J04910A53

CXG1176UR
ロジックコントロール内蔵 高パワーDPDTスイッチ
概 要
CXG1176URは，W-CDMAハンドセット等のワイヤレス通信
システムで使用でき，2 CMOS入力コントロールで作動
するロジックを内蔵しています。
12 pin UQFN (Plastic)
ソニーJPHEMTプロセスにより，低挿入損失とロジッ
ク回路の内蔵を実現しています。
特 長
• 低挿入損失
• 2 CMOS対応コントロールライン
• 小型パッケージ：12-pin UQFN
用 途
• セルラハンドセット用アンテナスイッチ
• デュアルバンドW-CDMA
構 造
GaAs JPHEMT MMIC
絶対最大定格（Ta＝25℃）
•
•
•
•
バイアス電圧
コントロール電圧
動作温度
保存温度
VDD
7
V
Vctl
5
V
Topr －35～＋85 ℃
Tstg －65～＋150℃
GaAs MMICは静電気の影響を受けやすいデバイスなので，取り扱いに特に注意が必要です。
本資料に記載されております規格等は，改良のため予告なく変更することがありますので，ご了承ください。
また本資料によって，記載内容に関する工業所有権の実施許諾や，その他の権利に対する保証を認めたもので
はありません。 なお資料中に，回路例が記載されている場合，これらは使用上の参考として，代表的な応用例
を示したものですので，これら 回路の使用に起因する損害について，当社は一切責任を負いません。
-1-
CXG1176UR
ブロック図／推奨回路
RF2
RF3
GND
CRF
CRF
6
5
4
F3
GND
F4
7
3
F1
F5
F2
F6
CRF
RF1
GND
GND
CRF
8
2
9
1
10
11
12
CTLA
CTLB
RF4
GND
Cbypass
(100pF)
VDD
本ICの使用時には，以下の外付け部品が必要です。
CRF：この容量はRFデカップリング用であり，全てのアプリケーションに使用して下さい。
Cbypass：この容量はDCラインのフィルタリング用です。推奨値は100pFです。
真理値表
状態 CTLA CTLB
ON状態
F1
F2
F3
F4
F5
F6
1
L
L
RF4－RF3
OFF
OFF
ON
OFF
OFF
ON
2
L
H
RF4－RF2
OFF
OFF
OFF
ON
ON
OFF
3
H
L
RF1－RF3
OFF
ON
ON
OFF
OFF
OFF
4
H
H
RF1－RF2
ON
OFF
OFF
ON
OFF
OFF
-2-
CXG1176UR
DCバイアス条件
項
目
（Ta＝25℃）
最小値
標準値
最大値
単位
Vctl (H)
2.0
2.85
3.6
V
Vctl (L)
0
－
0.4
V
2.5
2.85
3.6
V
VDD
電気的特性
項
目
挿入損失
（Ta＝25℃）
記号
状態
条
件
最小値
830～885MHz
IL
1920～2170MHz
アイソレーション
ISO.
VSWR
VSWR
スイッチング速度
TSW
標準値
0.25
最大値
0.45
単位
dB
0.35
0.55
dB
830～885MHz
20
25
dB
1920～2170MHz
50Ω
15
20
dB
1.2
1.5
5
10
－
μs
ACLR1
±5MHz
*1
－60
－50
dBc
ACLR2
±10MHz
*1
－65
－55
dBc
2fo
*1
－75
－60
dBc
3fo
*1
－75
－60
dBc
バイアス電流
IDD
VDD＝2.85V
80
150
μA
コントロール電流
Ictl
Vctl (H)＝2.85V
15
25
μA
ACLR
高調波
*1 Pin＝25dBm， 0／2.85Vコントロール，VDD＝2.85V，830～840MHz，1920～1980MHz
測定系ノイズレベル: ACLR（±5MHz）＜－60dBc，（±10MHz）＜－65dBc，2次高調波＜－90dBc，
3次高調波＜－90dB
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CXG1176UR
外形寸法図
単位: mm
Sony Corporation
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