中文数据手册

695 MHz至2700 MHz正交解调器,
集成小数N分频PLL和VCO
ADRF6820
功能框图
SCLK
SDIO
15
14
13
2
3
8
9
23 25 26 28 38
DC/PHASE
CORRECTION
SERIAL PORT
INTERFACE
4
I+
5
I–
POLYPHASE
FILTER
RFIN0 29
35 LOIN+
34 LOIN–
RFIN1 22
QUAD
DIVIDER
LDO
2.5V
1
19
LDO
VCO
30 31
VPOS_3P3
36
PLL
6 Q–
DC/PHASE
CORRECTION
10
27
33
40
DECL1 TO
DECL4
11
39 REFIN
7
21
VPOS_5V
Q+
11990-001
集成小数N分频PLL的I/Q解调器
RF输入频率范围:695 MHz至2700 MHz
内部LO频率范围:356.25 MHz至2850 MHz
输入P1dB:14.5 dBm (1900 MHz RF)
输入IP3:35 dBm (1900 MHz RF)
可编程HD3/IP3调整
单刀双掷(SPDT) RF输入开关
RF数字步进衰减范围:0 dB至15 dB
集成式RF可调谐巴伦,支持单端50 Ω输入
多核集成式VCO
解调1 dB带宽:600 MHz
4个可选基带增益和带宽模式
数字可编程LO相位失调和直流零点
可通过三线式串行端口接口(SPI)进行编程
40引脚、6 mm x 6 mm LFCSP封装
CS
产品特性
图1.
应用
蜂窝W-CDMA/GSM/LTE
数字预失真(DPD)接收器
微波点对点无线电
概述
ADRF6820是一款高度集成的解调器和频率合成器,非常
适合用于下一代通信系统中。该器件功能丰富,内置一个
高线性度宽带I/Q解调器、一个集成式小数N分频锁相环
(PLL),以及一个低相位噪声多核压控振荡器(VCO)。此外,
ADRF6820还集成了2:1 RF开关、一个片内可调谐RF巴伦、
一个可编程RF衰减器和两个低压差(LDO)稳压器。该高度
集成的器件适用于6 mm x 6 mm小尺寸解决方案。
高隔离度的2:1 RF开关和片内可调谐RF巴伦使ADRF6820支
持两个单端50 Ω端接RF输入。可编程衰减器确保高线性度
解调器内核具有最佳的差分RF输入电平。集成式衰减器提
供的衰减范围为0 dB至15 dB,步进为1 dB。
LO覆盖范围为356.25 MHz至2850 MHz。由于参考频率值在
传递至鉴频鉴相器(PFD)之前能够通过除法或乘法模块将
其增加或减少至期望值,因此PLL参考源输入可支持较宽
的频率范围。
选定后,内部小数N分频频率合成器的输出施加到2分频正
交分相器。1×LO信号可从外部LO路径施加到内置的多相
滤波器,或者2分频正交分相器采用2×LO信号产生正交LO
输入信号,用于混频器。
ADRF6820采用先进的硅锗BiCMOS工艺制造,提供40引
脚、裸露焊盘、符合RoHS标准的6 mm x 6 mm LFCSP封装。
额定温度范围为−40°C至+85°C。
ADRF6820提供两种产生差分本振(LO)输入信号选择方
式:从外部通过高频低相位噪声LO信号产生,或从内部通
过片内小数N分频频率合成器。集成式频率合成器的连续
Rev. A
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的最新英文版数据手册。
ADRF6820
目录
产品特性 ......................................................................................... 1
应用.................................................................................................. 1
功能框图 ......................................................................................... 1
概述.................................................................................................. 1
修订历史 ......................................................................................... 2
技术规格 ......................................................................................... 3
系统规格.................................................................................... 3
动态性能.................................................................................... 3
频率合成器/PLL规格 .............................................................. 5
数字逻辑规格 ........................................................................... 6
绝对最大额定值............................................................................ 7
热阻 ............................................................................................ 7
ESD警告..................................................................................... 7
引脚配置和功能描述 ................................................................... 8
典型性能参数 ................................................................................ 9
工作原理 ....................................................................................... 14
RF输入开关............................................................................. 14
可调谐巴伦 ............................................................................. 14
RF衰减器 ................................................................................. 15
LO生成模块 ............................................................................ 15
有源混频器 ............................................................................. 17
基带缓冲器 ............................................................................. 17
串行端口接口(SPI) ................................................................ 17
应用信息 ....................................................................................... 18
基本连接.................................................................................. 18
RF巴伦插入损耗优化 ........................................................... 20
带宽选择模式 ......................................................................... 22
IP3和噪声系数优化 .............................................................. 24
I/Q输出负载............................................................................ 26
镜像抑制.................................................................................. 27
I/Q极性 .................................................................................... 28
布局布线.................................................................................. 29
寄存器映射................................................................................... 30
寄存器地址描述..................................................................... 31
外形尺寸 ....................................................................................... 45
订购指南.................................................................................. 45
修订历史
2014年3月—修订版0至修订版A
更改“产品特性”部分.................................................................... 1
表1增加LO谐波抑制参数和DSA衰减精度参数 .................... 3
更改表2 ........................................................................................... 3
更改表3 ........................................................................................... 5
更改图5和图8 ................................................................................ 9
更改图21和图22 .......................................................................... 12
更改表17 ....................................................................................... 30
增加“地址:0x44;复位:0x0000;
名称:DIV_SM_CTL”部分和表36,重新排序 .................... 43
更改“地址:0x45;复位:0x0000;
名称:VCO_CTL2”部分和表37 .............................................. 44
增加“地址:0x46;复位:0x0000;
名称:VCO_RB”部分和表38 ................................................... 44
2013年12月—修订版0:初始版
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ADRF6820
技术规格
系统规格
VPOS_5V = 5 V,VPOS_3P3 = 3.3 V,环境温度(TA) = 25°C,高端LO注入,内部LO模式,RF衰减范围 = 0 dB,输入IP2/输入IP3
信号音间隔 = 5 MHz且每信号音−5 dBm,BWSEL = 0时fIF = 40 MHz,BWSEL = 2时fIF = 200 MHz。
表1.
参数
RF输入
RF频率范围
回损
输入阻抗
输入功率
LO内部频率
LO内部频率范围
外部LO频率范围
LO输入电平
LO输入阻抗
LO谐波抑制1
电源电压
VPOS_3P3
VPOS_5V
RF衰减范围
数字步进衰减器(DSA)
IF输出
增益平坦度
正交相位误差
I/Q幅度不平衡
输出直流失调
输出共模
I/Q输出阻抗
总功耗
1
测试条件/注释
最小值
典型值
695
最大值
2700
15
50
18
356.25
350
−6
50
−30
输出端2xLO或外部LO (LO = 1900 MHz)
步长 = 1 dB
两个相邻DSA代码之间的步进误差
衰减精度
2850
6000
+6
3.1
4.7
0
3.3
5.0
3.5
5.25
15
±0.5
±1.0
任意20 MHz带宽范围
不应用校正
不应用校正
不应用校正
0.2
1
0.1
20
单位
MHz
MHz
dB
Ω
dBm
MHz
MHz
MHz
dBm
Ω
dBc
V
V
V
dB
dB
dB
差分
50
dB
度
dB
mV
V
Ω
外部LO,多相滤波器LO路径
内部PLL/VCO,2xLO路径
1100
1400
mW
mW
1.5
2.4
在标称电源和温度下用标称器件测量。
动态性能
表2.
参数
解调带宽
fRF = 900 MHz
转换增益
输入P1dB
输入IP3
输入IP2
噪声系数
LO至RF泄露
RF至LO泄漏
LO至IF泄漏
测试条件/注释
1 dB带宽,fLO = 2100 MHz
3 dB带宽,fLO = 2100 MHz
电压增益
内部LO
外部LO
相对于−5 dBm RF输入功率
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BWSEL0 1
最小值 典型值 最大值
240
480
+3.5
11
34
65
17
16
−82
−67
−78.5
BWSEL21
最小值 典型值 最大值
600
1400
−2.5
14
38
61
19
18.5
−82
−67
−78.5
单位
MHz
MHz
dB
dBm
dBm
dBm
dB
dB
dBm
dBm
dBc
ADRF6820
参数
RF至IF泄漏
隔离2
fRF = 1900 MHz
转换增益
输入P1dB
输入IP3
输入IP2
噪声系数
LO至RF泄露
RF至LO泄露
LO至IF泄露
RF至IF泄漏
隔离2
fRF = 2100 MHz
转换增益
输入P1dB
输入IP3
输入IP2
噪声系数
LO至RF泄露
RF至LO泄露
LO至IF泄露
RF至IF泄漏
隔离2
fRF = 2650 MHz
转换增益
输入P1dB
输入IP3
输入IP2
噪声系数
LO至RF泄露
RF至LO泄露
LO至IF泄露
RF至IF泄漏
隔离2
1
2
测试条件/注释
相对于−5 dBm RF输入功率
RFIN0与RFIN1之间的隔离
RFIN1与RFIN0之间的隔离
电压增益
内部LO
外部LO
相对于−5 dBm RF输入功率
相对于−5 dBm RF输入功率
RFIN0与RFIN1之间的隔离
RFIN1与RFIN0之间的隔离
电压增益
内部LO
外部LO
相对于−5 dBm RF输入功率
相对于−5 dBm RF输入功率
RFIN0与RFIN1之间的隔离
RFIN1与RFIN0之间的隔离
电压增益
内部LO
外部LO
相对于−5 dBm RF输入功率
相对于−5 dBm RF输入功率
RFIN0与RFIN1之间的隔离
RFIN1与RFIN0之间的隔离
BWSEL0 1
最小值 典型值 最大值
−49
−55
−55
BWSEL21
最小值 典型值 最大值
−49
−55
−55
单位
dBc
dBc
dBc
+3
12
33
58
18
17.5
−75
−64
−64.5
−43.5
−51
−39
−3
14.5
35
57
20
19.5
−75
−64
−64.5
−43.5
−51
−39
dB
dBm
dBm
dBm
dB
dB
dBm
dBm
dBc
dBc
dBc
dBc
+2.5
12
37
58
18
18
−72.5
−62
−71
−45
−48.5
−36.5
−3
15.5
34
55
20.5
20
−72.5
−62
−71
−45
−48.5
−36.5
dB
dBm
dBm
dBm
dB
dB
dBm
dBm
dBc
dBc
dBc
dBc
+1.5
13
33
64
19.5
19.5
−70
−57
−76
−46
−40.5
−33
−4
16.5
33
55
22
21.5
−70
−57
−76
−46
−40.5
−33
dB
dBm
dBm
dBm
dB
dB
dBm
dBm
dBc
dBc
dBc
dBc
参见表15。
这是RF输入之间的隔离。输入信号施加于RFIN0,RFIN1则用50 Ω电阻端接。IF信号幅度在基带输出端测量。然后配置RFIN1的内部开关,馈通用相对于基波的
变化来衡量。该差异即为RFIN0与RFIN1之间的隔离。
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ADRF6820
频率合成器/PLL规格
VPOS_5V = 5 V,VPOS_3P3 = 3.3 V,环境温度(TA) = 25°C,fREF = 153.6 MHz,fREF功率 = 4 dBm,fPFD = 38.4 MHz,环路滤波器
带宽 = 20 kHz,在LO输出端测量。
表3.
