SFH 507 IR-Empfänger für Fernbedienungen (für kurze Burst) IR-Receiver for Remote Control Systems (for Short Burst) 31.1 30.1 Surface not flat fex06841 4.3 3.7 6.1 5.5 0.4 9.7 8.7 0.8 max. R 2.75 0.65 0.50 GND 1.7 1.1 10.3 9.7 VS 1.5 3.85 4.45 2.54 3x2.54 = 7.62 V OUT 0.50 16.3 15.9 12.9 12.1 SFH 507 GEX06910 Maße in mm, wenn nicht anders angegeben/Dimensions in mm, unless otherwise specified. Wesentliche Merkmale ● Empfängermodul für Übertragungsprotokolle mit kurzen Pulspaketen (N ≥ 6 Pulse pro Bit) ● Fotodiode mit integriertem Verstärker ● Gehäuse schwarz eingefärbt: Verguß optimiert für eine Wellenlänge von 950 nm ● Hohe Störsicherheit ● Geringe Stromaufnahme (0.5 mA typ.) ● 5 V Betriebsspannung ● Hohe Empfindlichkeit ● TTL und CMOS kompatibel ● Mögliche Datenübertragungsrate 2.4 kbit/s (N = 6, f0 = 56 kHz) Features ● Receiver module for transmission codes with short bursts (N ≥ 6 pulses per bit) ● Photodiode with hybride integrated circuit ● Black epoxy resin: daylight filter optimized for 950 nm ● High immunity against ambient light ● Low power consumption (0.5 mA typ.) ● 5 V supply voltage ● High sensitivity (internal shield case) ● TTL and CMOS compatibility ● 2.4 kbit/s data transmission possible (N = 6, f0 = 56 kHz) Anwendungen ● Empfänger für IR-Fernsteuerungen Applications ● IR-remote control preamplifier module Typ Trägerfrequ. Bestellnr. Typ Trägerfrequ. Bestellnr. Type Carrier Frequency kHz Ordering Code Type Carrier Frequency kHz Ordering Code SFH 507-30 30 Q62702-P1701 SFH 507-38 38 Q62702-P1704 SFH 507-33 33 Q62702-P1702 SFH 507-40 40 Q62702-P1705 SFH 507-36 36 Q62702-P1703 SFH 507-56 56 Q62702-P1822 Semiconductor Group 1 05.97 SFH 507 2 Control Circuit Input VS 100 k Ω 3 PIN Bandpass AGC OUT Demodulator 1 GND OHF02198 Blockschaltbild Block Diagram Grenzwerte (TA = 25°C) Maximum Ratings Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebs- und Lagertemperatur Operation and storage temperature range TA, Tstg – 25 ... + 85 °C Sperrschichttemperatur Junction temperature range Tj 100 °C Löttemperatur Lötstelle 1 mm vom Gehäuse; Lötzeit t ≤ 10 s Soldering temperature soldering joint ≥ 1 mm distance from package, soldering time t ≤10 s TS 260 °C Betriebsspannung Supply voltage Pin 2 VS – 0.3 ... + 6.0 V Betriebsstrom Supply current Pin 2 ICC 5 mA Ausgangsspannung Output voltage Pin 3 VOUT – 0.3 ... + 6.0 V Ausgangsstrom Output current Pin 3 IOUT 5 mA Verlustleistung Total power dissipation TA ≤ 85 °C Ptot 50 mW Semiconductor Group 2 SFH 507 Kennwerte (TA = 25 °C) Characteristics Bezeichnung Description Symbol Symbol Wert Value Einheit Unit Betriebsspannung Supply voltage VS typ. 5.0 (4.5 ... 5.5) V Bestrahlungsstärke (Testsignal, s. Figure 2) Threshold irradiance (test signal, see Fig. 2) Ee min(30-40 kHz)1) Ee min(56 kHZ)1) Ee max1) typ. 0.4 (< 0.6) mW/m2 typ. 0.45 (< 0.7) mW/m2 30 W/m2 Wellenlänge der max. Fotoempfindlichkeit Wavelength of max. sensitivity λs max 950 nm Halbwinkel Half angle ϕ ± 45 deg. ICC ICC 0.5 (< 0.8) 1.0 mA mA VOUT low ≤ 250 mV Stromaufnahme Current consumption Vs = 5 V, Ev = 0 Vs = 5 V, Ev = 40 kIx, sunlight Pin 2 Ausgangsspannung Output voltage IOUT = 0.5 mA, Ee = 0.7 mW/m2 (Testsignal, s. Figure 2) (test signal, see Fig. 2) Pin 3 1) 1) In Verbindung mit einer typ. SFH 415 bei Betrieb mit IF = 0.5 A wird eine Reichweite von ca. 35 m erreicht. Together with an IRED SFH 415 under operation conditions of IF = 0.5 A a distance of 35 m is possible. Semiconductor Group 3 SFH 507 330 Ω *) +5V 2 SFH 506/507 4.7 µF >10 k Ω optional *) µC 3 1 GND OHF02197 *) only necessary to suppress power supply disturbances Figure 1 Externe Beschaltung External circuit Ee t pi t *) T *) N <_ 6 Pulses is recommended for optimal function VO VOH VOL t d 1) 1) 4/f o < t d < 10/ f o 2) t pi - 3/f o < t po < t pi + 6/f o t t po2) OHF00220 Figure 2 Optisches Testsignal (IR-Diode SFH 415, IF = 0.5 A, N = 6 pulses, f = f0, T = 10 ms) Optical test signal Semiconductor Group 4 SFH 507 Sensitivity vs. electric field disturbance Ee min = f (E), field strength of disturbance, f = f0 -10 OHF00217 1.0 mW/m E e min Vertical directivity ϕy Sensitivity vs. bright ambient Ee min = f (E) 10 0 OHF00246 ϕ 2 1.6 -20 mW/m 2 E e min f (E) = f 0 0.8 20 10 2 1.4 1.2 0.6 -30 0.4 -40 OHF00215 Correlation with ambient light sources (disturbance effect) : 10 W/m 2 ~_ 1.4 klx (stand. illum. A, T= 2855 K) ~_ 8.2 klx (daylight, T = 5900 K) 10 1 1.0 30 0.8 f (E) = 10 kHz -50 50 0.4 0 0.4 0.8 1.2 kV/m 2.0 -70 -80 -90 -0.6 10 0 60 -60 0.2 0 40 0.6 0.2 -0.4 0 -0.2 0.2 0.4 70 80 90 0.6 Ambient, λ = 950 nm 10 -1 -2 10 10 -1 10 0 10 1 W/m 2 10 2 E E Horizontal directivity ϕx Relative luminous sensitivity Srel = f (λ), TA = 25 oC -10 OHF02193 1.0 Sensitivity vs. supply volt. disturbances, Ee min = f (∆VS RMS) 10 0 OHF00247 ϕ 1.6 -20 20 S rel OHF00214 10 1 mW/m E e min 2 f =f0 1.4 0.8 10 kHz 1 kHz 1.2 0.6 1.0 -30 30 10 0 0.8 -40 0.4 40 0.6 -50 50 0.4 0.2 0.0 800 850 900 950 1000 1050 nm 1150 -70 -80 -90 -0.6 100 Hz 60 -60 0.2 -0.4 0 -0.2 0.2 0.4 70 80 90 0.6 10 -1 -2 10 10 -1 10 0 10 1 10 2 mV 10 3 ∆V s RMS λ Relative sensitivity Ee min/Ee = f (f / f0) f = f0 ± 5 %, ∆f (3 dB) = f0/7 Output pulse Ton, Toff = f(Ee) OHF00245 1.0 ms Ton, Toff OHF00219 1.0 OHF00216 300 µs T p out 250 E e min / E e 0.8 Sensitivity vs. dark ambient Tp out = f (Ee) 0.8 Ton 200 0.6 0.6 Input burst duration 150 Toff 0.4 0.4 100 λ = 950 nm 0.2 λ = 950 nm 0.2 50 0.0 -1 10 10 0 10 1 10 2 mW/m 2 10 4 Ee Semiconductor Group 0 0.7 0.8 0.9 1.0 5 1.1 1.2 1.3 f /f0 0 -1 10 10 0 10 1 10 2 mW/m 2 Ee 10 4 SFH 507 Sensitivity vs. duty cycle Ee = f (tp / T) OHL00218 3.0 mW/m2 E e min 2.5 2.0 N =6 N = 16 N = 32 0.4 0.6 1.5 0.1 0.5 0.0 0.0 0.2 0.8 t p /T Semiconductor Group 6