具有电源路径和USB模式兼容性的 微型I2C可编程线性电池充电器 ADP5061 典型应用电路 特性 2.6 mm × 2 mm WLCSP封装 ADP5061 AC OR USB 灵活的数字控制输入 VBUS C1 10µF LDO模式下的交流充电器电流最高可达2.1 A 可耐受的输入电压：−0.5 V至+20 V (USB VBUS) 完全兼容USB 3.0以及USB电池充电规范1.2 内置电流检测及限制功能 电池与充电器输出间的电池隔离FET低至30 mΩ 热调节防止过热 PROGRAMMABLE 输入电压范围：4.0 V至6.7 V ISO_S VIN CBP C2 10nF C3 47µF SCL SDA DIG_IO1 DIG_IO2 DIG_IO3 ISO_B CHARGER CONTROL BLOCK SYS_EN标志允许系统禁用，直至电池达到需要的最低电平， BAT_SNS + Li-ion C4 22µF THR SYS_EN ILED AGND 符合JEITA 1和JEITA 2锂离子电池充电温度规范 SYSTEM VLED 10544-001 可通过I C实现完全编程 2 图1. 以保证系统启动 应用 数码相机 数码摄像机 单个锂离子电池便携式设备 PDA、音频设备、GPS设备 便携式医疗设备 移动电话 概述 ADP5061充电器完全符合USB 3.0和USB电池充电规范1.2， 根据外部USB检测芯片检测到的USB电源类型，ADP5061可 可通过mini-USB VBUS引脚从墙壁充电器、车载充电器或 设置为应用正确的电流限值，实现最佳充电和USB合规性。 USB主机端口进行充电。 ADP5061含3个工厂可编程数字输入/输出引脚，可为不同 ADP5061输入电压范围为4 V至6.7 V，最高可耐受20 V电压。 系统提供最大的灵活性。这些数字输入/输出引脚允许一些 此耐受度缓解了断开或连接时的USB总线尖峰问题。 特性的组合，如输入电流限制、充电使能/禁用、充电电流 ADP5061在线性充电器输出和电池间集成了内部FET。这 限制以及专用中断输出引脚。 一设计可提供电池隔离，使系统可在电池无电或无电池情 况下供电，从而直接通过USB电源执行系统功能。 Rev. C Document Feedback Information furnished by Analog Devices is believed to be accurate and reliable. However, no responsibility is assumed by Analog Devices for its use, nor for any infringements of patents or other rights of third parties that may result from its use. Specifications subject to change without notice. No license is granted by implication or otherwise under any patent or patent rights of Analog Devices. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. One Technology Way, P.O. Box 9106, Norwood, MA 02062-9106, U.S.A. Tel: 781.329.4700 ©2012–2013 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Technical Support www.analog.com ADI中文版数据手册是英文版数据手册的译文，敬请谅解翻译中可能存在的语言组织或翻译错误，ADI不对翻译中存在的差异或由此产生的错误负责。如需确认任何词语的准确性，请参考ADI提供 的最新英文版数据手册。 ADP5061 目录 特性..................................................................................................... 1 电池隔离FET ............................................................................. 20 应用..................................................................................................... 1 电池检测..................................................................................... 20 典型应用电路 ................................................................................... 1 电池组温度检测........................................................................ 21 概述..................................................................................................... 1 I2C接口........................................................................................ 25 修订历史 ............................................................................................ 2 I2C寄存器映射........................................................................... 26 技术规格 ............................................................................................ 3 寄存器位功能描述 ................................................................... 27 推荐输入和输出电容................................................................. 6 应用信息 .......................................................................................... 35 I2C兼容接口时序规格................................................................ 6 外部器件..................................................................................... 35 绝对最大额定值.......................................................................... 7 PCB布局指南............................................................................. 37 热阻 ............................................................................................... 7 功耗与散热考虑............................................................................. 38 ESD警告........................................................................................ 7 充电器功耗 ................................................................................ 38 引脚配置和功能描述 ...................................................................... 8 结温 ............................................................................................. 38 典型性能参数 ................................................................................... 9 工厂编程选项 ................................................................................. 39 温度特性..................................................................................... 11 充电器选项 ................................................................................ 39 典型波形..................................................................................... 13 I2C寄存器故障........................................................................... 40 工作原理 .......................................................................................... 14 数字输入和输出选项............................................................... 40 工作模式小结 ............................................................................ 14 封装和订购信息............................................................................. 42 简介 ............................................................................................. 15 外形尺寸..................................................................................... 42 充电器模式 ................................................................................ 17 订购指南..................................................................................... 42 热管理 ......................................................................................... 20 修订历史 2013年9月—修订版B至修订版C 更改“充电器选项”部分和表42.................................................... 39 更改表6 .............................................................................................. 8 更改表50 .......................................................................................... 41 更改表8 ............................................................................................ 14 更改订购指南部分 ........................................................................ 42 更改表22的位[6:2] ......................................................................... 29 2012年8月—修订版0至修订版A 更改表33的位[7:5] ......................................................................... 34 更改图2 .............................................................................................. 6 更改“工厂编程”部分、表39、表40和表42 .............................. 39 更改图23至图28 ............................................................................. 13 更改表50 .......................................................................................... 41 更改表8 ............................................................................................ 