F3L225R07W2H3P_B63 EasyPACK™Modulmitaktiver"NeutralPointClamp2"TopologieundPressFIT/NTC/TIM EasyPACK™modulewithactive"NeutralPointClamp2"topologyandPressFIT/NTC/TIM VCES = 650V IC nom = 125A / ICRM = 250A TypischeAnwendungen • 3-Level-Applikationen • Motorantriebe • SolarAnwendungen • USV-Systeme TypicalApplications • 3-level-applications • Motordrives • Solarapplications • UPSsystems ElektrischeEigenschaften • HighSpeedIGBTH3 • Tvjop=150°C ElectricalFeatures • HighspeedIGBTH3 • Tvjop=150°C MechanischeEigenschaften • 2,5kVAC1minIsolationsfestigkeit • IntegrierterNTCTemperaturSensor • PressFITVerbindungstechnik • RoHSkonform • Thermisches Interface Material bereits aufgetragen MechanicalFeatures • 2.5kVAC1mininsulation • IntegratedNTCtemperaturesensor • PressFITcontacttechnology • RoHScompliant • Pre-appliedThermalInterfaceMaterial ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code Datasheet www.infineon.com ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 PleasereadtheImportantNoticeandWarningsattheendofthisdocument V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 IGBT,T1/T4/IGBT,T1/T4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 650 V ICN 225 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 95°C, Tvj max = 175°C IC nom 125 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 450 A VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 125 A, VGE = 15 V IC = 125 A, VGE = 15 V IC = 125 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,40 1,45 1,45 1,65 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 3,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 2,40 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 0,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 14,0 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,42 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 125 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 125 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 125 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 125 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 125 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1500 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 10 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 5,05 0,06 0,07 0,07 µs µs µs 0,09 0,10 0,10 µs µs µs 0,06 0,07 0,07 µs µs µs 0,03 0,04 0,04 µs µs µs Eon 8,50 10,0 10,5 mJ mJ mJ IC = 125 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 2900 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 10 Ω Tvj = 150°C Eoff 4,40 5,20 5,80 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 1300 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP ≤ 0 µs, Tvj = 150°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on tr td off tf RthJH Tvj op 2 0,364 K/W -40 150 °C V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 Diode,D2/D3/Diode,D2/D3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 100 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 85 A IFRM 200 A I²t 850 800 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 2,00 VF 1,55 1,50 1,45 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C IRM 37,0 52,0 57,0 A A A IF = 85 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Qr 2,50 4,80 5,60 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 85 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Erec 0,24 0,65 0,79 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 85 A, VGE = 0 V IF = 85 A, VGE = 0 V IF = 85 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 85 A, - diF/dt = 1300 A/µs (Tvj=150°C) VR = 400 V VGE = -15 V Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet RthJH Tvj op 3 V V V 0,935 K/W -40 150 °C V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 IGBT,T2/T3/IGBT,T2/T3 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = 25°C ImplementierterKollektor-Strom Implementedcollectorcurrent VCES 650 V ICN 100 A Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TH = 25°C, Tvj max = 175°C IC nom 85 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 200 A VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage min. IC = 85 A, VGE = 15 V IC = 85 A, VGE = 15 V IC = 85 A, VGE = 15 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C VCE sat typ. max. 1,35 1,50 1,55 1,75 V V V 5,80 6,45 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V QG 1,00 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 2,0 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 6,20 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 0,19 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 650 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 1,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 100 nA VGEth Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 85 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 85 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGon = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 85 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 85 A, VCE = 400 V VGE = ±15 V RGoff = 10 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 85 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, di/dt = 1300 A/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGon = 10 Ω Tvj = 150°C AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse 4,95 0,07 0,08 0,08 µs µs µs 0,04 0,05 0,05 µs µs µs 0,35 0,40 0,40 µs µs µs 0,05 0,10 0,10 µs µs µs Eon 4,80 7,10 7,60 mJ mJ mJ IC = 85 A, VCE = 400 V, LS = 25 nH Tvj = 25°C VGE = ±15 V, du/dt = 3500 V/µs (Tvj = 150°C) Tvj = 125°C RGoff = 10 Ω Tvj = 150°C Eoff 2,50 3,80 4,20 mJ mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 400 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt ISC 500 A Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proIGBT/perIGBT validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial tP ≤ 6 µs, Tvj = 150°C TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet td on tr td off tf RthJH Tvj op 4 0,802 K/W -40 150 °C V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 Diode,D1/D4/Diode,D1/D4 HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = 25°C VRRM 650 V ImplementierterDurchlassstrom Implementedforwardcurrent IFN 225 A Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent IF 125 A IFRM 450 A I²t 3750 3500 PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 150°C CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. A²s A²s typ. max. 1,55 VF 1,35 1,25 1,20 IF = 125 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C IRM 46,0 70,0 76,0 A A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 125 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Qr 6,40 12,5 14,5 µC µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 125 A, - diF/dt = 1500 A/µs (Tvj=150°C) Tvj = 25°C VR = 400 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Tvj = 150°C Erec 1,30 2,90 3,30 mJ mJ mJ Wärmewiderstand,ChipbisKühlkörper Thermalresistance,junctiontoheatsink proDiode/perdiode validwithIFXpre-appliedthermalinterfacematerial RthJH Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 125 A, VGE = 0 V IF = 125 A, VGE = 0 V IF = 125 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Datasheet Tvj op 5 V V V 0,419 K/W -40 150 °C V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 1 min. InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) Al2O3 Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 11,5 6,3 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 10,0 5,0 mm > 200 VISOL VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TH=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature typ. max. LsCE 15 nH RCC'+EE' 1,25 mΩ Tstg Höchstzulässige Bodenplattenbetriebstemperatur Maximumbaseplateoperationtemperature kV 2,5 -40 TBPmax Anpresskraft für mech. Bef. pro Feder mountig force per clamp F Gewicht Weight G 40 - 125 °C 125 °C 80 N 41 g Der Strom im Dauerbetrieb ist auf 25A effektiv pro Anschlusspin begrenzt. The current under continuous operation is limited to 25A rms per connector pin. Lagerung und Transport von Modulen mit TIM => siehe AN2012-07 Storage and Shipment of modules with TIM => see AN2012-07 NTC-Widerstand/NTC-Thermistor CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. Nennwiderstand Ratedresistance TNTC = 25°C AbweichungvonR100 DeviationofR100 TNTC = 100°C, R100 = 493 Ω Verlustleistung Powerdissipation TNTC = 25°C B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/50(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/50 3375 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/80(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/80 3411 K B-Wert B-value R2 = R25 exp [B25/100(1/T2 - 1/(298,15 K))] B25/100 3433 K R25 ∆R/R 5,00 -5 P25 kΩ 5 % 20,0 mW AngabengemäßgültigerApplicationNote. Specificationaccordingtothevalidapplicationnote. Datasheet 6 V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 AusgangskennlinieIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,T1/T4(typisch) outputcharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C 250 250 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 225 200 200 175 175 150 150 IC [A] IC [A] 225 125 125 100 100 75 75 50 50 25 25 0 0,0 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 0,5 1,0 VCE [V] 1,5 0 2,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,T1/T4(typisch) transfercharacteristicIGBT,T1/T4(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VCE=400V 250 30 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 225 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 25 200 175 20 E [mJ] IC [A] 150 125 15 100 10 75 50 5 25 0 5 6 7 8 9 0 10 VGE [V] Datasheet 7 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 IC [A] V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 SchaltverlusteIGBT,T1/T4(typisch) switchinglossesIGBT,T1/T4(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=125A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandIGBT,T1/T4 transientthermalimpedanceIGBT,T1/T4 ZthJH=f(t) 100 1 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 90 ZthJH : IGBT 80 70 0,1 ZthJH [K/W] E [mJ] 60 50 40 0,01 30 20 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0105 0,0415 0,111 0,201 τi[s]: 0,0007 0,0128 0,0991 0,227 10 0 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T1/T4(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T1/T4(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=10Ω,Tvj=150°C 0,001 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 DurchlasskennliniederDiode,D2/D3(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D2/D3(typical) IF=f(VF) 300 180 IC, Modul IC, Chip Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 160 250 140 200 120 IF [A] IC [A] 100 150 80 100 60 40 50 20 0 0 Datasheet 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 0 700 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 VF [V] 8 V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω,VCE=400V SchaltverlusteDiode,D2/D3(typisch) switchinglossesDiode,D2/D3(typical) Erec=f(RG) IF=85A,VCE=400V 1,2 1,2 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 1,0 1,0 0,8 0,8 E [mJ] E [mJ] Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 0,6 0,6 0,4 0,4 0,2 0,2 0,0 0 20 40 60 80 100 IF [A] 120 140 160 0,0 180 TransienterWärmewiderstandDiode,D2/D3 transientthermalimpedanceDiode,D2/D3 ZthJH=f(t) 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 AusgangskennlinieIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) VGE=15V 10 180 ZthJH : Diode Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 160 140 1 120 IC [A] ZthJH [K/W] 100 80 0,1 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,037 0,132 0,295 0,471 τi[s]: 0,000749 0,00732 0,0422 0,164 0,01 0,001 Datasheet 0,01 0,1 t [s] 1 20 0 10 9 0,0 0,5 1,0 1,5 VCE [V] 2,0 2,5 3,0 V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 AusgangskennlinienfeldIGBT,T2/T3(typisch) outputcharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VCE) Tvj=150°C ÜbertragungscharakteristikIGBT,T2/T3(typisch) transfercharacteristicIGBT,T2/T3(typical) IC=f(VGE) VCE=20V 180 180 VGE = 19V VGE = 17V VGE = 15V VGE = 13V VGE = 11V VGE = 9V 160 140 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 160 140 100 100 IC [A] 120 IC [A] 120 80 80 60 60 40 40 20 20 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=10Ω,RGoff=10Ω,VCE=400V 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 12 SchaltverlusteIGBT,T2/T3(typisch) switchinglossesIGBT,T2/T3(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=85A,VCE=400V 20 40 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 18 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C Eon, Tvj = 150°C Eoff, Tvj = 150°C 35 16 30 14 25 E [mJ] E [mJ] 12 10 8 20 15 6 10 4 5 2 0 0 Datasheet 20 40 60 80 100 IC [A] 120 140 160 0 180 10 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 TransienterWärmewiderstandIGBT,T2/T3 transientthermalimpedanceIGBT,T2/T3 ZthJH=f(t) SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,T2/T3(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,T2/T3(RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=10Ω,Tvj=150°C 10 180 ZthJH : IGBT 160 IC, Modul IC, Chip 140 1 120 IC [A] ZthJH [K/W] 100 80 0,1 60 40 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0211 0,0819 0,35 0,349 τi[s]: 0,000747 0,0131 0,142 0,142 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 20 0 10 DurchlasskennliniederDiode,D1/D4(typisch) forwardcharacteristicofDiode,D1/D4(typical) IF=f(VF) 0 100 200 300 400 VCE [V] 500 600 700 SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(IF) RGon=10Ω,VCE=400V 250 5 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Tvj = 150°C 225 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C 200 4 175 3 E [mJ] IF [A] 150 125 100 2 75 50 1 25 0 0,0 Datasheet 0,5 1,0 VF [V] 1,5 0 2,0 11 0 25 50 75 100 125 150 175 200 225 250 