BLP1208 PN 结 Si 光电池 描述 工作在低频区域的 Si 光电池，可接收波长处于峰值波长附近的光信号。 应用 • 遥控电路 • 光纤通信 结构 芯片结构：平面 PN 型结构 电极：顶部 AlSi 外形图和尺寸 Anode 芯片尺寸：12 mm × 8 mm 芯片厚度：300±25µm P Cathode N 纵向结构 N P N http://www.belling.com.cn N 芯片结构：平面 PN 型结构 电极：AlSi -1Total 2 Pages 8/18/2006 BLP1208 光电特性(Ta=25°) 参数 符号 测试条件 暗电流 ID VR=10V E=0mW/cm2 Reverse dark current 反向击穿电压 2 Reverse breakdown VBR IR=100µA, H=0mV/cm voltage http://www.belling.com.cn -2Total 2 Pages 最小值 典型值 最大值 单位 30 nA 50 V 8/18/2006