BZW06-5V8 ... BZW06-376B BZW06-5V8 ... BZW06-376B PPPM = 600W PM(AV) = 5.0 W Tjmax = 175°C Transient Voltage Suppressor Diodes Spannungs-Begrenzer-Dioden VWM = 5.0 ... 376 V VBR = 6.8 ... 440 V Version 2017-08-18 ±0.05 6.3±0.1 Type 62.5+0.5 -4.5 Ø3 Typische Anwendungen Schutz gegen Überspannung ESD-Schutz Freilauf-Dioden Standardausführung 1) RoHS Pb EE WE Features Uni- and Bidirectional versions Peak pulse power of 600 W (10/1000 µs waveform) Very fast response time Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EL V ~DO-15 / ~DO-204AC Typical Applications Over-voltage protection ESD protection Free-wheeling diodes Commercial grade 1) Besonderheiten Uni- und Bidirektionale Versionen 600 W Impuls-Verlustleistung (10/1000 µs Strom-Impuls) Sehr schnelle Ansprechzeit Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) Mechanical Data 1) ±0.05 Ø 0.8 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Taped in ammo pack 4000 Gegurtet in Ammo-Pack Weight approx. 0.4 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL N/A For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions. Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) Steady state power dissipation Verlustleistung im Dauerbetrieb TA = 75°C PPPM 600 W 3) PM(AV) 5 W 4) Peak forward surge current, 60Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60Hz Sinus-Halbwelle IFSM 100 A 5) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Characteristics Max. instantaneous forward voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung Kennwerte VF < 3.0 V 5) < 6.5 V 5) Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung RthA <45 K/W 4) Thermal resistance junction to lead Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschlussdraht RthL <15 K/W 1 2 3 4 5 IF = 25 A Tj = 25°C VBR ≤ 200 V VBR > 200 V Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C unless otherwise specified – TA = 25°C wenn nicht anders angegeben Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BZW06-5V8 ... BZW06-376B Characteristics (Tj = 25°C) Type Typ unidirectional bidirectional Kennwerte (Tj = 25°C) Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Breakdown voltage at IT = 1 mA Max. clamping voltage Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA Max. Begrenzer-Spannung *) at / bei IT = 10 mA at / bei IPPM (10/1000 µs) VWM [V] ID [µA] 5.8 1000 6.8 ± 5% VBR [V] VC [V] IPPM [A] 6.45...7.14 *) 10.5 57 BZW06-5V8 BZW06-5V8B BZW06-6V4 BZW06-6V4B 6.4 500 7.5 ± 5% 7.13...7.88 *) 11.3 53 BZW06-7V0 BZW06-7V0B 7.02 200 8.2 ± 5% 7.79...8.61 *) 12.1 50 BZW06-7V8 BZW06-7V8B 7.78 50 9.1 ± 5% 8.65...9.55 13.4 45 BZW06-8V5 BZW06-8V5B 8.55 10 10 ± 5% 9.5...10.5 14.5 41 BZW06-9V4 BZW06-9V4B 9.4 5 11 ± 5% 10.5...11.6 15.6 38 BZW06-10 BZW06-10B 10.2 5 12 ± 5% 11.4...12.6 16.7 36 BZW06-11 BZW06-11B 11.1 5 13 ± 5% 12.4...13.7 18.2 33 BZW06-13 BZW06-13B 12.8 5 15 ± 5% 14.3...15.8 21.2 28 BZW06-14 BZW06-14B 13.6 5 16 ± 5% 15.2...16.8 22.5 27 BZW06-15 BZW06-15B 15.3 5 18 ± 5% 17.1...18.9 25.2 24 BZW06-17 BZW06-17B 17.1 5 20 ± 5% 19.0...21.0 27.7 22 BZW06-19 BZW06-19B 18.8 5 22 ± 5% 20.9...23.1 30.6 20 BZW06-20 BZW06-20B 20.5 5 24 ± 5% 22.8...25.2 33.2 18 BZW06-23 BZW06-23B 23.1 5 27 ± 5% 25.7...28.4 37.5 16 BZW06-26 BZW06-26B 25.6 5 30 ± 5% 28.5...31.5 41.5 14.5 BZW06-28 BZW06-28B 28.2 5 33 ± 5% 31.4...34.7 45.7 13.1 BZW06-31 BZW06-31B 30.8 5 36 ± 5% 34.2...37.8 49.9 12.0 BZW06-33 BZW06-33B 33.3 5 39 ± 5% 37.1...41.0 53.9 11.1 BZW06-37 BZW06-37B 36.8 5 43 ± 5% 40.9...45.2 59.3 10.1 BZW06-40 BZW06-40B 40.2 5 47 ± 5% 44.7...49.4 64.8 9.3 BZW06-44 BZW06-44B 43.6 5 51 ± 5% 48.5...53.6 70.1 8.6 BZW06-48 BZW06-48B 47.8 5 56 ± 5% 53.2...58.8 77.0 7.8 BZW06-53 BZW06-53B 53.0 5 62 ± 5% 58.9...65.1 85.0 7.1 BZW06-58 BZW06-58B 58.1 5 68 ± 5% 64.6...71.4 92.0 6.5 BZW06-64 BZW06-64B 64.1 5 75 ± 5% 71.3...78.8 103 5.8 BZW06-70 BZW06-70B 70.1 5 82 ± 5% 77.9...86.1 113 5.3 BZW06-78 BZW06-78B 77.8 5 91 ± 5% 86.5...95.5 125 4.8 BZW06-85 BZW06-85B 85.8 5 100 ± 5% 95.0...105 137 4.4 BZW06-94 BZW06-94B 94.0 5 110 ± 5% 105...116 152 3.9 BZW06-102 BZW06-102B 102 5 120 ± 5% 114...126 165 3.6 BZW06-111 BZW06-111B 111 5 130 ± 5% 124...137 179 3.4 BZW06-128 BZW06-128B 128 5 150 ± 5% 143...158 207 2.9 BZW06-136 BZW06-136B 136 5 160 ± 5% 152...168 219 2.7 BZW06-145 BZW06-145B 145 5 170 ± 5% 162...179 234 2.6 BZW06-154 BZW06-154B 154 5 180 ± 5% 171...189 246 2.4 BZW06-171 BZW06-171B 171 5 200 ± 5% 190...210 274 2.2 BZW06-188 BZW06-188B 188 5 220 ± 5% 209...231 301 2.0 BZW06-213 BZW06-213B 213 5 250 ± 5% 237...263 344 1.8 BZW06-239 BZW06-239B 239 5 280 ± 5% 266...294 384 1.7 BZW06-256 BZW06-256B 256 5 300 ± 5% 285...315 414 1.6 BZW06-273 BZW06-273B 273 5 320 ± 5% 304...336 438 1.6 BZW06-299 BZW06-299B 299 5 350 ± 5% 332...368 482 1.6 BZW06-342 BZW06-342B 342 5 400 ± 5% 380...420 548 1.3 BZW06-376 BZW06-376B 376 5 440 ± 5% 418...462 603 1.3 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG BZW06-5V8 ... BZW06-376B 120 [%] tr = 10 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 40 IPPM/2 PPPM/2 40 IPP 20 20 PM(AV) 0 PPP 0 TA 50 100 150 0 [°C] Steady state power dissip. vs. ambient temperature1) 1 Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp. ) tP 0 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 2 10 [kW] 10 1 PPP 0.1 0.1µs tP 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) 1 Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3