EAL1A ... EAL1M EAL1A ... EAL1M Superfast Switching Surface Mount Controlled Avalanche Rectifier Diodes Superschnelle SMD Gleichrichterdioden mit kontrolliertem Durchbruchsverhalten Version 2009-06-08 Nominal current – Nennstrom 1A 1.6 Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V 0.4 Plastic case MiniMELF Kunststoffgehäuse MiniMELF DO-213AA 0.4 3.5 Weight approx. – Gewicht ca. 0.04 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped and reeled Standard Lieferform gegurtet auf Rolle Dimensions - Maße [mm] Marking: 1. green ring denotes “cathode” and “superfast switching rectifier family” 2. colored ring denotes “repetitive peak reverse voltage” (see below) Kennzeichnung: 1. grüner Ring kennzeichnet “Kathode” und “superschnelle Gleichrichter” 2. farbiger Ring kennzeichnet “Periodische Spitzensperrspannung” (siehe unten) Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] EAL1A 50 50 gray / grau EAL1B 100 100 red / rot EAL1D 200 200 orange / orange EAL1G 400 400 yellow / gelb EAL1J 600 600 green / grün EAL1K 800 800 blue / blau EAL1M 1000 1000 violett / violet Max. average forward rectified current Dauergrenzstrom in Einwegschaltung 2. Cathode ring 2. Kathodenring EAL1A...EAL1G TA = 75°C IFAV 1 A 1) EAL1J...EAL1M TA = 50°C IFAV 1 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 8 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 25/30 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 4.5 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 EAL1A ... EAL1M Characteristics Kennwerte Type Typ Reverse recovery time Sperrverzugszeit Forward voltage Durchlass-Spannung trr [ns] 1) VF [V] EAL1A ... EAL1D < 50 < 1.25 1 EAL1G < 50 < 1.35 1 EAL1J ... EAL1M < 75 < 1.8 1 Tj = 25°C Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 125°C VR = VRRM VR = VRRM Non-repetitive peak reverse avalanche energy Einmalige Impulsenergie in Sperr-Richtung IRSM = 1 mA TA = 25°C at / bei IF [A] IR IR < 3 µA < 50 µA ERSM 20 mJ Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 75 K/W 2) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 40 K/W 10 120 [%] [A] EGL1A...EGL1G 100 EGL1A...D 1 80 EGL1G EGL1J...EGL1M EGL1J...M 60 10-1 40 10-2 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-3 0.4 1 Rated forward current versus ambient temperature ) Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1) 1 2 2 Tj = 25°C VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG