BC8456BDW-AQ, BC8457BDW-AQ BC8456BDW-AQ, BC8457BDW-AQ IC = 100 mA hFE = 200...450 Tjmax = 150°C SMD General Purpose NPN/PNP Transistors SMD Universal-NPN/PNP-Transistoren VCEO = 45 V, 65 V Ptot = 200 mW Version 2018-04-04 Typical Applications Signal processing, Switching, Amplification AEC-Q101 qualified 1) ±0.1 0.9±0.1 5 4 ±0.1 6 2 2.1 Halogen FREE R oH S Pb EE 1 Features Two complementary transistors in one package General Purpose Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) WE Type Code 1.25±0.1 2 2 x 0.65 EL V SOT-363 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, Schalten, Verstärken AEC-Q101 qualifiziert 1) Besonderheiten Zwei Komplementär-Transistoren in einem Gehäuse Universell anwendbar Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1 Mechanical Data 1) 3 2.4 Mechanische Daten 1) Taped and reeled 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 6 Dual Transistors T1 1 = E1 2 = B1 6 = C1 NPN 5 T2 T1 1 2 Type Code 4 T2 3 = C2 4 = E2 5 = B2 PNP BC8456BDW-AQ 1K BC8457BDW-AQ 1K 3 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) BC8456BDW-AQ BC8457BDW-AQ Collector-Emitter-voltage – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 65 V 45 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V 50 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 6V Ptot 200 mW 3) IC 100 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 200 mA Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur TS Tj -55...+150°C -55...+150°C Power dissipation – Verlustleistung Collector current – Kollektorstrom 1 2 3 DC Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book AEC-Q101 Qualification has not been done for this part, therefore the data sheet is preliminary and subject to be changed. Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Die AEC-Q101 Qualifikation für dieses Bauteil wurde noch nicht durchgeführt, deshalb ist das Datenblatt vorläufig und kann noch geändert werden. TA = 25°C and per transistor, unless otherwise specified. Positive sign valid for the NPN type, for the PNP type set a “–“ TA = 25°C und pro Transistor, wenn nicht anders angegeben. Positives Vorzeichen gilt für NPN-Typ, für PNP ist ein „–“ zu setzen Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BC8456BDW-AQ, BC8457BDW-AQ Characteristics Kennwerte Tj = 25°C Min. Typ. Max. hFE 200 – 450 VCEsat – – – – 250 mV 600 mV VBE 580 mV – – – 700 mV 770 mV ICBO – – 15 nA IEBO – – 100 nA fT 100 MHz – – CCBO – – 4.5 pF DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis VCE = 5 V IC = 2 mA 1 Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ) IC = 10 mA IC = 100 mA IB = 0.5 mA IB = 5 mA Base-Emitter-voltage – Basis-Emitter-Spannung 1) VCE = 5 V IC = 2 mA IC = 10 mA Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 30 V E open Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 5 V C open Gain-Bandwidth Product – Transitfrequenz VCE = 5 V, IC = 10 mA, f = 100 MHz Collector-Base Capacitance – Kollektor-Basis-Kapazität VCB = 10 V, IE =ie = 0, f = 1 MHz Thermal resistance junction to ambient (per device) Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung (pro Bauteil) < 420 K/W 2) RthA 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on P.C. board with 3 mm2 copper pad at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 3 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG