BC856S, BC857S BC856S, BC857S IC = - 100 mA hFE = 220...475 Tjmax = 150°C SMD General Purpose PNP Transistors SMD Universal-PNP-Transistoren VCEO = - 45 V, - 65 V Ptot = 250 mW Version 2018-02-07 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification Commercial grade 1) ±0.1 5 4 ±0.1 6 0.9±0.1 1 2 2.1 Features Two transistors in one package General Purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Besonderheiten Zwei Transistoren in einem Gehäuse Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Pb Konfliktmineralien 1 RoHS EE WE Type Code 1.25±0.1 2 2 x 0.65 EL V SOT-363 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken Standardausführung 1) Mechanical Data 1) 3 2.4 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 6 Dual Transistors T1 1 = E1 2 = B1 6 = C1 5 2 BC856S T2 3 = C2 4 = E2 5 = B2 T2 T1 1 Type Code 4 3B BC857S 3F 3 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC856S BC857S Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open - VCEO 65 V 45 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open - VCBO 80 V 50 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open - VEBO 5V Ptot 250 mW 3) - IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom - ICM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj -55...+150°C -55...+150°C Power dissipation (per device) – Verlustleistung (pro Bauteil) Collector current – Kollektorstrom 1 2 3 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per transistor, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Transistor, wenn nicht anders angegeben Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC856S, BC857S Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 220 – 475 - VCEsat – – – – 300 mV 650 mV - VBE 600 mV – – – 750 mV 820 mV - ICBO – – 15 nA - IEBO – – 100 nA fT 100 MHz – – CCBO – – 4.5 pF DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis - VCE = 5 V - IC = 2 mA Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) 1 - IC = 10 mA - IC = 100 mA - IB = 0.5 mA - IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1) - VCE = 5 V - IC = 2 mA - IC = 10 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom - VCB = 30 V E open Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom - VEB = 5 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz - VCE = 5 V, - IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität - VCB = 10 V, - IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) RthA < 420 K/W 2) 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG