Diotec FE3D Superfast recovery rectifier diode Datasheet

FE3A ... FE3G
FE3A ... FE3G
Superfast Recovery Rectifier Diodes
Gleichrichterdioden mit superschnellem Sperrverzug
IFAV = 3 A
VF
< 0.98...1.3 V
Tjmax = 175°C
VRRM = 50...400 V
IFSM = 125/135 A
trr
< 50 ns
Version 2015-12-21
Typical Applications
Rectification of higher frequencies,
High speed switching
Commercial grade 1)
7.5±0.1
Type
62.5
Ø 1.2±0.05
Features
High forward surge current
Compliant to RoHS, REACH,
Conflict Minerals 1)
Besonderheiten
Hohe Stoßstromfestigkeit
Konform zu RoHS, REACH,
Konfliktmineralien 1)
RoHS
Pb
EE
WE
±0.5
Ø 4.5+0.1
-0.3
Typische Anwendungen
Gleichrichtung hoher Frequenzen
Schnelles Schalten
Standardausführung 1)
EL
V
~DO-201
Mechanische Daten 1)
Mechanical Data 1)
Taped in ammo pack
1700
Gegurtet in Ammo-Pack
Weight approx.
1.0 g
Gewicht ca.
Case material
UL 94V-0
Solder & assembly conditions
260°C/10s
Dimensions - Maße [mm]
Gehäusematerial
Löt- und Einbaubedingungen
MSL N/A
Maximum ratings 2)
Grenzwerte 2)
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
VRRM [V]
Surge peak reverse voltage
Stoßspitzensperrspannung
VRSM [V]
FE3A
50
50
FE3B
100
100
FE3D
200
200
FE3G
400
400
Max. average forward rectified current, R-load
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last
TA = 75°C
IFAV
3 A 3)
Repetitive peak forward current
Periodischer Spitzenstrom
f > 15 Hz
IFRM
30 A 3)
Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave
Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle
TA = 25°C
IFSM
125/135 A
Rating for fusing, t < 10 ms
Grenzlastintegral, t < 10 ms
TA = 25°C
i2t
78 A2s
Tj
TS
-50...+175°C
-50...+175°C
Junction temperature – Sperrschichttemperatur
Storage temperature – Lagerungstemperatur
1
2
3
Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book
Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches
Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
© Diotec Semiconductor AG
http://www.diotec.com/
1
FE3A ... FE3G
Characteristics
Kennwerte
Type
Typ
Reverse recovery time
Sperrverzugszeit
Forward voltage
Durchlass-Spannung
trr [ns]1)
VF [V]
FE3A
< 50
< 0.98
3
FE3B
< 50
< 0.98
3
FE3D
< 50
< 0.98
3
FE3G
< 50
< 1.30
3
Leakage current – Sperrstrom
Tj = 25°C
Typical junction capacitance
Typische Sperrschichtkapzität
at / bei
IF = [A]
VR = VRRM
IR
< 5 µA
VR = 4 V
Cj
15 pF
Thermal resistance junction to ambient air
Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft
RthA
< 25 K/W 2)
Thermal resistance junction to leads
Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht
RthT
< 8 K/W
120
102
[%]
FE3G
FE3A...D
[A]
100
10
80
Tj = 125°C
1
60
40
Tj = 25°C
-1
10
20
IF
IFAV
0
10-2
0
TA
50
100
150
[°C]
Rated forward current versus ambient temperature1)
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp.1)
125a-(3a-0.95/1.25v)
0.4
VF
0.8
1.0
1.2
1.4
[V] 1.8
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Disclaimer: See data book page 2 or website
Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet
1
2
2
IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A
Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case
Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand vom Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden
http://www.diotec.com/
© Diotec Semiconductor AG
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