Hyper 3 mm (T1) LED, Non Diffused Hyper-Bright LED LS 3336, LA 3336, LO 3336 LY 3336 Besondere Merkmale nicht eingefärbtes, klares Gehäuse zur Einkopplung in Lichtleiter als optischer Indikator einsetzbar Lötspieße mit Aufsetzebene gegurtet lieferbar Störimpulsfest nach DIN 40839 VEX06710 ● ● ● ● ● ● Features ● ● ● ● ● ● colorless, clear package optical coupling into light pipes for use as optical indicator solder leads with stand-off available taped on reel load dump resistant acc. to DIN 40839 Semiconductor Group 1 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Typ Type Emissionsfarbe Color of Emission Gehäusefarbe Color of Package Lichtstärke Luminous Intensity IF = 20 mA IV (mcd) Bestellnummer Ordering Code LS 3336-QT LS 3336-R LS 3336-S LS 3336-T LS 3336-RU super-red colorless clear 63 100 160 250 100 ... ... ... ... ... 500 200 320 500 800 Q62703-Q3482 Q62703-Q3484 Q62703-Q3485 Q62703-Q3813 Q62703-Q3486 LA 3336-RU LA 3336-S LA 3336-T LA 3336-U LA 3336-SV amber colorless clear 100 160 250 400 160 ... 800 ... 320 ... 500 ... 800 ... 1250 Q62703-Q3554 Q62703-Q3551 Q62703-Q3552 Q62703-Q3553 Q62703-Q3555 LO 3336-RU LO 3336-S LO 3336-T LO 3336-U LO 3336-SV orange colorless clear 100 160 250 400 160 ... 800 ... 320 ... 500 ... 800 ... 1250 Q62703-Q3144 Q62703-Q3176 Q62703-Q3170 Q62703-Q3307 Q62703-Q3177 LY 3336-RU LY 3336-S LY 3336-T LY 3336-U LY 3336-SV yellow colorless clear 100 160 250 400 160 ... 800 ... 320 ... 500 ... 800 ... 1250 Q62703-Q3487 Q62703-Q3489 Q62703-Q3490 Q62703-Q3814 Q62703-Q3491 Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit IV max / IV min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit IV max / IV min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS, LO, LA LY Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 20 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 1 0.2 A Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Rth JA 1) 1) 3 80 V 55 500 mW K/W Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. Semiconductor Group 3 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LA LO LY Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 645 622 610 591 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 632 615 605 587 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 16 16 16 15 nm 2ϕ 50 50 50 50 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA TCλ 0.14 0.13 0.13 nm/K (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 0.13 (typ.) 4 – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 20 mA Relative spectral emission V (λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve OHL00235 100 Ι rel % 80 Vλ 60 yellow orange amber super-red 40 20 0 400 450 500 550 600 650 nm λ 700 Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic 40 30 20 0 10 φ 50 OHL01646 1.0 0.8 0.6 60 0.4 70 0.2 80 0 90 100 1.0 0.8 Semiconductor Group 0.6 0.4 0 20 5 40 60 80 100 120 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) OHL00232 10 2 mA ΙF 5 OHL00248 35 Ι F mA 30 25 10 1 yellow 20 5 15 10 0 10 5 5 10 -1 1.0 1.4 1.8 2.2 2.6 0 3.0 V 3.4 VF Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25˚C ΙV 20 40 60 80 C 100 ΤA Relative Lichtstärke IV / IV(25˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 20 mA OHL00233 10 1 0 OHL00238 Ι V 2.0 Ι V (25 C) Ι V (20 mA) 1.6 10 0 orange yellow amber super-red 5 1.2 10 -1 5 0.8 superred yellow orange/amber 10 -2 0.4 5 10 -3 -1 10 orange yellow amber super-red 5 10 0 Semiconductor Group 5 10 1 0 -20 mA 10 2 ΙF 6 0 20 40 60 C TA 100 1998-09-18 LS 3336, LA 3336, LO 3336, LY 3336 Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LS, LA, LO Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp) Permissible pulse handling capability LY Duty cycle D = parameter, TA = 25 ˚C OHL00322 10 1 A ΙF 5 tp tp D= T ΙF ΙF 5 10 -1 0.2 5 0.5 0.5 ΙF T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 0.2 10 -1 tp tp D= T 5 T D= 0.005 0.01 0.02 0.05 0.1 10 0 OHL00316 10 0 A 5 10 -5 10 -4 10 -3 10 Maßzeichnung Package Outlines -2 10 -1 10 0 1 10 s 10 tp 10 -2 2 (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) 1.1 0.9 1.8 1.2 4.8 4.4 0.7 0.4 0.8 0.4 2.54mm spacing 0.6 0.4 Area not flat 29.0 27.0 Cathode Kathodenkennzeichnung: Cathode mark: 3.7 3.5 6.1 5.7 3.4 3.1 0.6 0.4 Cathode Approx. weight 0.15 g Semiconductor Group 10 -5 10 -4 10 -3 10 -2 10 -1 10 0 10 1 s 10 2 tp ø2.9 ø2.7 10 -2 GEX06951 Kürzerer Lötspieß Short solder lead 7 1998-09-18