14 更改订购指南 ................................................................................ 42 更改表21 .......................................................................................... 28 2012年10月—修订版A至修订版B 更改表26 .......................................................................................... 31 删除表22的“位号6”行 ................................................................... 29 更改表33 .......................................................................................... 34 表22的位号[5:2]更改为位号[6:2] ............................................... 29 2012年6月—修订版0：初始版 更改表26位号[2:0]的默认值栏 ................................................... 31 Rev. C | Page 2 of 44 ADP5061 技术规格 除非另有说明，−40°C < TJ < +125°C，VVIN = 5.0 V，VHOT < VTHR < VCOLD，VBAT_SNS = 3.6 V，VISO_B = VBAT_SNS，CVIN = 10 μF， CISO_S = 22 μF，CISO_B = 22 μF，CCBP = 10 nF，所有寄存器为默认值。 表1. 参数 通用参数 欠压闭锁 迟滞 总输入电流 VINx功耗 电池功耗 充电器 快速充电电流CC模式 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/注释 VUVLO 2.25 50 74 114 2.35 100 92 425 470 2.5 150 100 150 300 500 900 1500 5 V mV mA mA mA mA mA mA mA µA µA µA 0.5 0.9 mA 下降阈值，VVIN和VBAT_SNS中的较高值1 迟滞，VVIN和VBAT_SNS上升中的较高值1 标称USB初始化电流电平2 USB超高速 USB枚举电流电平(中国规格) USB枚举电流电平 专用充电器输入 专用壁式充电器 充电或LDO模式 DIS_IC1 = 高电平，VISO_B < VINx < 5.5 V LDO模式，VISO_S > VBAT_SNS 待机，包括ISO_Sx引脚漏电流，VVIN = 0 V， TJ = −40°C至+85°C 待机，电池监控器有效 750 775 mA +30 +30 +35 25 mA mA mA mA mA ILIM IQVIN IQVIN_DIS IQBATT ICHG 快速充电电流精度 涓流充电电流2 弱充电电流2, 3 涓流至弱充电阈值 电池无电 迟滞 弱电池阈值 弱至快速充电阈值 电池终端电压 终端电压精度 电池过压阈值 ITRK_DEAD ICHG_WEAK 715 −40 −50 −65 16 20 ITRK_DEAD + ICHG 450 VISO_B = 3.9 V；在TJ = −40°C至等温调节限值 (典型值TJ = +115°C)的温度范围内保证快速 充电电流精度2, 3 ICHG = 50 mA至550 mA ICHG = 600 mA至950 mA ICHG = 1000 mA至1300 mA VTRK_DEAD ∆V TRK_DEAD 2.4 2.5 100 2.6 V mV VTRK_DEAD < VBAT_SNS < VWEAK2, 4 BAT_SNS上 2 VWEAK ∆V WEAK VTRM 2.89 3.0 100 4.200 3.11 V mV V % % % V BAT_SNS上 2, 4 BAT_SNS上，TJ = 25°C, IEND = 52.5 mA2 TJ = 0°C至115°C 2 TJ = −40°C至+125°C 相对于VINx电压，BAT_SNS上升 mA mA VBAT_SNS = VTRM IEND = 52.5 mA, TJ = 0°C至115°C2 −0.25 −0.96 −1.15 VBATOV 充电完成电流 充电完成电流阈值精度 IEND 再充电电压差分 电池节点短路阈值电压2 电池短路检测电流 充电启动电压限值 充电软启动电流 充电软启动定时器 电池隔离FET ISO_Sx与ISO_Bx之间的引脚 到引脚电阻 调节系统电压：VBAT低电平 VRCH VBAT_SHR ITRK_SHORT VCHG_VLIM ICHG_START tCHG_START 电池补充阈值 2 280 20 15 17 59 160 2.2 3.6 185 RDSONISO VISO_SFC VTHISO 3.6 3.3 0 +0.25 +0.89 +1.20 VIN − 0.075 52.5 260 2.4 20 3.7 260 3 98 83 123 390 2.5 3.8 365 mV V mA V mA ms 30 49 mΩ 3.8 3.5 5 4.0 3.7 12 V Rev. C | Page 3 of 44 mV IEND = 92.5 mA, TJ = 0°C至115°C 相对于VTRM，BAT_SNS下降2 ITRK_SHORT = ITRK_DEAD2 电压限值默认无效 VBAT_SNS > VTRK_DEAD 电池补充节点上，VINx = 0 V，VISO_B = 4.2 V， IISO_B = 500 mA VTRM[5:0]编程值 ≥ 4.00 V VTRM[5:0]编程值 < 4.00 V VISO_S < VISO_B, VSYS 上升 ADP5061 参数 LDO和高压阻隔 调节系统电压 负载调整率 高压阻隔FET (LDO FET) 导通电阻 最大输出电流 VINx输入电压，良好阈值 上升 VINx下降 VINx输入过压阈值 迟滞 VINx转换时序 热控制 等温充电温度 热预警温度 热关断温度 热敏电阻控制 热敏电阻电流 10,000 NTC 100,000 NTC 热敏电阻电容 冷温度阈值 电阻阈值 凉至冷电阻 冷至凉电阻 热温度阈值 电阻阈值 热至典型电阻 典型至热电阻 JEITA1锂离子电池充电规格默认值5 JEITA冷温度 电阻阈值 凉至冷电阻 冷至凉电阻 JEITA凉温度 电阻阈值 典型至凉电阻 凉至典型电阻 JEITA典型温度 电阻阈值 暖至典型电阻 典型至暖电阻 JEITA暖温度 电阻阈值 热至暖电阻 暖至热电阻 JEITA热温度 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/注释 VISO_STRK 4.214 4.3 4.386 V −0.28 330 485 %/A mΩ VSYSTEM[2:0] = 000(二进制)= 4.3 V， IISO_S = 100 mA，LDO模式2 IISO_S = 0 m A至1500 mA IVIN = 500 mA 2.1 3.9 4.0 A V RDS(ON)HV VVIN_OK_RISE VVIN_OK_FALL VVIN_OV ∆V VIN_OV TVIN_RISE TVIN_FALL 3.75 6.7 115 130 140 110 INTC_10k INTC_100k CNTC TNTC_COLD RHOT_FALL RHOT_RISE 3.7 7.2 10 10 TLIM TSDL TSD RCOLD_FALL RCOLD_RISE TNTC_HOT 3.6 6.9 0.1 400 40 100 0 20,500 2750 TJEITA_COLD 25,600 24,400 60 3700 3350 30,720 3950 0 RCOLD_FALL RCOLD_RISE TJEITA_COOL 20,500 RTYP_FALL RTYP_RISE TJEITA_TYP 13,200 RWARM_FALL RWARM_RISE TJEITA_WARM 4260 RHOT_FALL RHOT_RISE TJEITA_HOT 2750 25,600 24,400 10 30,720 16,500 15,900 19,800 5800 5200 45 6140 3700 3350 60 3950 Rev. C | Page 4 of 44 VISO_S = 4.3 V, LDO模式 V V V µs µs VINx从5 V到20 V的最短上升时间 VINx从4 V到0 V的最短下降时间 °C °C °C °C TJ 上升 TJ 下降 pF °C 未发生电池充电 Ω Ω °C 未发生电池充电 Ω Ω °C 未发生电池充电 Ω Ω °C 电池充电发生在编程值的50% Ω Ω °C 正常电池充电发生在默认值/编程值 Ω Ω °C 电池终端电压(VTRM)降低100 mV Ω Ω °C 未发生电池充电 ADP5061 参数 JEITA2锂离子电池充电规格默认值5 JEITA冷温度 电阻阈值 凉至冷电阻 冷至凉电阻 JEITA凉温度 电阻阈值 典型至凉电阻 凉至典型电阻 JEITA典型温度 电阻阈值 暖至典型电阻 典型至暖电阻 JEITA暖温度 电阻阈值 热至暖电阻 暖至热电阻 JEITA热温度 电池检测 电池检测 吸电流 源电流 电池阈值 低电平 高电平 电池检测定时器 定时器 时钟振荡器频率 启动充电延迟 涓流充电 快速充电 充电完成 去毛刺 看门狗2 安全 电池短路2 ILED输出引脚 ILED上的压降 ILED上的最大工作电压 SYS_EN输出引脚 SYS_EN FET导通电阻 逻辑输入引脚 数字输入端最大电压 逻辑低电平最大输入电压 逻辑高电平最小输入电压 下拉电阻 符号 最小值 TJEITA_COLD 典型值 最大值 0 RCOLD_FALL RCOLD_RISE TJEITA_COOL 20,500 RTYP_FALL RTYP_RISE TJEITA_TYP 13,200 RWARM_FALL RWARM_RISE TJEITA_WARM 4260 RHOT_FALL RHOT_RISE TJEITA_HOT 2750 ISINK ISOURCE 25,600 24,400 10 30,720 16,500 15,900 19,800 单位 测试条件/注释 °C 未发生电池充电 Ω Ω °C 电池终端电压(VTRM)降低100 mV Ω Ω °C 正常电池充电发生在默认值/编程值 Ω Ω °C 电池终端电压(VTRM)降低100 mV Ω Ω °C 未发生电池充电 5800 5200 45 6140 3700 3350 60 3950 13 7 20 10 34 13 mA mA VBATL VBATH tBATOK 1.8 1.9 3.4 333 2.0 V V ms fCLK tSTART tTRK tCHG tEND tDG tWD tSAFE tBAT_SHR 2.7 3 1 60 600 7.5 31 32 40 30 3.3 MHz sec min min min ms sec min sec 36 VILED VMAXILED 200 RON_SYS_EN 10 VDIN_MAX VIL VIH 44 5.5 5.5 0.5 1.2 215 350 610 1 VBAT_SNS = VTRM, ICHG < IEND 施加于VTRK, VRCH, IEND, VDEAD, VVIN_OK mV V IILED = 20 mA Ω ISYS_EN = 20 mA V V V kΩ 施加于SCL, SDA, DIG_IO1, DIG_IO2, DIG_IO3 施加于SCL, SDA, DIG_IO1, DIG_IO2, DIG_IO3 施加于SCL, SDA, DIG_IO1, DIG_IO2, DIG_IO3 施加于DIG_IO1, DIG_IO2, DIG_IO3 欠压闭锁一般从ISO_Sx或ISO_Bx产生；在某些跃迁情况下，它可以从VINx产生。 这些值通过I2C编程。给出的值为寄存器默认值。 3 充电期间的输出电流可以通过输入电流限值或等温充电模式进行限制。 4 在弱充电模式下，充电器通过涓流充电支线向电池提供至少20 mA的充电电流，除非禁用涓流充电。任何系统不需要的残余电流也被用于给电池充电。 5 在I2C模式下，可以选择JEITA1(默认)或JEITA2，或者同时使能/禁用JEITA功能。 2 Rev. C | Page 5 of 44 ADP5061 推荐输入和输出电容 表2. 参数 电容 VINx CBP ISO_Sx ISO_Bx 符号 最小值 典型值 最大值 单位 测试条件/注释 CVIN CBP CISO_S CISO_B I2C兼容接口时序规格 表3. 参数1 I2C兼容接口2 各条总线的容性负载 SCL时钟频率 SCL高电平时间 SCL低电平时间 数据建立时间 数据保持时间 重复起始建立时间 起始/重复起始保持时间 停止条件和起始条件之间的总线空闲时间 停止条件的建立时间 SCL和SDA的上升时间 SCL和SDA的下降时间 尖峰抑制脉冲宽度 1 2 符号 CS fSCL tHIGH tLOW tSU, DAT tHD, DAT tSU, STA tHD, STA t BUF tSU, STO tR tF tSP 最小值 典型值 最大值 单位 400 400 0.6 1.3 100 0 0.6 0.6 1.3 0.6 20 20 0 0.9 300 300 50 测试条件/注释 pF kHz µs µs ns µs µs µs µs µs ns ns ns 通过设计保证。 为使SDA信号跨过SCL下降沿的未定义区域，主器件必须提供至少300 ns的保持时间(见图2)。 时序图 SDA tLOW tR tSU, DAT tF tF tHD, STA tSP tBUF tR SCL tHD, DAT tHIGH tSU, STO tSU, STA Sr P S 10544-002 S S = START CONDITION Sr = REPEATED START CONDITION P = STOP CONDITION 图2. I 2C时序图 Rev. C | Page 6 of 44 ADP5061 绝对最大额定值 热阻 表4. 绝对最大额定值 θJA针对最差条件，即器件以表贴封装焊接在电路板上。 参数 VIN1、VIN2、VIN3至AGND 所有其它引脚至AGND 连续漏极电流，电池补充模式， 从ISO_Bx到ISO_Sx 存储温度范围 工作结温范围 焊接条件 额定值 –0.5 V至+20 V –0.3 V至+6 V 2.1 A –65°C至+150°C –40°C至+125°C JEDEC J-STD-020 表5. 