参数
PLL参考
频率
幅度
PLL步长1
PLL锁定时间2
PFD频率
内部VCO范围
参考杂散
积分相位噪声3
闭环性能
20 kHz环路滤波器
1
2
3
测试条件/注释
最小值
典型值 最大值
12
4
PFD = 30.72 MHz
PFD = 30.72 MHz,电荷泵 = 500 µA,环路带宽 = 40 kHz,反
冲防回差延迟 = 0.5 ns,电荷泵渗漏电流 = 78.125 µA以下
fREF = 153.6 MHz, fPFD = 38.4 MHz, fLO = 1809.6 MHz
fPFD/4
fPFD/2
fPFD × 1
fPFD × 2
fPFD × 3
fPFD × 4
fPFD × 5
1 kHz至40 MHz积分带宽,PFD = 38.4 MHz,fREF = 153.6 MHz,
4分频,电荷泵 = 250 µA,环路带宽 = 20 kHz,反冲防回差
延迟 = 0 ns,电荷泵渗漏电流 = 46.8 µA以下,LO频率 =
1562.5 MHz
fLO = 1809.6, fREF = 153.6 MHz, fPFD = 38.4 MHz
10 kHz偏移
20 kHz偏移
100 kHz偏移
200 kHz偏移
600 kHz偏移
1 MHz偏移
10 MHz偏移
40 MHz偏移
最小PLL步长是PFD的函数。显示的值基于PFD = 30.72 MHz、LO_DIV = 2和公式fPFD/65535 × 2/LO_DIV。
锁定时间定义为从更改频率的寄存器写操作结束到输出频率处于目标频率500 Hz范围内所需的时间。
在标称电源和温度下用标称器件测量。
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320
14
MHz
dBm
Hz
ms
40
5700
MHz
MHz
468.76
5
24
2850
单位
<−100
<−100
−90.67
−95
−97
<−100
<−100
0.6
dBc
dBc
dBc
dBc
dBc
dBc
dBc
°rms
−94.7
−95.8
−113
−122.4
−136.5
−141.5
−153.3
−154.6
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
dBc/Hz
ADRF6820
数字逻辑规格
表4.
参数
输入高电压VIH
输入低电压VIL
输出高电压VOH
输出低电压VOL
串行时钟周期
数据与SCLK上升沿之间的建立时间
数据与SCLK上升沿之间的保持时间
CS下降沿与SCLK之间的建立时间
CS上升沿与SCLK之间的保持时间
处于逻辑高电平状态的最短周期SCLK
处于逻辑低电平状态的最短周期SCLK
读操作的SCLK下降沿与输出数据有效之间的最大延迟时间
CS停用与SDIO总线返回高阻态之间的最大延迟时间
测试条件/注释
最小值 典型值 最大值
1.4
0.70
2.3
0.2
38
8
8
10
10
10
10
231
IOH = −100 µA
IOL = 100 µA
tSCLK
tDS
tDH
tS
tH
tHIGH
tLOW
tACCESS
tZ
5
单位
V
V
V
V
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
时序图
tHIGH
tDS
tS
tH
tSCLK
tACCESS
tLOW
tDH
CS
DON'T CARE
SDIO
DON'T CARE
DON'T CARE
tZ
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
R/W
D15
D14
图2. 建立和保持时序测量
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D13
D3
D2
D1
D0
DON'T CARE
11990-002
SCLK
ADRF6820
绝对最大额定值
热阻
表5.
参数
VPOS_5V
VPOS_3P3
VOCM
CS、SCLK、SDIO
RFSW
RFIN0、RFIN1
ENBL
VTUNE
LOIN−、LOIN+
REFIN
工作温度范围
存储温度范围
最高结温
额定值
−0.5 V至+5.5 V
−0.3 V至+3.6 V
−0.3 V至+3.6 V
−0.3 V至+3.6 V
−0.3 V至+3.6 V
2.5 V峰值,交流耦合
−0.3 V至+3.6 V
−0.3 V至+3.6 V
16dBm,差分
−0.3 V至+3.6 V
−40°C至+85°C
−65°C至+150°C
150°C
θJA针对最差条件,即焊接在电路板上的器件为表贴封装。
表6. 热阻
封装类型
40引脚 LFCSP
θJA
31.93
θJC
1.12
单位
°C/W
ESD警告
注意,超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损
坏。这只是额定最值,并不能以这些条件或者在任何其他
超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下,推断器件
能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响
器件的可靠性。
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ESD(静电放电)敏感器件。
带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放电。尽
管本产品具有专利或专有保护电路,但在遇到高能量
ESD时,器件可能会损坏。因此,应当采取适当的ESD
防范措施,以避免器件性能下降或功能丧失。
ADRF6820
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
DECL4
REFIN
GND
CP
VPOS_3P3
LOIN+
LOIN–
DECL3
VTUNE
VPOS_3P3
引脚配置和功能描述
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
PIN 1
INDICATOR
ADRF6820
TOP VIEW
(Not to Scale)
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
VPOS_3P3
RFIN0
GND
DECL2
GND
GND
ENBL
GND
RFIN1
VPOS_5V
NOTES
1. THE EXPOSED PAD MUST BE CONNECTED TO A
GROUND PLANE WITH LOW THERMAL IMPEDANCE.
11990-003
VPOS_5V
VOCM
SDIO
SCLK
CS
MUXOUT
LOOUT+
LOOUT–
VPOS_3P3
RFSW
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
VPOS_3P3
GND
GND
I+
I–
Q–
Q+
GND
GND
DECL1
图3. 引脚配置
表7. 引脚功能描述
引脚编号
1, 19, 30, 31, 36
2, 3, 8, 9, 23, 25, 26, 28, 38
4, 5
6, 7
10
11, 21
12
13
14
15
16
17, 18
20
22, 29
24
27, 33
32
34, 35
37
39
40
引脚名称
VPOS_3P3
GND
I+, I−
Q−, Q+
DECL1
VPOS_5V
VOCM
SDIO
SCLK
CS
MUXOUT
LOOUT+, LOOUT−
RFSW
RFIN1, RFIN0
ENBL
DECL2, DECL3
VTUNE
LOIN−, LOIN+
CP
REFIN
DECL4
EPAD
说明
3.3 V电源。
地。
差分基带输出,I通道。
差分基带输出,Q通道。
混频器负载去耦。在DECL1和GND之间连接一个0.22 µF电容。
5 V电源。
基准电压输入。此引脚设置输出共模电平。
SPI数据。
SPI时钟。
片选,低电平有效。
多路复用器输出。该输出引脚提供PLL参考信号或PLL锁定检测信号。
差分LO输出。
RF开关选择。选择RFIN0或RFIN1。
RF输入。单刀双掷开关输入。
使能,高电平有效。
VCO LDO去耦。
VCO调谐电压输入。
差分LO输入。
PLL电荷泵输出。
PLL参考输入。
2.5 V LDO去耦。
裸露焊盘。裸露焊盘必须与低热阻的接地层相连。
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ADRF6820
典型性能参数
除非另有说明,VPOS_5V = 5 V,VPOS_3P3 = 3.3 V,RFDSA_SEL = 0,RFSW = 0 (RFIN0),高端LO,每信号音−5 dB,双音测
量,信号音间隔5 MHz。对于BWSEL0,fIF = 40 MHz;对于BWSEL2,fIF = 200 MHz。关于BAL_CIN、BAL_COUT、MIX_BIAS、
DEMOD_RDAC和DEMOD_CDAC,请参阅表16。
6
EXTERNAL LO
INTERNAL LO
18
4
16
INPUT P1dB (dBm)
2
0
BWSEL = 2
–2
–4
BWSEL = 2
14
12
10
BWSEL = 0
8
6
4
1640
2140
2640
RF FREQUENCY (MHz)
0
640
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
1140
80
80
70
70
IIP3 (dBm), IIP2 (dBm)
IIP3 (dBm), IIP2 (dBm)
90
BWSEL = 0
60
IIP2
50
40
BWSEL = 2
60
50
IIP2
40
IIP3
IIP3
20
20
–40°C
+25°C
+85°C
10
800
11990-226
800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800
LO FREQUENCY (MHz)
EXTERNAL 2× LO NF
EXTERNAL LO NF
INTERNAL LO NF
NOISE FIGURE (dB)
750
1000 1250 1500 1750 2000 2250 2500 2750
LO FREQUENCY (MHz)
1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2800
图8. 全温度范围内输入IP3 (IIP3)和输入IP2 (IIP2)与LO频率的关系,
BWSEL = 2
11990-222
NOISE FIGURE (dB)
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
–40°C
+25°C
+85°C
LO FREQUENCY (MHz)
图5. 全温度范围内输入IP3 (IIP3)和输入IP2 (IIP2)与LO频率的关系,
BWSEL = 0
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
500
2640
30
30
10
600
2140
图7. 输入P1dB与LO频率的关系
图4. 全温度范围内电压转换增益与RF频率的关系
90
1640
LO FREQUENCY (MHz)
11990-208
1140
2
11990-227
–8
640
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
12
11
10
500
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
750
EXTERNAL 2× LO NF
EXTERNAL LO NF
INTERNAL LO NF
1000 1250 1500 1750 2000 2250 2500 2750
LO FREQUENCY (MHz)
图9. 噪声系数与LO频率的关系,BWSEL = 2
图6. 噪声系数与LO频率的关系,BWSEL = 0
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11990-204
–6
11990-207
VOLTAGE CONVERSION GAIN (dB)
20
EXTERNAL LO
INTERNAL LO
BWSEL = 0
ADRF6820
0.10
EXTERNAL LO
INTERNAL LO
0.09
I/Q AMPLITUDE MISMATCH (dB)
–20
–30
LO_DRV_LVL = 11
–50
–60
–70
–80
–90
LO_DRV_LVL = 00
–100
640
1140
2140
0.07
0.06
0.05
0.04
0.03
0.02
0.01
LO DRIVER DISABLED
1640
0.08
2640
LO FREQUENCY (MHz)
0
640
890
QUADRATURE PHASE MISMATCH (Degrees)
–20
RF FEEDTHROUGH
–30
–40
–50
LO FEEDTHROUGH
FREQUENCY (MHz)
11990-223
FEEDTHROUGH (dBm)
1890
2140
2390
2640
–87
EXTERNAL LO
INTERNAL LO
–70
600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2700
图11. RF和LO馈通至IF输出,RF输入−5 dBm
70
60
55
50
45
40
35
30
25
20
15
10
RF FREQUENCY (MHz)
11990-110
5
0
600 800 1000 1200 1400 1600 1800 2000 2200 2400 2600 2700 2800
–88
–89
–90
–91
–92
640
890
1140
1390
1640
1890
2140
2390
2640
LO FREQUENCY (MHz)
图14. 正交相位增益失配与LO频率的关系
RFIN0 TO RFIN1
RFIN1 TO RFIN0
65
ISOLATION (dBc)
1640
图13. I/Q幅度失配与LO频率的关系
0
–60
1390
LO FREQUENCY (MHz)
图10. LO至RF馈通与LO频率的关系
–10
1140
11990-312
–40
11990-210
LO TO RF FEEDTHROUGH (dBm)
–10
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
图12. 开关隔离与RF频率的关系
Rev. A | Page 10 of 48
11990-313
0
ADRF6820
8
2
1
0
BWSEL = 2
–4
50kHz OFFSET
–100
–120
1MHz OFFSET
–160
1.65
1.85
2.05
2.25
VCM (V)
图15. 增益与共模电压(VCM)的关系,fRF = 900 MHz、1900 MHz、
2100 MHz、2650 MHz,BWSEL = 0、2
19
16
15
14
BWSEL = 0
13
12
11
1.65
1.85
2.05
2.25
VCM (V)
11990-220
10
9
1.45
图16. 输入P1dB (IP1dB)与共模电压(VCM)的关系,fRF = 900 MHz、
1900 MHz、2100 MHz、2650 MHz
–80
–85
–90
–95
–100
–105
–110
–115
–120
–125
–130
–135
–140
–145
–150
–155
–160
–165
2.85
–95
–100
300
–105
PHASE NOISE (dBc/Hz)
200
ICC (3.3V), EXTERNAL LO
150
100
–110
4.85
5.35
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
100kHz OFFSET
500kHz OFFSET
800kHz OFFSET
40MHz OFFSET
3.35
3.85
4.35
4.85
5.35
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
50kHz OFFSET
100kHz OFFSET
–115
–120
200kHz OFFSET
–125
–130
500kHz OFFSET
–135
–140
–145
ICC (5V)
50
4.35
图19. 开环相位噪声,100 kHz、500 kHz、800 kHz和40 MHz偏移
–90
250
3.85
VCO FREQUENCY (GHz)
350
ICC (3.3V), INTERNAL LO
3.35
图18. 开环相位噪声,1 kHz、10 kHz、50 kHz、1 MHz和10 MHz偏移
PHASE NOISE (dBc/Hz)
BWSEL = 2
10MHz OFFSET
VCO FREQUENCY (GHz)
900MHz
1900MHz
2100MHz
2650MHz
18
17
–180
2.85
11990-219
–6
1.45
ICC (mA)
10kHz OFFSET
–80
–140
–3
–5
IP1dB (dBm)
–60
11990-225
–2
1kHz OFFSET
–40
BWSEL = 0
3
–1
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
11990-224
4
–20
PHASE NOISE (dBc/Hz)
VOLTAGE CONVENTION GAIN (dB)
6
5
0
900MHz
1900MHz
2100MHz
2650MHz
7
1MHz OFFSET
–150
1.65
1.75
1.85
VCM (V)
1.95
2.05
2.15
2.25
40MHz OFFSET
–160
1425 1550 1675 1800 1925 2050 2175 2300 2425 2550 2675 2800
11990-221
1.55
图17. 功耗(ICC )与共模电压(VCM )的关系,内部和外部LO,fRF = 900 MHz、
1900 MHz、2100 MHz、2650 MHz
LO FREQUENCY (MHz)
11990-214
–155
0
1.45
图20. 闭环相位噪声与LO频率的关系,20 kHz带宽环路滤波器,
在DIV4_EN = 1(2分频)下测量
Rev. A | Page 11 of 48
ADRF6820
–70
VPOS_3P3 POWER SUPPLY CURRENT
–75
–80
–85
–90
–95
–100
–105
–110
–115
LO FREQUENCY (GHz)
300
250
200
150
100
50
0
640
11990-211
–120
1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9
1640
2140
–5
–75
–80
–85
–90
–95
–100
–10
–15
–20
–105
–25
–110
–115
1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9
LO FREQUENCY (GHz)
–30
11990-212
–120
–60
–65
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
CIN = 0,
CIN = 1,
CIN = 2,
CIN = 3,
CIN = 4,
CIN = 5,
CIN = 6,
CIN = 7,
COUT
COUT
COUT
COUT
COUT
COUT
COUT
COUT
3.0
3.5
=0
=1
=2
=3
=4
=5
=6
=7
4.0
FREQUENCY (GHz)
图22. 2x PFD杂散与LO频率的关系,在DIV4_EN = 1(2分频)下测量
图25. BAL_CIN和BAL_COUT的多种组合下的RFIN0/RFIN1回损
0
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
–5
–70
–75
RETURN LOSS (dB)
REFERENCE SPURS, 3× PFD (dBc)
2640
0
RETURN LOSS (dB)
REFERENCE SPURS, 2× PFD (dBc)
–70
1140
图24. VPOS_3P3电源电流与LO频率的关系
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
–65
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
LO FREQUENCY (MHz)
图21. 1x PFD杂散与LO频率的关系,在DIV4_EN = 1(2分频)下测量
–60
EXTERNAL LO
INTERNAL LO
350
11990-016
REFERENCE SPURS, 1× PFD (dBc)
400
TA = –40°C
TA = +25°C
TA = +85°C
–65
11990-209
–60
–80
–85
–90
–95
–100
–105
–10
–15
–20
–25
–30
LO FREQUENCY (GHz)
图23. 3x PFD杂散与LO频率的关系,在DIV4_EN = 1(2分频)下测量
Rev. A | Page 12 of 48
–35
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
4.5
FREQUENCY (GHz)
图26. 未使用RFINx端口的回损与频率的关系
5.0
11990-035
–115
1.4 1.5 1.6 1.7 1.8 1.9 2.0 2.1 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 2.7 2.8 2.9
11990-213
–110
ADRF6820
0
0
–2
–5
RETURN LOSS (dB)
RETURN LOSS (dB)
–4
–6
–8
–10
–12
–10
–15
–20
–25
–14
1500
2500
3500
4500
5500
FREQUENCY (MHz)
–35
11990-036
–18
500
–10
–15
–20
–25
3500
4500
FREQUENCY (MHz)
5500
11990-037
RETURN LOSS (dB)
–5
2500
200
300
400
500
600
700
图29. I/Q回耗与频率的关系
0
1500
100
FREQUENCY (MHz)
图27. LO输入回损与频率的关系
–30
500
0
图28. LO输出回损与频率的关系
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800
900
1000
11990-038
–30
–16
ADRF6820
工作原理
ADRF6820的不同部分通过串行端口接口(SPI)可编程的寄
存器控制。
RF输入开关
ADRF6820集成一个SPDT开关,用于选择两路RF输入中的
一路。所需RF输入的选择是通过外部控制引脚或对SPI的
串行寄存器写操作实现的。与串行写操作方法相比,引脚
控制可以更快速地切换RF输入。采用RFSW引脚(引脚20),
RF输入可在100 ns内完成切换。使用串行端口控制时,切换
时间以SPI编程的延迟为主;对于10 MHz串行时钟,该延迟
时间至少为2.4 µs。
RFSW_MUX位(寄存器0x23的位11)选择RF输入开关是由外
部引脚控制,还是由SPI控制(参见表8)。上电时,器件默
认配置是引脚控制。RFSW连接到GND即选择RFIN0,
RFSW连接到VPOS_3P3即选择RFIN1。在串行模式控制
RFIN0 29
50Ω
RFIN1
22
0.1µF
50Ω
11990-039
将ADRF6820的所有构建模块放在一起,器件中的信号路
径从输入多路复用器选择的一路RF输入(共有两路)开始,
通过可调谐巴伦将其转换为差分信号。差分RF信号由数字
步进衰减器衰减到最佳输入电平,它具有15 dB的衰减范围,
步进为1 dB。然后,一个吉尔伯特单元混频器将该RF信号与
LO信号混频,降低至中频(IF)或基带。射极跟随器利用可
调输出共模电平进一步缓冲混频器的输出。
下,写入RFSW_SEL位(寄存器0x23的位9)便可选择两路RF
输入中的一路。如果仅使用一个RFINx端口,不使用的RF
输入必须妥善端接以提高隔离性能。RFIN0/REFIN1端口内
部端接50 Ω电阻,直流电平为2.5 V。为避免中断直流电平,
建议使用接GND的隔直电容进行端接。图30给出了仅选择
RFIN0时的推荐配置。
图30. 端接未使用的RF输入端口
可调谐巴伦
ADRF6820集成了一个可编程巴伦,其工作频率范围是
695 MHz到2700 MHz。可调谐巴伦有利于从单端50 Ω RF输
入驱动,集成巴伦的单端到差分转换可提供额外的共模噪
声抑制。
RFINx
BAL_CIN
REG 0x30[3:1]
BAL_COUT
REG 0x30[7:5]
11990-040
ADRF6820集成了许多用于高带宽正交解调器和接收器,
尤其是用于蜂窝基站数字预失真的反馈下变频器路径的基
本构建模块。主要特性包括一个单刀双掷(SPDT) RF输入开
关、一个可变RF衰减器、一个可调谐巴伦、一对有源混频
器和两个基带缓冲器。此外,混频器的本振(LO)信号由小
数N分频频率合成器和多核压控振荡器(VCO)产生,具有
倍频程范围和低相位噪声。一对正反器随后将LO频率二分
频,产生同相且正交相位LO信号以驱动混频器。频率合成
器利用小数N分频锁相环(PLL)和附加分频器来实现356.25 MHz
到2850 MHz的连续LO覆盖。此外,也可利用一个多相分相
器从外部LO源产生正交LO信号。
图31. 集成可调谐巴伦
为实现RF巴伦调谐,应写入寄存器0x30来开关原边和副边
上的并联电容。增加的电容(与巴伦的感性绕组并联)将改
变电感电容(LC)谐振器的谐振频率。因此,选择BAL_CIN
(寄存器0x30的位[3:1])和BAL_COUT(寄存器0x30的位[7:5])
的适当组合,便可设置所需的频率并优化增益。大多数情
况下,输入和输出电容一并进行调谐,不过有时出于匹配
方面的考虑,对它们单独进行调谐可能更好。
表8. RF输入选择表
RFSW_MUX(寄存器地址0x23的位11)
0
0
1
1
1
RFSW_SEL SPI控制(寄存器地址0x23的位9)
0
1
X1
X1
X = 无关位。
Rev. A | Page 14 of 48
RFSW引脚控制(引脚20)
X1
X1
0
1
RF输入
RFIN0
RFIN1
RFIN0
RFIN1
ADRF6820
RF衰减器
内部LO模式
可调谐巴伦之后是RF数字步进衰减器(RFDSA),其衰减范
围为0 dB至15 dB,步进为1 dB。DGA_CTL寄存器中的RFDSA_
SEL位(寄存器0x23的位[8:5])决定RFDSA的设置。
在内部LO模式下,ADRF6820利用片内PLL和VCO来合成
LO信号的频率。如图32所示,PLL由参考路径、鉴频鉴相
器(PFD)、电荷泵和带预分频器的可编程整数分频器组成。
参考路径接收参考时钟,将其2/4/8分频或1/2倍频后送至
PFD。PFD将该信号与VCO的分频信号进行比较。根据所
选的PFD极性,如果VCO信号比参考频率慢/快,PFD将向
电荷泵发送升/降信号。电荷泵发送一个电流脉冲到片外环
路滤波器,从而提高或降低调谐电压(VTUNE)。
LO生成模块
ADRF6820的混频器可使用内部或外部LO信号。内部LO由
片内VCO产生,可在2850 MHz至5700 MHz的倍频程频率范
围内调谐。VCO的输出通过小数N分频PLL锁相至外部参
考时钟,小数N分频PLL可通过SPI控制寄存器编程。为产
生356.25至2850 MHz频率范围内的同相且正交相位LO信号
以驱动混频器,应通过分频器组合来控制VCO输出,如图
32所示。
ADRF6820集成了四个VCO内核,覆盖从2.85 GHz到5.7 GHz
的倍频程范围。
表 9列 出 了 各 VCO覆 盖 的 频 率 范 围 。 所 需 VCO可 通 过
VCO_SEL位(寄存器0x22的位[2:0])选择。
或者,也可以将外部信号与分频器或多相分相器一起使用
来产生正交LO信号以驱动混频器。在要求最低相位噪声的
苛刻应用中,可能需要从外部提供LO信号。正交LO产生
的不同方法和所需的控制寄存器编程参见表9。
POLYPHASE
FILTER
I+
REFSEL
REG 0x21[2:0]
÷8
÷4
REFIN 39
÷2
×1
EXTERNAL
LOOP
FILTER
PFD_POLARITY
REG 0x21[3]
PFD
+
×2
CHARGE
PUMP
LOIN+ 35
LOIN– 34
CP
VTUNE
37
32
LPF
QUAD_DIV_EN
REG 0x01[9]
I–
TO MIXER
Q+
÷1, ÷2,
÷4
QUAD
DIVIDER
Q–
DIV8 _EN/
DIV4_EN
REG 0x22[4:3]
CP_CTRL
REG 0x20[13:0]
N = INT +
FRAC
MOD
÷2
VCO_SEL
REG 0x22[2:0]
11990-041
DIV_MODE: REG 0x02[11]
INT_DIV: REG 0x02[10:0]
FRAC_DIV: REG 0x03[15:0]
MOD_DIV: REG 0x04[15:0]
图32. LO生成功能框图
表9. LO模式选择
LO选择
内部(VCO)
外部(2x LO)
外部(1x LO)
fVCO或fEXT (GHz)
2.85至3.5
3.5至4.02
4.02至4.6
4.6至5.7
0.7至6.0
0.35至3.5
正交产生
2分频
2分频
2分频
2分频
2分频
2分频
QUAD_DIV_EN,
,
寄存器0x01[9]
1
1
1
1
1
0
Rev. A | Page 15 of 48
LO Enables,寄存器
0x01[6:0]
111 111X
111 111X
111 111X
111 111X
101 000X
000 000X
VCO_SEL,
寄存器0x22[2:0]
011
010
001
000
1XX
XXX
ADRF6820
LO频率和分频器
PLL锁定时间
来自VCO或外部LO输入的信号经过一系列分频器后进行缓
冲,以驱动有源混频器。输入信号的频率由两个可编程2
分频级进行1/2/4分频,然后送入正交分频器,由后者再次
2分频,以产生混频器所用的同相且正交相位LO信号。选
择不同LO频率范围所需的控制位(寄存器0x22的位[4:3])参
见表10。
写入最后一个寄存器后,锁定PLL所需的时间分为两部分:
VCO频段校准和环路建立。
表10. LO频率和分频器
LO频率范围
(MHz)
1425至2850
712.5至1425
356.25至712.5
fVCO/fLO 或
fEXT LO/fLO
2
4
8
DIV8_EN
(寄存器0x22的
位4)
0
0
1
DIV4_EN
(寄存器0x22的
位3)
0
1
1
PLL频率编程
N分频器将差分VCO信号分频至PFD频率。N分频器可通
过设置DIV_MODE位(寄存器0x02的位11)而配置为小数模
式或整数模式。默认配置是小数模式。N值和PLL频率可
利用以下公式来确定:
f PFD =
f VCO
2× N
N = INT +
f LO =
写入最后一个寄存器后,PLL自动执行VCO频段校准以选
择正确的VCO频段。此校准需要大约94,208个PFD周期。
对于40 MHz fPFD,这相当于2.36 ms。校准完成后,PLL的反馈
操作使VCO最终锁定正确的频率。锁定发生的速度取决于
非线性周跳行为和环路的小信号建立时间。要准确估计锁
定时间,请下载ADIsimPLL工具,它能正确捕捉这些效
应。一般而言,高带宽环路的锁定速度快于低带宽环路。
锁定检测信号作为可选输出之一,通过MUXOUT引脚提
供 , 逻 辑 高 电 平 表 示 环 路 已 锁 定 。 MUXOUT引 脚 由
REF_MUX_SEL位(寄存器0x21的位[6:4])控制,默认配置是
PLL锁定检测。
缓冲LO输出
内部LO信号的缓冲版本以差分形式在LOOUT+和LOOUT−
引脚(引脚17和引脚18)提供。利用正交分频器产生正交LO
信号时,输出信号的频率是混频器LO信号频率的2倍或1倍。
输出驱动电平由LO_DRV_LVL位(寄存器0x22的位[7:6])设
置,如表11所示。
LO信号的存在使得许多器件可以通过菊花链形式同步连
接。一个ADRF6820用作主器件并提供LO信号,后续从器
件共享该LO输出信号。这种灵活性可大幅简化需要多个
LO的系统的LO要求。
FRAC
MOD
f PFD × 2 × N
LO_DIVIDER
其中:
fPFD是鉴频鉴相器频率。
fVCO是VCO频率。
N是小数分频比(INT + FRAC/MOD)。
INT是寄存器0x02编程设置的整数分频比。
FRAC是寄存器0x03编程设置的小数分频比。
MOD是寄存器0x04编程设置的模数分频比。
fLO是环路锁定时进入混频器内核的LO频率。
LO_DIVIDER表示最终分频比,它将VCO或外部LO信号的
频率2/4/8分频后送入混频器(参见表10)。
表11. LO输出电平
LO_DRV_LVL(寄存器0x22的
位[7:6])
00
01
10
11
幅度(dBm)
−5
−1
+2
+4
直流电平(V)
3.0
2.85
2.7
2.5
外部LO模式
利用VCO_SEL位(寄存器0x22的位[2:0])选择外部或内部LO
模式。要配置外部LO模式,应将寄存器0x22的位[2:0]设为
4(十进制),并将差分LO信号施加于引脚34 (LOIN−)和引脚
35 (LOIN+)。外部LO频率范围是350 MHz至6 GHz。当选择
多相分相器时,有源混频器需要一个1xLO信号,或将一个
2xLO信号与内部正交分频器一起使用,如表9所示。
LOIN+和LOIN−输入引脚必须交流耦合,不用时应断开。
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ADRF6820
要求的PLL/VCO设置和寄存器写操作序列
表13. 基带缓冲器偏置
除了写入相应的寄存器以配置PLL和VCO的所需LO频率和
相位噪声性能,还必须写入表12所列的寄存器。
BB_BIAS(寄存器0x34的位[11:10])
00
01
10
11
为确保PLL锁定所需的频率,应遵守PLL寄存器的适当写操
作顺序。PLL寄存器必须相应地进行配置以实现所需的频
率,最后的写操作必须是写入寄存器0x02 (INT_DIV)、寄存
器0x03 (FRAC_DIV)或寄存器0x04 (MOD_DIV)。写入其寄
存器0x02、寄存器0x03和寄存器0x04时,会启动内部VCO
校准,这是锁定PLL的最后一步。
表12. 要求的PLL/VCO寄存器写操作
地址[位]
0x21[3]
0x49[15:0]
位名称
PFD_POLARITY
RESERVED,
SET_1, SET_0
设置
0x1
0x14B4
说明
负极性
内部设置
有源混频器
来自RFDSA的信号被分解以驱动一对双平衡吉尔伯特单元
有源混频器,从而由LO信号下变频至基带。通过更改
MIX_BIAS位(寄存器0x31的位[12:10])的值以设置混频器的
电流,实现输出噪声与线性度的平衡。
有源混频器利用失真校正电路来消除混频器的三阶失真。
校正信号的幅度和相位由控制寄存器域DEMOD_RDAC和
DEMOD_CDAC(分别是寄存器0x31的位[8:5]和寄存器0x31
的位[3:0])的组合确定。更多信息参见“IP3和噪声系数优
化”部分。
解调器增益和带宽由混频器负载中的电阻和电容设置,受
BWSEL位(寄存器0x34的位[9:8])控制,如表15所示。更多
信息参见“带宽选择模式”部分。
基带缓冲器
射极跟随器缓冲混频器负载处的信号,并驱动基带输出引
脚(I+、I−、Q−和Q+)。射极跟随器的偏置电流由BB_BIAS
位(寄存器0x34的位[11:10])控制,如表13所示。应根据所
需的负载驱动能力设置偏置电流:对于额定200 Ω负载,BB_
BIAS = 1;对于50 Ω或100 Ω负载,建议设置BB_BIAS = 2。
基带输出的差分阻抗为50 Ω,但是,为了优化线性度性能,
ADRF6820输出负载必须较高(即200 Ω)。相关支持数据参见
“I/Q输出负载”部分。
偏置电流(mA)
0
4.5
9
13.5
串行端口接口(SPI)
ADRF6820 SPI允许用户利用芯片内部的一个结构化寄存器
空间来配置器件,以满足特定功能或操作的需要。此接口
为用户提供了额外的灵活性和自定义途径。通过串行端口
接口可访问及读写地址。
串行端口接口由三条控制线组成:SCLK、SDIO和CS。
SCLK(串行时钟)是串行移位时钟,用来同步串行接口的读
写操作。SDIO是串行数据输入或输出,取决于发送的指令
和时序帧中的相对位置。CS(片选引脚信号)是低电平有效
控制,用来选通读写周期。CS的下降沿与SCLK的上升沿
共同决定帧的开始。当CS为高电平时,所有SCLK和SDIO
活动都被忽略。串行时序及其定义参见表4。
ADRF6820协议由7个寄存器地址位、读/写位和16个数据位
组成。地址和数据域均是按最高有效位(MSB)优先方式来
组织,最后是最低有效位(LSB)。
在一个写周期中,最多可移入16位的串行写数据(MSB到
LSB)。如果CS上升沿出现在串行数据的LSB锁存之前,则
只有已经锁存的位会被写入器件。如果移入16个以上的数
据位,则只将最近的16位写入器件。ADRF6820写周期的
输入逻辑电平支持低至1.8 V的接口。
在一个读周期中,最多可移出16位的串行读数据(MSB优
先)。16位后移出的数据未做定义。给定寄存器地址的回读
内容不一定与该地址的写入数据一致。读周期的输出逻辑
电平是2.5 V。
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ADRF6820
应用信息
基本连接
VCC_3P3
VCC_3P3
0Ω
(0402)
RFIN0
1000pF
(0402)
13
ENBL
14
24
2
3
8
SERIAL PORT
INTERFACE
9
TC4-1W+
23 25 26 28 38
4
DC/PHASE
CORRECTION
29
5
3
4
LOOUT–
18
÷1, ÷2
100pF
(0402)
100pF
(0402) REFIN
÷8
÷4
÷2
×1
×2
39
49.9�
(0402)
MUXOUT
I–
3
4
7
6
1
Q+
6
2
3
Q–
4
17
PFD
+
CHARGE
PUMP
POLYPHASE
FILTER
CP
35
32
37
N = INT +
16
Lock_det
Vptat
Scan
1
34
DIV 2
PHASE
SPLITTER
÷1, ÷2,
0°
÷4
90°
19
30
FRAC
MOD
÷2
LDO
2.5V
36
31
27
100pF
(0402)
100pF
(0402)
100pF
(0402)
100pF
(0402)
100pF
(0402)
0.1µF
(0402)
0.1µF
(0402)
0.1µF
(0402)
0.1µF
(0402)
10µF
(0805)
33
40
100pF
(0402)
100pF
(0402)
10µF
(0805)
DECL2
VPOS_3P3
MIXER BUFFER
3.3/5.0V
LDO
VCO
10µF
(0805)
100pF
(0402)
10µF
(0805)
0.22µF
(0402)
12
LOIN–
100pF
(0402)
0.1µF
(0805)
100pF
(0402) TC1-1-43A+
LOIN+
VTUNE
6
1
4
3
100pF
(0402)
CP
22pF
(0402)
10kΩ
(0402)
3kΩ
(0402)
2.7nF
(0402)
5.1kΩ
VOCM (0402)
21
11
10
DECL1
LOOUT+
DECL4
6
6
2
TC4-1W+
DC/PHASE
CORRECTION
1
1
I+
22
DECL3
100pF
(0402)
RFIN1
15
PWR_DWN
100pF
(0402)
10kΩ
(0402)
6.8pF
(0402)
22pF
(0402)
VPOS_3P3
49.9Ω
(0402)
10µF
(0805)
VPOS_5V
11990-042
1000pF
(0402)
SDIO
20
ENABLE
SCLK
RFIN0
CS
RFSW
RFIN1
0Ω
(0402)
图33. 基本连接
表14.
引脚编号
5 V电源
11
21
3.3 V电源
1
19
30
31
36
引脚名称
说明
基本连接
VPOS_5V
混频器电源
VPOS_5V
RF前端电源
通过100 pF和0.1 μF电容将此电源引脚去耦至地。确保去
耦电容靠近该引脚放置。
通过100 pF和10 μF (0805)电容将此电源引脚去耦至地。
确保去耦电容靠近该引脚放置。
VPOS_3P3V
VPOS_3P3V
VPOS_3P3V
VPOS_3P3V
VPOS_3P3V
数字电源
LO电源
LO电源
VCO电源
PLL电源
通过100 pF和0.1 μF电容将此引脚去耦至地。
通过100 pF和0.1 μF电容将此引脚去耦至地。
通过100 pF和0.1 μF电容将此引脚去耦至地。
通过100 pF和10 μF电容将此引脚去耦至地。
通过100 pF和0.1 μF电容将此引脚去耦至地。
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ADRF6820
引脚编号
PLL/VCO
37
39
引脚名称
说明
基本连接
CP
REFIN
频率合成器电荷泵输出电压
频率合成器参考频率输入
17, 18
LOOUT+,
LOOUT−
LOIN−,
LOIN+
MUXOUT
VTUNE
差分LO输出
通过环路滤波器连接到VTUNE引脚。
标称输入电平为1 V p-p。输入范围为12 MHz至320 MHz。
此引脚内部偏置到VPOS_3P3V/2,必须交流耦合。
差分输出阻抗为50 Ω。这些引脚内部偏置,必须交流耦
合。直流电平随LO输出驱动电平而变化。参见表11。
差分输入阻抗为50 Ω。这些引脚内部偏置,必须交流
耦合。
该输出引脚提供PLL参考信号或PLL锁定检测信号。
此引脚由环路滤波器的输出驱动,标称输入电压范围
是1 V到2.8 V。
34, 35
16
32
RF输入
22, 29
差分LO输入
PLL多路复用器输出
VCO调谐电压
RFIN1,
RFIN0
RF输入
RFSW
RF输入的引脚控制
I+, I−, Q−,
Q+
VOCM
I和Q通道混频器基带输出
使能
24
ENBL
外部使能引脚控制
此引脚设为高电平可使能内部模块,设为低电平则关
断内部模块。要指定内部模块,请写入寄存器0x10以
设置关断屏蔽。
串行端口接口
13
SDIO
SCLK
CS
SPI数据输入/输出
SPI时钟
SPI片选
3.3 V兼容逻辑电平。
3.3 V兼容逻辑电平。
低电平有效。3.3 V兼容逻辑电平。
DECL1
混频器LDO去耦
27
DECL2
VCO2 LDO去耦
33
DECL3
VCO LDO去耦
40
DECL4
2.5V LDO去耦
通过0.22 µF电容将此引脚去耦至地。确保去耦电容靠近
该引脚放置。
通过100 pF和10 μF (0805)电容将此电源引脚去耦至地。
确保去耦电容靠近该引脚放置。
通过100 pF和10 μF (0805)电容将此电源引脚去耦至地。
确保去耦电容靠近该引脚放置。
通过100 pF和10 μF电容将此电源引脚去耦至地。确保
去耦电容靠近该引脚放置。
GND
地
这些引脚连接到PCB的GND。
裸露焊盘(EPAD)
裸露散热焊盘位于封装的底部。裸露焊盘应焊接到地。
20
解调器输出
4, 5, 6, 7
12
14
15
LDO去耦
10
GND
2, 3, 8, 9, 23, 25, 26,
28, 38
(EPAD)
单端RF输入具有50 Ω输入阻抗。这些引脚内部偏置到
VPOS_5V/2。应交流耦合RF输入。为了改善通道间隔
离,请参见“布局布线”部分中的建议印刷电路板(PCB)
布局。未使用的RF输入应当用接GND的隔直电容端接
以改善隔离性能。
对于RFIN0,将RFSW设置为逻辑低电平;对于RFIN1,
应将RFSW设置为逻辑高电平。如需逻辑高电平,将此
引脚连接到2.5 V电压。
混频器输出共模电压
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I和Q混频器输出具有50 Ω差分输出阻抗(每个引脚25 Ω)。
VOCM引脚设置输出共模电平。
该输入引脚设置I和Q复数输出的共模电压。VOCM需
T
要1.5 V至2.4 V范围内的干净电压源。当该电压不在此
范围内时,线性度性能会下降。
ADRF6820
RF巴伦插入损耗优化
如 图 34至 图 37所 示 , ADRF6820混 频 器 的 增 益 已 针 对
BAL_CIN和BAL_COUT(寄存器0x30的位[7:0])的每种组合
进行测定。可以利用BAL_CIN和BAL_COUT的各种值来优
化ADRF6820的增益。优化的值不随温度而变化。选定值
后,绝对增益随温度而变化,但BAL_CIN和BAL_COUT值
的签名保持不变。
输入频率较低时,需要更大的电容。这可通过将更大的代
码写入BAL_CIN和BAL_COUT来实现。高频时需要的电容
较小,使用较小的BAL_CIN和BAL_COUT代码是合适的。
对于各种BAL_CIN和BAL_COUT代码,图38显示了增益随
频率的变化。图34至图38只能用作指南,切勿在绝对意义
上解读它们,因为具体应用和PCB设计各有不同。为实现
最大增益,可能需要再进行微调。表16列出了不同RF频率
的推荐BAL_CIN和BAL_COUT设置。
0
–0.5
0
–40°C
+25°C
+85°C
–40°C
+25°C
+85°C
–2
–1.0
GAIN (dB)
GAIN (dB)
–4
–1.5
–2.0
–6
–2.5
–8
–3.0
–10
0123456701234567012345670123456701234567012345670123456701234567
0
1
2
3
4
5
6
7
–12
11990-025
–4.0
COUT
CIN
CIN/COUT
0
0
1
2
3
4
5
6
7
COUT
CIN
CIN/COUT
图34. 增益与BAL_CIN和BAL_COUT的关系(fRF = 900 MH)
–1
0123456701234567012345670123456701234567012345670123456701234567
11990-027
–3.5
图36. 增益与BAL_CIN和BAL_COUT的关系(fRF = 1900 MHz)
0
–40°C
+25°C
+85°C
–2
–40°C
+25°C
+85°C
–2
–4
GAIN (dB)
–4
–5
–6
–6
–8
–10
–7
–12
–8
–10
0123456701234567012345670123456701234567012345670123456701234567
0
1
2
3
4
5
6
7
COUT
CIN
CIN/COUT
图35. 增益与BAL_CIN和BAL_COUT的关系(fRF = 2200 MHz)
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–16
0123456701234567012345670123456701234567012345670123456701234567
0
1
2
3
4
5
6
7
COUT
CIN
CIN/COUT
图37. 增益与BAL_CIN和BAL_COUT的关系(fRF = 2600 MHz)
11990-028
–14
–9
11990-026
GAIN (dB)
–3
ADRF6820
0
–2
–6
–8
CIN = 0,
CIN = 1,
CIN = 2,
CIN = 3,
CIN = 4,
CIN = 5,
CIN = 6,
CIN = 7,
–10
–12
500
700
900
COUT
COUT
COUT
COUT
COUT
COUT
COUT
COUT
=0
=1
=2
=3
=4
=5
=6
=7
1100 1300 1500 1700 1900 2200 2400 2600
RF FREQUENCY (MHz)
11990-029
GAIN (dB)
–4
图38. 不同BAL_CIN和BAL_COUT代码下增益与RF频率的关系
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ADRF6820
ADRF6820提供四种带宽选择模式,如表15所示。带宽选
择模式包括高增益、低带宽或低增益、高带宽。混频器负
载中的电阻和电容的选择决定IF增益和带宽。利用寄存器
0x34的位[9:8]选择四种模式中的一种。
高增益模式BWSEL0和BWSEL1在增益、噪声系数和线性度
方面的性能相当。类似地,低增益模式BWSEL2和BWSEL3
也具有相同的性能规格。区分不同模式的因素是IF带宽。
图39至图42显示了不同LO频率下各种带宽模式的电压增
益、通带平坦度和1 dB带宽。表15总结了图39至图42的结果。
表15. 混频器增益和带宽选择模式1
BWSEL
(寄存器0x34[9:8])
00
01
10
11
电压增益
(dB)
+2
+2
−3
−3
1 dB带宽
(MHz)
240
180
600
500
3 dB带宽
(MHz)
480
340
1400
900
fLO = 2100 MHz,高端LO注入。
图39至图42同时显示了正和负IF频率的数据。正IF频率代
表低端LO注入,负IF频率代表高端LO注入。
LO = 1800 MHz
LO = 2100 MHz
LO = 2700 MHz
VOLTAGE GAIN (dB)
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–300
精确测量ADRF6820的电压增益平坦度是非常困难的,因
为信号发生器和频谱分析仪会引入其自身的幅度误差。此
外,在高频时,板走线的匹配度降低,导致信号反射。由
于测量结果包括信号发生器和频谱分析仪的幅度误差,因
此ADRF6820的增益平坦度约为0.3 dB(对于任意100 MHz带
宽)或0.2 dB(对于任意20 MHz带宽)。设计上,ADRF6820的
增益平坦度远远优于此值,不过由于测量方法受限,我们
只能如实提供上述结果。
–200
–100
0
100
IF FREQUENCY (MHz)
200
300
11990-013
VOLTAGE GAIN (dB)
1
模式
BWSEL0
BWSEL1
BWSEL2
BWSEL3
LO频率设置为1800 MHz、2100 MHz和2700 MHz,RF频率
则是扫过。利用这种测量方法,图39至图42显示了RF和IF
滚降的效应。RF滚降由集成RF巴伦决定,IF滚降由带宽选
择模式设置。在最宽带宽模式(BWSEL2)下,RF滚降和IF滚
降的效应最明显,如图41所示。图41显示,当LO频率为
2700 MHz时,带宽最平坦且最宽,因为RF频率离集成RF巴
伦的滚降最远。在fLO = 1800 MHz和fLO = 2100 MHz扫描中,
RF巴伦的影响变得明显起来,导致1 dB带宽变窄。
图39. 电压增益与IF频率的关系,BWSEL = 0,LO固定且RF扫描
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–300
LO = 1800MHz
LO = 2100MHz
LO = 2700MHz
–200
–100
0
100
IF FREQUENCY (MHz)
200
300
11990-012
带宽选择模式
图40. 电压增益与IF频率的关系,BWSEL = 1,LO固定且RF扫描
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–600
–400
–200
0
200
IF FREQUENCY (MHz)
400
600
800
图41. 电压增益与IF频率的关系,BWSEL = 2,LO固定且RF扫描
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–4.5
–5.0
–5.5
–6.0
–6.5
–7.0
–7.5
–8.0
–800
LO = 1800MHz
LO = 2100MHz
LO = 2700MHz
–600
–400
–200
0
200
IF FREQUENCY (MHz)
400
600
800
11990-010
LO = 1800MHz
LO = 2100MHz
LO = 2700MHz
VOLTAGE GAIN (dB)
0
–0.5
–1.0
–1.5
–2.0
–2.5
–3.0
–3.5
–4.0
–4.5
–5.0
–5.5
–6.0
–6.5
–7.0
–7.5
–8.0
–800
11990-011
VOLTAGE GAIN (dB)
ADRF6820
图42. 电压增益与IF频率的关系,BWSEL = 3,LO固定且RF扫描
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ADRF6820
IP3和噪声系数优化
ADRF6820可以根据不同的目的进行配置:提高性能抑或
降低功耗。在性能至关重要的应用中,ADRF6820提供IP3
或噪声系数优化功能。然而,如果功耗是优先考虑因素,
则可降低混频器偏置电流以节省整体功耗,不过性能会降
低。无论具体应用的需求是什么,ADRF6820都能提供性
能与功耗兼顾的配置。
调整混频器偏置设置对性能和功耗的影响最大。因此,首
先应调整混频器偏置。ADRF6820的有源混频器内核是线
性化跨导体。偏置电流越大,跨导体线性度越高,因而
IP3越高。不过,IP3的提高是以降低噪声系数和提高功耗
为代价。混频器偏置(MIX_BIAS,寄存器0x31的位[12:10])
每改变1位,混频器总电流便提高8 mA。
毫无疑问,偏置电流的提高有一个限度,一旦超过该限
度,线性度提高所带来的好处便不再大于功耗和噪声提高
所带来的坏处。混频器内核会达到一个饱和点,在该点继
续提高偏置电流不会改善线性度性能。达到该点时,应将
偏置电流降至实现所需性能的水平。根据客户的系统要
求,可以获得线性度、噪声系数和功耗的平衡。
除了偏置优化以外,ADRF6820还有可配置失真抵消电
路。ADRF6820的线性化跨导体输入端由主路径和辅助路
径组成。通过调整辅助路径的幅度和相位,可以抵消主路
径产生的失真,从而改善IP3性能。幅度和相位调整位于
以下串行接口位:DEMOD_RDAC(寄存器0x31的位[8:5])和
DEMOD_CDAC(寄存器0x31的位[3:0])。
图 43至 图 46显 示 了 DEMOD_RDAC、DEMOD_CDAC和
MIX_BIAS所有组合的输入IP3和噪声系数扫描图。输入IP3
与DEMOD_RDAC和DEMOD_CDAC的关系图在一幅图中
同时显示了表面和轮廓曲线。轮廓曲线位于表面曲线下
方。读懂这些图的最佳方法是找到表面曲线上表示最大输
入IP3的峰值,然后在轮廓曲线上找到相同的颜色图案,
从而确定优化的DEMOD_RDAC和DEMOD_CDAC值。输
入IP3曲线的整体形状不随MIX_BIAS设置而变,因此仅显
示MIX_BIAS = 011的情形。表16列出了不同RF频率的推荐
MIX_BIAS、DEMOD_RDAC和DEMOD_CDAC设置。表16
和图43至图46只能用作指南,切勿在绝对意义上解读它
们,因为具体应用和输入信号各有不同。
38
40
38
36
36
34
35
IIP3 (dBm)
34
30
32
32
30
30
25
28
30
25
20
0
0
10
5
15
RDAC
11990-031
AC
CD
10
26
26
20
0
28
图43. IIP3与DEMOD_RDAC和DEMOD_CDAC的关系
(MIX_BIAS = 3,fRF = 900 MHz)
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5
RD
10
AC
15
0
5
10
15
CDAC
图44. IIP3与DEMOD_RDAC和DEMOD_CDAC的关系
(MIX_BIAS = 2,fRF = 1900 MHz)
24
11990-032
IIP3 (dBm)
35
40
ADRF6820
40
38
36
36
34
IIP3 (dBm)
32
32
30
30
28
30
32
30
25
28
24
28
26
22
20
0
24
15
0
5
10
15
CDAC
22
24
10
AC
RD
5
RDA 10
C
26
20
图45. IIP3与DEMOD_RDAC和DEMOD_CDAC的关系
(MIX_BIAS = 2,fRF = 2100 MHz)
5
0
10
15
22
CDAC
11990-034
26
11990-033
IIP3 (dBm)
35
34
34
20
0
38
36
图46. IIP3与DEMOD_RDAC和DEMOD_CDAC的关系
(MIX_BIAS = 2,fRF = 2700 MHz)
BAL_CIN、BAL_COUT、MIX_BIAS、DEMOD_RDAC和
DEMOD_CDAC的推荐设置
表16. 推荐设置
BWSEL
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
fRF
(MHz)
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
BAL_
CIN
7
7
7
7
6
5
3
3
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
BAL_
COUT
7
7
7
3
2
1
2
1
1
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
MIX_
BIAS
2
2
2
2
1
1
1
1
2
2
2
1
1
1
1
2
2
2
2
2
2
2
1
1
DEMOD_
RDAC
9
9
8
9
8
8
9
8
8
9
9
8
8
8
8
8
8
9
9
7
7
7
8
8
DEMOD_
CDAC
10
10
11
4
7
9
6
8
7
3
4
5
5
6
5
4
4
2
3
3
3
3
4
4
BWSEL
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
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fRF
(MHz)
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
1700
1800
1900
2000
2100
2200
2300
2400
2500
2600
2700
2800
BAL_
CIN
7
7
7
7
6
5
3
3
2
2
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
1
BAL_
COUT
7
7
7
3
2
1
2
1
1
1
1
1
0
1
0
0
0
0
0
0
0
0
0
0
MIX_
BIAS
3
3
2
3
3
3
2
2
2
3
3
2
2
2
2
3
2
2
3
3
3
3
2
2
DEMOD_
RDAC
5
5
4
8
9
7
6
8
3
8
8
8
8
8
5
5
4
4
8
8
9
9
8
8
DEMOD_
CDAC
7
7
9
4
5
7
9
9
9
5
6
5
5
7
6
7
6
6
6
6
6
6
5
5
ADRF6820
I/Q输出负载
0
–3
–4
–5
RL = 200Ω
RL = 100Ω
–6
–7
RL = 50Ω
–8
–9
–10
–11
–13
VOUT/VIN = RL/(RL + RS)
IF FREQUENCY (MHz)
其中,RS = 50 Ω。
11990-140
–12
10
30
50
70
90
110
130
150
170
190
210
230
250
270
290
310
330
350
370
390
410
430
450
470
490
510
530
550
570
590
610
630
650
670
690
710
730
750
770
790
810
830
850
870
差分I/Q输出端的输出负载对电压增益有直接影响;负载
越小,则增益越低。ADRF6820的50 Ω差分源阻抗(RS)与外部
负载电阻(RL)一起形成一个分压器。ADRF6820的性能针对
200 Ω的差分负载端接进行了优化,并在该负载下进行测定。
对于200 Ω差分负载端接,分压比计算如下:
–2
VOLTAGE GAIN (dB)
ADRF6820的I和Q基带输出具有50 Ω差分阻抗。然而,电压
增益和线性度性能在使用200 Ω差分负载时最佳。这可能不
是所有应用的最有利端接阻抗,因此,针对较低的输出负
载,可在一定程度上降低功能。
–1
图47. 电压增益与IF频率的关系,LO = 1840 MHz且BWSEL = 2
除了转换增益降低以外,较低输出负载阻抗还会降低线性
度性能。这是因为混频器之后的射极跟随器缓冲器需要输
送更多负载电流,因而会在更靠近非线性区域的地方工
作。为了改善较低负载(如50 Ω)下的性能,可增大BB_BIAS
(寄存器0x34的位[11:10])以将射极跟随器的偏置电流提高
到最大值13.5 mA。偏置电流设置参见表13。
不同负载阻抗引起的增益变化由下式计算:
RL2
Gain (RL2 ) (RL2 + RS )
=
RL1
Gain (RL1 )
(RL1 + RS )
其中:
RL1 = 200 Ω。
RL2为新的负载阻抗。
80
70
60
50
40
30
IIP3 = 50Ω
IIP3 = 100Ω
IIP3 = 200Ω
IIP2 = 50Ω
IIP2 = 100Ω
IIP2 = 200Ω
20
0
10
30
50
70
90
110
130
150
170
190
210
230
250
270
290
310
330
350
370
390
410
430
450
470
490
510
530
550
570
590
610
630
650
670
690
710
10
IF FREQUENCY (MHz)
11990-141
IIP3 (dBm), IIP2 (dBm)
fRF = 2100 MHz且fIF = 200 MHz时,ADRF6820的转换增益为
−3.2 dB。在相同测试条件和100 Ω负载下,增益降低20log
(5/6) = −1.58 dB,此时电压增益为−4.6 dB。图47显示了fLO =
1840 MHz、BWSEL = 2及常见输出负载下的电压增益与IF
频率的关系。
图48. IIP3和IIP2与IF频率的关系,fLO = 1840 MHz且BWSEL = 2
图48显示了50 Ω、100 Ω和200 Ω负载下输入IP3和输入IP2性
能与IF频率的关系。对于100 Ω和200 Ω负载阻抗,偏置电流
配置为默认值9 mA,而对于50 Ω负载,偏置电流则提高到
最大值以实现与较高输出负载相同的输入IP3性能水平。
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ADRF6820
镜像抑制
增益和正交相位失配与镜像抑制比(IRR)性能的换算公式为:
基带I和Q路径的幅度和相位失配直接表现为镜像抑制性能
下降,而对于直接变频系统,镜像抑制性能最大化是实现
高性能和优化带宽的关键。ADRF6820提供独立的I/Q路径
相位调整,支持正交校正。要使用正交校正,对于I路径校
正,应写入寄存器0x32的位[3:0];对于Q路径校正,应写
入寄存器0x32的位[7:4]。图49显示了各种LO频率下可用的
校正范围。
45
= 740MHz
= 940MHz
= 1940MHz
= 2540MHz
41
1.5
2.5°
1.0
0.5
1.1°
0.9°
0
2.9°
–0.5
–1.0
–1.5
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10 11 12 13 14 15
31
IMAGE REJECTION (dB)
33
31
0
2
4
6
8
10
39
37
35
33
29
27
27
图50. 镜像抑制与RF频率的关系,fIF = 200 MHz
INTERNAL 2× LO
31
29
RF FREQUENCY (MHz)
–2
EXTERNAL LO: POLYPHASE
41
35
1100 1300 1500 1700 1900 2100 2300 2500 2700
–4
43
37
900
–6
45
39
25
700
–8
RF SIG AMP (dBm)
11990-047
IMAGE REJECTION (dB)
33
25
–10
HIGH-SIDE LO: INT 2× LO
HIGH-SIDE LO: EXT. 1× LO, POLYPHASE
LOW-SIDE LO: INT 2× LO
LOW-SIDE LO: EXT. 1× LO, POLYPHASE
41
35
图51. 镜像抑制与RF信号电平的关系,IF = 200 MHz,高端LO注入时
fLO = 2000 MHz且fRF = 1800 MHz,低端注入时则相反
图49. 正交校正范围
43
37
27
ILO OR QLO SETTING
45
39
29
ILO ADJUST
QLO ADJUST
0
LOW-SIDE LO: INT 2× LO
HIGH-SIDE LO: INT 2× LO
LOW-SIDE LO: EXT 1× LO, POLYPHASE
HIGH-SIDE LO: EXT 1× LO, POLYPHASE
43
11990-148
2.0
系统中的一个主要相位误差源来自LO信号发生正交分相的
解调器。图50至图52显示了ADRF6820在不同扫描参数且
不应用校正时可实现的镜像抑制水平。
11990-113
PHASE ERROR (Degrees)
2.5
1 + Ae 2 − 2 Ae cos(ϕe )
25
0
100
200
300
400
500
IF FREQUENCY (MHz)
图52. 镜像抑制与IF频率的关系,fLO = 1800 MHz
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600
11990-049
LO
LO
LO
LO
1 + Ae 2 + 2 Ae cos(ϕe )
其中:
Ae为幅度误差。
φe为相位误差。
IMAGE REJECTION (dB)
3.0
IRR (dB ) = 10 log
ADRF6820
ADRF6820可以灵活地指定I/Q输出的极性,I可以先于Q,
反之亦然。通过设置POLI(寄存器0x32的位[9:8])或POLQ(寄
存器0x32的位[11:10]),I和Q输出均可变为与默认配置相反
的配置。当I和Q输出在复数域I + jQ中进行同步处理时,这
种指定极性的灵活性很重要。
上电时,依据采用的是高端还是低端LO频率注入,I通道
可以领先或落后于Q通道90°。当RF频率大于LO频率(低端
LO注入)时,I通道领先于Q通道(参见图53)。相反,如果
RF频率小于LO频率(高端LO注入)时,则Q通道领先于I通
道90°(参见图54)。
通过写入POLI(寄存器0x32的位[9:8])或POLQ(寄存器0x32
的位[11:10]),I和Q通道均可反转以实现所需的极性,如图
55至图57所示。
0.10
Q CHANNEL I CHANNEL
0.08
0.06
0.04
TRIGGER
I/Q极性
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
–0.08
Q CHANNEL I CHANNEL
0.08
–0.10
–5
0.06
0
1
2
3
4
5
Q CHANNEL I CHANNEL
0.08
–0.02
0.06
–0.04
0.04
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
TIME (ns)
图53. POLI = 1,POLQ = 2,I通道正常极性,Q通道正常极性,
fRF = 2040 MHz,fLO = 1840 MHz
I CHANNEL
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
–0.08
Q CHANNEL
0.08
–0.10
–5
0.06
–4
–3
–2
–1
0
1
2
3
4
5
TIME (ns)
0.04
11990-138
–4
11990-135
–0.08
TRIGGER
–0.06
TRIGGER
–1
图56. POLI = 1,POLQ = 1,I通道正常极性,Q通道反转极性,
fRF = 2040 MHz,fLO = 2240 MHz
0.02
0.10
0
I CHANNEL
Q CHANNEL
0.08
–0.02
0.06
–0.04
0.04
–4
–3
–2
–1
0
TIME (ns)
1
2
3
4
5
11990-136
–0.08
TRIGGER
–0.06
图54. POLI = 1,POLQ = 2,I通道正常极性,Q通道正常极性,
fRF = 2040 MHz,fLO = 2240 MHz
0.02
0
–0.02
–0.04
–0.06
–0.08
–0.10
–5
–4
–3
–2
–1
0
TIME (ns)
1
2
3
4
5
11990-139
TRIGGER
0.10
0
–0.10
–5
–2
图55. POLI = 2,POLQ = 2,I通道反转极性,Q通道正常极性,
fRF = 2040 MHz,fLO = 2240 MHz
0.02
0.10
–3
TIME (ns)
0.04
–0.10
–5
–4
11990-137
0.10
图57. POLI = 2,POLQ = 1,I通道反转极性,Q通道反转极性,
fRF = 2040 MHz,fLO = 2240 MHz
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ADRF6820
布局布线
RF输入端的输入阻抗为50 Ω,通往该引脚的走线也必须具有
50 Ω特征阻抗。未使用的RF输入应当用接地隔直电容端接。
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RFIN0
GND
GND
GND
RFIN1
11990-048
为优化性能并降低杂散寄生效应,必须精心设计
ADRF6820的布局布线。ADRF6820支持两路RF输入,RF部
分的布局布线对于实现各通道之间的隔离至关重要。图58
显示了RF输入的推荐布局。各路RF输入(RFIN0和RFIN1)
在接地引脚之间隔离,最佳布局方法是让走线短且直。为
此,应将这些引脚直接连到ADRF6820裸露焊盘的中央接
地焊盘。这种方法可使走线电感最小,并提高通道之间的
隔离度。此外,为改善隔离性能,不要将RFIN0和RFIN1
走线彼此平行布线,而应在离开引脚后立即将走线分散。
这些走线相互之间应尽可能远离,防止交叉耦合。
图58. 建议RF输入布局
ADRF6820
寄存器映射
表17.
十六
位15
位14
位13
位12
位11
位10
位9
位8
进制
地址 名称
位
位7
位6
位5
位4
位3
位2
位1
位0
00
SOFT_RESET [15:8]
RESERVED
[7:0]
RESERVED
SOFT_RESET
01
Enables
[15:8]
RESERVED
DMOD_EN QUAD_DIV_EN LO_DRV2X_EN
[7:0] LO_DRV1X_EN VCO_MUX_ REF_BUF_EN VCO_EN
DIV_EN
CP_EN
VCO_LDO_EN RESERVED
EN
02
INT_DIV
[15:8]
RESERVED
DIV_MODE
INT_DIV
[7:0]
INT_DIV
03
FRAC_DIV [15:8]
FRAC_DIV
[7:0]
FRAC_DIV
04
MOD_DIV [15:8]
MOD_DIV
[7:0]
MOD_DIV
10
PWRDWN_ [15:8]
RESERVED
DMOD_
QUAD_DIV_
LO_DRV2X_
MASK
MASK
MASK
MASK
[7:0] LO_DRV1X_
VCO_MUX_ REF_BUF_
VCO_
DIV_MASK
CP_MASK VCO_LDO_
RESERVED
MASK
MASK
MASK
MASK
MASK
20
CP_CTL
[15:8] RESERVED
CPSEL
CSCALE
RESERVED
[7:0]
RESERVED
BLEED
21
PFD_CTL
[15:8]
RESERVED
[7:0] RESERVED
REF_MUX_SEL
PFD_POLARITY
REFSEL
22
VCO_CTL
[15:8]
RESERVED
RESERVED
[7:0]
LO_DRV_LVL
DRVDIV2_EN DIV8_EN
DIV4_EN
VCO_SEL
23
DGA_CTL
[15:8]
RESERVED
RFSW_MUX
RESERVED RFSW_SEL
RFDSA_SEL
[7:0]
RFDSA_SEL
RESERVED
30
BALUN_CTL [15:8]
RESERVED
[7:0]
BAL_COUT
RESERVED
BAL_CIN
RESERVED
31
MIXER_CTL [15:8]
RESERVED
MIX_BIAS
RESERVED
DEMOD_RDAC
[7:0]
DEMOD_RDAC
RESERVED
DEMOD_CDAC
32
MOD_CTL0 [15:8]
RESERVED
POLQ
POLI
[7:0]
QLO
ILO
33
MOD_CTL1 [15:8]
DCOFFI
[7:0]
DCOFFQ
34
MOD_CTL2 [15:8]
RESERVED
BB_BIAS
BWSEL
[7:0]
RESERVED
RESERVED
40
PFD_CTL2 [15:8]
RESERVED
[7:0] RESERVED
ABLDLY
CPCTRL
CLKEDGE
42
DITH_CTL1 [15:8]
RESERVED
[7:0]
RESERVED
DITH_EN
DITH_MAG
DITH_VAL
43
DITH_CTL2 [15:8]
DITH_VAL
[7:0]
DITH_VAL
44
DIV_SM_
[15:8]
RESERVED
CTL
[7:0]
RESERVED
BANDCAL_
DIVD_CLR
45
VCO_CTL2 [15:8]
RESERVED
[7:0] VCO_BAND_SRC
BAND
46
VCO_RB
[15:8]
RESERVED
[7:0]
RESERVED
VCO_BAND
49
VCO_CTL3 [15:8]
RESERVED
SET_1
SET_0
[7:0]
SET_0
Rev. A | Page 30 of 48
复位
RW
0x0000 W
0xFE7F RW
0x002C RW
0x0128 RW
0x0600 RW
0xFE7F RW
0x0C26 RW
0x0003 RW
0x2A03 RW
0x0000 RW
0x0000 RW
0x1101 RW
0x0900 RW
0x0000 RW
0x0B00 RW
0x0010 RW
0x000E RW
0x0001 RW
0x0000 RW
0x0000 RW
0x0000 R
0x16BD RW
ADRF6820
寄存器地址描述
地址:0x00;复位:0x0000;名称:SOFT_RESET
表18. SOFT_RESET的位功能描述
位
0
位名称
SOFT_RESET
设置
说明
软复位
复位
0x0000
访问类型
R
地址:0x01;复位:0xFE7F;名称:Enables
表19. Enables的位功能描述
位
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
位名称
DMOD_EN
QUAD_DIV_EN
LO_DRV2X_EN
LO_DRV1X_EN
VCO_MUX_EN
REF_BUF_EN
VCO_EN
DIV_EN
CP_EN
VCO_LDO_EN
设置
说明
DMOD使能
正交分频器路径使能(2x/4x/8x LO)
外部2x LO分频器使能—正交分频器之前
外部1x LO分频器使能—正交分频器之后
VCO多路复用器使能
参考缓冲器使能
VCO上电
分频器上电
电荷泵上电
VCO LDO上电
Rev. A | Page 31 of 48
复位
0x1
0x1
0x0
0x0
0x1
0x1
0x1
0x1
0x1
0x1
访问类型
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
ADRF6820
地址:0x02;复位:0x002C;名称: INT_DIV
表20. INT_DIV的位功能描述
位
11
位名称
DIV_MODE
设置
0
1
[10:0]
INT_DIV
说明
分频模式
小数
整数
设置分频器INT值
整数模式范围:21至123
小数模式范围:24至119
复位
0x0
0x2C
访问类型
RW
RW
地址:0x03;复位:0x0128;名称: FRAC_DIV
表21. FRAC_DIV的位功能描述
位
[15:0]
位名称
FRAC_DIV
设置
说明
置分频器FRAC值
复位
0x128
访问类型
RW
复位
0x600
访问类型
RW
地址:0x04;复位:0x0600;名称: MOD_DIV
表22. MOD_DIV的位功能描述
位
[15:0]
位名称
MOD_DIV
设置
说明
设置分频器MOD值
Rev. A | Page 32 of 48
ADRF6820
地址:0x10;复位:0xFE7F;名称: PWRDWN_MASK
表23. PWRDWN_MASK的位功能描述
位
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
位名称
DMOD_MASK
QUAD_DIV_MASK
LO_DRV2X_MASK
LO_DRV1X_MASK
VCO_MUX_MASK
REF_BUF_MASK
VCO_MASK
DIV_MASK
CP_MASK
VCO_LDO_MASK
设置
说明
解调器(DMOD)使能
正交分频器路径使能(2x/4x/8x LO)
外部2x LO分频器使能—正交分频器之前
外部1x LO分频器使能—正交分频器之后
VCO多路复用器使能
参考缓冲器使能
VCO上电
分频器上电
电荷泵上电
VCO LDO上电
Rev. A | Page 33 of 48
复位
0x1
0x1
0x0
0x0
0x1
0x1
0x1
0x1
0x1
0x1
访问类型
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
RW
ADRF6820
地址:0x20;复位:0x0C26;名称: CP_CTL
表24. CP_CTL的位功能描述
位
14
位名称
CPSEL
设置
0
1
[13:10]
CSCALE
0001
0011
0111
1111
[5:0]
BLEED
000000
000001
000010
000011
...
011111
100000
100001
100010
100011
...
111111
说明
电荷泵基准电流选择
内部电荷泵
外部电荷泵
电荷泵粗调电流
250 µA
500 µA
750 µA
1000 µA
电荷泵渗漏
0 µA
15.625 µA吸电流
31.25 µA吸电流
46.875 µA吸电流
484.375 µA吸电流
0 µA
15.625 µA源电流
31.25 µA源电流
46.875 µA源电流
484.375 µA源电流
Rev. A | Page 34 of 48
复位
0x0
访问类型
RW
0x3
RW
0x26
RW
ADRF6820
地址:0x21;复位:0x0003;名称: PFD_CTL
表25. PFD_CTL的位功能描述
位
[6:4]
位名称
REF_MUX_SEL
设置
000
001
010
011
100
101
110
111
3
PFD_POLARITY
0
1
[2:0]
REFSEL
000
001
010
011
100
说明
参考(REF)复用选择
LOCK_DET
VPTAT
REFCLK
REFCLK/2
REFCLK × 2
REFCLK/8
REFCLK/4
SCAN
设置PFD极性
正
负
设置REF输入倍频/分频比
×2
×1
2分频
4分频
8分频
Rev. A | Page 35 of 48
复位
0x0
访问类型
RW
0x0
RW
0x3
RW
ADRF6820
地址:0x22;复位:0x2A03;名称: VCO_CTL
表26. VCO_CTL的位功能描述
位
[7:6]
位名称
LO_DRV_LVL
设置
00
01
10
11
5
DRVDIV2_EN
0
1
4
DIV8_EN
0
1
3
DIV4_EN
0
1
[2:0]
VCO_SEL
000
001
010
011
100
说明
外部LO幅度
−5 dBm
−1 dBm
+2 dBm
+4 dBm
外部LO驱动器的2分频使能
禁用
使能
LO路径2分频,总共8分频
禁用
使能
LO路径2分频,总共4分频
禁用
使能
选择VCO内核/外部LO
4.6 GHz至5.7 GHz
4.02 GHz至4.6 GHz
3.5 GHz至4.02 GHz
2.85 GHz至3.5 GHz
外部LO/VCO
Rev. A | Page 36 of 48
复位
0x0
访问类型
RW
0x0
RW
0x0
RW
0x0
RW
0x3
RW
ADRF6820
地址:0x23;复位:0x0000;名称: DGA_CTL
表27. DGA_CTL的位功能描述
位
11
位名称
RFSW_MUX
设置
0
1
9
RFSW_SEL
0
1
[8:5]
RFDSA_SEL
0000
0001
0010
0011
0100
0101
0110
0111
1000
1001
1010
1011
1100
1101
1110
1111
说明
RF开关复用
引脚控制(CNTRL)
信号控制(CNTRL)
RF开关选择
RFIN0
RFIN1
RFDSA选择
0 dB
1 dB
2 dB
3 dB
4 dB
5 dB
6 dB
7 dB
8 dB
9 dB
10 dB
11 dB
12 dB
13 dB
14 dB
15 dB
Rev. A | Page 37 of 48
复位
0x0
访问类型
RW
0x0
RW
0x0
RW
ADRF6820
地址:0x30;复位:0x0000;名称: BALUN_CTL
表28. BALUN_CTL的位功能描述
位
[7:5]
位名称
BAL_COUT
设置
000
111
[3:1]
BAL_CIN
000
111
说明
巴伦输出电容
最小电容值
最大电容值
巴伦输入电容
最小电容值
最大电容值
复位
0x0
访问类型
RW
0x0
RW
地址:0x31;复位:0x1101;名称: MIXER_CTL
表29. MIXER_CTL的位功能描述
位
[12:10]
[8:5]
[3:0]
位名称
MIX_BIAS
DEMOD_RDAC
DEMOD_CDAC
设置
说明
解调器偏置值
解调器线性化器RDAC值
解调器线性化器CDAC值
Rev. A | Page 38 of 48
复位
0x4
0x8
0x1
访问类型
RW
RW
RW
ADRF6820
地址:0x32;复位:0x0900;名称: MOD_CTL0
表30. MOD_CTL0的位功能描述
位
[11:10]
位名称
POLQ
设置
01
10
[9:8]
POLI
01
10
[7:4]
[3:0]
QLO
ILO
说明
正交极性开关,Q通道
反转Q通道极性
正常极性
正交极性开关,I通道
正常极性
反转I通道
上端频段调零,Q通道
上端频段调零,I通道
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复位
0x2
访问类型
RW
0x1
RW
0x0
0x0
RW
RW
ADRF6820
地址:0x33;复位:0x0000;名称: MOD_CTL1
表31. MOD_CTL1的位功能描述
位
[15:8]
位名称
DCOFFI
设置
00000000
00000001
00000010
00000011
01111110
01111111
10000000
10000001
10000010
10000011
11111110
11111111
[7:0]
DCOFFQ
00000000
00000001
00000010
00000011
01111110
01111111
10000000
10000001
10000010
10000011
11111110
11111111
说明
基带直流零点,I通道
0 µA
+5 µA
+10 µA
+15 µA
+94.5 µA
+95.25 µA
0 µA
−5 µA
−10 µA
−15 µA
−94.5 µA
−95.25 µA
基带直流零点,Q通道
0 µA
+5 µA
+10 µA
+15 µA
+94.5 µA
+95.25 µA
0 µA
−5 µA
−10 µA
−15 µA
−94.5 µA
−95.25 µA
Rev. A | Page 40 of 48
复位
0x00
访问类型
RW
0x00
RW
ADRF6820
地址:0x34;复位:0x0B00;名称: MOD_CTL2
表32. MOD_CTL2的位功能描述
位
[11:10]
位名称
BB_BIAS
设置
00
01
10
11
[9:8]
BWSEL
00
01
10
11
说明
基带偏置选择
0 mA
4.5 mA
9 mA
13.5 mA
基带增益和带宽选择
高增益、高带宽(参见表15)
高增益、低带宽(参见表15)
低增益、高带宽(参见表15)
低增益、低带宽(参见表15)
Rev. A | Page 41 of 48
复位
0x2
访问类型
RW
0x3
RW
ADRF6820
地址:0x40;复位:0x0010;名称: PFD_CTL2
表33. PFD_CTL2的位功能描述
位
[6:5]
位名称
ABLDLY
设置
00
01
10
11
[4:2]
CPCTRL
000
001
010
011
100
[1:0]
CLKEDGE
00
01
10
11
说明
设置反冲防回差延迟
0 ns
0.5 ns
0.75 ns
0.9 ns
设置电荷泵控制
均使能
放电
充电
三态
PFD
设置PFD边沿敏感性
Div和REF下降沿
Div下降沿,REF上升沿
Div上升沿,REF下降沿
Div和REF上升沿
Rev. A | Page 42 of 48
复位
0x0
访问类型
RW
0x4
RW
0x0
RW
ADRF6820
地址:0x42;复位:0x000E;名称: DITH_CTL1
表34. DITH_CTL1的位功能描述
位
3
位名称
DITH_EN
设置
0
1
[2:1]
0
DITH_MAG
DITH_VAL
说明
设置扰动使能
禁用
使能
设置扰动幅度
设置扰动值
复位
0x1
访问类型
RW
0x3
0x0
RW
RW
地址:0x43;复位:0x0001;名称: DITH_CTL2
表35. DITH_CTL2的位功能描述
位
[15:0]
位名称
DITH_VAL
设置
说明
设置扰动值
复位
0x1
访问类型
RW
地址:0x44;复位:0x0000;名称: DIV_SM_CTL
表36. DIV_SM_CTL的位功能描述
位
0
位名称
BANDCAL_DIVD_CLR
设置
说明
设为1即禁用自动校准
Rev. A | Page 43 of 48
复位
0x0
访问类型
RW
ADRF6820
地址:0x45;复位:0x0000;名称: VCO_CTL2
表37. VCO_CTL2的位功能描述
位
7
[6:0]
位名称
VCO_BAND_SRC
BAND
设置
说明
VCO频段源(SIF或BANDCAL算法)
VCO频段选择
复位
0x0
0x00
访问类型
RW
RW
地址:0x46;复位:0x0000;名称: VCO_RB
表38. VCO_RB的位功能描述
位
[5:0]
位名称
VCO_BAND
设置
说明
回读BANDCAL多路复用器的输出
复位
0x00
访问类型
R
地址:0x49;复位:0x16BD;名称: VCO_CTL3
表39. VCO_CTL3的位功能描述
位
[13:9]
[8:0]
位名称
SET_1
SET_0
设置
说明
内部设置(参见“要求的PLL/VCO设置和寄存器写操作序列”部分)
内部设置(参见“要求的PLL/VCO设置和寄存器写操作序列”部分)
Rev. A | Page 44 of 48
复位
0xB
0xBD
访问类型
RW
RW
ADRF6820
外形尺寸
0.30
0.25
0.18
31
30
0.50
BSC
TOP VIEW
0.80
0.75
0.70
SEATING
PLANE
0.45
0.40
0.35
40
1
*4.70
EXPOSED
PAD
21
0.05 MAX
0.02 NOM
COPLANARITY
0.08
0.20 REF
4.60 SQ
4.50
11
20
PIN 1
INDICATOR
BOTTOM VIEW
10
0.20 MIN
FOR PROPER CONNECTION OF
THE EXPOSED PAD, REFER TO
THE PIN CONFIGURATION AND
FUNCTION DESCRIPTIONS
SECTION OF THIS DATA SHEET.
COMPLIANT TO JEDEC STANDARDS MO-220-WJJD-5
WITH EXCEPTION TO EXPOSED PAD DIMENSION.
06-04-2012-A
PIN 1
INDICATOR
6.10
6.00 SQ
5.90
图59. 40引脚引线框芯片级封装[LFCSP_WQ]
6 mm x 6 mm超薄体
(CP-40-7)
尺寸单位:mm
订购指南
型号1
ADRF6820ACPZ-R7
ADRF6820-EVALZ
1
温度范围
−40°C至+85°C
封装描述
40引脚引线框芯片级封装[LFCSP_WQ]
评估板
Z = 符合RoHS标准的器件。
Rev. A | Page 45 of 48
封装选项
CP-40-7
ADRF6820
注释
Rev. A | Page 46 of 48
ADRF6820
注释
Rev. A | Page 47 of 48
ADRF6820
注释
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registered trademarks are the property of their respective owners.
D11990sc-0-3/14(A)
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