。
12
10
8
VSY = ±15V
6
4
2
0
–2
–4
–6
–30
–10
10
30
VIN (V)
50
12282-446
–8
ADA4177-2是一款双通道放大器，具有低失调电压(2 μV典
图2. 过压限流，电压跟随器配置
型值)和低漂移(1 μV/°C最大值)，以及低输入偏置电流、低
表1. 各代输入保护运算放大器演化表1
第一代，
OVP (10 V)
OP291
OP491
时的电磁干扰(EMI)提供70 dB抑制能力。
1
Rev. A
OUT B
6
应变计)、过程控制前端放大器和光学及无线传输系统中的
–10
–50
入偏离任一电源32 V时对放大器进行保护，并且针对1000 MHz
V+
7
该放大器的应用包括传感器信号调理(例如热电偶、RTD、
概述
ADA4177-2的输入为精密放大器鲁棒性定义了新标杆，当输
8
图1.
无线基站控制电路
光纤网络控制电路
仪器仪表
传感器和控制元件
热电偶、电阻式温度检测器(RTD)、应变计和电流测量
精密滤波器
载时输出稳定，无需外部补偿。
TOP VIEW
(Not to Scale)
V– 4
应用
噪声和低功耗(500 μA典型值)特性。驱动1000 pF以上容性负
ADA4177-2
12282-001
引脚接线图
INPUT BIAS CURRENT (mA)
低失调电压：60 µV(最大值，25°C，8引脚 SOIC)
低失调电压漂移：1 µV/°C(最大值)
低输入偏置电流：1 nA(最大值，25°C)
低压噪声密度：8 nV/√Hz(典型值)
大信号电压增益(AVO)：100 dB(最小值，全电源电压和工作温
度范围)
支持高于或低于供电轨电压32 V的输入过压保护
集成EMI滤波器
70 dB(1000 MHz下的典型抑制)
90 dB(2400 MHz下的典型抑制)
轨到轨输出
低电源电流：每个放大器500 µA(典型值)
宽带宽
增益带宽积(AV = +100)：3.5 MHz(典型值)
单位增益交越：3.5 MHz(典型值)
−3 dB带宽(AV = +1)：6 MHz(典型值)
双电源供电
额定电压范围：±5 V至±15 V
工作电压范围：±2.5 V至±18 V
单位增益稳定
无相位反转
第二代，
OVP (25 V)
ADA4091-2
ADA4091-4
ADA4092-4
第三代，
OVP (32 V)
ADA4096-2
ADA4096-4
第四代，
EMI滤波器
AD8657
AD8659
AD8546
AD8548
ADA4661-2
ADA4666-2
第五代，
OVP (32 V) +
EMI
ADA4177-2
Gen. 代表代次。
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的最新英文版数据手册。
ADA4177-2
目录
产品特性 ............................................................................................. 1
典型性能参数 .................................................................................... 9
应用...................................................................................................... 1
工作原理 ........................................................................................... 20
概述...................................................................................................... 1
应用信息 ........................................................................................... 21
引脚接线图......................................................................................... 1
有源过压保护 ............................................................................. 21
修订历史 ............................................................................................. 2
限制正电源引脚的过压电流................................................... 22
技术规格 ............................................................................................. 3
EMI保护....................................................................................... 23
电气特性±5 V .............................................................................. 3
自热 .............................................................................................. 23
电气特性±15 V ............................................................................ 5
ADA4177-2用作比较器 ............................................................ 23
绝对最大额定值........................................................................... 7
输出相位反转 ............................................................................. 24
最大功耗........................................................................................ 7
正确设计印刷电路板(PCB)布局 ............................................ 24
热阻 ................................................................................................ 7
外形尺寸 ........................................................................................... 25
ESD警告......................................................................................... 7
订购指南...................................................................................... 25
引脚配置和功能描述 ....................................................................... 8
修订历史
2014年10月—修订版0至修订版A
更改表3“大信号电压增益”参数的“测试条件/注释”栏 ............ 5
2014年10月—修订版0：初始版
Rev. A | Page 2 of 25
ADA4177-2
技术规格
电气特性±5 V
除非另有说明，VSY = ±5.0 V，VCM = 0 V，TA = 25°C。
表2.
参数
输入特性
失调电压
8引脚 SOIC
符号
测试条件/注释
最小值 典型值 最大值
VOS
2
1
1
4
100
µV
µV
µV
µV
µV/°C
nA
nA
nA
nA
V
mA
mA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
pF
pF
MΩ
GΩ
25
70
0.11
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
Ω
−40°C < TA < +125°C
8引脚 MSOP
失调电压漂移(8引脚 SOIC/8引脚 MSOP)
输入偏置电流
2.2
∆VOS/∆T
IB
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
输入失调电流
IOS
输入电压范围
过压电流限值1
IVR
IOVP
共模抑制比
CMRR
大信号电压增益
AVO
−40°C < TA < +125°C
输入电容
输入电阻
CINDM
CINCM
RDIFF
RCM
输出特性
高输出电压
VOH
低输出电压
VOL
输出电流
短路电流
闭环输出阻抗
电源
电源抑制比
IOUT
ISC
ZOUT
电源电流(每个放大器)
单位
PSRR
ISY
5 V < VCM < 37 V
−37 V < VCM < −5 V
VCM = −3.5 V至+3.5 V
−40°C < TA < +125°C
RL = 2 kΩ，VOUT = −4.5 V至+4.5 V
−40°C < TA < +125°C
RL = 10 kΩ，VOUT = −4.5 V至+4.5 V
−40°C < TA < +125°C
差模
共模
差模
共模
−1
−2
−0.75
−1.5
−3.5
122
120
108
100
115
110
ILOAD = 1 mA
−40°C < TA < +125°C
ILOAD = 7 mA
−40°C < TA < +125°C
ILOAD = 1 mA
−40°C < TA < +125°C
ILOAD = 7 mA
−40°C < TA < +125°C
VDROPOUT < 1 V
TA = 25°C
f = 1 kHz, AV = +1
4.95
4.90
4.80
4.75
VS = ±2.5 V至±18 V
−40°C < TA < +125°C
VOUT = 0 V
−40°C < TA < +125°C
125
120
Rev. A | Page 3 of 25
−0.4
0.1
60
120
120
200
1
+1
+2
+0.75
+1.5
+3.5
12
10
130
110
120
−4.95
−4.90
−4.80
−4.75
145
500
560
600
dB
dB
µA
µA
ADA4177-2
参数
动态性能
压摆率
建立时间
至0.1%
至0.01%
增益带宽积
单位增益交越带宽
−3 dB闭环带宽
总谐波失真加噪声
+IN x的EMI抑制
f = 1000 MHz
f = 2400 MHz
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
电流噪声密度
1
符号
测试条件/注释
SR
tS
RL = 2 kΩ
1.5
V/µs
VIN =1 V步进，RL = 2 kΩ，AV = −1
VIN =1 V步进，RL = 2 kΩ，AV = −1
VIN = 10 mV p-p, RL = 2 kΩ, AV = +100
VIN = 10 mV p-p, RL = 2 kΩ, AV = +1
VIN = 10 mV p-p, RL = 2 kΩ, AV = +1
VIN = 1 V rms, RL = 2 kΩ, AV = +1, f = 1 kHz
VIN = 200 mV p-p
1.8
3.5
3.5
3.5
6
0.003
µs
µs
MHz
MHz
MHz
%
70
90
dB
dB
175
10
8
200
nV p-p
nV/√Hz
nV/√Hz
pA/√Hz
GBP
UGC
f−3 dB
THD + N
EMIRR
en p-p
en
in
最小值 典型值 最大值
0.1 Hz至10 Hz
f = 10 Hz
f = 1 kHz
f = 1 kHz
所有输入都承受超过电源32 V的电压并持续500 ms。过压保护输入范围内典型输入偏置电流与输入电压的关系参见图64。
Rev. A | Page 4 of 25
单位
ADA4177-2
电气特性±15 V
除非另有说明，VSY = ±15 V，VCM = 0 V，TA = 25°C。
表3.
参数
输入特性
失调电压
8引脚 SOIC
符号
测试条件/注释
最小值 典型值 最大值
VOS
2
1
1
4
130
µV
µV
µV
µV
µV/°C
nA
nA
nA
nA
V
mA
mA
dB
dB
dB
dB
dB
dB
pF
pF
MΩ
GΩ
25
70
0.08
V
V
V
V
V
V
V
V
mA
mA
Ω
−40°C < TA < +125°C
8引脚 MSOP
失调电压漂移(8引脚 SOIC/8引脚 MSOP)
输入偏置电流
2.2
∆VOS/∆T
IB
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
−40°C < TA < +125°C
输入失调电流
IOS
−40°C < TA < +125°C
输入电压范围
过压电流限值1
IVR
IOVP
共模抑制比
CMRR
大信号电压增益
AVO
输入电容
输入电阻
CINDM
CINCM
RDIFF
RCM
输出特性
高输出电压
VOH
低输出电压
VOL
输出电流
短路电流
闭环输出阻抗
电源
电源抑制比
IOUT
ISC
ZOUT
电源电流(每个放大器)
单位
PSRR
ISY
15 V < VCM < 47 V
−47 V < VCM < −15 V
VCM = −13.5 V至+13.5 V
−40°C < TA < +125°C
RL = 2 kΩ，VOUT = −14.2 V至+14.2 V
−40°C < TA < +125°C
RL = 10 kΩ，VOUT = −14.5 V至+14.5 V
−40°C < TA < +125°C
差模
共模
差模
共模
−1
−2
−0.75
−1.5
−13.5
128
125
110
105
118
110
ILOAD = 1 mA
−40°C < TA < +125°C
ILOAD = 7 mA
−40°C < TA < +125°C
ILOAD = 1 mA
−40°C < TA < +125°C
ILOAD = 7 mA
−40°C < TA < +125°C
VDROPOUT < 1 V
TA = 25°C
f = 1 kHz, AV = +1
14.95
14.90
14.80
14.75
VS = ±2.5 V至±18 V
−40°C < TA < +125°C
VOUT = 0 V
−40°C < TA < +125°C
125
120
Rev. A | Page 5 of 25
−0.3
0.1
60
120
120
200
1
+1
+2
+0.75
+1.5
+13.5
12
10
130
114
120
−14.95
−14.90
−14.80
−14.75
145
500
580
620
dB
dB
µA
µA
ADA4177-2
参数
动态性能
压摆率
建立时间
至0.01%
至0.1%
增益带宽积
单位增益交越带宽
−3 dB闭环带宽
总谐波失真加噪声
+IN x的EMI抑制
f = 1000 MHz
f = 2400 MHz
噪声性能
电压噪声
电压噪声密度
符号
测试条件/注释
SR
tS
RL = 2 kΩ
1.5
V/µs
VIN = 10 V p-p, RL = 2 kΩ, AV = −1
VIN = 10 V p-p, RL = 2 kΩ, AV = −1
VIN = 10 mV p-p, RL = 2 kΩ, AV = +100
VIN = 10 mV p-p, RL = 2 kΩ, AV = +1
VIN = 10 mV p-p, RL = 2 kΩ, AV = +1
VIN = 1 V rms, AV = +1, RL = 2 kΩ, f = 1 kHz
VIN = 200 mV p-p
5.5
7.5
3.5
3.5
6
0.002
µs
µs
MHz
MHz
MHz
%
70
90
dB
dB
电流噪声密度
多路放大器通道隔离度
in
CS
175
10
8
200
127
nV p-p
nV/√Hz
nV/√Hz
pA/√Hz
dB
1
GBP
UGC
f−3 dB
THD + N
EMIRR
en p-p
en
最小值 典型值 最大值
0.1 Hz至10 Hz
f = 100 Hz
f = 1 kHz
f = 1 kHz
f = 1 kHz
所有输入都承受超过电源32 V的电压并持续500 ms。过压保护输入范围内典型输入偏置电流与输入电压的关系参见图67。
Rev. A | Page 6 of 25
单位
ADA4177-2
绝对最大额定值
封装的功耗(PD)为静态功耗与输出级晶体管功耗之和，其
表4.
参数
电源电压
输入电压
差分输入电压
对地输出短路持续时间
存储温度范围
工作温度范围
结温范围
引脚温度，焊接(10秒)1
ESD
人体模型(HBM)2
场感应充电器件模型(FICDM)3
机器模型(MM)
额定值
36 V
VSY ± 32 V
±VSY
参阅“最大
功耗”部分
−65°C至+150°C
−40°C至+125°C
−65°C至+150°C
300°C
4 kV
1250 V
200 V
计算公式为：
PD = (VSY × ISY) + (VSY − VOUT) × ILOAD
其中：
VSY是供电轨电压。
ISY是静态电流。
VOUT为放大器的输出。
ILOAD是输出负载电流。
切勿超过器件的最大结温150°C。超过结温限值可能导致
参数性能下降，甚至损坏器件。更多信息请参考技术文章
MS-2251：数据手册的奥妙——绝对最大额定值和热阻。
热阻
IPC/JEDEC J-STS-020D适用标准。
ESDA/JEDEC JS-001-2011适用标准。
3
JESD22-C101(JEDEC的ESD FICDM标准)适用标准。
1
2
结至环境热阻(θJA)针对最差条件；即器件焊接在电路板上
以实现表贴封装。
注意，等于或超出上述绝对最大额定值可能会导致产品永
久性损坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任
何其它超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推
断产品能否正常工作。长期在超出最大额定值条件下工作
表5. 热阻
封装类型
8引脚 MSOP
8引脚 SOIC
θJA
190
158
θJC
44
43
单位
°C/W
°C/W
会影响产品的可靠性。
ESD警告
最大功耗
ADA4177-2能够驱动高达70 mA的短路输出电流。然而，可
用的输出负载驱动电流受限于器件封装所允许的最大功耗。
ADA4177-2的绝对最大结温为150°C(见表4)。结温可估算
如下：
ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。
尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇到高能
量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采取适当的
ESD防范措施，以避免器件性能下降或功能丧失。
TJ = PD × θJA + TA
其中：
TJ为芯片结温。
PD为封装内的功耗。
θJA为封装的热阻。
TA是环境温度。
Rev. A | Page 7 of 25
ADA4177-2
–IN A 2
+IN A 3
V– 4
ADA4177-2
TOP VIEW
(Not to Scale)
8
V+
7
OUT B
–IN A 2
ADA4177-2
6
–IN B
+IN A 3
5
+IN B
TOP VIEW
(Not to Scale)
OUT A 1
12282-004
OUT A 1
V– 4
图3. 8引脚 MSOP的引脚配置
引脚名称
OUT A
−IN A
+IN A
V−
+IN B
−IN B
OUT B
V+
V+
7
OUT B
6
–IN B
5
+IN B
图4. 8引脚 SOIC的引脚配置
表6. 引脚功能描述
引脚编号
1
2
3
4
5
6
7
8
8
说明
通道A输出
通道A反相输入
通道A同相输入
负电源电压
通道B同相输入
通道B反相输入
通道B输出
正电源电压
Rev. A | Page 8 of 25
12282-005
引脚配置和功能描述
ADA4177-2
典型性能参数
除非另有说明，环境温度(TA) = 25°C。
60
60
VSY = ±5V
MSOP
30
20
40
30
20
10
10
0
0
12282-400
VOS (µV)
VOS (µV)
图5. 失调电压(VOS )分布，VSY = ±5 V，8引脚 MSOP
90
NUMBER OF AMPLIFIERS
60
50
40
30
20
70
60
50
40
30
20
10
0
0
12282-402
–50
–45
–40
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
10
VOS (µV)
VOS (µV)
图6. 失调电压(VOS )分布，VSY = ±5 V，8引脚 SOIC
图9. 失调电压(VOS )分布，VSY = ±15 V，8引脚 SOIC
40
30
20
20
10
10
VOS (µV)
30
0
0
–10
–10
–20
–20
–30
–30
–40
–50
–25
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
125
图7. 失调电压(VOS )与温度的关系，VSY = ±5 V
VSY = ±15V
–40
–50
–25
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
图10. 失调电压(VOS )与温度的关系，VSY = ±15 V
Rev. A | Page 9 of 25
125
12282-405
VSY = ±5V
12282-404
VOS (µV)
40
VSY = ±15V
SOIC
80
12282-403
VSY = ±5V
SOIC
70
NUMBER OF AMPLIFIERS
图8. 失调电压(VOS )分布，VSY = ±15 V，8引脚 MSOP
–50
–45
–40
–35
–30
–25
–20
–15
–10
–5
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
80
12282-401
40
–100
–90
–80
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
NUMBER OF AMPLIFIERS
50
–100
–90
–80
–70
–60
–50
–40
–30
–20
–10
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
NUMBER OF AMPLIFIERS
50
VSY = ±15V
MSOP
ADA4177-2
80
70
70
NUMBER OF AMPLIFIERS
50
40
30
20
60
50
40
30
20
10
0
0
12282-415
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
10
TCVOS (µV/°C)
TCVOS (µV/°C)
图11. 失调电压温度系数(TCVOS )，VSY = ±5 V，
8引脚 SOIC
30
图14. 失调电压温度系数(TCVOS )，VSY = ±15 V，
8引脚 SOIC
35
VSY = ±5V
MSOP
30
NUMBER OF AMPLIFIERS
20
15
10
5
25
20
15
10
5
TCVOS (µV/°C)
TCVOS (µV/°C)
图12. 失调电压温度系数(TCVOS )，VSY = ±5 V，
8引脚 MSOP
100
100
VSY = ±5V
80
60
60
VOS (µV)
AVERAGE
0
–20
AVERAGE – 3σ
–40
–20
–80
–2
–1
0
1
AVERAGE + 3σ
–40
–80
–3
AVERAGE
0
–60
–4
AVERAGE – 3σ
20
–60
–100
–5
VSY = ±15V
40
AVERAGE + 3σ
20
2
3
4
5
VCM (V)
12282-407
VOS (µV)
图15. 失调电压温度系数(TCVOS )，VSY = ±15 V，
8引脚 MSOP
80
40
12282-418
12282-417
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
0
–100
–15
–10
–5
0
5
10
15
VCM (V)
图16. 失调电压(VOS )与共模电压(VCM )的关系，VSY = ±15 V
图13. 失调电压(VOS )与共模电压(VCM )的关系，VSY = ±5 V
Rev. A | Page 10 of 25
12282-408
NUMBER OF AMPLIFIERS
25
0
VSY = ±15V
MSOP
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
NUMBER OF AMPLIFIERS
60
VSY = ±15V
SOIC
12282-416
VSY = ±5V
SOIC
0.05
0.10
0.15
0.20
0.25
0.30
0.35
0.40
0.45
0.50
0.55
0.60
0.65
0.70
0.75
0.80
0.85
0.90
0.95
1.00
80
ADA4177-2
5.00
15.00
VOL AT ILOAD = 1mA
VOH AT ILOAD = 1mA
4.96
4.94
VOL AT ILOAD = 7mA
4.92
4.90
4.88
4.86
VOH AT ILOAD = 7mA
4.84
VOL AT ILOAD = 1mA
14.98
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
4.82
VOH AT ILOAD = 1mA
14.96
14.94
VOL AT ILOAD = 7mA
14.92
14.90
14.88
14.86
VOH AT ILOAD = 7mA
14.84
14.82
4.80
–50
–25
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE (°C)
VSY = ±15V
14.80
–50
–25
12282-409
VSY = ±5V
25
50
75
100
125
TEMPERATURE (°C)
图17. 输出电压摆幅与温度的关系，VSY = ±5 V
300
0
12282-410
OUTPUT VOLTAGE SWING (V)
4.98
图20. 输出电压摆幅与温度的关系，VSY = ±15 V
450
VSY = ±5V
VSY = ±15V
400
NUMBER OF AMPLIFIERS
NUMBER OF AMPLIFIERS
250
200
150
100
350
300
250
200
150
100
50
0.2
VSY = ±5V
VCM = 0V
0.1
INPUT BIAS CURRENT (nA)
0
IB –
I B+
–0.1
12282-412
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–0.2
–0.4
图21. 输入偏置电流分布，VSY = ±15 V
–0.2
–0.3
VSY = ±15V
VCM = 0V
I B+
IB–
0
–0.1
–0.2
–0.3
–0.4
–0.5
–50
–25
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
125
图19. 输入偏置电流(IB )与温度的关系，VSY = ±5 V
–0.5
–50
–25
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
图22. 输入偏置电流(IB )与温度的关系，VSY = ±15 V
Rev. A | Page 11 of 25
125
12282-414
–0.4
12282-413
INPUT BIAS CURRENT (nA)
0.1
–0.6
INPUT BIAS CURRENT (nA)
图18. 输入偏置电流分布，VSY = ±5 V
0.2
–0.8
12282-411
INPUT BIAS CURRENT (nA)
–1.0
0
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
–0.2
–0.4
–0.6
–0.8
0
–1.0
50
ADA4177-2
10
0.6
0.3
0.2
+125°C
+85°C
+25°C
–40°C
0
5
10
15
20
25
30
34
40
VSY (V)
0
–5
–10
0
OUTPUT DROPOUT VOLTAGE |VOL – VSY| (V)
1
0.1
0.01
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
1
10
100
SINK CURRENT (mA)
0.1
0.01
OUTPUT DROPOUT VOLTAGE |VOL – VSY| (V)
0.1
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
1
10
SOURCE CURRENT (mA)
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
0.1
1
10
100
SINK CURRENT (mA)
100
12282-423
OUTPUT DROPOUT VOLTAGE |VOL – VSY| (V)
1
0.1
35
1
100
10
0.001
0.01
30
图27. 输出压差与吸电流的关系，VSY = ±15 V
VSY = ±5V
0.01
25
10
图24. 输出压差与吸电流的关系，VSY = ±5 V
100
20
VSY = ±15V
0.001
0.01
12282-421
OUTPUT DROPOUT VOLTAGE |VOL – VSY| (V)
100
0.1
15
图26. 失调电压(VOS )与电源电压(VSY )的关系
VSY = ±5V
0.001
0.01
10
VSY (V)
图23. 每个放大器的电源电流(ISY )与电源电压(VSY )的关系
10
5
12282-422
0
12282-406
0.1
5
图25. 输出压差与源电流的关系，VSY = ±5 V
VSY = ±15V
10
1
0.1
0.01
0.001
0.01
–40°C
+25°C
+85°C
+125°C
0.1
1
10
SOURCE CURRENT (mA)
图28. 输出压差与源电流的关系，VSY = ±15 V
Rev. A | Page 12 of 25
100
12282-424
ISY (mA)
0.4
12282-419
OFFSET VOLTAGE (µV)
0.5
ADA4177-2
140
120
120
100
100
80
80
80
80
60
60
60
60
40
40
40
40
20
20
20
20
0
0
–100
0.001
GAIN WITH CL = 30pF
GAIN WITH CL = 100pF
GAIN WITH CL = 200pF
–60
–60
–80
–80
0.01
0.1
1
–100
10
0
–20
FREQUENCY (MHz)
–100
0.001
20
0
GAIN WITH CL = 30pF
GAIN WITH CL = 100pF
GAIN WITH CL = 200pF
–60
0.01
G = +100
40
G = +10
G = +1
0.1
1
–100
10
20
0
VSY = ±15V
G = +100
G = +10
G = +1
–20
10k
100k
1M
–40
1k
12282-427
–40
1k
10M
FREQUENCY (Hz)
146
142
142
140
140
CMRR (dB)
144
138
136
132
132
75
100
125
TEMPERATURE (°C)
图31. 共模抑制比(CMRR)与温度的关系，VSY = ±5 V
VSY = ±15V
136
134
50
10M
138
134
25
1M
146
144
0
100k
图33. 闭环增益与频率的关系，VSY = ±15 V
VSY = ±5V
–25
10k
FREQUENCY (Hz)
图30. 闭环增益与频率的关系，VSY = ±5 V
CMRR (dB)
–80
60
VSY = ±5V
–20
130
–50
–40
图32. 开环增益和相位与频率的关系，VSY = ±15 V
CLOSED-LOOP GAIN (dB)
CLOSED-LOOP GAIN (dB)
40
–20
FREQUENCY (MHz)
图29. 开环增益和相位与频率的关系，VSY = ±5 V
60
PHASE WITH CL = 30pF
PHASE WITH CL = 100pF
PHASE WITH CL = 200pF
PHASE (Degrees)
–40
100
12282-426
–80
–40
120
12282-428
–60
–20
140
130
–50
–25
0
25
50
75
100
125
TEMPERATURE (°C)
图34. 共模抑制比(CMRR)与温度的关系，VSY = ±15 V
Rev. A | Page 13 of 25
12282-430
–40
PHASE WITH CL = 30pF
PHASE WITH CL = 100pF
PHASE WITH CL = 200pF
12282-425
–20
VSY = ±15V
AV = –10
RL = 2kΩ
TA = 25°C
0
12282-429
GAIN (dB)
100
GAIN (dB)
VSY = ±5V
AV = –10
RL = 2kΩ
TA = 25°C
PHASE (Degrees)
140
140
120
ADA4177-2
1000
1000
VSY = ±5V
100
100
AV = +100
AV = +10
ZOUT (Ω)
ZOUT (Ω)
AV = +10
AV = +1
1
0.1
0.01
0.01
0.01
0.1
1
10
FREQUENCY (MHz)
0.001
0.0001
12282-431
0.001
0.01
0.1
1
10
图38. 输出阻抗(ZOUT )与频率的关系，VSY = ±15 V
12.5
VSY = ±5V
VIN = 4V p-p
AV = +1
RL = 2kΩ
CL = 300pF
2
0.001
FREQUENCY (MHz)
图35. 输出阻抗(ZOUT )与频率的关系，VSY = ±5 V
3
AV = +1
1
0.1
0.001
0.0001
AV = +100
10
12282-432
10
VSY = ±15V
VIN = 20V p-p
AV = +1
RL = 2kΩ
CL = 300pF
10.0
7.5
5.0
VOUT (2.5V/DIV)
1
VOUT (1V/DIV)
VSY = ±15V
0
–1
2.5
0
–2.5
–5.0
–7.5
–2
TIME (100µs/DIV)
–12.5
TIME (100µs/DIV)
图36. 大信号瞬态响应，VSY = ±5 V
0.15
0.15
VSY = ±15V
VIN = 100mV p-p
AV = +1
RL = 2kΩ
CL = 1000pF
0.10
0.05
VOUT (V)
0
0
–0.05
–0.10
TIME (100µs/DIV)
12282-435
–0.05
0.05
图37. 小信号瞬态响应，VSY = ±5 V
–0.10
TIME (100µs/DIV)
图40. 小信号瞬态响应，VSY = ±15 V
Rev. A | Page 14 of 25
12282-436
VOUT (V)
图39. 大信号瞬态响应，VSY = ±15 V
VSY = ±5V
VIN = 100mV p-p
AV = +1
RL = 2kΩ
CL = 1000pF
0.10
12282-434
12282-433
–10.0
–3
ADA4177-2
3
2
0.05
INPUT
1
0
10
0.2
6
–0.2
4
–0.4
0
2
OUTPUT
0
12282-437
–0.8
–1
–0.10
TIME (10µs/DIV)
–1.0
–2
TIME (10µs/DIV)
1
VSY = ±5V
VIN = 75mV
AV = –100
RL = 10kΩ
CL = 35pF
0.8
–1
0.10
–2
0.05
–3
INPUT
0
–4
INPUT VOLTAGE (V)
0.6
0.15
2
VSY = ±15V
VIN = 225mV
AV = –100
RL = 10kΩ
CL = 35pF
0.7
0
OUTPUT
OUTPUT VOLTAGE (V)
0
OUTPUT
–2
0.5
–4
0.4
–6
0.3
–8
0.2
–10
–12
0.1
–5
–0.05
0
5
10
15
20
0
–6
25
12282-439
–0.10
–5
INPUT
TIME (5µs/DIV)
–0.1
–5
5
10
15
–16
25
图45. 负过载恢复时间，VSY = ±15 V
140
VSY = ±5V TO ±15V
VSY = ±5V
VSY = ±15V
120
140
CMRR (dB)
100
135
80
60
40
130
20
125
–50
–25
0
25
50
75
100
TEMPERATURE (°C)
125
12282-420
PSRR (dB)
20
TIME (5µs/DIV)
图42. 负过载恢复时间，VSY = ±5 V
145
0
–14
图43. 电源抑制比(PSRR)与温度的关系，
VSY = ±5 V至±15 V
0
0.1
1
10
100
1k
FREQUENCY (kHz)
图46. 共模抑制比(CMRR)与频率的关系，
VSY = ±5 V和VSY = ±15 V
Rev. A | Page 15 of 25
10k
12282-455
INPUT VOLTAGE (V)
0.20
图44. 正过载恢复时间，VSY = ±15 V
OUTPUT VOLTAGE (V)
图41. 正过载恢复时间，VSY = ±5 V
0.25
8
INPUT
0
–0.6
OUTPUT
12
0.4
12282-438
4
14
OUTPUT VOLTAGE (V)
0.6
0.10
–0.05
0.8
5
16
VSY = ±15V
VIN = 225mV
AV = –100
RL = 10kΩ
CL = 35pF
12282-440
0.15
1.0
INPUT VOLTAGE (V)
0.20
INPUT VOLTAGE (V)
6
VSY = ±5V
VIN = 75mV
AV = –100
RL = 10kΩ
CL = 35pF
OUTPUT VOLTAGE (V)
0.25
ADA4177-2
120
120
VSY = ±5V
100
VSY = ±15V
100
PSRR–
PSRR–
PSRR (dB)
80
PSRR+
40
60
PSRR+
40
20
20
0
0
–20
0.1
1
10
100
1k
10k
FREQUENCY (kHz)
–20
0.1
40
OS–
OS+
30
10k
VSY = ±15V
AV = +1
RL = 2kΩ
VIN = 100mV p-p
20
30
OS+
20
10
1
10
LOAD CAPACITANCE (nF)
0
0.01
图48. 小信号过冲与负载电容的关系，VSY = ±5 V
1.0
0.05
0.04
5
0.003
–0.001
–1.5
INPUT (V)
0
OUTPUT (V)
0.001
–1.0
0.1%
–5
0.03
VSY = ±15V
VIN = 10V p-p
RL = 2kΩ
0
0.002
–0.5
10
10
0.004
VSY = ±5V
VIN = 1V p-p
RL = 2kΩ
0
1
图51. 小信号过冲与负载电容的关系，VSY = ±15 V
0.005
0.5
0.1
LOAD CAPACITANCE (nF)
0.02
0.01
–10
0
–0.01
–15
–0.002
–0.02
–2.0
–20
–0.003
–2.5
–0.03
–25
0.5
1.5
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
TIME (µs)
–0.005
7.5
12282-460
–0.004
图49. 0.1%正建立时间，VSY = ±5 V
–30
–1
–0.04
3
7
11
15
TIME (µs)
图52. 0.1%正建立时间，VSY = ±15 V
Rev. A | Page 16 of 25
19
–0.05
12282-461
0.1%
–3.0
–0.5
OUTPUT (V)
0.1
12282-458
0
0.01
12282-459
10
INPUT (V)
1k
OS–
OVERSHOOT (%)
OVERSHOOT (%)
40
100
图50. 电源抑制比(PSRR)与频率的关系，VSY = ±15 V
50
VSY = ±5V
AV = +1
RL = 2kΩ
VIN = 100mV p-p
10
FREQUENCY (kHz)
图47. 电源抑制比(PSRR)与频率的关系，VSY = ±5 V
50
1
12282-457
60
12282-456
PSRR (dB)
80
ADA4177-2
0.001
–1.0
0
–0.001
–1.5
VIN (V)
VOUT (V)
0
0.002
0.1%
–5
0
–0.01
–15
–0.002
–0.02
–20
–0.003
502
503
504
505
506
507
508
–0.005
510
509
TIME (µs)
–0.04
–30
–1
12282-462
501
–0.03
–25
–0.004
–3.0
500
3
10k
100k
1M
10M
FREQUENCY (Hz)
VOLTAGE NOISE CORNER (nV√Hz)
图54. 电压噪声密度与频率的关系，VSY = ±5 V和VSY = ±15 V
0.1
VSY = ±5V
RL = 2kΩ
VIN = 2V rms
100
10
1
10
100
图57. 电压噪声转折频率与频率的关系，VSY = ±5 V和VSY = ±15 V
0.1
80kHz
>500kHz
VSY = ±15V
RL = 2kΩ
VIN = 5V rms
80kHz
>500kHz
0.01
THD + N (%)
THD + N (%)
–0.05
FREQUENCY (Hz)
0.01
0.001
0.001
0.0001
0.1
1
10
FREQUENCY (kHz)
100
12282-470
0.0001
0.00001
0.01
19
VSY = ±5V
VSY = ±15V
1
0.1
12282-468
VOLTAGE NOISE DENSITY (nV/√Hz)
10
1k
15
1000
100
1
100
11
图56. 0.1%负建立时间，VSY = ±15 V
VSY = ±15V
VSY = ±5V
AV = +1
7
TIME (µs)
图53. 0.1%负建立时间，VSY = ±5 V
1k
0.02
0.01
–10
–2.0
–2.5
0.03
0.00001
0.01
图55. THD + N与频率的关系，VSY = ±5 V
0.1
1
10
FREQUENCY (kHz)
图58. THD + N与频率的关系，VSY = ±15 V
Rev. A | Page 17 of 25
100
12282-471
INPUT (V)
–0.5
0.003
12282-483
0.1%
0.04
12282-463
VIN (V)
VOUT (V)
0
0.05
VSY = ±15V
VIN = 10V p-p
RL = 2kΩ
5
INPUT (V)
0.5
10
0.004
OUTPUT (V)
0.005
VSY = ±5V
VIN = 1V p-p
RL = 2kΩ
OUTPUT (V)
1.0
ADA4177-2
1
VSY = ±5V
RL = 2kΩ
fIN = 1kHz
0.1
0.1
0.01
0.01
THD + N (%)
0.001
0.001
0.00001
0.001
0.01
0.1
1
10
AMPLITUDE (V rms)
0.00001
0.001
0.1
1
10
AMPLITUDE (V rms)
图62. THD + N与幅度的关系，VSY = ±15 V
图59. THD + N与幅度的关系，VSY = ±5 V
VSY = ±5V
12282-464
INPUT VOLTAGE (50mV/DIV)
INPUT VOLTAGE (50mV/DIV)
VSY = ±15V
TIME (1s/DIV)
TIME (1s/DIV)
图60. 0.1 Hz至10 Hz噪声，VSY = ±5 V
10
图63. 0.1 Hz至10 Hz噪声，VSY = ±15 V
VSY = ±15V
VSY = ±5V
1
0.1
0.001
0.01
0.1
1
10
100
FREQUENCY (kHz)
12282-475
CURRENT NOISE DENSITY (pA/√Hz)
0.01
图61. 电流噪声密度与频率的关系，VSY = ±5 V和VSY = ±15 V
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12282-473
0.0001
12282-472
0.0001
VSY = ±15V
RL = 2kΩ
fIN = 1kHz
12282-465
THD + N (%)
1
ADA4177-2
15.0
12.5
VSY = ±5V
12.5
5.0
2.5
0
–2.5
–5.0
–7.5
0
–2.5
–5.0
–7.5
–10.0
–12.5
–12.5
0
5
10 15 20 25 30 35 40
VIN (V)
–15.0
–50
2000
+125°C
+25°C
–40°C
1500
INPUT BIAS CURRENT (pA)
300
200
100
0
–100
–200
–300
–10
0
10
20
30
40
50
VSY = ±15V
+125°C
+25°C
–40°C
1000
500
0
–500
–1000
–1500
–500
–5
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
12282-480
–400
图65. 输入偏置电流与共模电压(VCM )和温度的关系，
VSY = ±5 V
–100
–20
图67. 输入偏置电流与输入电压(包括输入过压范围)
的关系(超过VSY = ±15 V)
VSY = ±5V
400
–30
–110
–120
–130
1
10
FREQUENCY (kHz)
100
12282-474
–140
0.1
–10
–5
0
5
10
COMMON-MODE VOLTAGE (V)
图68. 输入偏置电流与共模电压(VCM )和温度的关系，
VSY = ±15 V
VSY = ±15V
VIN = 10V p-p
AV = +1000
RL = 2kΩ
–150
0.01
–2000
–15
图66. 通道隔离度与频率的关系，VSY = ±15 V
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15
12282-481
500
–40
VIN (V)
图64. 输入偏置电流与输入电压(包括输入过压范围)
的关系(超过VSY = ±5 V)
INPUT BIAS CURRENT (pA)
2.5
–10.0
–15.0
–40 –35 –30 –25 –20 –15 –10 –5
CHANNEL SEPARATION (dB)
5.0
12282-467
INPUT BIAS CURRENT (mA)
7.5
7.5
12282-466
INPUT BIAS CURRENT (mA)
10.0
–90
VSY = ±15V
10.0
ADA4177-2
ADA4177-2是一款精密双极性运算放大器，集成输入过压
保护(OVP)和输入EMI滤波，同时保持最大值2 nA的低偏置
电流和轨到轨输出特性。图69所示为主放大器的概念原理
P BIAS
工作原理
gm
OVP
术，使输入偏置电流降至最低。输入共源共栅，防止
分电压转换为差分电流来驱动输出级。在1 mA负载和25°C
下，轨到轨输出摆幅最大可距电源轨50 mV。
12282-449
一个有源负载，后者构成主增益级。缓冲跨导(gm)级将差
N BIAS
super-beta输入器件在过压情况下受损。共源共栅输入馈入
OVP
图，它采用super-beta双极性输入晶体管和偏置电流消除技
图69. 概念原理图
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ADA4177-2
应用信息
有源过压保护
添加外部箝位二极管
当输入高于正电源电压32 V或低于负电源电压32 V的电压时，
系统设计人员选择精密运算放大器的原因是其具有低失调
ADA4177-2利用有源过压保护来防止器件受损。ADA4177-2
电压(VOS)和高共模抑制比(CMRR)。这两个特性均能简化
不仅能保护输入免受损害，还能降低输入噪声。
系统校准并将动态误差降至最小。为在静电放电(ESD)情
况下保持这些特性，双极性运算放大器经常内置箝位二极
常见保护方法
添加外部串联输入电阻
管，并将小限流电阻与其输入端串联，但这些措施无法应
对输入电压超过供电轨时引起的故障状况。此类情况下，
如果运算放大器没有输入过压保护功能，当输入电压高于
或低于电源电压时，会引起非常大的输入电流，可能会损
坏运算放大器。为避免这种情况，应在输入端添加一个串
系统设计人员常常会添加外部箝位二极管(D1和D2)以及串
联电阻(ROVP)，如图71所示。
V+
联电阻。为了保护运算放大器免受超出任一供电轨30 V的瞬
RF
变电压影响，输入电流应以5 mA为限，并在输入端添加一
个6 kΩ串联电阻。但是，添加串联电阻的负作用是会增加热
噪声。6 kΩ串联电阻具有10 nV/√Hz的热噪声，总噪声等于
VIN
D2
ROVP
N OP AMP 2 + N RESISTOR 2
V–
12282-441
D1
电阻热噪声与运算放大器噪声的平方和的平方根。
NTOTAL =
VOUT
图71. 保护精密放大器输入免受过压情况
影响的常见方案
其中：
NOP AMP为运算放大器噪声。
如果VIN处的信号源被驱动到比运放电源高一个二极管电压
NRESISTOR为电阻产生的热噪声。
的水平，ROVP就会限制故障电流。肖特基二极管的正向拐
额外热噪声与ADA4177-2的热噪声(8 nV/√Hz)相加后，6 kΩ
点电压为200 mV，低于典型的小信号二极管。因此，所有
串联电阻使总热噪声提高到12 nV/√Hz，增幅达70%。图70显
过压电流都通过外部二极管(D1和D2)分流。典型肖特基二
示了额外源电阻噪声对放大器输入端总噪声的影响；源电
极管的反向漏电流依据反向电压电平的不同而有极大差
阻越高，总噪声越高。由于ADA4177-2已集成输入过压保
异。因此，当运算放大器的同相输入摆动时，D1和D2漏
护功能，因此避免了噪声增加的弊端。
电流不一致，差值通过ROVP，产生一个压降。ROVP上的压
降表现为VOS的变化，可能导致CMRR性能显著降低。由于
18
ADA4177-2已集成输入过压保护功能，因此避免了性能下降。
TOTAL NOISE
16
输入保护电路
14
ADA4177-2输入在提供过压保护的同时，不存在常见设计
RESISTOR NOISE
12
方法会遇到的弊端。输入端的概念原理图如图72所示。
10
V+
8
ADA4177 NOISE
6
J1B
J2B
J1A
J2A
4
0
VIN1
0
5000
10000
15000
20000
25000
TOTAL SOURCE RESISTANCE
30000
图70. 等效热噪声与总源电阻的关系
V–
图72. ADA4177-2输入端概念原理图
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VIN2
12282-442
2
12282-445
EQUIVALENT THERMAL NOISE (nV/√Hz)
20
ADA4177-2
J1A、J1B、J2A和J2B是耗尽型结场效应晶体管(JFET)，用
限制正电源引脚的过压电流
于取代常规保护方案中的串联电阻。正常工作条件下，
系统的正电源可能无法吸收8 mA的大过压电流，因此，在
ADA4177-2的输入偏置电流流经J1A和J2A晶体管，而不会
过压事件期间，必须采取措施减小流入正供电轨的电流。
夹断沟道。为实现ADA4177-2的出色噪声性能，J1A和J2A
如图75所示，Q1L是横向PNP晶体管，它有两个作用。第
必须有大约300 Ω的低导通电阻(RDSON)。
一，发射极-基极充当一个箝位二极管，使过压电流远离V+
当任一输入超过供电轨一个二极管电压时，大电流流经J1A
引脚，而流入V−引脚。第二，它通过Q1L的beta降低此电
或J2A，导致沟道夹断，从而有效提升其阻值。图73显示
流。发射极电流为8 mA时，Q1L的beta约为8，因而注入正
了FET沟道夹断时的过压和欠压特性。
电源的电流降低8倍。
V+
12
10
J1B
4
+IN
J1A
2
V–
12282-443
6
0
图75. 过压保护电路
–2
图76显示了输入电压超过电源电压(及过压情况)时的正负
–4
电源电流。V+端的电流在过压情况下不会反向，因为该电
–6
流通过Q1L的集电极导向V−。
–8
–10
10
30
50
VIN (V)
4
图73. 过压和欠压期间的输入偏置电流特性，
VSY = ±15 V，电压跟随器配置
图74通过2 V、20 V和40 V过压下的测量结果显示了JFET有
效电阻的指数式提高。注意：当过压从2 V提高到40 V时，
电阻从300 Ω提高到3.5 kΩ(11倍)。
10
6
300Ω AT 2V
POSITIVE SUPPLY CURRENT
2
0
–2
–4
–6
–8
NEGATIVE SUPPLY CURRENT
–10
8
2.2kΩ
AT 20V
–12
–40
3.5kΩ AT 40V
6
–30
–20
–10
0
20
30
40
图76. 电源电流与输入差分的关系，电路配置为
单位增益，V+ = +15 V，V− = −15 V
4
如果预期会有过压瞬变，应确保驱动V−的负电压源能够处
2
理源电流而不会提升电源电压。
7.5
12.5
17.5
22.5
27.5
32.5
VIN (V)
37.5
42.5
12282-454
0
–2
2.5
10
INPUT DIFFERENTIAL (V)
12282-452
–30
12282-500
8
–10
–50
OVERVOLTAGE (mV)
Q1L
VSY = ±15V
SUPPLY CURRENT (mA)
INPUT BIAS CURRENT (mA)
8
图74. 过压与输入电压(VIN )的关系，
电压跟随器配置
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ADA4177-2
EMI保护
护的运算放大器中，不在运算放大器带宽以内的信号会耦
合到敏感的放大器输入端；其在穿过放大器的过程中会被
整流，最终表现为叠加于直流失调上的交流馈通。无输入
滤波器时，这种失调可能相当大。这种失调称为电磁干扰
抑制比(EMIRR)。放大器的EMIRR定义如下：
其中：
WITH ONE INPUT IN OVERVOLTAGE
120
100
80
60
40
WITH TWO INPUTS IN OVERVOLTAGE
20
0
100 mV是一般用于测试的峰峰值输入。
0
20
25
30
35
40
ADA4177-2用作比较器
只要能够容纳相对较小的输入阻抗，ADA4177-2便可用作比
INPUT +IN
VSY = ±15V
RF POWER = –16dBm (50mV p-p)
较器。也就是说，输入差分对被二极管箝位，但过压保护电
路限制差分信号。图79显示了采用±15 V电源时ADA4177-2
输入电流与输入差分电压的关系。
80
8
60
6
4
0
10
100
1000
FREQUENCY (MHz)
图77. EMI抑制比峰值电压与频率的关系
2
0
–2
–4
自热
–6
过压情况下，ADA4177-2根据封装热阻(θJA)散发热量，进而
–8
–20
–15
–10
加热芯片。为了保护器件，工作结温务必不要超过150°C。
电流。这种情况下，ADA4177-2的功耗为120 mW。如果封
装的热阻θJA为100°C/W，则结温将比封装和结的环境温度
5
10 0
15
20
图79. 输入电流与输入差分电压的关系(±15 V电源)
长时间过温可能导致某些工作参数偏离到保证限值以外。
如图73所示，在15 V过压下，ADA4177-2输入吸收大约8 mA
–5
INPUT DIFFERENTIAL (V)
12282-451
20
INPUT CURRENT (mA)
40
12282-453
EMI REJECTION RATIO PEAK VOLTAGE (dB)
15
图78. 一路输入和两路输入下最大环境温度与
连续过压的关系(θJA = 150°C/W)
图77显示了ADA4177-2的输入EMI保护特性。
100
10
CONTINUOUS OVERVOLTAGE (V)
ΔVOS是输入信号导致的运算放大器失调变化。
120
5
12282-447
ADA4177-2输入还具有抑制高频EMI的功能。在无EMI保
MAXIMUM OPERATING TEMPERATURE (°C)
140
图80所示为采用ADA4177-2的比较器电路(以地为参考)。
电源电压为±5 V。−IN输入接地，正输入阶跃为±1 V。正负
恢复时间均为大约4 μs。
高出大约12°C。因此，环境工作温度降低12°C(125°C减去
12°C)，绝对最大工作温度为113°C。当结温超过125°C的绝
对最大结温时，应在输入端外加一个串联电阻，以便进一
步降低过压电流。图78显示了最大环境温度与连续过压的
关系(θJA = 150°C/W)。
VOUT
12282-448
VIN
图80. ADA4177-2用作比较器，±5 V电源和
±1 V输入阶跃，电压跟随器配置
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ADA4177-2
输出相位反转
正确设计印刷电路板(PCB)布局
相位反转是指放大器传递函数的极性发生改变。当在输入
ADA4177-2是一款高精度器件。为确保在PCB层次上达到
上施加的电压大于最大共模电压时，许多运算放大器都会
最佳性能，必须精心设计电路板布局。
表现出相位现象。在某些情况下，相位反转会对放大器造
成永久性损坏。在反馈环路中，相位反转会导致系统锁定
或设备损坏。ADA4177-2消除了反相问题，即使输入电压
为避免漏电流，电路板表面应保持洁净、无湿气。应在表
面上涂一层材料，以形成防潮层，防止湿气积累，并减小
电路板上的寄生电阻。
超过电源设置也不用担心。
保持较短的电源走线，并适当地旁路电源，使输出电流变化
(例如将交流信号驱动至高负载时)引起的电源扰动降至最
小。旁路电容应尽可能靠近器件的电源引脚连接。在放大器
的输出端和输入端，杂散电容都是需要关注的问题。为使耦
合效应降至最低，信号走线应与电源线路至少隔开5 mm。
PCB上的温度差会导致焊接接头和不同金属彼此接触的其
它点上的塞贝克电压不匹配，引起热电压误差。为将这些
热电偶效应降至最低，应适当放置电阻，使热源均衡地加
12282-482
热两端。如果可能，输入信号路径所含器件的数量和类型
图81. 过压情况下输出不反相
应相匹配，使热电偶结的数量和类型相匹配。例如，可以
使用零值电阻等伪器件来匹配相反输入路径中的实际电
阻。匹配器件的位置应尽可能互相靠近，方向应相同。确
保引脚长度相同，使热传导达到均衡。PCB上的热源应尽
可能远离放大器输入电路。
强烈建议使用接地层。接地层能够降低EMI噪声，且有助
于保持电路板上各部分的温度一致。
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ADA4177-2
外形尺寸
3.20
3.00
2.80
8
3.20
3.00
2.80
5.15
4.90
4.65
5
1
4
PIN 1
IDENTIFIER
0.65 BSC
0.95
0.85
0.75
15° MAX
1.10 MAX
0.23
0.09
6°
0°
0.40
0.25
0.80
0.55
0.40
10-07-2009-B
0.15
0.05
COPLANARITY
0.10
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-187-AA
图82. 8引脚超小型封装[MSOP]
(RM-8)
图示尺寸单位：mm
5.00 (0.1968)
4.80 (0.1890)
1
5
4
1.27 (0.0500)
BSC
0.25 (0.0098)
0.10 (0.0040)
6.20 (0.2441)
5.80 (0.2284)
1.75 (0.0688)
1.35 (0.0532)
0.51 (0.0201)
0.31 (0.0122)
COPLANARITY
0.10
SEATING
PLANE
0.50 (0.0196)
0.25 (0.0099)
45°
8°
0°
0.25 (0.0098)
0.17 (0.0067)
1.27 (0.0500)
0.40 (0.0157)
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MS-012-AA
CONTROLLING DIMENSIONS ARE IN MILLIMETERS; INCH DIMENSIONS
(IN PARENTHESES) ARE ROUNDED-OFF MILLIMETER EQUIVALENTS FOR
REFERENCE ONLY AND ARE NOT APPROPRIATE FOR USE IN DESIGN.
012407-A
8
4.00 (0.1574)
3.80 (0.1497)
图83. 8引脚标准小型封装[SOIC_N]
窄体
(R-8)
图示尺寸单位：mm和(inch)
订购指南
型号1
ADA4177-2ARMZ
ADA4177-2ARMZ-R7
ADA4177-2ARMZ-RL
ADA4177-2ARZ
ADA4177-2ARZ-R7
ADA4177-2ARZ-RL
1
温度范围
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
−40°C至+125°C
封装描述
8引脚超小型封装[MSOP]
8引脚超小型封装[MSOP]
8引脚超小型封装[MSOP]
8引脚标准小型封装[SOIC_N]
8引脚标准小型封装[SOIC_N]
8引脚标准小型封装[SOIC_N]
封装选项
RM-8
RM-8
RM-8
R-8
R-8
R-8
Z = 符合RoHS标准的器件。
©2014 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and
registered trademarks are the property of their respective owners.
D12282sc-0-10/14(A)
www.analog.com/ADA4177-2
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标识
A36
A36
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