热阻 封装类型 20引脚 WLCSP1 1 θJA 46.8 θJC 0.7 θJB 9.2 单位 °C/W 5 × 4阵列，0.5 mm间距(2.6 mm × 2.0 mm)；基于JEDEC 2S2P 4层板， 0 m/sec气流。 最大功耗 ADP5061封装内的最大安全功耗受限于相应的芯片结温 注意，超出上述绝对最大额定值可能会导致器件永久性损 (TJ)升高情况。芯片温度达到150°C(玻璃化转变温度)左右 坏。这只是额定最值，并不能以这些条件或者在任何其它 时，塑料的特性会发生改变。即使只是暂时超过这一温度 超出本技术规范操作章节中所示规格的条件下，推断器件 限值也有可能改变封装对芯片作用的应力，从而永久性地 能否正常工作。长期在绝对最大额定值条件下工作会影响 转变ADP5061的参数性能。长时间超过175°C的结温会导致 器件的可靠性。 芯片器件出现变化，因而可能造成故障。 ESD警告 ESD(静电放电)敏感器件。 带电器件和电路板可能会在没有察觉的情况下放 电。尽管本产品具有专利或专有保护电路，但在遇 到高能量ESD时，器件可能会损坏。因此，应当采 取适当的ESD防范措施，以避免器件性能下降或功 能丧失。 Rev. C | Page 7 of 44 ADP5061 引脚配置和功能描述 BALL A1 CORNER 1 2 3 4 ILED SYS_EN SDA SCL AGND THR CBP DIG_IO3 ISO_B3 ISO_S3 VIN3 DIG_IO2 ISO_B2 ISO_S2 VIN2 BAT_SNS ISO_B1 ISO_S1 VIN1 DIG_IO1 A B C D TOP VIEW (BALL SIDE DOWN) Not to Scale 10544-003 E 图3. 引脚配置 表6. 引脚功能描述 类型 1 I/O 描述 内部隔离FET/电池电流调节FET的线性充电器电源侧输入。高电流输入/输出。 I/O G I/O USB VBUS的电源连接。在充电模式下，这些引脚是高电流输入。 模拟地。 内部隔离FET/电池电流调节FET的电池电源侧输入。 A4 A3 E4 引脚名称 ISO_S1, ISO_S2, ISO_S3 VIN1, VIN2, VIN3 AGND ISO_B1, ISO_B2, ISO_B3 SCL SDA DIG_IO1 I I/O GPIO C4 DIG_IO2 GPIO B4 DIG_IO3 GPIO B2 D4 A1 A2 B3 THR BAT_SNS ILED SYS_EN CBP I I O O I/O I2C兼容接口串行时钟。 I2C兼容接口串行数据。 设置输入电流限值。此引脚可直接设置输入电流限值。当DIG_IO1 = 低电平或高阻态时， 输入限值为100 mA。当DIG_IO1 = 高电平时，输入限值为500 mA。2, 3 型号ADP5061ACBZ-2-R7和ADP5061ACBZ-4-R7：禁用IC1。此引脚可将充电器设为低电流模式。 当DIG_IO2 = 低电平或高阻态时，充电器以正常模式工作。当DIG_IO2 = 高电平时，LDO和充 电器禁用，VINx功耗为280 µA(典型值)。20 V VINx输入保护禁用，VINx电平必须等于或低于 5.5 V。2, 3型号ADP5061ACBZ-5-R7：使能充电。当DIG_IO3 = 低电平或高阻态时，充电禁用。 当DIG_IO3 = 高电平时，充电使能。2, 3 型号ADP5061ACBZ-2-R7和ADP5061ACBZ-4-R7：使能充电。当DIG_IO3 = 低电平或高阻态时， 充电禁用。当DIG_IO3 = 高电平时，充电使能。2, 3型号ADP5061ACBZ-5-R7：中断输出。这是 中断标志/开漏下拉FET引脚，当任何可通过I2C寄存器地址0x09使能的中断发生时发出指示。 电池组热敏电阻连接。如果不使用此引脚，应将一个10 kΩ伪电阻连接在THR与GND之间。 电池电压检测引脚。 指示器LED的开漏输出。 系统使能。这是电池良好标志/开漏下拉FET引脚，用以在电池电平达到VWEAK电平时使能系统。 旁路电容输入。 引脚编号 E2, D2, C2 E3, D3, C3 B1 E1, D1, C1 I为输入，O为输出，I/O为输入/输出，G为地，GPIO为工程可编程的通用输入/输出。 详情参见数字输入和输出选项。 3 DIG_IOx设置定义ADP5061的初始状态。更改各DIG_IOx引脚设置相关的参数或模式(通过设置I2C寄存器等效位)时，I2C寄存器设置优先于DIG_IOx引脚设置。 VINx连接或断开会复位DIG_IOx引脚的控制。 1 2 Rev. C | Page 8 of 44 ADP5061 典型性能参数 5.05 4.34 5.04 4.33 5.03 4.32 5.02 4.31 4.30 4.29 4.28 5.01 5.00 4.99 4.98 4.27 4.97 4.26 4.96 0.1 1 4.95 0.01 SYSTEM OUTPUT CURRENT (A) 图4. 系统电压与系统输出电流的关系， LDO模式，VSYSTEM[2:0] = 000(二进制)= 4.3 V 图7. 系统电压与系统输出电流的关系，LDO模式， VVIN = 6.0 V，VSYSTEM[2:0] = 111(二进制)= 5.0 V 5.4 LOAD = 100mA LOAD = 500mA LOAD = 1000mA 5.2 5.0 4.2 4.8 SYSTEM VOLTAGE (V) 4.3 4.1 4.0 3.9 3.8 4.4 4.2 4.0 3.8 3.6 3.6 3.5 4.0 4.4 4.8 5.2 5.6 6.0 6.4 6.8 INPUT VOLTAGE (V) 3.4 4.0 4.8 5.2 5.6 6.0 6.4 6.8 图8. 输出电压与输入电压的关系(压差)， LDO模式，VSYSTEM[2:0] = 111(二进制)= 5.0 V 1000 700 900 600 700 CHARGE CURRENT (mA) 800 LIMIT = 900mA LIMIT = 500mA LIMIT = 100mA 600 500 400 300 FAST CHARGE 400 300 200 100 100 3.2 3.7 BATTERY VOLTAGE (V) 4.2 WEAK CHARGE 500 200 10544-006 CHARGE CURRENT (mA) 4.4 INPUT VOLTAGE (V) 图5. 输出电压与输入电压的关系(压差)，LDO模式， VSYSTEM[2:0] = 000(二进制)= 4.3 V 0 2.7 LOAD = 100mA LOAD = 500mA LOAD = 1000mA 4.6 3.7 10544-005 SYSTEM VOLTAGE (V) 4.4 1 0 2.3 TRICKLE CHARGE 2.8 3.3 3.8 4.3 BATTERY VOLTAGE (V) 图9. 电池充电电流与电池电压的关系，ICHG[4:0] = 01001 (二进制)= 500 mA，ILIM[3:0] = 1111(二进制)= 2100 mA 图6. 输入限流充电电流与电池电压的关系 Rev. C | Page 9 of 44 10544-009 4.5 0.1 SYSTEM OUTPUT CURRENT (A) 10544-008 4.25 0.01 10544-007 SYSTEM VOLTAGE (V) 4.35 10544-004 SYSTEM VOLTAGE (V) 除非另有说明，VVIN = 5.0 V，CVIN = 10 µF，CISO_S = 44 µF，CISO_B = 22 µF，CBP = 10 nF，所有寄存器为默认值。 40 40 38 38 ISOLATION FET RESISTANCE (mΩ) 36 34 32 30 28 26 24 32 30 28 26 24 4.2 BATTERY VOLTAGE (V) 20 4.4 BATTERY VOLTAGE (A) 2.5 2.0 1.5 1.0 4 6 INPUT VOLTAGE (V) 8 10544-011 0.5 2 1.5 2.0 0.7 VBAT_SNS IISO_B 4.2 3.0 0 1.0 图12. 理想二极管RON 与负载电流的关系，VISO_B = 3.6 V DEFAULT STARTUP DIS_LDO = HIGH DIS_IC1 = HIGH 3.5 0.5 LOAD CURRENT (A) 图10. 理想二极管RON 与电池电压的关系， IISO_S = 500 mA，VINx开路 4.0 0 10544-012 3.7 0.6 4.0 0.5 3.8 0.4 3.6 0.3 3.4 0.2 3.2 0.1 3.0 图11. VINx电流与VINx电压的关系 0 50 100 150 CHARGE TIME (min) 图13. 充电曲线，ILIM[3:0] = 0110(二进制)= 500 mA， 电池容量 = 925 mAh Rev. C | Page 10 of 44 0 CHARGE CURRENT (A) 3.2 10544-010 20 2.7 VINx CURRENT (mA) 34 22 22 0 36 10544-013 ISOLATION FET RESISTANCE (mΩ) ADP5061 ADP5061 温度特性 0.4 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 10 35 60 85 AMBIENT TEMPERATURE (°C) VINx QUIESCENT CURRENT (mA) VINx QUIESCENT CURRENT (mA) –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 VIN = 4.0V VIN = 5.0V VIN = 6.7V 4.5 0.25 0.20 0.15 0.10 0.05 4.0 3.5 3.0 2.5 2.0 1.5 1.0 0.5 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 0 –40 10544-015 –25 AMBIENT TEMPERATURE (°C) –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 110 125 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 图15. VINx静态电流与环境温度的关系，DIS_IC1 = 高电平 图18. VINx静态电流与环境温度的关系，LDO模式 0.5 VISO_S = 4.3V VISO_S = 5.0V 0.4 VTRM VOLTAGE ACCURACY (%) 0.3 0.2 0.1 0 –0.1 –0.2 –0.3 –0.4 VTRM = 3.8V VTRM = 4.2V VTRM = 4.5V 0.3 0.2 0.1 0 –0.1 –0.2 –0.3 –0.4 –25 –10 5 20 35 50 65 80 95 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 110 125 10544-016 SYSTEM VOLTAGE ACCURACY (%) –0.3 5.0 0.30 –0.5 –40 –0.2 AMBIENT TEMPERATURE (°C) VIN = 4.0V VIN = 5.0V VIN = 5.5V 0.35 0.4 –0.1 图17. 系统电压与温度的关系，涓流充电模式， VISO_S = 4.3 V且VINx = 5.0 V，或者VISO_S = 5.0 V且VINx = 6.0 V 0.40 0.5 0 –0.5 –40 图14. 电池漏电流与环境温度的关系 0 –40 0.1 10544-017 –15 10544-014 0 –40 0.45 0.2 –0.4 0.1 0.50 0.3 10544-018 STANDBY CURRENT (µA) 1.2 VISO_S = 4.3V VISO_S = 5.0V 图16. LDO模式电压与环境温度的关系， 负载 = 100 mA，VVIN = 5.5 V –0.5 –40 –25 –10 5 20 35 50 65 80 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 图19. 终端电压与环境温度的关系 Rev. C | Page 11 of 44 95 110 125 10544-019 1.3 0.5 VISO_B = 3.6V VISO_B = 4.2V VISO_B = 5.5V SYSTEM VOLTAGE ACCURACY (%) 1.5 1.4 1.4 1.3 ICHG = 1300mA INPUT CURRENT LIMIT (A) CHARGE CURRENT (A) 1.2 1.1 1.0 0.9 0.8 0.7 ICHG = 750mA 0.6 ICHG = 500mA 0.4 –40 –15 10 35 60 85 110 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 10544-020 0.5 6.95 6.90 6.85 –10 5 20 35 50 65 80 95 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 110 125 10544-021 VIN OVERVOLTAGE THRESHOLD (V) 7.00 –25 20 35 50 65 80 95 AMBIENT TEMPERATURE (°C) 图22. 输入电流限值与环境温度的关系 图20. 快速充电CC模式电流与环境温度的关系 6.80 –40 1.6 1.5 ILIM = 1500mA 1.4 1.3 1.2 1.1 1.0 0.9 ILIM = 900mA 0.8 0.7 0.6 0.5 ILIM = 500mA 0.4 0.3 0.2 ILIM = 100mA 0.1 0 –40 –25 –10 5 图21. VINx过压阈值与环境温度的关系 Rev. C | Page 12 of 44 110 125 10544-022 ADP5061 ADP5061 典型波形 VISO_S VISO_S VVIN VVIN 4 IISO_B 4 1 3 2 IVIN 10544-023 2 IISO_B CH1 2.00V CH3 200mA CH2 200mA CH4 2.00V M1.00ms CH2 T 1.00000ms 10.0MS/s 100k points IVIN 10544-026 1 3 CH1 2.00V CH2 200mA 120mA CH3 200mA CH4 2.00V 图23. 充电启动，VVIN = 5.0 V，ILIM[3:0] = 0110(二进制)= 500 mA， ICHG[4:0] = 01110(二进制)= 750 mA M200.0µs CH2 T 0.00000s 50.0MS/s 100k points 216mA 图26. VBUS断开 VISO_S IISO_B 4 3 VISO_S 4 IISO_S 10544-027 IISO_S 2 10544-024 2 CH2 500mA CH4 50.0mV M1.00ms 10.0MS/s CH2 B W T 2.76000ms 100k points CH2 500mA CH3 500mA CH4 1.00V BW 760mA 图24. 负载瞬态响应，IISO_Sx 负载 = 300 mA至1500 mA至300 mA M1.00ms CH2 T 2.76000ms 10.0MS/s 100k points 550mA 图27. 负载瞬态响应，IISO_Sx 负载 = 300 mA至1500 mA至300 mA， EN_CHG = 高电平，ILIM[3:0] = 0110(二进制)= 500 mA VISO_S 2 1 VVIN 2 IISO_B VISO_B 3 IISO_B B W CH3 CH3 500mA BW M40.0µs CH4 500mA T 0.00000s 25.0MS/s 10k points 3 10544-028 CH1 200mV CH2 200mV 10544-025 4 IVIN 610mA 图25. 输入限流跃迁从100 mA到900 mA， ISO_Sx负载 = 66 Ω，充电 = 750 mA CH2 2.00V CH3 10.0mA BW M200ms T 0.00000s 5.00kS/s CH3 10k points 17.2mA 图28. 电池检测波形，VSYSTEM[2:0] = 000(二进制)= 4.3 V，无电池 Rev. C | Page 13 of 44 ADP5061 工作原理 工作模式小结 表7. ADP5061工作模式小结 模式名称 IC关闭，待机 IC关闭，挂起 LDO模式关闭， 隔离FET导通 LDO模式关闭， 隔离FET断开(系统关闭) LDO模式，充电器关闭 涓流充电模式 弱充电模式 快速充电模式 充电模式，无电池 充电模式， 电池(ISO_Bx)短路 1 电池条件 任何电池条件 涓流 充电 关 LDO FET 状态 关 电池隔离 FET 开/关 系统电压 ISO_Sx 电池电压或0 V 5V 5V 任何电池条件 任何电池条件 关 关 关 关 开 开 电池电压 电池电压 5V 任何电池条件 关 关 关 0V 禁用IC1 禁用LDO、 使能隔离FET 使能电池充电 5V 5V 5V 5V 5V 5V 任何电池条件 电池< V TRK_DEAD VTRK_DEAD ≤ 电池 < V WEAK 电池 ≥ VWEAK 开路 短路 关 开 开 关 关 开 LDO LDO CHG CHG LDO LDO 关 关 CHG CHG 关 关 5.0 V 5.0 V 3.8 V 3.8 V (最小值) 5.0 V 5.0 V 使能电池充电 使能电池充电 使能电池充电 使能电池充电 使能电池充电 使能电池充电 VINx 条件 0V 附加条件1 禁用IC1 详情参见表8。 表8. 工作模式控制 引脚配置 使能电池充电 等效I2C地址、 数据 0x07, D0 禁用IC1 0x07, D6 描述 低电平 = 禁用所有充电模式(快速、弱、涓流)。 高电平 = 使能所有充电模式(快速、弱、涓流)。 VINx1 LDO_FET ISO_FET 电源连接 否 关 开 是 CHG CHG 高电平 否2 关 开 是 关 开 低电平 = LDO使能。 高电平 = LDO禁用。此外，当EN_CHG = 低电平时， 电池隔离FET导通；当EN_CHG = 高电平时，电池隔离FET断开。 禁用IC1 低电平 禁用LDO、使能隔离FET 1 2 0x07, D3, D0 当禁用IC1模式有效且VINx电源已连接时，电源电压必须满足以下条件：VISO_Bx < VVINx < 5.5 V。 当禁用IC1模式有效时，LDO FET的后门不受控制。如果VINx引脚未连接，则VINx电压等于VISO_Bx − Vf (Vf = LDO FET体二极管的正向电压)。 Rev. C | Page 14 of 44 ADP5061 简介 最佳充电和USB合规性。USB充电器可在所有USB兼容电 ADP5061是一款完全可编程的I2C充电器，用于给单单元锂 源下正常工作，例如壁式充电器、主机充电器、集线器充 离子或锂聚合物电池充电，适合广泛的便携式应用。 电器、标准主机和集线器。 该线性充电器架构采用系统电源时，可提供最高2.1 A输出 处理器可以控制该USB充电器，利用I2C接口设置充电电流 电流和4.3 V至5.0 V(I2C可编程)输出电压；采用专用充电器 和多种其它参数，包括： 时，可向电池提供最高1.3 A充电电流。 • 涓流充电电流水平 ADP5061输入电压范围为4 V至6.7 V，最高可耐受20 V电压。 • 涓流充电电压阈值 此耐受度缓解了断开或连接时的USB总线尖峰问题。 • 弱充电(恒流)电流水平 ADP5061在线性充电器输出和电池间集成了内部FET。这 • 快速充电(恒压)电压水平(1%精度) • 快速充电(恒流)电流水平 一特性可提供电池隔离，使系统可在电池无电或无电池情 • 快速充电安全定时器周期 况下供电，从而直接通过USB电源执行系统功能。 • 看门狗安全定时器参数 ADP5061完全兼容USB 3.0以及USB电池充电规范1.2。ADP5061 • 弱电池阈值检测 可通过壁式充电器、汽车充电器或USB主机端口的mini • 充电完成阈值 USB VBUS引脚充电。根据外部USB检测器件检测到的USB • 再充电阈值 电源类型，ADP5061可设置为应用正确的电流限值，实现 • 充电使能/禁用 • 电池组温度检测和充电器自动关断 Rev. C | Page 15 of 44 ADP5061 E3 D3 C3 VIN1 ISO_S2 VIN2 VIN3 ISO_S3 + 6.85V B3 ISO_S1 HIGH VOLTAGE BLOCKING LDO-FET LDO-FET CONTROL – + VIN LIMIT CBP TRICKLE CURRENT SOURCE – 3MHz OSC ISO_B1 + VIN GOOD – E4 C4 B4 SCL CHARGE CONTROL SDA DIG_IO2 ISO_B2 ISO_B3 + – DIG_IO1 EOC I2C INTERFACE AND CONTROL LOGIC E1 D1 C1 CV-MODE RECHARGE + – DIG_IO3 WEAK BATTERY DETECTION SINK + – BATTERY: OPEN SHORT + – TRICKLE BAT_SNS 3.4V D4 1.9V BATTERY DETECTION – SYS_EN + A2 C3 BATTERY ISOLATION FET 3.9V A3 TO SYSTEM LOAD E3 – + A4 D3 VIN OVERVOLTAGE SYS_EN OUTPUT LOGIC + – VIN – 150mV BATTERY OVERVOLTAGE WARM NTC CURRENT CONTROL HOT THR 0.5V B2 NTC B1 SINGLE CELL Li-Ion 图29. 功能框图 Rev. C | Page 16 of 44 10544-029 THERMAL CONTROL COOL AGND ILED OUTPUT LOGIC COLD TSD 140°C WARNING 130°C ISOTHERMAL 115°C TSD DOWN 110°C ILED – A1 + TO USB VBUS OR WALL ADAPTER ADP5061 ADP5061具有多项用来优化充电和功能的重要特性，包括： 表9. DIG_IO1操作 • 通过热调节实现最高性能 DIG_IO1 0 1 • USB主机限流精度：±5%. • 终端电压精度：±1%. • 电池热敏电阻输入；当电池温度超过限值时，充电器自 动关断(符合JEITA锂离子电池充电温度规范)。 • 三个外部引脚(DIG_IO1、DIG_IO2和DIG_IO3)直接控 制多种参数。这些引脚支持工厂编程以提供最大的灵活 性。它们可以在工厂设置以下等功能： 功能 100 mA输入电流限值或I2C编程值 500 mA输入电流限值或I2C编程值 (或重新编程的非100 mA的I2C值) USB兼容性 ADP5061具有一个I2C可编程输入电流限值，用以确保符合 表10所列要求。限流默认值为100 mA，以便兼容未配置的 USB主机或集线器。 I2C寄存器默认值为100 mA。对ILIM位执行I2C写命令会覆盖 • 使能/禁用充电 DIG_IOx引脚，I2C寄存器默认值可根据其它要求重新编程。 • 100 mA或500 mA输入电流限值控制 • 1500 mA输入电流限值控制 使用输入限流特性时，可用输入电流可能太低而不能满足 • 电池充电电流控制 所 设 置 的 充 电 电 流 要 求 (I C H G )， 导 致 充 电 速 率 降 低 且 • 中断输出引脚 VIN_ILIM标志置1。 详情参见“数字输入和输出选项”部分。 将电压连接到VINx而电池侧没有适当的电平时，高压阻隔 机制将处于如下状态：仅吸取不到1 mA的电流，直至VIN 充电器模式 达到VIN_OK电平。 输入电流限值 VINx输入电流限值通过内部I2C ILIM位控制。输入电流限值 也可以通过DIG_IO1引脚控制(如果工厂设置如此)，如表9 ADP5061充电器通过单一连接器VINx引脚支持下列连接 (见表10)。 所示。I2C默认值(100 mA)的任何改变都优先于引脚设置。 表10. 输入电流与标准USB限值的兼容性 模式 USB (仅限中国) USB 2.0 USB 3.0 专用充电器 标准USB限值 100 mA限值：标准USB主机或集线器 300 mA限值：中国USB规范 100 mA限值：标准USB主机或集线器 500 mA限值：标准USB主机或集线器 150 mA限值：超高速USB 3.0主机或集线器 900 mA限值：超高速、高速USB主机或集线器充电器 1500 mA限值：专用充电器或低速/全速USB主机或 集线器充电器 Rev. C | Page 17 of 44 ADP5061 功能 100 mA输入电流限值或I2C编程值 300 mA输入电流限值或I2C编程值 100 mA输入电流限值或I2C编程值 500 mA输入电流限值或I2C编程值 150 mA输入电流限值或I2C编程值 900 mA输入电流限值或I2C编程值 1500 mA输入电流限值或I2C编程值 ADP5061 涓流充电模式 快速充电模式(恒流) 深度放电的锂离子电池电压可能非常低，以高电流速率对 当电池电压超过VTRK_DEAD和VWEAK时，充电器切换到快速充 其充电是不安全的。ADP5061充电器利用涓流充电模式复 电模式，利用恒定电流ICHG给电池充电。在快速充电模 位电池组保护电路，将电池电压提升到支持快速充电的安 式(恒流)下，CHARGER_STATUS位设为010。 全 水 平 。 电 压 低 于 V TRK_DEAD 的 单 元 利 用 涓 流 模 式 电 流 ITRK_DEAD充电。在涓流充电模式下，CHARGER_STATUS位 在恒流模式下，其它特性可能会阻止电流ICHG达到所编程 的全值。某些工作条件下，等温充电模式或USB兼容性要 设置。 求的输入电流限值可能会影响ICHG的值。当VISO_B < VISO_SFC 涓流充电期间，ISO_Sx节点通过LDO调节到VISO_STRK，电池 时，电池隔离FET调节ISO_Sx电压，使其保持VISO_SFC。 隔离FET断开，电池与系统电源隔离。 快速充电模式(恒压) 涓流充电模式定时器 随 着 电 池 充 电 ， 电 压 逐 渐 上 升 并 接 近 终 端 电 压 V TRM 。 涓流充电模式的持续时间会受到监控，确保电池从深度放 ADP5061充电器监控BAT_SNS引脚电压，决定何时应结束 电状态恢复。如果涓流充电模式持续时间超过60分钟，而 充电。然而，电池组的内部ESR，以及印刷电路板(PCB)和 电池电压仍未达到V TRK_DEAD ，则认为存在故障，充电停 其它寄生串联电阻，会在BAT_SNS引脚的检测点与电池终 止。CHARGER_STATUS位会设置故障状况，用户可以启 端之间产生一个压降。为补偿此压降并确保电池充电完 动“故障恢复”部分说明的故障恢复程序。 全，当在BAT_SNS引脚上检测到终端电压时，ADP5061进 入恒压充电模式。电池继续充电，ADP5061逐渐降低充电 弱充电模式(恒流) 当电池电压超过VTRK_DEAD但低于VWEAK时，充电器切换至中 间充电模式。 在弱充电模式下，电池电压非常低，无法使整个系统上电。 由于电池电量低，USB收发器无法上电，因而不能枚举以从 电流，使BAT_SNS引脚保持VTRM的电压。在快速充电模式 (恒压)下，CHARGER_STATUS寄存器设置。 快速充电模式定时器 快速充电模式的持续时间会受到监控，确保电池正确充 电。如果快速充电模式持续时间超过tCHG，而BAT_SNS引 USB主机获得更多电流。所以，USB限值仍然是100 mA。 系统微控制器可以通过充电器输出电压(VISO_SFC)供电，也 可以不通过它供电，具体取决于微控制器和/或系统架构需 脚 电 压 仍 未 达 到 V TRM ， 则 认 为 存 在 故 障 ， 充 电 停 止 。 CHARGER_STATUS位会设置故障状况，用户可以启动“故 障恢复”部分说明的故障恢复程序。 要的电流量。当ISO_Sx引脚为微控制器供电时，电池充电 电流(ICHG_WEAK)不能提高到20 mA以上以确保微控制器工作 (如果这样做)，ICHG_WEAK也不能提高到100 mA USB限值以 上。因此，电池充电电流应按照如下规则设置： • 通过线性涓流充电器支线设置默认值20 mA(以确保微处 如果快速充电模式持续时间超过tCHG，并且BAT_SNS引脚 电压已达到VTRM，但充电电流尚未降到IEND以下，充电也 会停止。这种情况下不会设置故障状况，如果再充电阈值 被突破，充电会正常恢复。 理器仍然活动，如果微处理器由主充电器输出ISO_Sx供 看门狗定时器 电)。主充电器输出ISO_Sx的任何残余电流都用于给电 ADP5061充电器具有可编程看门狗定时器功能，确保充电 池充电。 在处理器的控制之下进行。当ADP5061充电器判断处理器 • 在弱电流模式下，其它特性可能会阻止弱充电电流达到 应当工作时，也就是当处理器首次将RESET_WD位设为1 所编程的全值。某些工作条件下，等温充电模式或USB 或电池电压大于弱电池阈值VWEAK时，看门狗定时器开始 兼容性要求的输入电流限值可能会影响所编程的弱充电 运行。看门狗定时器触发后，它必须在看门狗定时器周期 电流值。弱充电期间，ISO_Sx节点由电池隔离FET调节 tWD内定期复位。 为VISO_SFC。 在充电器模式下，如果看门狗定时器超期未复位，ADP5061 充电器将认为存在软件问题，并触发安全定时器tSAFE。更 多信息参见“安全定时器”部分。 Rev. C | Page 18 of 44 ADP5061 安全定时器 防止充电的电池电压限值 在充电器模式下，如果看门狗定时器超期，ADP5061充电 ADP5061充电器的电池监控器可用来监控电池电压，并且 器会启动安全定时器tSAFE(参见“看门狗定时器”部分)。在充 在充电启动期间(通过EN_CHG或DIG_IO3使能)，当电池 电器启动安全定时器之前，如果处理器已经设置充电参 电压高于VCHG_VLIM(典型值3.7 V)时，防止充电。此功能可防 数，则ILIM被设为默认值。充电继续一定的时间tSAFE，然后 止半放电电池不必要地充电，从而延长锂离子电池的寿 充电器关闭并设置CHARGER_STATUS位。 命。当电池电压降至VCHG_VLIM以下时，充电自动开始，并 充电完成 继续走完整个充电周期，直至电池电压达到VTRM(典型值 在恒压快速充电模式下，ADP5061充电器会监控充电电 4.2 V)。 流。如果该电流降至IEND以下并持续tEND时间，充电将停 默认情况下，充电电压限值禁用，可以通过I2C寄存器0x08 止，CHDONE标志置1。如果充电电流降至IEND以下的持续 的位EN_CHG_VLIM使能。 时间少于tEND，然后再次升至IEND以上，则tEND定时器复位。 SYS_EN输出 再充电 ADP5061通过SYS_EN开漏FET使能系统，直到电池处于保 检测到充电完成且充电停止后，电池随着正常使用而放 证系统启动所需的最低电平为止。如果有最低电池电压和/ 电，ADP5061充电器会监控BAT_SNS引脚。如果BAT_SNS 或最低电池充电电平要求，SYS_EN的操作可以通过I2C编 引脚电压降至V RCH，充电器将再次开始充电。多数情况 程设置。SYS_EN操作可以通过工厂设置为表11所示的四种 下，触发再充电阈值会导致充电器直接进入快速充电恒压 不同工作条件。 模式。 表11. SYS_EN模式描述 再充电功能可通过I C禁用，但一个状态位(寄存器0x0C的 2 位D3)会告知系统需要一个再充电周期。 IC使能/禁用 SYS_EN 模式选择 00 IC可通过DIG_IO2数字输入引脚(如果工厂编程 01 如此)或I2C寄存器禁用。IC禁用时，所有内部控制电路均 10 ADP5061 禁用。禁用IC1选项还可以控制LDO FET和电池隔离FET的 状态。 必须注意，在禁用IC1模式下，VINx上的高压会通过内部 电源电压，因为所有内部控制电路都已禁用。VINx电源电 11 压必须满足以下条件： VISO_B < VINx < 5.5 V 指示器LED输出(ILED) ILED是指示器LED连接的开漏输出。或者，ILED输出也可 电池充电使能/禁用 将I C 2 EN_CHG位设为低电平，可以禁用ADP5061充电功 能。这种情况下，系统的LDO仍然工作，并且可以在I C中 2 设置为默认值或I2C编程的系统电压(4.3 V至5.0 V，详情参 见相关I2C寄存器描述)。 ADP5061充电功能也可以通过一个外部DIG_IOx引脚控制 (如果工厂编程如此)。I2C EN_CHG的任何改变都优先于引 脚设置。 描述 当LDO使能且系统电压可用时， SYS_EN激活。 SYS_EN由ISO_Bx电压激活， 电池充电模式。 当电池降至VWEAK以下时， SYS_EN激活且隔离FET禁用。 当VINx = 0 V且电池监控器通过寄存器 0x07的位D5 (EN_BMON)激活时， 此选项有效。 在LDO模式下，充电器禁用时， SYS_EN激活。 在充电模式下，当ISO_Bx ≥ VWEAK时， SYS_EN激活。 以用作微控制器的状态输出。指示器LED模式如表12所示。 表12. 指示器LED工作模式 ADP5061模式 IC关闭 LDO模式关闭 LDO模式开启 充电模式 定时器错误(tTRK、tCHG、tSAFE) 过温(TSD) Rev. C | Page 19 of 44 ILED模式 关 关 关 连续开启 闪烁 闪烁 开/关时间 167 ms/833 ms 1 sec/1 sec ADP5061 热管理 电池隔离FET 等温充电 ADP5061充电器集成了一个电池隔离FET，用于电源路径 ADP5061内置一个热反馈环路，当芯片温度超过TLIM(典型 控制。在涓流和快速充电模式下，电池隔离FET会将深度 值115°C)时，它会限制充电电流。当片内功耗和芯片温度 放电的锂离子电池与系统电源隔离，以便系统在所有时候 提高时，充电电流自动降低，以将芯片温度保持在推荐范 都能上电。 围以内。当芯片温度因为片内功耗或环境温度降低而降低 时，充电电流回到编程水平。等温充电期间，THERM_LIM 当VINx低于VVIN_OK时，电池隔离FET处于完全导通模式。 I2C标志设为高电平。 在涓流充电模式下，电池隔离FET断开。当电池电压超过 此热反馈控制环路允许用户根据典型情况(而非最差情况) 电 压 调 节 模 式 下 ， 电 池 隔 离 FET维 持 ISO_Sx引 脚 上 的 设置充电电流。 ADP5061不含用来限制LDO模式下ISO_Sx负载电流的热反 馈环路。如果LDO模式下的片内功耗导致芯片温度超过 130°C，就会产生一个中断。如果芯片温度继续提高到 140°C以上，器件即进入热关断状态。 VTRK时，电池隔离FET切换到系统电压调节模式。在系统 VISO_SFC电压。当电池电压超过VISO_SFC时，电池隔离FET处 于完全导通模式。 电池隔离FET辅助电池来支持系统电源的高电流功能。当 ISO_Sx上的电压降至ISO_Bx以下时，电池隔离FET进入完 全导通模式。当ISO_Sx上的电压升至ISO_Bx以上时，隔离 热关断和热预警 FET进入调节模式或完全导通模式，具体取决于锂离子电 ADP5061充电器具有一个热关断阈值检测器。如果芯片温 池电压和线性充电器模式。 度超过TSD，ADP5061充电器就会禁用，TSD 140°C位设为1。 电池检测 当芯片温度降至TSD下降限值以下时，ADP5061充电器可以 重新使能，TSD 140°C位复位。要复位TSD 140°C位，应写 入I2C故障寄存器0x0D或进行周期供电。 电池电压电平检测 ADP5061充电器具有电池检测机制，可以检测电池是否存 在。充电器主动吸入和流出电流到ISO_Bx/BAT_SNS节 芯片温度达到TSD之前，如果超过TSDL，预警位就会置1。 点，并检测电压与时间的关系。吸电流阶段用于检测充电 这样，系统可以在热关断发生前调整功耗。 电池，源电流阶段用于检测放电电池。 故障恢复 吸电流阶段(见图30)从ISO_Bx/BAT_SNS引脚吸入ISINK电流， 执行以下操作之前，必须确保故障的原因已被消除。 持续时间为tBATOK。当tBATOK定时器到期时，如果BAT_SNS引 要使充电器从故障(CHARGER_STATUS = 110)中恢复，应 脚低于VBATL，则充电器认为电池不存在，并开始源电流阶 对VINx周期供电，或者写入高电平以复位故障寄存器中的 I2C故障位。 段。当tBATOK定时器到期时，如果BAT_SNS超过VBATL电压， 则充电器认为电池存在，并开始新的充电周期。 源电流阶段将ISOURCE电流提供给ISO_Bx和BAT_SNS引脚， 持续时间为tBATOK。在tBATOK定时器到期前，如果BAT_SNS 引脚超过VBATH，则充电器认为电池不存在。当tBATOK定时 器到期时，如果BAT_SNS未超过VBATH电压，则充电器认为 电池存在，并开始新的充电周期。 Rev. C | Page 20 of 44 ADP5061 SOURCE PHASE VBATL LOGIC STATUS tBAT_OK VBATH ISOURCE SINK PHASE LOGIC STATUS tBAT_OK OPEN OR SHORT OPEN ISO_Bx 10544-030 OPEN OPEN ISINK ISO_Bx 图30. 吸电流阶段 ISO_Bx SHORT OR LOW BATTERY tBAT_SHR SHORT ISO_Bx 10544-031 tBAT_OK LOGIC STATUS SHORT OPEN OR SHORT SHORT SHORT ISINK tBAT_OK LOGIC STATUS ISOURCE LOGIC STATUS ISO_Bx TRICKLE CHARGE VBAT_SHR SOURCE PHASE VBATH VBATL ITRK_DEAD SINK PHASE 图31. 涓流充电 电池(ISO_Bx)短路检测 使用表13所示的条件，电池组温度检测可以通过I2C控制。 电池短路发生在电池受损或电池保护电路使能时。 注意，EN_THR(寄存器0x07)的I2C寄存器默认设置为0，即 开始涓流充电时，ADP5061充电器监控电池电压。在规定 的超时期间tBAT_SHR内，如果此电池电压未超过VBAT_SHR，则 说明发生故障，电池隔离FET断开，充电器停止，但系统 电压仍由线性调节器维持在VISO_STRK。 经过源电流阶段之后，如果ISO_Bx或BAT_SNS电平仍然低 于VBATH，则说明电池电压很低或电池节点可能短路。由于 温度检测关闭。 表13. THR输入功能 条件 VINx 开路或VIN = 0 V至4.0 V 开路或VIN = 0 V至4.0 V 4.0 V至6.7 V VISO_B 无关 THR功能 关闭 关闭，由I2C控制 始终开启 电池电压很低，因此启动涓流充电模式(见图31)。经过 如果电池组热敏电阻未直接连到THR引脚，则必须在THR tBAT_SHR时间后，如果BAT_SNS电平仍然低于VBAT_SHR，则 输入与GND之间连接一个10 kΩ(容差±20%)伪电阻。THR ADP5061认为电池节点短路。 引脚保持开路会导致误检测电池温度低于0°C，并且禁用 在电池短路情况下，涓流充电支线有效，涓流充电电流 充电。 会被提供给电池，直到60分钟后涓流充电模式定时器到 ADP5061充电器监控THR引脚的电压，如果电流超出0°C 期为止。 以下或60°C以上的范围，则暂停充电。 电池组温度检测 ADP5061充电器配合电池组中标称室温值为10 kΩ或100 kΩ 电池热敏电阻输入 (25°C时)的NTC热敏电阻使用，该值由工厂编程选择。 ADP5061充电器具有电池组温度检测功能，当电池组温度 ADP5061充电器配合电池组中具有温度系数曲线(β)的NTC 超过额定范围时，它会阻止充电。THR引脚提供一个开关 热敏电阻使用。工厂编程支持8种β曲线，涵盖3150至4400 电流源，应将其直接连到电池组热敏电阻端子。THR电流 的范围(见表44)。 源的激活间隔时间为167 ms。 Rev. C | Page 21 of 44 ADP5061 JEITA锂离子电池充电规格 I2C中选择。或者，JEITA1或JEITA2也可以由工厂编程设置 ADP5061符合表14和表16所列的JEITA1和JEITA2锂离子电 为默认使能。 池充电温度规格。 当ADP5061发现热或冷电池状况时，它会采取如下措施： JEITA功能可通过I C接口使能，JEITA1或JEITA2功能可在 2 • 停止给电池充电。 • 连接或使能电池隔离FET，使得ADP5061继续在LDO模 式下工作。 表14. JEITA1规格 参数 JEITA1冷温度限值 JEITA1凉温度限值 JEITA1典型温度限值 符号 IJEITA_COLD IJEITA_COOL IJEITA_TYP 条件 未发生电池充电 电池充电发生在编程值的大约50%；具体充电电流降幅参见表15 正常电池充电发生在默认值/编程值 JEITA1暖温度限值 JEITA1热温度限值 IJEITA_WARM IJEITA_HOT 电池终端电压(VTRM)降低到编程值以下100 mV 未发生电池充电 最小值 最大值 0 0 10 10 45 45 60 60 单位 °C °C °C °C °C 表15. JEITA1降低充电电流电平，电池冷温度 ICHG[4:0] (默认值) 00000 = 50 mA 00001 = 100 mA 00010 = 150 mA 00011 = 200 mA 00100 = 250 mA 00101 = 300 mA 00110 = 350 mA 00111 = 400 mA 01000 = 450 mA 01001 = 500 mA 01010 = 550 mA 01011 = 600 mA ICHG JEITA1 50 mA 50 mA 50 mA 100 mA 100 mA 150 mA 150 mA 200 mA 200 mA 250 mA 250 mA 300 mA ICHG[4:0] (默认值) 01100 = 650 mA 01101 = 700 mA 01110 = 750 mA 01111 = 800 mA 10000 = 850 mA 10001 = 900 mA 10010 = 950 mA 10011 = 1000 mA 10100 = 1050 mA 10101 = 1100 mA 10110 = 1200 mA 10111 = 1300 mA ICHG JEITA1 300 mA 350 mA 350 mA 400 mA 400 mA 450 mA 450 mA 500 mA 500 mA 550 mA 600 mA 650 mA 表16. JEITA2规格 参数 JEITA2冷温度限值 JEITA2凉温度限值 符号 IJEITA_COLD IJEITA_COOL 条件 未发生电池充电 电池终端电压(VTRM)降低到编程值以下100 mV JEITA2典型温度限值 IJEITA_TYP 正常电池充电发生在默认值/编程值 10 45 °C JEITA2暖温度限值 JEITA2热温度限值 IJEITA_WARM IJEITA_HOT 电池终端电压(VTRM)降低到编程值以下100 mV 未发生电池充电 45 60 60 °C °C Rev. C | Page 22 of 44 最小值 最大值 单位 0 °C 0 10 °C ADP5061 POWER-ON RESET RESET ALL REGISTERS NO NO IC OFF VINOK SYSTEM OFF YES ENABLE CHARGER NO ENABLE LDO YES ENABLE CHARGER LDO MODE NO YES LOW BATTERY CHG YES VBAT_SNS < VCHG_VLIM NO YES NO TO CHARGING-MODE 图32. 