TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R45KL3-K_B5 hochisolierendesModulmitTrench/FeldstoppIGBT3undEmitterControlled3Diode highinsulatedmodulewithTrench/FieldstopIGBT3andEmitterControlled3diode VCES = 4500V IC nom = 800A / ICRM = 1600A TypischeAnwendungen • Chopper-Anwendungen • Hochleistungsumrichter • Mittelspannungsantriebe • Motorantriebe • Traktionsumrichter TypicalApplications • ChopperApplications • HighPowerConverters • MediumVoltageConverters • MotorDrives • TractionDrives ElektrischeEigenschaften • GroßeDC-Festigkeit • Hohe Kurzschlussrobustheit, selbstlimitierender Kurzschlussstrom • HohedynamischeRobustheit • NiedrigesVCEsat • TrenchIGBT3 • VCEsatmitpositivemTemperaturkoeffizienten ElectricalFeatures • HighDCStability • High Short Circuit Capability, Self Limiting Short CircuitCurrent • HighDynamicRobustness • LowVCEsat • TrenchIGBT3 • VCEsatwithpositiveTemperatureCoefficient MechanischeEigenschaften • 10,2kVACIsolationsfestigkeit • AlSiC Bodenplatte für erhöhte thermische Lastwechselfestigkeit • GehäusemitCTI>600 • GroßeLuft-undKriechstrecken • IsolierteBodenplatte MechanicalFeatures • 10.2kVACIsolation • AlSiC Base Plate for increased Thermal Cycling Capability • PackagewithCTI>600 • HighCreepageandClearanceDistances • IsolatedBasePlate ModuleLabelCode BarcodeCode128 DMX-Code preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 ContentoftheCode Digit ModuleSerialNumber ModuleMaterialNumber ProductionOrderNumber Datecode(ProductionYear) Datecode(ProductionWeek) 1-5 6-11 12-19 20-21 22-23 ULapproved(E83335) 1 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R45KL3-K_B5 IGBT,Brems-Chopper/IGBT,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues Kollektor-Emitter-Sperrspannung Collector-emittervoltage Tvj = -40°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCES 4500 4500 4500 V Kollektor-Dauergleichstrom ContinuousDCcollectorcurrent TC = 95°C, Tvj max = 125°C IC nom 800 A PeriodischerKollektor-Spitzenstrom Repetitivepeakcollectorcurrent tP = 1 ms ICRM 1600 A Gesamt-Verlustleistung Totalpowerdissipation TC = 25°C, Tvj max = 125°C Ptot 9,00 kW VGES +/-20 V Gate-Emitter-Spitzenspannung Gate-emitterpeakvoltage CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,50 3,10 2,85 3,70 V V 6,00 6,60 V Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Collector-emittersaturationvoltage IC = 800 A, VGE = 15 V IC = 800 A, VGE = 15 V Gate-Schwellenspannung Gatethresholdvoltage IC = 70,5 mA, VCE = VGE, Tvj = 25°C VGEth Gateladung Gatecharge VGE = -15 V ... +15 V, VCE = 2800V QG 26,5 µC InternerGatewiderstand Internalgateresistor Tvj = 25°C RGint 1,1 Ω Eingangskapazität Inputcapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cies 185 nF Rückwirkungskapazität Reversetransfercapacitance f = 1 MHz, Tvj = 25°C, VCE = 25 V, VGE = 0 V Cres 3,10 nF Kollektor-Emitter-Reststrom Collector-emittercut-offcurrent VCE = 4500 V, VGE = 0 V, Tvj = 25°C ICES 5,0 mA Gate-Emitter-Reststrom Gate-emitterleakagecurrent VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25°C IGES 400 nA Tvj = 25°C Tvj = 125°C VCE sat 5,40 Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-ondelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 2800 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td on 0,75 0,75 µs µs Anstiegszeit,induktiveLast Risetime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 2800 V VGE = ±15 V RGon = 2,4 