eupec BSM150GB170DLC Igbt-module Datasheet

Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GB 170 DLC
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
VCES
1700
V
TC = 80 °C
IC,nom.
150
A
TC = 25 °C
IC
300
A
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collctor current
tP = 1 ms, TC = 80°C
ICRM
300
A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
TC=25°C, Transistor
Ptot
1250
W
VGES
+/- 20V
V
IF
150
A
IFRM
300
A
2
It
4.500
A2s
VISOL
3,4
kV
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
tp = 1 ms
Grenzlastintegral der Diode
I2t - value, Diode
VR = 0V, tp = 10ms, TVj = 125°C
Isolations-Prüfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
-
2,6
3,2
V
-
3,1
3,6
V
VGE(th)
4,5
5,5
6,5
V
Transistor / Transistor
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
IC = 150A, VGE = 15V, Tvj = 25°C
VCE sat
IC = 150A, VGE = 15V, Tvj = 125°C
Gate-Schwellenspannung
gate threshold voltage
IC = 7mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C
Gateladung
gate charge
VGE = -15V ... +15V
QG
-
1,8
-
µC
Eingangskapazität
input capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cies
-
10
-
nF
Rückwirkungskapazität
reverse transfer capacitance
f = 1MHz,Tvj = 25°C,VCE = 25V, VGE = 0V
Cres
-
0,5
-
nF
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 25°C
ICES
-
0,05
0,3
mA
-
4
-
-
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
VCE = 1700V, VGE = 0V, Tvj = 125°C
Gate-Emitter Reststrom
gate-emitter leakage current
VCE = 0V, VGE = 20V, Tvj = 25°C
prepared by: Regine Mallwitz
date of publication: 28.11.2000
approved by: Chr. Lübke; 28.11.2000
revision: 2 (Series)
1(8)
IGES
mA
200
BSM150GB170DLC
nA
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GB 170 DLC
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
Transistor / Transistor
Einschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn on delay time (inductive load)
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 25°C
td,on
-
0,1
-
µs
-
0,1
-
µs
-
0,1
-
µs
-
0,1
-
µs
-
0,8
-
µs
-
0,9
-
µs
-
0,03
-
µs
-
0,03
-
µs
Eon
-
70
-
mWs
Eoff
-
46
-
mWs
ISC
-
600
-
A
LsCE
-
30
-
nH
RCC’+EE’
-
0,6
-
mΩ
min.
typ.
max.
IC = 150A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 25°C
tr
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 125°C
Abschaltverzögerungszeit (ind. Last)
turn off delay time (inductive load)
IC = 150A, VCE = 900V
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
IC = 150A, VCE = 900V
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn-on energy loss per pulse
IC = 150A, VCE = 900V, VGE = 15V
Abschaltverlustenergie pro Puls
turn-off energy loss per pulse
IC = 150A, VCE = 900V, VGE = 15V
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 25°C
td,off
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 125°C
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 25°C
tf
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 125°C
Kurzschlußverhalten
SC Data
RG = 10Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
RG = 10Ω, Tvj = 125°C, LS = 60nH
tP ≤ 10µsec, VGE ≤ 15V
TVj≤125°C, VCC=1000V, VCEmax=VCES -LsCE ·dI/dt
Modulinduktivität
stray inductance module
Modulleitungswiderstand, Anschlüsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
max.
IC = 150A, VCE = 900V
VGE = ±15V, RG = 10Ω, Tvj = 125°C
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
typ.
pro Zweig / per arm
Charakteristische Werte / Characteristic values
Diode / Diode
Durchlaßspannung
forward voltage
Rückstromspitze
peak reverse recovery current
IF = 150A, VGE = 0V, Tvj = 25°C
VF
IF = 150A, VGE = 0V, Tvj = 125°C
-
2,1
2,5
V
-
2,1
2,5
V
-
110
-
A
-
130
-
A
-
35
-
µAs
-
60
-
µAs
-
15
-
-
30
-
IF = 150A, - diF/dt = 1700A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
IRM
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
IF = 150A, - diF/dt = 1700A/µsec
Abschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
IF = 150A, - diF/dt = 1700A/µsec
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
Qr
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 25°C
VR = 900V, VGE = -10V, Tvj = 125°C
2(8)
Erec
mWs
BSM150GB170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GB 170 DLC
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
-
-
0,1
K/W
-
-
0,24
K/W
RthCK
-
-
0,012
K/W
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
Tvj
-
-
150
°C
Betriebstemperatur
operation temperature
Top
-40
-
125
°C
Lagertemperatur
storage temperature
Tstg
-40
-
125
°C
Transistor / transistor, DC
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Diode/Diode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per module
λPaste = 1 W/m*K / λgrease = 1 W/m*K
RthJC
max.
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
Al2O3
Kriechstrecke
creepage distance
20
mm
Luftstrecke
clearance
11
mm
CTI
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlüsse
terminal connection torque
terminals M6
Gewicht
weight
max.
5
Nm
max.
5
Nm
G
340
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
3(8)
BSM150GB170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GB 170 DLC
Ausgangskennlinie (typisch)
Output characteristic (typical)
I C = f (VCE)
VGE = 15V
300
250
IC [A]
200
150
Tj = 25°C
100
Tj = 125°C
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
4,5
5,0
VCE [V]
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
Output characteristic (typical)
I C = f (VCE)
Tvj = 125°C
300
250
VGE = 19V
VGE = 15V
VGE = 13V
IC [A]
200
VGE = 11V
VGE = 9V
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
VCE [V]
4(8)
BSM150GB170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GB 170 DLC
Übertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
I C = f (VGE)
VCE = 20V
300
Tj = 25°C
250
Tj = 125°C
IC [A]
200
150
100
50
0
5
6
7
8
9
10
11
12
13
VGE [V]
Durchlaßkennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
I F = f (VF)
300
Tj = 25°C
250
Tj = 125°C
IF [A]
200
150
100
50
0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
VF [V]
5(8)
BSM150GB170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GB 170 DLC
Schaltverluste (typisch)
Eon = f (IC) , E off = f (IC) , E rec = f (IC)
Rgon = Rgoff =10Ω, VCE = 900V, Tj = 125°C
Switching losses (typical)
250
Eoff
200
Eon
E [mJ]
Erec
150
100
50
0
0
50
100
150
200
250
300
IC [A]
Schaltverluste (typisch)
Switching losses (typical)
E on = f (RG) , E off = f (RG) , E rec = f (RG)
IC = 150A , VCE = 900V , Tj = 125°C
160
Eoff
140
Eon
Erec
120
E [mJ]
100
80
60
40
20
0
0
10
20
30
40
50
RG [Ω]
6(8)
BSM150GB170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GB 170 DLC
Transienter Wärmewiderstand
Transient thermal impedance
ZthJC = f (t)
1
ZthJC [K / W]
0,1
0,01
Zth:Diode
Zth:IGBT
0,001
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [sec]
1
2
3
4
i
ri [K/kW] : IGBT
τi [sec] : IGBT
11,16
32,28
48,09
8,47
0,0047
0,0356
0,0613
0,4669
ri [K/kW] : Diode
44,67
88,51
88,51
18,32
0,0062
0,0473
0,0473
0,2322
τi [sec]
: Diode
Sicherer Arbeitsbereich (RBSOA)
Reverse bias safe operation area (RBSOA)
Rg = 10 Ohm, Tvj= 125°C
350
300
IC [A]
IC,Modul
250
IC,Chip
200
150
100
50
0
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
VCE [V]
7(8)
BSM150GB170DLC
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module
IGBT-Modules
BSM 150 GB 170 DLC
vorläufige Daten
preliminary data
8(8)
BSM150GB170DLC
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