Diotec BAS16 Smd small signal diode Datasheet

BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199
BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199
IFAV = 215 mA
VF1 < 715 mV
Tjmax = 150°C
SMD Small Signal Diodes
SMD Kleinsignal-Dioden
VRRM = 85 V
IFSM = 2 A
trr1 < 4 ns
Version 2018-02-06
+0.1
1.1 -0.2
2.9 ±0.1
0.4+0.1
-0.05
1
1.3±0.1
Type
Code
Besonderheiten
BAV199: Extrem niedriger Sperrstrom
BAS16, BAW56, BAV99, BAV70:
Sehr schnelles Schalten
Konform zu RoHS, REACH,
Pb
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Mechanical Data 1)
2
1.9
Features
BAV199: Extremely low leakage
BAS16, BAW56, BAV99, BAV70:
Very high switching speed
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
EE
WE
2.4 ±0.2
3
Typische Anwendungen
Signalverarbeitung, (Schnelles)
Schalten, Gleichrichten
Standardausführung 1)
EL
V
SOT-23
(TO-236)
Typical Applications
Signal processing, (High-speed)
Switching, Rectifying
Commercial grade 1)
Taped and reeled
±0.1
3000 / 7“
Weight approx.
Dimensions - Maße [mm]
Mechanische Daten 1)
Gegurtet auf Rolle
0.01 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Gehäusematerial
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Löt- und Einbaubedingungen
MSL = 1
BAS16
BAV70
3
Single
Diode
1
2
Type
Code
5D
3
Type
Code
A4
Common
Cathode
1
2
1 = A 2 = n. c. 3 = C
1 = A1 2 = A2 3 = C1/C2
BAW56
BAV99 | BAV199
3
Common
Anode
1
2
Type
Code
A1
3
Type
Code
A7 | PX
Series
Connection
1
1 = C1 2 = C2 3 = A1/A2
2
1 = A1 2 = C2 3 = C1/A2
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Power dissipation (per device) − Verlustleistung (pro Bauteil)
Ptot
350 mW 3)
Maximum average forward current
Dauergrenzstrom
IFAV
215 mA 3)
125 mA 3)
IFRM
300 mA 3)
IFSM
0.5 A
1A
2A
VRRM
85 V
100 V
VR
75 V
Tj
TS
-55...+150°C
-55…+150°C
single diode loaded – eine Diode belastet
both diodes loaded – beide Dioden belastet
Repetitive peak forward current – Periodischer Spitzenstrom
Non repetitive peak forward surge current
Stoßstrom-Grenzwert
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
tp ≤ 1 s
tp ≤ 1 ms
tp ≤ 1 µs
BAS16, BAW56, BAV99, BAV199
BAV70
Reverse voltage – Sperrspannung
DC
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
TA = 25°C and per diode, unless otherwise specified – TA = 25°C und pro Diode, wenn nicht anders angegeben
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal – Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
BAS16, BAW56, BAV70, BAV99, BAV199
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
Durchlass-Spannung
1
)
Tj = 25°C
Leakage current
Sperrstrom
1
)
Tj = 25°C
Tj = 150°C
BAS16, BAW56
BAV99
BAV70
BAV199
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
< 900 mV
< 1.0 V
< 1.1 V
< 1.25 V
1 mA
10 mA
IF =
50 mA
150 mA
VF
< 715 mV
< 855 mV
< 1.0 V
< 1.25 V
VR =
20 V
25 V
75 V
IR
−
< 30 nA
< 1.0 µA
< 25 nA
−
< 2.5 µA
−
−
< 5 nA
VR =
25 V
75 V
IR
< 30 µA
< 50 µA
< 30 µA
< 50 µA
−
< 80 nA
Junction capacitance
Sperrschichtkapazität
VR = 0 V, f = 1 MHz
CT
Reverse recovery time
Sperrverzug
IF = 10 mA über/through
IR = 10 mA bis/to IR = 1 mA
trr
Thermal resistance junction to ambient
Wärmewiderstand Sperrschicht – Umgebung
typ. 2 pF
< 4 ns
< 4 ns
RthA
< 3000 ns
< 400 K/W 2)
1
120
[%]
[A]
100
10-1
80
Tj = 125°C
10
-2
60
40
Tj = 25°C
10-3
20
IF
Ptot
0
0
TA
50
100
150
10-4
[°C]
0
VF
0.4
0.6
0.8
1.0
[V] 1.4
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Power dissipation versus ambient temperature 2)
Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.2)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2%
Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%
Mounted on 3 mm2 copper pads per terminal
Montage auf 3 mm2 Kupferbelag (Lötpads) je Anschluss
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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