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tr 0,30 0,30 µs µs Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast Turn-offdelaytime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 2800 V VGE = ±15 V RGoff = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C td off 6,60 6,90 µs µs Fallzeit,induktiveLast Falltime,inductiveload IC = 800 A, VCE = 2800 V VGE = ±15 V RGoff = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C tf 0,35 0,45 µs µs EinschaltverlustenergieproPuls Turn-onenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 2800 V, LS = 95 nH VGE = ±15 V, di/dt = 3300 A/µs RGon = 1,0 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon 3100 4100 mJ mJ AbschaltverlustenergieproPuls Turn-offenergylossperpulse IC = 800 A, VCE = 2800 V, LS = 95 nH VGE = ±15 V, du/dt = 2000 V/µs RGoff = 7,5 Ω Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eoff 2800 3400 mJ mJ Kurzschlußverhalten SCdata VGE ≤ 15 V, VCC = 2800 V VCEmax = VCES -LsCE ·di/dt 4600 A Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase proIGBT/perIGBT tP ≤ 10 µs, Tvj = 125°C ISC RthJC Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 2 11,1 K/kW 13,5 -50 K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R45KL3-K_B5 Diode,Brems-Chopper/Diode,Brake-Chopper HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 4500 4500 4500 V IF 800 A IFRM 1600 A I²t 255 kA²s PRQM 1600 kW ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,50 2,50 3,10 3,00 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 1000 1150 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 770 1400 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 1200 2400 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 3 V V 25,5 K/kW 21,0 -50 K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R45KL3-K_B5 Diode,Revers/Diode,Reverse HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues PeriodischeSpitzensperrspannung Repetitivepeakreversevoltage Tvj = -40°C Tvj = 25°C Tvj = 125°C Dauergleichstrom ContinuousDCforwardcurrent PeriodischerSpitzenstrom Repetitivepeakforwardcurrent tP = 1 ms Grenzlastintegral I²t-value VR = 0 V, tP = 10 ms, Tvj = 125°C Spitzenverlustleistung Maximumpowerdissipation Tvj = 125°C Mindesteinschaltdauer Minimumturn-ontime VRRM 4500 4500 4500 V IF 800 A IFRM 1600 A I²t 255 kA²s PRQM 1600 kW ton min 10,0 µs CharakteristischeWerte/CharacteristicValues min. typ. max. 2,50 2,50 3,10 3,00 Durchlassspannung Forwardvoltage IF = 800 A, VGE = 0 V IF = 800 A, VGE = 0 V Tvj = 25°C Tvj = 125°C VF Rückstromspitze Peakreverserecoverycurrent IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V IRM 1000 1150 A A Sperrverzögerungsladung Recoveredcharge IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Qr 770 1400 µC µC AbschaltenergieproPuls Reverserecoveryenergy IF = 800 A, - diF/dt = 3300 A/µs (Tvj=125°C) Tvj = 25°C VR = 2800 V Tvj = 125°C VGE = -15 V Erec 1200 2400 mJ mJ proDiode/perdiode RthJC Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse Thermalresistance,junctiontocase Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode Thermalresistance,casetoheatsink λPaste=1W/(m·K)/λgrease=1W/(m·K) RthCH TemperaturimSchaltbetrieb Temperatureunderswitchingconditions Tvj op preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 4 V V 25,5 K/kW 21,0 -50 K/kW 125 °C TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R45KL3-K_B5 Modul/Module Isolations-Prüfspannung Isolationtestvoltage RMS, f = 50 Hz, t = 10 sec VISOL 10,2 kV Teilentladungs-Aussetzspannung Partialdischargeextinctionvoltage RMS, f = 50 Hz, QPD ≤ 10 pC (acc. to IEC 1287) VISOL 3,5 kV Kollektor-Emitter-Gleichsperrspannung DCstability Tvj = 25°C, 100 fit VCE D 3000 V AlSiC MaterialModulgrundplatte Materialofmodulebaseplate InnereIsolation Internalisolation Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140) basicinsulation(class1,IEC61140) AlN Kriechstrecke Creepagedistance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 56,0 56,0 mm Luftstrecke Clearance Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal 26,0 26,0 mm > 600 VergleichszahlderKriechwegbildung Comperativetrackingindex CTI min. Modulstreuinduktivität Strayinductancemodule Modulleitungswiderstand,AnschlüsseChip Moduleleadresistance,terminals-chip TC=25°C,proSchalter/perswitch Lagertemperatur Storagetemperature 20 nH RCC'+EE' RAA'+CC' 0,18 0,18 mΩ Tstg -55 125 °C 4,25 5,75 Nm SchraubeM6-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM6-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M Anzugsdrehmomentf.elektr.Anschlüsse Terminalconnectiontorque SchraubeM4-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM4-Mountingaccordingtovalidapplicationnote SchraubeM8-Montagegem.gültigerApplikationsschrift ScrewM8-Mountingaccordingtovalidapplicationnote M G Das maximal zulässige du/dt, definiert zwischen 0,6 und 1×Vce, beträgt 2400V/µs. The maximum allowed dv/dt measured between 0,6 and 1×Vce is 2400V/µs. preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 5 max. LsCE Anzugsdrehmomentf.Modulmontage Mountingtorqueformodulmounting Gewicht Weight typ. 1,8 - 2,1 Nm 8,0 - 10 Nm 1400 g TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R45KL3-K_B5 IGBT-Modul IGBT-Module AusgangskennlinieIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) VGE=15V AusgangskennlinienfeldIGBT,Brems-Chopper(typisch) outputcharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VCE) Tvj=125°C 1600 1600 Tvj = 25°C Tvj = 125°C 1200 1200 1000 1000 IC [A] 1400 IC [A] 1400 800 800 600 600 400 400 200 200 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 VCE [V] 3,5 4,0 4,5 0 5,0 ÜbertragungscharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) transfercharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) IC=f(VGE) VCE=20V VGE = 8V VGE = 9V VGE = 10V VGE = 12V VGE = 15V VGE = 20V 0,0 1,0 2,0 3,0 4,0 VCE [V] 5,0 6,0 7,0 SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(IC),Eoff=f(IC) VGE=±15V,RGon=1Ω,RGoff=7.5Ω,VCE=2800V 1600 11000 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 10000 1400 9000 1200 8000 7000 6000 E [mJ] IC [A] 1000 800 5000 600 4000 3000 400 2000 200 0 1000 5 6 7 8 9 VGE [V] 10 11 0 12 preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 6 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IC [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R45KL3-K_B5 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteIGBT,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesIGBT,Brake-Chopper(typical) Eon=f(RG),Eoff=f(RG) VGE=±15V,IC=800A,VCE=2800V TransienterWärmewiderstandIGBT,Brems-Chopper transientthermalimpedanceIGBT,Brake-Chopper ZthJC=f(t) 15000 100 Eon, Tvj = 125°C Eoff, Tvj = 125°C 13500 ZthJC : IGBT 12000 10500 10 E [mJ] ZthJC [K/kW] 9000 7500 6000 1 4500 3000 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 1,486 6,721 1,572 1,314 τi[s]: 0,008 0,08 0,36 6,41 1500 0 0 1 2 3 4 5 6 0,1 0,001 7 8 9 10 11 12 13 14 15 RG [Ω] SichererRückw.-Arbeitsber.IGBT,Brems-Chopper(RBSOA) reversebiassafeoperatingareaIGBT,Brake-Chopper (RBSOA) IC=f(VCE) VGE=±15V,RGoff=7.5Ω,Tvj=125°C 1800 0,01 0,1 t [s] 1 10 KapazitätsCharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) capacitycharcteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) C=f(VCE) VGE=0V,Tvj=25°C,f=1MHz 1000 Cies Coes Cres 1600 1400 1200 100 C [nF] IC [A] 1000 800 600 10 400 IC, Modul IC, Chip 200 0 0 1 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000 4500 5000 VCE [V] preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 7 0 10 20 30 40 50 60 VCE [V] 70 80 90 100 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R45KL3-K_B5 IGBT-Modul IGBT-Module GateladungsCharakteristikIGBT,Brems-Chopper(typisch) gatechargecharacteristicIGBT,Brake-Chopper(typical) VGE=f(QG) IC=800A,Tvj=25°C DurchlasskennliniederDiode,Brems-Chopper(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Brake-Chopper(typical) IF=f(VF) 15 1600 VCC = 2800V Tvj = 25°C Tvj = 125°C 12 1400 9 1200 6 1000 IF [A] VGE [V] 3 0 -3 800 600 -6 400 -9 200 -12 -15 0 4 8 12 16 QG [µC] 20 24 0 28 SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(IF) -diF/dt=3300A/µs,VCE=2800V 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 3,5 SchaltverlusteDiode,Brems-Chopper(typisch) switchinglossesDiode,Brake-Chopper(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=2800V 3200 2800 Erec, Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 2800 2400 2400 2000 2000 E [mJ] E [mJ] 1600 1600 1200 1200 800 800 400 400 0 0 200 400 600 0 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 8 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R45KL3-K_B5 IGBT-Modul IGBT-Module TransienterWärmewiderstandDiode,Brems-Chopper transientthermalimpedanceDiode,Brake-Chopper ZthJC=f(t) SichererArbeitsbereichDiode,Brems-Chopper(SOA) safeoperationareaDiode,Brake-Chopper(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 100 2000 ZthJC : Diode IR, Modul 1600 10 IR [A] ZthJC [K/kW] 1200 800 1 400 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 5,222 15,1 3,423 1,746 τi[s]: 0,004 0,048 0,247 4,383 0,1 0,001 0,01 0,1 t [s] 1 0 10 0 3000 4000 5000 SchaltverlusteDiode,Revers(typisch) switchinglossesDiode,Reverse(typical) Erec=f(IF) -diF/dt=3300A/µs,VCE=2800V 1600 3200 Tvj = 25°C Tvj = 125°C Erec, Tvj = 125°C 2800 1200 2400 1000 2000 E [mJ] 1400 IF [A] 2000 VR [V] DurchlasskennliniederDiode,Revers(typisch) forwardcharacteristicofDiode,Reverse(typical) IF=f(VF) 800 1600 600 1200 400 800 200 400 0 1000 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 VF [V] 2,5 3,0 0 3,5 preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 9 0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600 IF [A] TechnischeInformation/TechnicalInformation FD800R45KL3-K_B5 IGBT-Modul IGBT-Module SchaltverlusteDiode,Revers(typisch) switchinglossesDiode,Reverse(typical) Erec=f(RG) IF=800A,VCE=2800V TransienterWärmewiderstandDiode,Revers transientthermalimpedanceDiode,Reverse ZthJC=f(t) 2800 100 Erec, Tvj = 125°C ZthJC : Diode 2400 10 2000 E [mJ] ZthJC [K/kW] 1600 1200 800 1 0,1 400 0 i: 1 2 3 4 ri[K/kW]: 5,222 15,1 3,423 1,746 τi[s]: 0,004 0,048 0,247 4,383 0 1 2 3 4 5 6 RG [Ω] 7 8 9 0,01 0,001 10 SichererArbeitsbereichDiode,Revers(SOA) safeoperationareaDiode,Reverse(SOA) IR=f(VR) Tvj=125°C 2000 IR, Modul 1600 IR [A] 1200 800 400 0 0 1000 2000 3000 4000 5000 VR [V] preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 10 0,01 0,1 t [s] 1 10 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R45KL3-K_B5 Schaltplan/Circuitdiagram Gehäuseabmessungen/Packageoutlines preparedby:WB dateofpublication:2015-09-14 approvedby:DTS revision:V3.0 11 TechnischeInformation/TechnicalInformation IGBT-Modul IGBT-Module FD800R45KL3-K_B5 Nutzungsbedingungen DieindiesemProduktdatenblattenthaltenenDatensindausschließlichfürtechnischgeschultesFachpersonalbestimmt.DieBeurteilung derEignungdiesesProduktesfürIhreAnwendungsowiedieBeurteilungderVollständigkeitderbereitgestelltenProduktdatenfürdiese AnwendungobliegtIhnenbzw.IhrentechnischenAbteilungen. IndiesemProduktdatenblattwerdendiejenigenMerkmalebeschrieben,fürdiewireineliefervertraglicheGewährleistungübernehmen.Eine solcheGewährleistungrichtetsichausschließlichnachMaßgabederimjeweiligenLiefervertragenthaltenenBestimmungen.Garantien jeglicherArtwerdenfürdasProduktunddessenEigenschaftenkeinesfallsübernommen.DieAngabenindengültigenAnwendungs-und MontagehinweisendesModulssindzubeachten. SolltenSievonunsProduktinformationenbenötigen,dieüberdenInhaltdiesesProduktdatenblattshinausgehenundinsbesondereeine spezifischeVerwendungunddenEinsatzdiesesProduktesbetreffen,setzenSiesichbittemitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroin Verbindung(siehewww.infineon.com,Vertrieb&Kontakt).FürInteressentenhaltenwirApplicationNotesbereit. AufgrunddertechnischenAnforderungenkönnteunserProduktgesundheitsgefährdendeSubstanzenenthalten.BeiRückfragenzudenin diesemProduktjeweilsenthaltenenSubstanzensetzenSiesichbitteebenfallsmitdemfürSiezuständigenVertriebsbüroinVerbindung. SolltenSiebeabsichtigen,dasProduktinAnwendungenderLuftfahrt,ingesundheits-oderlebensgefährdendenoderlebenserhaltenden Anwendungsbereicheneinzusetzen,bittenwirumMitteilung.Wirweisendaraufhin,dasswirfürdieseFälle -diegemeinsameDurchführungeinesRisiko-undQualitätsassessments; -denAbschlussvonspeziellenQualitätssicherungsvereinbarungen; -diegemeinsameEinführungvonMaßnahmenzueinerlaufendenProduktbeobachtungdringendempfehlenund gegebenenfallsdieBelieferungvonderUmsetzungsolcherMaßnahmenabhängigmachen. Soweiterforderlich,bittenwirSie,entsprechendeHinweiseanIhreKundenzugeben. InhaltlicheÄnderungendiesesProduktdatenblattsbleibenvorbehalten. Terms&Conditionsofusage Thedatacontainedinthisproductdatasheetisexclusivelyintendedfortechnicallytrainedstaff.Youandyourtechnicaldepartmentswill havetoevaluatethesuitabilityoftheproductfortheintendedapplicationandthecompletenessoftheproductdatawithrespecttosuch application. Thisproductdatasheetisdescribingthecharacteristicsofthisproductforwhichawarrantyisgranted.Anysuchwarrantyisgranted exclusivelypursuantthetermsandconditionsofthesupplyagreement.Therewillbenoguaranteeofanykindfortheproductandits characteristics.Theinformationinthevalidapplication-andassemblynotesofthemodulemustbeconsidered. Shouldyourequireproductinformationinexcessofthedatagiveninthisproductdatasheetorwhichconcernsthespecificapplicationof ourproduct,pleasecontactthesalesoffice,whichisresponsibleforyou(seewww.infineon.com).Forthosethatarespecifically interestedwemayprovideapplicationnotes. Duetotechnicalrequirementsourproductmaycontaindangeroussubstances.Forinformationonthetypesinquestionpleasecontactthe salesoffice,whichisresponsibleforyou. 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