IF [A] V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 SchaltverlusteDiode,D1/D4(typisch) switchinglossesDiode,D1/D4(typical) Erec=f(RG) IF=125A,VCE=400V TransienterWärmewiderstandDiode,D1/D4 transientthermalimpedanceDiode,D1/D4 ZthJH=f(t) 5 10 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 150°C ZthJH : Diode 4 1 E [mJ] ZthJH [K/W] 3 2 0,1 1 i: 1 2 3 4 ri[K/W]: 0,0137 0,0553 0,13 0,22 τi[s]: 0,00061 0,00882 0,049 0,207 0 0 10 20 30 40 50 60 RG [Ω] 70 80 90 100 0,01 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 10 NTC-Widerstand-Temperaturkennlinie(typisch) NTC-Thermistor-temperaturecharacteristic(typical) R=f(T) 100000 Rtyp R[Ω] 10000 1000 100 0 Datasheet 20 40 60 80 100 TNTC [°C] 120 140 160 12 V3.0 2017-06-15 F3L225R07W2H3P_B63 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines Infineon Datasheet 13 V3.0 2017-06-15 Trademarks Allreferencedproductorservicenamesandtrademarksarethepropertyoftheirrespectiveowners. Edition2017-06-15 Publishedby InfineonTechnologiesAG 81726München,Germany ©2017InfineonTechnologiesAG. AllRightsReserved. Doyouhaveaquestionaboutthisdocument? Email:[email protected] WICHTIGERHINWEIS DieindiesemDokumententhaltenenAngabenstellenkeinesfallsGarantienfürdieBeschaffenheitoderEigenschaftendesProduktes (“Beschaffenheitsgarantie“)dar.FürBeispiele,HinweiseodertypischeWerte,dieindiesemDokumententhaltensind,und/oderAngaben, diesichaufdieAnwendungdesProduktesbeziehen,istjeglicheGewährleistungundHaftungvonInfineonTechnologiesausgeschlossen, einschließlich,ohnehieraufbeschränktzusein,dieGewährdafür,dasskeingeistigesEigentumDritterverletztist. DesWeiterenstehensämtliche,indiesemDokumententhaltenenInformationen,unterdemVorbehaltderEinhaltungderindiesem DokumentfestgelegtenVerpflichtungendesKundensowieallerimHinblickaufdasProduktdesKundensowiedieNutzungdesInfineon ProduktesindenAnwendungendesKundenanwendbarengesetzlichenAnforderungen,NormenundStandardsdurchdenKunden. DieindiesemDokumententhaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilungder EignungdiesesProduktesfürdiebeabsichtigteAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderindiesemDokumententhaltenen ProduktdatenfürdieseAnwendungobliegtdentechnischenFachabteilungendesKunden. SolltenSievonunsweitereInformationenimZusammenhangmitdemProdukt,derTechnologie,Lieferbedingungenbzw.Preisen benötigen,wendenSiesichbitteandasnächsteVertriebsbürovonInfineonTechnologies(www.infineon.com). WARNHINWEIS AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnenProduktegesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiFragenzudenindiesem ProduktenthaltenenSubstanzen,setzenSiesichbittemitdemnächstenVertriebsbürovonInfineonTechnologiesinVerbindung. SofernInfineonTechnologiesnichtausdrücklichineinemschriftlichen,vonvertretungsberechtigtenInfineonMitarbeiternunterzeichneten Dokumentzugestimmthat,dürfenProduktevonInfineonTechnologiesnichtinAnwendungeneingesetztwerden,inwelchen vernünftigerweiseerwartetwerdenkann,dasseinFehlerdesProduktesoderdieFolgenderNutzungdesProdukteszu Personenverletzungenführen. IMPORTANTNOTICE Theinformationgiveninthisdocumentshallinnoeventberegardedasaguaranteeofconditionsorcharacteristics (“Beschaffenheitsgarantie”).Withrespecttoanyexamples,hintsoranytypicalvaluesstatedhereinand/oranyinformationregardingthe applicationoftheproduct,InfineonTechnologiesherebydisclaimsanyandallwarrantiesandliabilitiesofanykind,includingwithout limitationwarrantiesofnon-infringementofintellectualpropertyrightsofanythirdparty. Inaddition,anyinformationgiveninthisdocumentissubjecttocustomer’scompliancewithitsobligationsstatedinthisdocumentandany applicablelegalrequirements,normsandstandardsconcerningcustomer’sproductsandanyuseoftheproductofInfineonTechnologies incustomer’sapplications. Thedatacontainedinthisdocumentisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Itistheresponsibilityofcustomer’stechnical departmentstoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductinformationgivenin thisdocumentwithrespecttosuchapplication. Forfurtherinformationontheproduct,technology,deliverytermsandconditionsandpricespleasecontactyournearestInfineon Technologiesoffice(www.infineon.com). WARNINGS Duetotechnicalrequirementsproductsmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactyour nearestInfineonTechnologiesoffice. ExceptasotherwiseexplicitlyapprovedbyInfineonTechnologiesinawrittendocumentsignedbyauthorizedrepresentativesofInfineon Technologies,InfineonTechnologies’productsmaynotbeusedinanyapplicationswhereafailureoftheproductoranyconsequencesof theusethereofcanreasonablybeexpectedtoresultinpersonalinjury.