BZW04-5V8 ... BZW04-376B BZW04-5V8 ... BZW04-376B Unidirectional and bidirectional Transient Voltage Suppressor Diodes Unidirektionale und bidirektionale Spannungs-Begrenzer-Dioden Version 2005-07-15 Peak pulse power dissipation Impuls-Verlustleistung ±0.05 ±0.1 6.3 Type 62.5 ±0.5 Ø3 Ø 0.8±0.05 Dimensions - Maße [mm] 400 W Nominal Stand-off voltage Nominale Sperrspannung 5.8...376 V Plastic case Kunststoffgehäuse DO-15 (DO-204AC) Weight approx Gewicht ca. 0.4 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack For bidirectional types (add suffix “B”), electrical characteristics apply in both directions. Für bidirektionale Dioden (ergänze Suffix “B”) gelten die elektrischen Werte in beiden Richtungen. Maximum ratings and Characteristics Grenz- und Kennwerte Peak pulse power dissipation (10/1000 µs waveform) Impuls-Verlustleistung (Strom-Impuls 10/1000 µs) TA = 25°C PPPM 400 W 1) Steady state power dissipation Verlustleistung im Dauerbetrieb TA = 75°C PM(AV) 1 W 2) Peak forward surge current, 60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 40 A 3) VBR ≤ 200 V VBR > 200 V VF VF < 3.0 V 3) < 6.5 V 3) Operating junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschluss RthT Max. instantaneous forward voltage Augenblickswert der Durchlass-Spannung 1 IF = 25 A < 45 K/W < 15 K/W Non-repetitive pulse see curve IPP = f (t) / PPP = f (t) Höchstzulässiger Spitzenwert eines einmaligen Impulses, siehe Kurve IPP = f (t) / PPP = f (t) 2 3 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden Unidirectional diodes only – Nur für unidirektionale Dioden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BZW04-5V8 ... BZW04-376B Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Stand-off voltage Sperrspannung Max. rev. current Max. Sperrstrom at / bei VWM Breakdown voltage at IT = 1 mA Abbruch-Spannung bei IT = 1 mA *) at / bei IT = 10 mA VWM [V] ID [µA] VBR [V] BZW04-5V8 5.8 1000 6.8 ± 5% BZW04-6V4 6.4 500 7.5 ± 5% BZW04-7V0 7.02 200 BZW04-7V8 7.78 50 BZW04-8V5 8.55 10 BZW04-9V4 9.4 5 BZW04-10 10.2 BZW04-11 BZW04-13 Max. clamping voltage Max. Begrenzer-Spannung at / bei IPPM (10/1000 µs) VC [V] IPPM [A] 6.45...7.14 *) 10.5 38.0 7.13...7.88 *) 11.3 35.4 8.2 ± 5% 7.79...8.61 *) 12.1 33.0 9.1 ± 5% 8.65...9.55 13.4 30.0 10 ± 5% 9.5...10.5 14.5 27.6 11 ± 5% 10.5...11.6 15.6 25,7 5 12 ± 5% 11.4...12.6 16.7 24.0 11.1 5 13 ± 5% 12.4...13.7 18.2 22.0 12.8 5 15 ± 5% 14.3...15.8 21.2 19.0 BZW04-14 13.6 5 16 ± 5% 15.2...16.8 22.5 17.8 BZW04-15 15.3 5 18 ± 5% 17.1...18.9 25.2 16.0 BZW04-17 17.1 5 20 ± 5% 19.0...21.0 27.7 14.5 BZW04-19 18.8 5 22 ± 5% 20.9...23.1 30.6 13.0 BZW04-20 20.5 5 24 ± 5% 22.8...25.2 33.2 12.0 BZW04-23 23.1 5 27 ± 5% 25.7...28.4 37.5 10.7 BZW04-26 25.6 5 30 ± 5% 28.5...31.5 41.5 9.6 BZW04-28 28.2 5 33 ± 5% 31.4...34.7 45.7 8.8 BZW04-31 30.8 5 36 ± 5% 34.2...37.8 49.9 8.0 BZW04-33 33.3 5 39 ± 5% 37.1...41.0 53.9 7.4 BZW04-37 36.8 5 43 ± 5% 40.9...45.2 59.3 6.7 BZW04-40 40.2 5 47 ± 5% 44.7...49.4 64.8 6.2 BZW04-44 43.6 5 51 ± 5% 48.5...53.6 70.1 5.7 BZW04-48 47.8 5 56 ± 5% 53.2...58.8 77.0 5.2 BZW04-53 53.0 5 62 ± 5% 58.9...65.1 85.0 4.7 BZW04-58 58.1 5 68 ± 5% 64.6...71.4 92.0 4.3 BZW04-64 64.1 5 75 ± 5% 71.3...78.8 103 3.9 BZW04-70 70.1 5 82 ± 5% 77.9...86.1 113 3.5 BZW04-78 77.8 5 91 ± 5% 86.5...95.5 125 3.2 BZW04-85 85.8 5 100 ± 5% 95.0...105 137 2.9 BZW04-94 94.0 5 110 ± 5% 105...116 152 2.6 BZW04-102 102 5 120 ± 5% 114...126 165 2.4 BZW04-111 111 5 130 ± 5% 124...137 179 2.2 BZW04-128 128 5 150 ± 5% 143...158 207 2.0 BZW04-136 136 5 160 ± 5% 152...168 219 1.8 BZW04-145 145 5 170 ± 5% 162...179 234 1.7 BZW04-154 154 5 180 ± 5% 171...189 246 1.6 BZW04-171 171 5 200 ± 5% 190...210 274 1.5 BZW04-188 188 5 220 ± 5% 209...231 301 1.4 BZW04-213 213 5 250 ± 5% 237...263 344 1.3 BZW04-239 239 5 280 ± 5% 266...294 384 1.2 BZW04-256 256 5 300 ± 5% 285...315 414 1.1 BZW04-273 273 5 320 ± 5% 304...336 438 1.0 BZW04-299 299 5 350 ± 5% 332...368 482 0.9 BZW04-342 342 5 400 ± 5% 380...420 548 0.9 BZW04-376 376 5 440 ± 5% 418...462 603 0.8 2 http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG BZW04-5V8 ... BZW04-376B 120 [%] tr = 10 µs 100 100 [%] 80 80 60 60 40 40 IPPM/2 PPPM/2 IPP 20 20 PM(AV) PPP 0 0 0 TA 100 50 150 [°C] tP 0 Steady state power dissip. vs. ambient temperature ) Dauer-Verlustleistung in Abh. v. d. Umgebungstemp.1) 1 1 2 3 [ms] 4 10/1000µs - pulse waveform 10/1000µs - Impulsform 1 102 [kW] 10 1 PPP 0.1 0.1µs tP 1µs 10µs 100µs 1ms 10ms Non repetitive peak pulse power versus pulse width (10/1000 wave form) Einzel-Impuls-Spitzenleistung in Abh. von der Pulsdauer (10/1000-Impuls) 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 3