BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199 BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199 IFAV = 215 mA VF1 < 715 mV Tjmax = 150°C SMD Small Signal Diodes SMD Kleinsignal-Dioden VRRM = 85 V IFSM = 2 A trr1 < 4 ns Version 2018-02-06 +0.1 1.1 -0.2 2.9 ±0.1 0.4+0.1 -0.05 1 1.3±0.1 Type Code Besonderheiten BAV199: Extrem niedriger Sperrstrom BAS16, BAW56, BAV99, BAV70: Sehr schnelles Schalten Konform zu RoHS, REACH, Pb Konfliktmineralien 1) RoHS Mechanical Data 1) 2 1.9 Features BAV199: Extremely low leakage BAS16, BAW56, BAV99, BAV70: Very high switching speed Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) EE WE 2.4 ±0.2 3 Typische Anwendungen Signalverarbeitung, (Schnelles) Schalten, Gleichrichten Standardausführung 1) EL V SOT-23 (TO-236) Typical Applications Signal processing, (High-speed) Switching, Rectifying Commercial grade 1) Taped and reeled ±0.1 3000 / 7“ Weight approx. Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Gegurtet auf Rolle 0.01 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 BAS16 BAV70 3 Single Diode 1 2 Type Code 5D 3 Type Code A4 Common Cathode 1 2 1 = A 2 = n. c. 3 = C 1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2 BAW56 BAV99 | BAV199 3 Common Anode 1 2 Type Code A1 3 Type Code A7 | PX Series Connection 1 1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2 2 1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2 Maximum ratings 2) Grenzwerte 2) Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil) Ptot 350 mW 3) Maximum average forward current Dauergrenzstrom IFAV 215 mA 3) 125 mA 3) IFRM 300 mA 3) IFSM 0.5 A 1A 2A VRRM 85 V 100 V VR 75 V Tj TS -55...+150°C -55…+150°C single diode loaded – eine Diode belastet both diodes loaded – beide Dioden belastet Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom Non repetitive peak forward surge current Stoßstrom-Grenzwert Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung tp ≤ 1 s tp ≤ 1 ms tp ≤ 1 µs BAS16, BAW56, BAV99, BAV199 BAV70 Reverse voltage – Sperrspannung DC Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 3 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung 1 ) Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom 1 ) Tj = 25°C Tj = 150°C BAS16, BAW56 BAV99 BAV70 BAV199 < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V < 900 mV < 1.0 V < 1.1 V < 1.25 V 1 mA 10 mA IF = 50 mA 150 mA VF < 715 mV < 855 mV < 1.0 V < 1.25 V VR = 20 V 25 V 75 V IR − < 30 nA < 1.0 µA < 25 nA − < 2.5 µA − − < 5 nA VR = 25 V 75 V IR < 30 µA < 50 µA < 30 µA < 50 µA − < 80 nA Junction capacitance Sperrschichtkapazität VR = 0 V, f = 1 MHz CT Reverse recovery time Sperrverzug IF = 10 mA über/through IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA trr Thermal resistance junction to ambient Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung typ. 2 pF < 4 ns < 4 ns RthA < 3000 ns < 400 K/W 2) 1 120 [%] [A] 100 10-1 80 Tj = 125°C 10 -2 60 40 Tj = 25°C 10-3 20 IF Ptot 0 0 TA 50 100 150 10-4 [°C] 0 VF 0.4 0.6 0.8 1.0 [V] 1.4 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Power dissipation versus ambient temperature 2) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2) Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 1 2 2 Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG