BCX38B BCX38B Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistors Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistoren NPN NPN Version 2006-07-24 Power dissipation Verlustleistung 18 9 16 E BC 2 x 2.54 Dimensions - Maße [mm] 625 mW Plastic case Kunststoffgehäuse TO-92 (10D3) Weight approx. – Gewicht ca. 0.18 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings (TA = 25°C) Grenzwerte (TA = 25°C) BCX38B Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung B open VCEO 60 V Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung E open VCBO 80 V Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung C open VEBO 10 V Power dissipation – Verlustleistung Ptot 625 mW 1) Collector current – Kollektorstrom (dc) IC 800 mA Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom ICM 2A Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -55...+150°C -55…+150°C Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Min. Typ. Max. 2000 4000 – – – – VCEsat – – 1.25 V VBE – – 1.8 V ICBO – – 100 nA IEB0 – – 100 nA DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis ) 2 IC = 100 mA, VCE = 5 V IC = 500 mA, VCE = 5 V hFE hFE Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Emitter-Sättigungsspg. 2) IC = 800 mA, IB = 8 mA Base-Emitter voltage – Basis-Emitter-Spannung 2) IC = 800 mA, VCE = 5 V Collector-Base cutoff current – Kollektor-Basis-Reststrom VCB = 60 V, (E open) Emitter-Base cutoff current – Emitter-Basis-Reststrom VEB = 8 V, (C open) 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Tested with pulses tp = 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen tp = 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2% © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BCX38B Characteristics (Tj = 25°C) Kennwerte (Tj = 25°C) Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 200 K/W 1) Pinning – Anschlußbelegung T 1 T E B 2 C T1 T2 E B Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistors Si-Epitaxial Planar Darlington-Transistoren C 120 [%] 100 80 60 40 20 Ptot 0 0 TA 50 100 150 [°C] Power dissipation versus ambient temperature ) Verlustleistung in Abh. von d. Umgebungstemp.1) 1 1 2 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 2 mm from case Gültig wenn die Anschlussdrähte in 2 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG