Diotec BC8457BDW-AQ Smd general purpose npn/pnp transistor Datasheet

BC8456BDW-AQ, BC8457BDW-AQ
BC8456BDW-AQ, BC8457BDW-AQ
IC
= 100 mA
hFE = 200...450
Tjmax = 150°C
SMD General Purpose NPN/PNP Transistors
SMD Universal-NPN/PNP-Transistoren
VCEO = 45 V, 65 V
Ptot = 200 mW
Version 2018-04-04
Typical Applications
Signal processing,
Switching, Amplification
AEC-Q101 qualified 1)
±0.1
0.9±0.1
5
4
±0.1
6
2
2.1
Halogen
FREE
R oH S
Pb
EE
1
Features
Two complementary transistors
in one package
General Purpose
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
WE
Type
Code
1.25±0.1
2
2 x 0.65
EL
V
SOT-363
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung,
Schalten, Verstärken
AEC-Q101 qualifiziert 1)
Besonderheiten
Zwei Komplementär-Transistoren in einem Gehäuse
Universell anwendbar
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1
Mechanical Data 1)
3
2.4
Mechanische Daten 1)
Taped and reeled
3000 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
6
Dual
Transistors
T1
1 = E1 2 = B1 6 = C1
NPN
5
T2
T1
1
2
Type Code
4
T2
3 = C2 4 = E2 5 = B2
PNP
BC8456BDW-AQ
1K
BC8457BDW-AQ
1K
3
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
BC8456BDW-AQ
BC8457BDW-AQ
Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung
B open
VCEO
65 V
45 V
Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung
E open
VCBO
80 V
50 V
Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung
C open
VEBO
6V
Ptot
200 mW 3)
IC
100 mA
Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom
ICM
200 mA
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
TS
Tj
-55...+150°C
-55...+150°C
Power dissipation – Verlustleistung
Collector current – Kollektorstrom
1
2
3
DC
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
AEC-Q101 Qualification has not been done for this part, therefore the data sheet is preliminary and subject to be
changed.
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Die AEC-Q101 Qualifikation für dieses Bauteil wurde noch nicht durchgeführt, deshalb ist das Datenblatt vorläufig
und kann noch geändert werden.
TA = 25°C and per transistor, unless otherwise specified. Positive sign valid for the NPN type, for the PNP type set a “–“
TA = 25°C und pro Transistor, wenn nicht anders angegeben. Positives Vorzeichen gilt für NPN-Typ, für PNP ist ein „–“ zu setzen
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BC8456BDW-AQ, BC8457BDW-AQ
Characteristics
Kennwerte
Tj = 25°C
Min.
Typ.
Max.
hFE
200
–
450
VCEsat
–
–
–
–
250 mV
600 mV
VBE
580 mV
–
–
–
700 mV
770 mV
ICBO
–
–
15 nA
IEBO
–
–
100 nA
fT
100 MHz
–
–
CCBO
–
–
4.5 pF
DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis
VCE = 5 V
IC = 2 mA
1
Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung )
IC = 10 mA
IC = 100 mA
IB = 0.5 mA
IB = 5 mA
Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1)
VCE = 5 V
IC = 2 mA
IC = 10 mA
Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom
VCB = 30 V
E open
Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom
VEB = 5 V
C open
Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz
VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz
Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität
VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz
Thermal resistance junction to ambient (per device)
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil)
< 420 K/W 2)
RthA
120
[%]
100
80
60
40
20
Ptot
0
0
TA
50
100
150
[°C]
Power dissipation versus ambient temperature 2)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss
http://www.diotec.com/
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