电池和VIN连接简化流程图 Rev. C | Page 23 of 44 10544-032 YES ADP5061 TO CHARGING MODE TO IC OFF YES RUN BATTERY DETECTION tSTART EXPIRED YES VBAT_SNS < VTRK TRICKLE CHARGE NO POWER-DOWN FAST CHARGE NO VINOK VINOK YES NO IVIN < ILIM NO IBUSLIM = HIGH IVIN = ILIM NO THERMLIM = HIGH TEMP = TLIM YES YES YES NO YES VBAT_SNS < VTRK WATCHDOG EXPIRED START tSAFE IBUS = 100 mA NO tWD EXPIRED TEMP < TLIM NO YES TFAULT OR BAD BATTERY YES tSAFE OR tTRK EXPIRED tWD EXPIRED YES NO WATCHDOG EXPIRED START tSAFE IBUS = 100 mA NO tSAFE OR tCHG YES1 EXPIRED NO RUN BATTERY DETECTION VBAT_SNS = VTRM YES NO CC MODE CHARGING NO CV MODE CHARGING CHARGE COMPLETE YES IOUT < IEND 图33. 充电模式简化流程图 Rev. C | Page 24 of 44 10544-033 YES VBAT_SNS = VRCH NO TFAULT OR BAD BATTERY 1SEE TIMER SPECS ADP5061 I2C接口 器的I 2 C写序列示例参见图34)。ADP5061自动递增子地 ADP5061具有一个I2C兼容串行接口，用于控制充电和LDO 址，并在下一个寄存器开始接收数据字节，直到主机发送 功能，以及回读系统状态寄存器。I C芯片地址是0x28(写 I2C停止命令，如图35所示。 模式)和0x29(读模式)。 图36显示了对单个寄存器的I2C读序列。ADP5061从子地 2 址表示的寄存器发送数据，然后自动递增子地址，发送下 当VINx电源降至VVIN_OK下降电压阈值以下时，寄存器值复 一个寄存器的数据，直到主机发送I2C停止命令，如图37 位到默认值。电池断开且VIN为0 V时，I C寄存器也会复位。 2 所示。 子地址部分选择首先要写入ADP5061的哪一个寄存器。写 入8位数据字节后，ADP5061向主机发送应答(对单个寄存 MASTER STOP 0 = WRITE 0 1 0 CHIP ADDRESS 0 0 0 0 SUBADDRESS 0 SP ADP5061 RECEIVES DATA 10544-034 1 ADP5061 ACK 0 ADP5061 ACK 0 ADP5061 ACK ST 图34. 单个寄存器的I 2C写序列 MASTER STOP 0 = WRITE 0 0 0 0 CHIP ADDRESS 0 SUBADDRESS REGISTER N 0 0 ADP5061 RECEIVES DATA TO REGISTER N ADP5061 RECEIVES DATA TO REGISTER N + 1 0 SP ADP5061 RECEIVES DATA TO LAST REGISTER 10544-035 1 ADP5061 ACK 0 ADP5061 ACK 1 ADP5061 ACK 0 ADP5061 ACK 0 ADP5061 ACK ST 图35. 多个寄存器的I 2C写序列 SUBADDRESS CHIP ADDRESS ADP5061 ACK ADP5061 ACK CHIP ADDRESS 0 0 1 SP MASTER ACK 0 ST 0 0 1 0 1 0 0 1 0 1 0 1 0 0 0 0 ADP5061 ACK ST 0 MASTER STOP 1 = READ ADP5061 SENDS DATA 10544-036 0 = WRITE 图36. 单个寄存器的I 2C读序列 图37. 多个寄存器的I 2C读序列 Rev. C | Page 25 of 44 ADP5061 SENDS DATA OF LAST REGISTER 10544-037 ADP5061 SENDS DATA OF REGISTER N+1 1 SP MASTER ACK ADP5061 SENDS DATA OF REGISTER N MASTER ACK CHIP ADDRESS 0 0 MASTER ACK SUBADDRESS REGISTER N ADP5061 ACK CHIP ADDRESS ADP5061 ACK 0 ST 0 0 1 0 1 0 0 1 0 0 1 0 1 0 0 0 0 ADP5061 ACK ST 0 0 MASTER STOP 1 = READ 0 = WRITE ADP5061 I2C寄存器映射 编程选项详情参见“工厂可编程选项”部分。注意，空白单元表示不使用的位。 表17. I2C寄存器映射 寄存器 地址 名称 0x00 制造商 和型号 ID 0x01 芯片 版本 0x02 VINx引脚 设置 0x03 终端 设置 0x04 充电 电流 0x05 电压 阈值 0x06 定时器 设置 0x07 功能 设置1 0x08 功能 设置2 0x09 中断 使能 0x0A 中断 激活 0x0B 充电器 状态1 0x0C 充电器 状态2 0x0D 故障 寄存器 0x10 电池 短路 0x11 IEND D7 MANUF D6 D5 D4 D3 Model D2 D1 D0 REV ILIM 1 VTRM1, 2 CHG_VLIM[1:0] 1, 2 ICHG1, 2 ITRK_DEAD1 DIS_RCH1, 3 VRCH1 VWEAK1 EN_TEND1 EN_CHG_TIMER1 CHG_TMR_PERIOD1 EN_WD1, 3 EN_BMON1 EN_THR1 EN_CHG_VLIM1, 3 IDEAL_DIODE[1:0]1, 3 VSYSTEM[2:0]1, 3 EN_THERM_LIM_INT EN_WD_INT EN_TSD_INT EN_THR_INT EN_BAT_INT EN_CHG_INT EN_VIN_INT THERM_LIM_INT WD_INT TSD_INT THR_INT BAT_INT VIN_OK VIN_ILIM THERM_LIM CHDONE CHARGER_STATUS RCH_LIM_INFO BATTERY_STATUS DIS_IC11 EN_JEITA1, 3 JEITA_SELECT1, 3 VIN_OV VTRK_DEAD1, 3 THR_STATUS DIS_LDO1 EN_EOC1 BAT_SHR1 TBAT_SHR1 IEND1, 3 WD_PERIOD1 RESET_WD EN_CHG1 CHG_INT TSD 130°C1 VBAT_SHR1 C/20 EOC1 当VINx连接或断开时，这些位复位到默认I2C值。 这些位的默认I2C值可部分通过工厂编程。 3 这些位的默认I2C值可全部通过工厂编程。 1 2 Rev. C | Page 26 of 44 C/10 EOC1 C/5 EOC1 SYS_EN_SET1, 3 VIN_INT TSD 140°C1 ADP5061 寄存器位功能描述 表18至表33使用到以下缩写：R表示只读，W表示只写，R/W表示读/写，N/A表示不适用。 表18. 制造商和型号ID(寄存器地址0x00) 位号 [7:4] [3:0] 位的名称 MANUF[3:0] MODEL[3:0] 访问类型 R R 默认值 0001 1001 描述 4位制造商标识总线 4位型号标识总线 默认值 描述 0100 4位芯片版本标识总线 默认值 描述 0 0000 = 100 mA 保留供未来使用 VINx输入限流编程总线。 VINx的输入电流限值可以设置为如下选项： 0000 = 100 mA. 0001 = 150 mA. 0010 = 200 mA. 0011 = 250 mA. 0100 = 300 mA. 0101 = 400 mA. 0110 = 500 mA. 0111 = 600 mA. 1000 = 700 mA. 1001 = 800 mA. 1010 = 900 mA. 1011 = 1000 mA. 1100 = 1200 mA. 1101 = 1500 mA. 1110 = 1800 mA. 1111 = 2100 mA. 表19. 芯片版本寄存器(寄存器地址0x01) 位号 [7:4] [3:0] 位的名称 不用 REV[3:0] 访问类型 R R 表20. VINx设置寄存器(寄存器地址0x02) 位号 [7:5] 4 [3:0] 位的名称 不用 RFU ILIM[3:0] 访问类型 R R/W R/W Rev. C | Page 27 of 44 ADP5061 表21. 终端设置(寄存器地址0x03) 位号 [7:2] 位的名称 VTRM[5:0] 访问类型 R/W 默认值 100011 = 4.20 V [1:0] CHG_VLIM[1:0] R/W 00 = 3.2 V 描述 终端电压编程总线。 悬空电压的值可以设置为如下选项： 001111 = 3.80 V. 010000 = 3.82 V. 010001 = 3.84 V. 010010 = 3.86 V. 010011 = 3.88 V. 010100 = 3.90 V. 010101 = 3.92 V. 010110 = 3.94 V. 010111 = 3.96 V. 011000 = 3.98 V. 011001 = 4.00 V. 011010 = 4.02 V. 011011 = 4.04 V. 011100 = 4.06 V. 011101 = 4.08 V. 011110 = 4.10 V. 011111 = 4.12 V. 100000 = 4.14 V. 100001 = 4.16 V. 100010 = 4.18 V. 100011 = 4.20 V. 100100 = 4.22 V. 100101 = 4.24 V. 100110 = 4.26 V. 100111 = 4.28 V. 101000 = 4.30 V. 101001 = 4.32 V. 101010 = 4.34 V. 101011 = 4.36 V. 101100 = 4.38 V. 101101 = 4.40 V. 101110 = 4.42 V. 101111 = 4.44 V. 110000 = 4.44 V. 110001 = 4.46 V. 110010 = 4.48 V. 110011 to 111111 = 4.50 V. 充电电压限值编程总线。 充电电压的限值可以设置为如下选项： 00 = 3.2 V. 01 = 3.4 V. 10 = 3.7 V. 11 = 3.8 V. Rev. C | Page 28 of 44 ADP5061 表22. 充电电流设置(寄存器地址0x04) 位号 7 [6:2] 位的名称 不用 ICHG[4:0] 访问类型 R R/W 默认值 描述 特定型号的 默认值参见表39 [1:0] ITRK_DEAD[1:0] R/W 10 = 20 mA 快速充电电流编程总线。 恒流充电的值可以设置为如下选项： 00000 = 50 mA. 00001 = 100 mA. 00010 = 150 mA. 00011 = 200 mA. 00100 = 250 mA. 00101 = 300 mA. 00110 = 350 mA. 00111 = 400 mA. 01000 = 450 mA. 01001 = 500 mA. 01010 = 550 mA. 01011 = 600 mA. 01100 = 650 mA. 01101 = 700 mA. 01110 = 750 mA. 01111 = 800 mA. 10000 = 850 mA. 10001 = 900 mA. 10010 = 950 mA. 10011 = 1000 mA. 10100 = 1050 mA. 10101 = 1100 mA. 10110 = 1200 mA. 10111 to 11111 = 1300 mA. 涓流和弱充电电流编程总线。 涓流和弱充电电流的值可以设置为如下选项： 00 = 5 mA. 01 = 10 mA. 10 = 20 mA. 11 = 80 mA. 表23. 电压阈值(地址0x05) 位号 7 位的名称 DIS_RCH 访问类型 R/W 默认值 0 = 再充电使能 描述 0 = 再充电使能。 1 = 再充电禁用。 [6:5] VRCH[1:0] R/W 11 = 260 mV 再充电电压编程总线。 再充电阈值可以设置为如下选项 (注意，再充电周期可以在I2C中通过DIS_RCH位禁用)： 00 = 80 mV. 01 = 140 mV. 10 = 200 mV. 11 = 260 mV. Rev. C | Page 29 of 44 ADP5061 位号 [4:3] [2:0] 位的名称 VTRK_DEAD[1:0] VWEAK[2:0] 访问类型 R/W R/W 默认值 01 = 2.5 V 011 = 3.0 V 描述 无电电池涓流至快速充电电压编程总线。 涓流至快速充电阈值可以设置为如下选项： 00 = 2.0 V. 01 = 2.5 V. 10 = 2.6 V. 11 = 2.9 V. 弱电池电压上升阈值。 000 = 2.7 V. 001 = 2.8 V. 010 = 2.9 V. 011 = 3.0 V. 100 = 3.1 V. 101 = 3.2 V. 110 = 3.3 V. 111 = 3.4 V. 表24. 定时器设置(寄存器地址0x06) 位号 [7:6] 5 位的名称 不用 EN_TEND 访问类型 默认值 描述 R/W 1 4 EN_CHG_TIMER R/W 1 3 CHG_TMR_PERIOD R/W 1 2 EN_WD R/W 0 1 WD_PERIOD R/W 0 0 RESET_WD W 0 0 = 充电完成定时器tEND禁用。 31 ms去毛刺定时器仍然开启。 1 = 充电完成定时器使能。 0 = 涓流/快速充电定时器禁用。 1 = 涓流/快速充电定时器使能。 涓流和快速充电定时器周期。 0 = 30秒涓流充电定时器和300分钟快速充电定时器。 1 = 60秒涓流充电定时器和600分钟快速充电定时器。 0 = 看门狗定时器禁用，即使BAT_SNS超过VDEAD。 1 = 看门狗定时器安全定时器使能。 看门狗安全定时器周期。 0 = 32秒看门狗定时器和40分钟安全定时器。 1 = 64秒看门狗定时器和40分钟安全定时器。 当RESET_WD被I2C设为逻辑高电平时， 看门狗安全定时器复位。 表25. 功能设置1(寄存器地址0x07) 位号 7 6 位的名称 不用 DIS_IC1 访问类型 默认值 描述 R/W 0 0 = 正常工作。 1 = ADP5061禁用，VVIN必须满足以下条件：VISO_B < VVIN < 5.5 V。 5 EN_BMON R/W 0 4 EN_THR R/W 0 3 DIS_LDO R/W 0 0 = 当VVIN < VVIN_OK时，电池监控器禁用。 当VVIN = 4.0 V至6.7 V，无论EN_BMON状态如何， 电池监控器均使能。 1 = 电池监控器使能，即使VINx引脚的电压低于VVIN_OK。 0 = 当VVIN < VVIN_OK时，THR电流源禁用。 当VVIN = 4.0 V至6.7 V，无论EN_THR状态如何， THR电流源均使能。 1 = THR电流源使能，即使VINx引脚的电压低于VVIN_OK。 0 = LDO使能。 1 = LDO禁用。此外，如果EN_CHG = 低电平，则电池隔离 FET导通。如果EN_CHG = 高电平，则电池隔离FET断开。 Rev. C | Page 30 of 44 ADP5061 位号 2 位的名称 EN_EOC 访问类型 R/W 默认值 1 描述 0 = 不允许充电结束 1 = 允许充电结束 1 0 不用 EN_CHG R/W 0 0 = 电池充电禁用 1 = 电池充电使能 表26. 功能设置2(寄存器地址0x08) 位号 7 位的名称 EN_JEITA 访问类型 R/W 默认值 0 = JEITA禁用 描述 0 = JEITA锂离子温度电池充电合规性禁用 1 = JEITA合规性使能 6 JEITA_SELECT R/W 0 = JEITA1 0 = 选择JEITA1 1 = 选择JEITA2 5 EN_CHG_VLIM R/W 0 [4:3] IDEAL_DIODE[1:0] R/W 00 [2:0] VSYSTEM[2:0] R/W 特定模式的 默认值参见表42 0 = 充电电压限值禁用 1 = 电压限值使能。充电器阻止充电， 直到电池电压降至VCHG_VLIM阈值以下。 00 = 当VISO_S < VISO_B时，理想二极管始终工作。 01 = 当VISO_S < VISO_B且VBAT_SNS > VWEAK时，理想二极管工作。 10 = 理想二极管禁用。 11 = 理想二极管禁用。 系统电压编程总线。 系统电压的值可以设置为如下选项： 000 = 4.3 V. 001 = 4.4 V. 010 = 4.5 V. 011 = 4.6 V. 100 = 4.7 V. 101 = 4.8 V. 110 = 4.9 V. 111 = 5.0 V. 表27. 中断使能寄存器(寄存器地址0x09) 位号 7 6 引脚名称 不用 EN_THERM_LIM_INT 访问类型 默认值 描述 R/W 0 5 EN_WD_INT R/W 0 4 EN_TSD_INT R/W 0 3 EN_THR_INT R/W 0 2 EN_BAT_INT R/W 0 1 EN_CHG_INT R/W 0 0 EN_VIN_INT R/W 0 0 = 等温充电中断禁用 1 = 等温充电中断使能 0 = 看门狗报警中断禁用 1 = 看门狗报警中断使能 0 = 过温中断禁用 1 = 过温中断使能 0 = THR温度阈值中断禁用 1 = THR温度阈值中断使能 0 = 电池电压阈值中断禁用 1 = 电池电压阈值中断使能 0 = 充电器模式改变中断禁用 1 = 充电器模式改变中断使能 0 = VINx引脚电压阈值中断禁用 1 = VINx引脚电压阈值中断使能 Rev. C | Page 31 of 44 ADP5061 表28. 中断有效寄存器(寄存器地址0x0A) 位号 7 6 5 引脚名称 不用 THERM_LIM_INT WD_INT 访问类型 默认值 描述 R R 0 0 1 = 表示等温充电引起的中断。 1 = 表示看门狗报警引起的中断。 看门狗定时器超时时间为2秒或4秒， 取决于看门狗定时器设置是32秒还是64秒。 4 TSD_INT R 0 1 = 表示过温故障引起的中断。 3 THR_INT R 0 1 = 表示THR温度阈值引起的中断。 2 BAT_INT R 0 1 = 表示电池电压阈值引起的中断。 1 0 CHG_INT VIN_INT R R 0 0 1 = 表示充电器模式改变引起的中断。 1 = 表示VIN电压阈值引起的中断。 描述 1 = 表示VINx引脚的电压超过VVIN_OV。 1 = 表示VINx引脚的电压超过VVIN_OK。 1 = 表示VINx引脚的输入电流受高压阻隔FET的限制， 充电器不是以所编程的全ICHG值工作。 1 = 表示充电器不是以所编程的全ICHG值工作， 而是受芯片温度的限制。 1 = 表示已达到充电周期末尾。此位锁存在高电平， 因为当VRCH阈值被突破时，它不会复位到低电平。 表29. 充电器状态寄存器1(寄存器地址0x0B) 位号 7 6 5 名称 VIN_OV VIN_OK VIN_ILIM 访问类型 R R R 默认值 N/A N/A N/A 4 THERM_LIM R N/A 3 CHDONE R N/A [2:0] CHARGER_STATUS[2:0] R N/A 充电器状态总线。 000 = 关闭 001 = 涓流充电 010 = 快速充电(CC模式) 011 = 快速充电(CV模式) 100 = 充电完成 101 = LDO模式 110 = 涓流或快速充电定时器到期 111 = 电池检测 Rev. C | Page 32 of 44 ADP5061 表30. 充电器状态寄存器2(寄存器地址0x0C) 位号 [7:5] 名称 THR_STATUS[2:0] 访问类型 默认值 R N/A 4 3 不用 RCH_LIM_INFO R R 2:0 BATTERY_STATUS[2:0] R 描述 THR引脚状态 000 = 关闭 001 = 电池冷 010 = 电池凉 011 = 电池暖 100 = 电池热 111 = 热敏电阻正常 N/A N/A 当DIS_RCH为逻辑高电平且CHARGER_STATUS[2:0] = 100 (二进制)时，再充电限制信息功能激活。该状态位告知 系统需要一个再充电周期。 0 = VBAT_SNS > VRCH. 1 = VBAT_SNS < VRCH. 电池状态总线。 000 = 电池监控器关闭 001 = 无电池 010 = VBAT_SNS < VTRK. 011 = VTRK ≤ VBAT_SNS < VWEAK. 100 = VBAT_SNS ≥ VWEAK. 表31. 故障寄存器1(寄存器地址0x0D) 位号 [7:4] 3 2 1 0 1 名称 不用 BAT_SHR 不用 TSD 130°C TSD 140°C 访问类型 默认值 R/W R/W R/W R/W 描述 0 1 = 表示检测到电池短路 0 0 1 = 表示过温(较低)故障 1 = 表示过温故障 要复位故障寄存器中的故障位，应对VINx周期供电或写入高电平到相应的I2C位。 表32. 电池短路(寄存器地址0x10) 位号 [7:5] 名称 TBAT_SHR[2:0] [4:3] [2:0] 不用 VBAT_SHR[2:0] 访问类型 默认值 R/W 100 = 30 sec R/W R/W 100 = 2.4 V 描述 电池短路超时定时器。 000 = 1 sec. 001 = 2 sec. 010 = 4 sec. 011 = 10 sec. 100 = 30 sec. 101 = 60 sec. 110 = 120 sec. 111 = 180 sec. 电池短路电压阈值。 000 = 2.0 V. 001 = 2.1 V. 010 = 2.2 V. 011 = 2.3 V. 100 = 2.4 V. 101 = 2.5 V. 110 = 2.6 V. 111 = 2.7 V. Rev. C | Page 33 of 44 ADP5061 表33. IEND寄存器(寄存器地址0x11) 位号 [7:5] 名称 IEND[2:0] 4 C/20 EOC R/W 0 3 C/10 EOC R/W 0 2 C/5 EOC R/W 0 1:0 SYS_EN_SET[1:0] R/W 00 1 访问类型 默认值 R/W 特定型号的 默认值参见 表40 描述 终端输出编程总线。 终端电流的值可以设置为如下选项： 000 = 12.5 mA. 001 = 32.5 mA. 010 = 52.5 mA. 011 = 72.5 mA. 100 = 92.5 mA. 101 = 117.5 mA. 110 = 142.5 mA. 111 = 170.0 mA. C/20 EOC位优先于其它设置(C/10 EOC、C/5 EOC和IEND)。 1 = 终端电流为ICHG/20，但具有以下限制： 最小值 = 12.5 mA 最大值 = 170 mA C/10 EOC位优先于其它终端电流设置(IEND)，但不优先于C/20 EOC设置。 1 = 终端电流为ICHG/10，除非C/20 EOC为高电平。终端电流具有以下限值： 最小值 = 12.5 mA 最大值 = 170 mA C/5位优先于其它终端电流设置(IEND)，但不优先于C/20 EOC设置和 C/10 EOC设置。1 = 终端电流为ICHG/5，除非C/20或C/10 EOC为高电 平。终端电流具有以下限值： 最小值 = 12.5 mA 最大值 = 170 mA 选择系统使能引脚(SYS_EN)的工作模式。 00 = 当LDO使能且系统电压可用时，SYS_EN激活。 01 = SYS_EN由ISO_Bx电压激活，电池充电模式。 10 = 当电池降至VWEAK以下时，SYS_EN激活且隔离FET禁用。1 11 = 在LDO模式下，充电器禁用时，SYS_EN激活。在充电模式下， 当VISO_B ≥ VWEAK时，SYS_EN激活。 当VINx = 0 V且电池监控器通过寄存器0x07的位D5 (EN_BMON)激活时，此选项有效。 Rev. C | Page 34 of 44 ADP5061 应用信息 将这些值代入公式得出 外部器件 ISO_Sx (VOUT)电容选择 CEFF 为使ADP5061安全稳定地工作，任何时候ISO_Sx电容和系 统电容的总有效容值不得低于20 µF，且不得超过100 µF。 为了保证充电器在各种工作模式(包括涓流充电、恒流充电 选择电容值时，考虑由输出电压直流偏置所引起的电容损 置、温度和容差对电容性能的影响。 耗也非常重要。陶瓷电容由各种电介质制成，温度和所施 和恒压充电)下的性能，必须针对每一种应用来评估直流偏 加的电压不同，其特性也不相同。电容必须具有足以在必 ISO_Sx电容拆分 要的温度范围和直流偏置条件下确保最小电容的电介质。 许多应用中，ISO_Sx总容值由多个电容构成。系统电压节 建议使用电压额定值为6.3 V或更高的X5R或X7R电介质，以 点(ISO_Sx)通常为单个调节器或多个IC及调节器供电，每 实 现 最 佳 性 能 。 建 议 不 要 将 Y5V和 Z5U电 介 质 与 任 何 个器件均要求在输入附近放置一个电容(见图39)。 DC-DC转换器一起使用，因为这类电介质的温度和直流偏 靠近ADP5061 ISO_Sx输出端的电容至少应为10 µF，同时任 置性能较差。 何时候的总有效电容至少应为20 µF。 考虑电容随温度变化、元件容差和电压时，最差条件电容 ISO_Sx 可通过以下公式计算： ADP5061 CIN1 ISO_Bx CEFF = COUT × (1 − TEMPCO) × (1 − TOL) VIN1 CISO_S ≥10µF 其中： CEFF是工作电压下的有效电容量。 + TEMPCO为最差的电容温度系数。 SUM OF EFFECTIVE CAPACITANCES ON ISO_Sx NODE ≥ 20µF CISO_B ≥10µF VIN2 TOL为最差的元件容差。 差条件温度系数(TEMPCO)为15%。假定电容容差(TOL)为 20%，COUT在5.0 V下为30.4 μF，如图38所示。 IC2 10544-038 CIN2 本例中，假定X7R电介质在−40°C至+85°C温度范围内的最 图39. ISO_Sx电容拆分 ISO_Bx电容选择 60 CAPACITANCE (µF) IC1 工作过程中的任何时候，ISO_Bx有效电容(包括温度和直 55 流偏置效应)不得低于10 µF。通常，为满足所有工作条件的 50 要求，标称电容需为22 µF。关于ISO_Bx电容的建议参见 45 表35。 40 CBP电容选择 35 ADP5061的内部电源电压在CBP端配有一个噪声抑制电 30 容。工作过程中的任何时候，CBP电容不得超过14 nF。勿 将任何外部电压源、阻性负载或其它电流负载连接到CBP 25 0 1 2 3 4 5 DC BIAS VOLTAGE (V) 10544-041 端。关于CBP电容的建议参见表36。 20 图38. Murata GRM32ER61A476ME20C电容与偏置电压的关系 Rev. C | Page 35 of 44 ADP5061 VINx电容选择 根据USB 2.0规范，当USB外设连接到USB端口时，可以在 表34. ISO_Sx电容建议 且不得高于10 µF。 供应商 Murata TDK ADP5061的VINx输入能够耐受高达20 V的电压，但是，如果 表35. ISO_Bx电容建议 应用要求将VINx输入暴露于最高20 V电压下，则电容的电 供应商 Murata Murata TDK TaiyoYuden VBUS上检测到电容变化。外设VBUS旁路电容不得低于1 µF 压范围也必须高于20 V。关于VINx电容的建议参见表37。 使用陶瓷电容时，较高电压范围一般是通过选择物理尺寸 较大的元件来实现的。在可以保证VINx输入电压低于20 V 的应用中，可以使用较小的输出电容。 产品型号 GRM32ER61A476ME20 C3225X5R1A476M 产品型号 GRM31CR61A226KE19 GRM31CR60J226ME19 C3216X5R0J226M JMK316ABJ226KL 值 47 µF 47 µF 电压 10 V 10 V 尺寸 1210 1210 值 F F 22 µF 22 µF 电压 10 V 6.3 V 6.3 V 6.3 V 尺寸 1206 1206 1206 1206 值 10 nF 10 nF 电压 16 V 16 V 尺寸 0402 0402 值 10 µF 10 µF 电压 25 V 25 V 尺寸 0805 0805 表36. CBP电容建议 供应商 Murata TDK 产品型号 GRM15XR71C103KA86 C1005X7R1C103K 表37. VINx电容建议 供应商 Murata TDK Rev. C | Page 36 of 44 产品型号 GRM21BR61E106MA73 C2012X5R1E106K ADP5061 PCB布局指南 VIN = 4V TO 6.7V C4 10µF GRM21BR61E106MA73 C3 D3 E3 VIN1:3 ISO_S1:3 B3 CBP C1 10nF C2 D2 GRM15XR71C103KA86 E2 C3 47µF GRM32ER61A476ME20 VDDIO R2 1.5kΩ CHARGER CONTROL BLOCK TO MCU A4 SCL TO MCU A3 SDA C1 TO MCU/NC E4 DIG_IO1 D1 TO MCU/NC C4 DIG_IO2 TO MCU/NC B4 DIG_IO3 ISO_B1:3 E1 BAT_SNS D4 VDDIO CONNECT CLOSE TO BATTERY + THR B2 R4 10kΩ TO MCU VLED A1 ILED C2 22µF R5 NTC 10kΩ (OPTIONAL) A2 SYS_EN AGND GRM31CR60J226ME19 ADP5061 WLCSP20 10544-039 B1 图40. 参考电路图 ISO_S ISO_B CISO_B 22µF 5.5mm ADP5061 PGND CVIN 10µF VIN 8mm 图41. 参考PCB物理规划 Rev. C | Page 37 of 44 10544-042 PGND CISO_S 47µF CBP 10nF R1 1.5kΩ ADP5061 功耗与散热考虑 PISOFET = RDSON_ISO × ICHG 充电器功耗 (4) 当ADP5061充电器在高环境温度以及最大充电和负载电流 其中： 条件下工作时，结温可能达到允许的最大工作限值 R DSON_ISO 是电池隔离FET的导通电阻(充电期间典型值为 (125°C)。 110 mΩ)。 当结温超过140°C，ADP5061关闭，以便让器件冷却下来。 ADP5061的热控制环路会自动限制充电电流，使芯片温度 当芯片温度降至110°C以下且寄存器0x0D的TSD 140°C故障 始终低于TLIM(典型值115°C)。 位由I C写操作清0时，ADP5061恢复正常工作。 计算ADP5061器件功耗的最直观且实用的方法是测量输入 本部分提供关于器件功耗计算的指南，确保ADP5061在允 端和所有输出端的功耗。在最差情况(电压、电流和温度) 许的最大结温以下工作。 下执行测量。输入与输出功耗之差就是器件的功耗。 为了确定不同工作模式中各种工作条件下的可用输出电 结温 流，用户可使用以下公式： 如果知道电路板温度TA，可以使用热阻参数θJA来估计结温 2 PD = PLDOFET + PISOFET (1) 升高幅度。TJ由TA和PD计算得出，公式如下： TJ = TA + (PD × θJA) 其中： PLDOFET为输入LDO FET的功耗。 (5) 20引脚WLCSP的典型θJA值为46.8°C/W(见表5)。一个非常 PISOFET为电池隔离FET的功耗。 重要的考虑因素是θJA基于4层4 in × 3 in、2.5 oz铜电路板(符 使用公式2和公式3计算LDO FET和电池隔离FET的功耗。 合JEDEC标准)，而实际应用使用的尺寸和层数可能不同。 PLDOFET = (VIN – VISO_S) × (ICHG + ILOAD) (2) PISOFET = (VISO_S – VISO_B) × ICHG (3) 必须尽可能多地使用铜，以利于器件散热。暴露于空气中 的铜的散热效果优于内层中使用的铜。 如果可以测量壳温，则结温可以通过下式计算： 其中： TJ = TC + (PD × θJC) VIN为VINx引脚的输入电压。 (6) VISO_S为ISO_Sx引脚的系统电压。 其中，TC为壳温，θJC为表5所示的结至壳热阻。 VISO_B为ISO_Bx引脚的电池电压。 对 于 WLCSP器 件 ， 只 要 可 能 ， 就 应 消 除 所 有 载 流 引 脚 ICHG为电池充电电流。 (VINx、ISO_Sx和ISO_Bx)的热量。例如，可以将电路板电 ILOAD为来自ISO_Sx引脚的系统负载电流。 源层的热过孔(如有)放置在这些引脚附近。 LDO模式 只有根据公式5估算出的ADP5061芯片结温低于125°C时， 系统调节电压可由用户在4.3 V至5.0 V范围内设置。在LDO 才能保证充电器可靠工作。结温提高会严重影响可靠性和 模式下(充电禁用，EN_CHG = 低电平)，总功耗的计算简化 平均故障间隔时间(MTBF)。有关产品可靠性的更多信息， 为下式，假定所有电流均从VINx引脚获得且电池不与 请参阅“ADI公司可靠性手册”(www.analog.com/reliability_ ISO_Sx共享。 handbook)。 PD = (VIN – VISO_S) × ILOAD 充电模式 在充电模式下，ISO_Sx引脚电压取决于电池电平。当电池 电压低于VISO_SFC(典型值3.8 V)时，电池隔离FET上的压降较 高，功耗必须利用公式3计算。当电池电压达到VISO_SFC时， 功耗可以利用公式4计算。 Rev. C | Page 38 of 44 ADP5061 工厂编程选项 充电器选项 表38至表50列出了ADP5061的工厂编程选项。以下每张表中，“选择”栏表示型号ADP5061ACBZ-2-R7、ADP5061ACBZ-4-R7和 ADP5061ACBZ-5-R7的默认设置。这两个型号的不同之处参见表39、表40、表42和表50。各型号的所有其他默认设置相同。 表38. 默认终端电压 选项 000 = 4.20 V 010 = 3.70 V 011 = 3.80 V 100 = 3.90 V 101 = 4.00 V 110 = 4.10 V 111 = 4.40 V 表42. 默认系统电压 选择 000 = 4.20 V 选项 000 = 4.3 V 001 = 4.4 V 010 = 4.5 V 011 = 4.6 V 100 = 4.7 V 101 = 4.8 V 110 = 4.9 V 111 = 5.0 V 表39. 默认快速充电电流 选项 000 = 500 mA 001 = 300 mA 010 = 550 mA 011 = 600 mA 100 = 750 mA 101 = 900 mA 110 = 1300 mA 111 = 1300 mA 000 = 52.5 mA 001 = 72.5 mA 010 = 12.5 mA 011 = 32.5 mA 100 = 142.5 mA 101 = 167.5 mA 110 = 92.5 mA 111 = 117.5 mA 111 = 5.0 V/ADP5061ACBZ-2-R7 表43. 热敏电阻阻值 001 = 300 mA/ADP5061ACBZ-5-R7 选项 0 = 10 kΩ 1 = 100 kΩ 100 = 750 mA/ ADP5061ACBZ-2-R7, ADP5061ACBZ-4-R7 选择 0 = 10 kΩ 表44. 热敏电阻β值 选择 000 = 52.5 mA/ ADP5061ACBZ-2-R7, ADP5061ACBZ-4-R77 选项 0100 = 3150 0101 = 3350 0110 = 3500 0111 = 3650 1000 = 3850 1001 = 4000 1010 = 4200 1011 = 4400 010 = 12.5 mA/ADP5061ACBZ-5-R7 表45. DIS_IC1模式选择 选择 0100 = 3150 选项 0 = DIC_IC1模式选择，VINx电流 = 280 µA， ISO_B可以悬空，不泄漏到ISO_Bx 1 = DIC_IC1模式选择，VINx电流 = 110 µA， 电源开关从VINx泄漏到ISO_Bx 表41. 默认涓流至快速充电阈值 选项 00 = 2.5 V 01 = 2.0 V 10 = 2.9 V 11 = 2.6 V 010 = 4.5 V/ADP5061ACBZ-5-R7 选择 表40. 默认充电结束电流 选项 选择 000 = 4.3 V/ADP5061ACBZ-4-R7 选择 00 = 2.5 V 选择 0 表46. 涓流或快速充电定时器故障操作 选项 0 = 超时后LDO关闭，充电停止 1 = 超时后LDO模式有效，充电停止 Rev. C | Page 39 of 44 选择 1 = LDO模式 有效 ADP5061 I2C寄存器故障 表47. I2C寄存器故障设置 位的名称 CHG_VLIM DIS_RCH EN_WD DIS_IC1 EN_CHG EN_JEITA JEITA_SELECT EN_CHG_VLIM IDEAL_DIODE[1:0] I2C寄存器地址，位的位置 地址0x03，位[D1:D0] 地址0x05，位D7 地址0x06，位D2 地址0x07，位D6 地址0x07，位D0 地址0x08，位D7 地址0x08，位D6 地址0x08，位D5 地址0x08，位[D4:D3] 选项 0 = 限值3.2 V，1 = 限值3.7 V 0 = 再充电使能，1 = 再充电禁用 0 = 看门狗禁用，1 = 看门狗使能 0 = 未激活，1 = 激活 0 = 充电禁用，1 = 充电使能 0 = JEITA禁用，1 = JEITA使能 0 = JEITA1充电，1= JEITA2充电 0 = 限值禁用，1 = 限值使能 00 = 当VISO_S < VISO_B时，理想二极管工作 01 = 当VISO_S < VISO_B且VBAT_SNS > VWEAK时， 理想二极管工作 10 = 理想二极管禁用 11 = 理想二极管禁用 选择 0 = 限值3.2 V 0 = 再充电使能 0 = 禁用 0 = 未激活 0 = 充电禁用 0 = JEITA禁用 0 = JEITA1充电 0 = 限值禁用 00 数字输入和输出选项 表48. I2C地址0x11的位[D1:D0] SYS_EN输出默认值 选项 00 = 当LDO使能且系统电压可用时，SYS_EN激活 01 = SYS_EN由ISO_Bx电压激活，电池充电模式 10 = 当电池降至VWEAK以下时，SYS_EN激活且隔离FET禁用1 11 = 在LDO模式下，充电器禁用时，SYS_EN激活。在充电模式下，当VISO_B ≥ VWEAK时，SYS_EN激活 1 当VINx = 0 V且电池监控器通过寄存器0x07的位D5 (EN_BMON)激活时，此选项有效。 Rev. C | Page 40 of 44 选择 00 ADP5061 DIG_IO1、DIG_IO2和DIG_IO3选项 表49. DIG_IO1极性 选项 0 = DIG_IO1极性，高电平有效 1 = DIG_IO1极性，低电平有效 选择 0 = 高电平有效 表50. DIG_IOx选项 选项 0000 0010 0011 0100 0101 0110 0111 1000 1001 1010 1011 1100 1101 1110 1111 DIG_IO1功能 IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 低电平= 100 mA 高电平= 500 mA IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 DIG_IO2功能 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA 再充电 不适用 高电平 = 禁用再充电 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 IVINx 限值 不适用 高电平 = IVINx限值1500 mA 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 再充电 不适用 高电平 = 禁用再充电 快速充电电流 低电平 = ICHG 高电平 = ICHG[4:0] ÷ 2 LDO 低电平 = LDO有效 高电平 = LDO禁用 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 DIG_IO3功能 充电禁用/使能 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 禁用IC1 低电平 = 未激活 高电平 = 已激活 快速充电电流 低电平 = ICHG[4:0] 高电平 = ICHG[4:0] ÷ 2 LDO 低电平 = LDO有效 高电平 = LDO禁用 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 充电 低电平 = 充电禁用 高电平 = 充电使能 再充电 不适用 高电平 = 禁用再充电 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 中断输出 不适用 不适用 Rev. C | Page 41 of 44 选择 0000 ADP5061ACBZ-2-R7 ADP5061ACBZ-4-R7 1001 ADP5061ACBZ-5-R7 ADP5061 封装和订购信息 外形尺寸 2.035 1.995 1.955 4 2 1 3 A BALL A1 IDENTIFIER B 2.635 2.595 2.555 2.00 REF C D 0.50 REF TOP VIEW 0.390 0.360 0.330 SIDE VIEW 1.50 REF COPLANARITY 0.04 0.360 0.320 0.280 0.270 0.240 0.210 04-18-2012-A SEATING PLANE BOTTOM VIEW (BALL SIDE UP) (BALL SIDE DOWN) 0.660 0.600 0.540 E 图42. 20引脚晶圆级芯片规模封装[WLCSP] (CB-20-9) 尺寸单位：mm 订购指南 型号1, 2 ADP5061ACBZ-2-R7 ADP5061ACBZ-4-R7 ADP5061ACBZ-5-R7 ADP5061CB-EVALZ 1 2 温度范围 –40°C至+125°C –40°C至+125°C –40°C至+125°C 封装描述 20引脚 WLCSP封装 20引脚 WLCSP封装 20引脚 WLCSP封装 评估板 Z = 符合RoHS标准的器件。 关于其它工厂编程选项，请联系当地的ADI公司办事处或代理商。 Rev. C | Page 42 of 44 封装选项 CB-20-9 CB-20-9 CB-20-9 ADP5061 注释 Rev. C | Page 43 of 44 ADP5061 注释 ©2012–2013 Analog Devices, Inc. All rights reserved. Trademarks and registered trademarks are the property of their respective owners. D10544sc-0-9/13(C) www.analog.com/ADP5061 Rev. C | Page 44 of 44