BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47 BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47 Silicon-Protectifiers® with TVS characteristic – High Temperature Diodes Silizium-Schutzgleichrichter mit Begrenzereigenschaft – Hochtemperatur-Dioden Version 2015-04-15 Nominal Current Nennstrom Ø 12.75 Ø 11±0.5 35 A 22 ... 47 V 28.5 min Metal press-fit case with plastic cover Metall-Einpressgehäuse mit Plastik-Abdeckung Weight approx. Gewicht ca. 4.2+0.3 9.3±0.2 1.3 Rändel 0.8 knurl 0.8 Nominal breakdown voltage Nominale Abbruchspannung 10 g Compound has classification UL94V-0 Vergussmasse nach UL94V-0 klassifiziert Standard packaging: bulk Standard Lieferform: lose im Karton Dimensions - Maße [mm] Maximum ratings Type / Typ Wire to / Draht an Grenzwerte Breakdown voltage Abbruchspannung IT = 100 mA Reverse voltage Sperrspannung IR = 5 µA Max. clamping voltage Max. Begrenzerspanng. at / bei Ipp, tp = 1 ms Anode Cathode VBRmin [V] VBRmax [V] VR [V] VC [V] Ipp [A] BYZ35A22 BYZ35K22 19.8 24.2 > 17.8 31.9 157 BYZ35A27 BYZ35K27 24.3 29.7 > 21.8 39.1 128 BYZ35A33 BYZ35K33 29.7 36.3 > 26.8 47.7 105 BYZ35A39 BYZ35K39 35.1 42.9 > 31.6 56.4 89 BYZ35A47 BYZ35K47 42.3 51.7 > 38.1 67.8 74 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TC = 150°C IFAV 35 A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 72 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 360/400 A Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 660 A2s Tj TS -50...+200°C -50...+200°C TjM +215°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur Peak junction temperature in case of “Load-Dump“ Spitzensperrschichttemperatur bei “Load-Dump“ 1 tp < 400 ms Max. case temperature TC = 150°C – Max. Gehäusetemperatur TC = 150°C © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BYZ35A22 ... BYZ35A47, BYZ35K22 ... BYZ35K47 Characteristics Kennwerte Forward Voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C VF < 1.1 V Thermal Resistance Junction – Case Wärmewiderstand Sperrschicht – Gehäuse RthC < 0.8 K/W Maximum pressing force Maximaler Einpressdruck Fpmax 4 kN 120 IF = 35 A 3 10 [%] [A] 100 Tj = 125°C 102 80 Tj = 25°C 10 60 40 1 20 IF IFAV 0 10 360a-(35a-1,1v) -1 0 TC 50 100 150 200 [°C] Rated forward current versus case temperature Zul. Richtstrom in Abh. von der Gehäusetemp. 0.4 VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) 3 10 [A] 102 îF 10 1 © Diotec Semiconductor AG 10 102 [n] 103 Peak forward surge current versus number of cycles at 50 Hz Durchlaß-Spitzenstrom in Abh. von der Zahl der Halbwellen bei 50 Hz http://www.diotec.com/ 2