CLX27 HiRel X-Band GaAs Power-MESFET • HiRel Discrete and Microwave Semiconductor • For professional power amplifiers • For frequencies from 500 MHz to 15 GHz • Hermetically sealed microwave power package • Low thermal resistance for high voltage application • Power added efficiency > 55 % • Space Qualification Expected 1998 ESA/SCC Detail Spec. No.: 5614/007, Type Variant No.s 04 to 06 ESD: Electrostatic discharge sensitive device, observe handling precautions! Type CLX27-00 (ql) Marking - Ordering Code see below Pin Configuration 1 2 3 G S D Package MWP-25 CLX27-05 (ql) CLX27-10 (ql) CLX27-nn: specifies output power level (see electrical characteristics) (ql) Quality Level: P: Professional Quality, Ordering Code: Q62702L119 H: High Rel Quality, Ordering Code: on request S: Space Quality, Ordering Code: on request ES: ESA Space Quality, Ordering Code: Q62702L118 (see order instructions for ordering example) Semiconductor Group 1 of 9 Draft D, September 99 CLX27 Maximum Ratings Parameter Symbol Values Unit Drain-source voltage VDS 11 V Drain-gate voltage VDG 13 V Gate-source voltage VGS -6 V Drain current ID 420 mA Gate forward current IG 5 mA Compression Level 1) Operation Range 1 PC 1.5 at VDS ≤ 8 V dB 2.5 at VDS ≤ 7 V 3.5 at VDS ≤ 6 V Compression Level 2) Operation Range 2 PC 3.5 at VDS ≤ 6 V dB Compression Level 3) Operation Range 3 PC tbd. dB Junction temperature TJ 175 °C Storage temperature range Tstg - 65...+ 175 °C Total power dissipation 4) Ptot 3.38 W Tsol 230 °C Rth JS ≤ 40 K/W Soldering temperature 5) Thermal Resistance Junction-soldering point Notes.: 1) Operation Range 1: 80 mA ≤ ID ≤ 160 mA 2) Operation Range 2: ID > 160 mA 3) Operation Range 3: ID < 80 mA 4) At TS = + 40 °C. For TS > + 40 °C derating is required. 5) During 15 sec. maximum. The same terminal shall not be resoldered until 3 minutes have elapsed. Semiconductor Group 2 of 9 Draft D, September 99 CLX27 Electrical Characteristics (at TA=25°C; unless otherwise specified) Parameter Symbol Values Unit min. typ. max. IDss 180 300 420 mA -VGth 1.2 2.2 3.2 V IDp3 - - 60 µA -IGp3 - - 24 µA IDp9.5 - - 600 µA -IGp9.5 - - 240 µA gm 130 160 - mS Rth JS - 35 - K/W DC Characteristics Drain-source saturation current VDS = 2 V, VGS = 0 V Gate threshold voltage VDS = 3 V, ID = 12 mA Drain current at pinch-off, low VDS VDS = 3 V, VGS = -3.5 V Gate current at pinch-off, low VDS VDS = 3 V, VGS = -3.5 V Drain current at pinch-off, high VDS VDS = 9.5 V, VGS = -3.5 V Gate current at pinch-off, high VDS VDS = 9.5 V, VGS = -3.5 V Transconductance VDS = 3 V, ID = 120 mA Thermal resistance Junction to soldering point VDS = 8 V, ID = 120 mA, Ts = +25°C Semiconductor Group 3 of 9 Draft D, September 99 CLX27 Electrical Characteristics (continued) Parameter Symbol Values min. typ. Unit max. AC Characteristics Linear power gain 1) dB Glp VDS = 8 V, ID = 120 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 0 dBm CLX27-00 17.5 18.5 - CLX27-05 18.0 19.0 - CLX27-10 18.0 19.0 - Power output at 1dB gain compr. 1) P1dB dBm VDS = 8 V, ID(RF off) = 120 mA, f = 2.3 GHz CLX27-00 - 26.5 - CLX27-05 - 27.3 - CLX27-10 - 27.8 - Output Power 1) dBm Pout VDS = 8 V, ID(RF off) = 120 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 10.5 dBm CLX27-00 26.0 26.5 - CLX27-05 27.0 27.3 - CLX27-10 27.5 27.8 - Power added efficiency 1), 2) PAE % VDS = 8 V, ID(RF off) = 120 mA, f = 2.3 GHz, Pin = 10.5 dBm CLX27-00 45 50 - CLX27-05 48 53 - CLX27-10 50 55 - Notes.: 1) RF Power characteristics given for power matching conditions 2) Power added efficiency: PAE = (PRFout - PRFin) / PDC Semiconductor Group 4 of 9 Draft D, September 99 CLX27 Typical Common Source S-Parameters f [GHz] 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8 2,9 3,0 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5 9,0 9,5 10,0 10,5 11,0 11,5 12,0 12,5 13,0 13,5 14,0 14,5 15,0 15,5 16,0 16,5 17,0 17,5 18,0 |S11| [magn] 0,945 0,928 0,911 0,898 0,886 0,875 0,867 0,861 0,855 0,849 0,844 0,839 0,834 0,830 0,826 0,822 0,819 0,815 0,812 0,810 0,807 0,806 0,804 0,803 0,802 0,800 0,799 0,799 0,797 0,796 0,795 0,794 0,793 0,793 0,792 0,791 0,791 0,790 0,789 0,788 0,788 0,787 0,786 0,784 0,780 0,776 0,770 0,757 0,739 0,715 0,690 0,666 0,641 0,619 0,599 0,585 0,583 0,592 0,613 0,636 <S11 [angle] -45 -52 -60 -66 -73 -80 -87 -93 -100 -106 -111 -117 -122 -126 -131 -135 -140 -144 -147 -151 -154 -158 -161 -164 -167 -169 -172 -175 -177 -180 178 165 157 147 139 131 123 116 108 100 92 84 76 68 61 54 47 39 32 24 15 5 -6 -19 -33 -48 -63 -76 -88 -98 Semiconductor Group |S21| [magn] 8,649 8,466 8,254 8,022 7,777 7,531 7,281 7,028 6,776 6,533 6,298 6,067 5,842 5,628 5,421 5,221 5,027 4,843 4,669 4,506 4,354 4,212 4,076 3,948 3,830 3,717 3,611 3,509 3,410 3,315 3,227 2,883 2,574 2,320 2,123 1,950 1,805 1,686 1,584 1,493 1,394 1,340 1,275 1,217 1,166 1,121 1,083 1,052 1,030 1,012 0,995 0,982 0,971 0,970 0,960 0,955 0,952 0,945 0,950 0,966 V DS = 3 <S21 [angle] 151 145 140 135 131 126 122 117 113 109 105 101 98 94 91 88 84 81 78 76 73 70 67 65 62 60 58 55 53 51 48 37 27 18 9 2 -8 -17 -26 -35 -44 -53 -62 -71 -80 -89 -97 -106 -115 -125 -135 -144 -154 -165 -177 172 160 151 142 134 V, I D = 120 mA, Z o |S12| <S12 [magn] [angle] 0,0266 67 0,0283 60 0,0303 55 0,0327 50 0,0352 47 0,0381 43 0,0407 40 0,0428 37 0,0448 34 0,0463 31 0,0478 29 0,0493 26 0,0504 23 0,0512 20 0,0518 18 0,0530 16 0,0531 14 0,0537 12 0,0543 10 0,0546 8 0,0548 6 0,0553 5 0,0555 3 0,0557 2 0,0558 1 0,0559 -1 0,0559 -2 0,0560 -3 0,0562 -4 0,0550 -5 0,0562 -7 0,0564 -13 0,0567 -18 0,0567 -23 0,0571 -26 0,0574 -29 0,0585 -32 0,0601 -35 0,0623 -38 0,0646 -40 0,0675 -43 0,0700 -47 0,0734 -52 0,0772 -56 0,0817 -61 0,0867 -66 0,0924 -71 0,0995 -76 0,1082 -82 0,1156 -89 0,1245 -97 0,1384 -104 0,1540 -113 0,1713 -122 0,1915 -133 0,2144 -145 0,2376 -157 0,2660 -166 0,2967 -175 0,3244 179 5 of 9 = 50 Ω |S22| [magn] 0,136 0,141 0,148 0,156 0,165 0,177 0,185 0,195 0,204 0,213 0,224 0,232 0,240 0,248 0,256 0,264 0,271 0,278 0,283 0,289 0,293 0,296 0,300 0,301 0,306 0,310 0,314 0,319 0,323 0,326 0,329 0,344 0,360 0,374 0,387 0,402 0,415 0,428 0,440 0,452 0,464 0,473 0,488 0,501 0,512 0,524 0,534 0,539 0,541 0,541 0,538 0,526 0,510 0,489 0,466 0,442 0,415 0,402 0,400 0,408 <S22 [angle] -85 -91 -97 -104 -111 -118 -125 -130 -135 -140 -144 -148 -152 -155 -158 -161 -164 -167 -169 -172 -174 -177 -178 180 178 177 175 174 172 170 168 163 157 151 146 141 136 130 125 118 111 103 96 89 83 77 71 66 60 55 49 42 34 25 16 5 -9 -24 -36 -46 k-Fact. [magn] 0,22 0,27 0,32 0,35 0,37 0,39 0,40 0,41 0,42 0,43 0,44 0,45 0,47 0,48 0,50 0,52 0,54 0,56 0,58 0,60 0,63 0,64 0,67 0,69 0,71 0,73 0,75 0,77 0,79 0,84 0,85 0,93 1,01 1,11 1,21 1,30 1,36 1,41 1,44 1,47 1,50 1,51 1,50 1,48 1,47 1,43 1,39 1,38 1,37 1,39 1,40 1,40 1,40 1,37 1,35 1,31 1,25 1,19 1,07 0,98 S 21 /S 12 [dB] 25,1 24,8 24,4 23,9 23,4 23,0 22,5 22,2 21,8 21,5 21,2 20,9 20,6 20,4 20,2 19,9 19,8 19,6 19,3 19,2 19,0 18,8 18,7 18,5 18,4 18,2 18,1 18,0 17,8 17,8 17,6 17,1 16,6 16,1 15,7 15,3 14,9 14,5 14,1 13,6 13,1 12,8 12,4 12,0 11,5 11,1 10,7 10,2 9,8 9,4 9,0 8,5 8,0 7,5 7,0 6,5 6,0 5,5 5,1 4,7 MAG [dB] 15,8 14,1 12,9 12,0 11,3 10,7 10,1 9,6 9,0 8,6 8,2 7,9 7,5 7,2 7,0 6,6 6,2 5,7 5,3 4,7 4,2 3,9 3,5 3,2 3,0 2,9 3,4 Draft D, September 99 CLX27 Typical Common Source S-Parameters (continued) f [GHz] 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8 2,9 3,0 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5 9,0 9,5 10,0 10,5 11,0 11,5 12,0 12,5 13,0 13,5 14,0 14,5 15,0 15,5 16,0 16,5 17,0 17,5 18,0 |S11| [mag] 0,946 0,931 0,914 0,898 0,887 0,879 0,872 0,865 0,859 0,854 0,849 0,844 0,839 0,835 0,831 0,826 0,823 0,820 0,817 0,814 0,812 0,811 0,809 0,808 0,807 0,805 0,804 0,804 0,803 0,803 0,802 0,801 0,800 0,799 0,798 0,798 0,797 0,796 0,796 0,795 0,794 0,793 0,793 0,793 0,792 0,792 0,790 0,778 0,761 0,738 0,714 0,695 0,666 0,641 0,620 0,604 0,604 0,620 0,643 0,667 <S11 [ang] -45 -51 -58 -65 -71 -78 -85 -91 -98 -104 -109 -115 -120 -125 -129 -133 -138 -142 -145 -149 -152 -156 -159 -162 -165 -168 -170 -173 -176 -178 180 167 157 149 140 132 124 117 109 101 93 85 77 69 61 54 47 40 32 23 15 5 -7 -20 -34 -48 -63 -77 -89 -98 Semiconductor Group |S21| [mag] 9,316 9,124 8,903 8,660 8,404 8,150 7,888 7,628 7,367 7,110 6,862 6,615 6,374 6,144 5,922 5,708 5,501 5,304 5,120 4,944 4,783 4,628 4,480 4,336 4,206 4,079 3,958 3,845 3,737 3,632 3,537 3,120 2,776 2,494 2,258 2,068 1,907 1,772 1,656 1,554 1,463 1,381 1,308 1,241 1,182 1,127 1,080 1,041 1,005 0,981 0,957 0,941 0,929 0,917 0,908 0,900 0,898 0,900 0,908 0,923 V DS = 5 V, I D = 120 mA, Z o <S21 |S12| <S12 [ang] [mag] [ang] 152 0,0205 62 146 0,0219 58 141 0,0234 55 136 0,0252 51 131 0,0273 47 126 0,0293 44 122 0,0314 41 117 0,0332 38 113 0,0350 35 109 0,0361 33 105 0,0370 30 101 0,0382 27 97 0,0391 25 94 0,0395 23 90 0,0401 20 87 0,0402 18 84 0,0404 16 80 0,0405 14 77 0,0410 12 74 0,0411 11 71 0,0420 9 69 0,0413 8 66 0,0415 6 63 0,0418 5 61 0,0422 4 58 0,0422 3 56 0,0422 2 53 0,0430 1 51 0,0425 0 48 0,0424 -1 46 0,0423 -2 35 0,0423 -6 24 0,0423 -10 12 0,0423 -12 4 0,0429 -14 -6 0,0440 -15 -16 0,0461 -16 -25 0,0484 -18 -34 0,0518 -20 -42 0,0553 -22 -51 0,0591 -25 -60 0,0633 -29 -69 0,0679 -33 -78 0,0727 -38 -87 0,0783 -43 -96 0,0842 -49 -105 0,0907 -54 -114 0,0987 -60 -123 0,1085 -67 -132 0,1195 -75 -142 0,1310 -82 -151 0,1445 -91 -161 0,1623 -100 -172 0,1824 -110 176 0,2049 -121 165 0,2300 -134 153 0,2620 -147 145 0,2891 -157 135 0,3231 -165 127 0,3541 -172 6 of 9 = 50 Ω |S22| [mag] 0,257 0,254 0,249 0,243 0,238 0,233 0,228 0,224 0,220 0,218 0,216 0,215 0,215 0,215 0,216 0,217 0,217 0,219 0,221 0,223 0,226 0,228 0,231 0,234 0,239 0,242 0,245 0,249 0,253 0,258 0,263 0,286 0,309 0,333 0,357 0,381 0,404 0,424 0,444 0,463 0,481 0,500 0,517 0,536 0,557 0,577 0,594 0,607 0,618 0,623 0,625 0,621 0,612 0,598 0,581 0,561 0,539 0,526 0,526 0,537 <S22 [ang] -29 -36 -43 -49 -55 -61 -66 -72 -77 -82 -87 -92 -96 -101 -105 -110 -114 -117 -120 -123 -125 -128 -130 -133 -135 -137 -140 -142 -144 -146 -147 -156 -165 -173 -181 169 162 155 148 141 132 124 116 108 100 93 86 80 74 68 61 54 46 38 29 18 5 -8 -19 -28 k-Fact. [mag] 0,28 0,33 0,38 0,42 0,43 0,44 0,45 0,45 0,46 0,48 0,49 0,51 0,52 0,55 0,57 0,60 0,63 0,66 0,68 0,71 0,72 0,76 0,79 0,81 0,82 0,85 0,88 0,89 0,92 0,95 0,98 1,09 1,22 1,33 1,44 1,51 1,54 1,56 1,53 1,51 1,49 1,45 1,41 1,35 1,27 1,19 1,11 1,07 1,04 1,03 1,03 1,02 1,02 1,02 1,01 0,99 0,93 0,89 0,80 0,72 S 21 /S 12 [dB] 26,6 26,2 25,8 25,4 24,9 24,4 24,0 23,6 23,2 22,9 22,7 22,4 22,1 21,9 21,7 21,5 21,3 21,2 21,0 20,8 20,6 20,5 20,3 20,2 20,0 19,9 19,7 19,5 19,4 19,3 19,2 18,7 18,2 17,7 17,2 16,7 16,2 15,6 15,0 14,5 13,9 13,4 12,8 12,3 11,8 11,3 10,8 10,2 9,7 9,1 8,6 8,1 7,6 7,0 6,5 5,9 5,3 4,9 4,5 4,2 MAG [dB] 16,8 15,4 14,2 13,3 12,5 11,8 11,2 10,7 10,3 9,8 9,4 9,0 8,8 8,6 8,6 8,7 8,6 8,4 8,1 7,6 7,3 6,7 6,1 5,9 Draft D, September 99 CLX27 Typical Common Source S-Parameters (continued) f [GHz] 0,5 0,6 0,7 0,8 0,9 1,0 1,1 1,2 1,3 1,4 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2,0 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 2,6 2,7 2,8 2,9 3,0 3,1 3,2 3,3 3,4 3,5 4,0 4,5 5,0 5,5 6,0 6,5 7,0 7,5 8,0 8,5 9,0 9,5 10,0 10,5 11,0 11,5 12,0 12,5 13,0 13,5 14,0 14,5 15,0 15,5 16,0 16,5 17,0 17,5 18,0 |S11| [mag] 0,950 0,932 0,915 0,902 0,891 0,881 0,874 0,868 0,862 0,857 0,852 0,848 0,843 0,839 0,836 0,832 0,829 0,827 0,825 0,823 0,821 0,820 0,819 0,818 0,817 0,815 0,815 0,814 0,813 0,813 0,812 0,812 0,812 0,812 0,812 0,811 0,811 0,811 0,811 0,811 0,810 0,810 0,809 0,809 0,808 0,806 0,802 0,793 0,778 0,756 0,735 0,713 0,691 0,665 0,639 0,622 0,622 0,642 0,668 0,694 <S11 [ang] -44 -52 -58 -65 -72 -79 -85 -92 -98 -104 -110 -115 -120 -125 -130 -134 -138 -142 -146 -149 -153 -156 -159 -162 -165 -168 -171 -173 -176 -178 179 168 158 148 140 132 122 116 108 100 92 84 76 68 60 53 46 38 30 22 13 3 -9 -22 -36 -51 -66 -80 -92 -101 Semiconductor Group |S21| [mag] 9,344 9,149 8,924 8,677 8,420 8,166 7,908 7,648 7,387 7,132 6,882 6,632 6,389 6,155 5,928 5,711 5,505 5,309 5,125 4,953 4,792 4,634 4,486 4,342 4,206 4,076 3,956 3,841 3,731 3,629 3,534 3,110 2,748 2,463 2,223 2,025 1,860 1,721 1,601 1,496 1,402 1,317 1,240 1,171 1,109 1,052 1,002 0,959 0,926 0,891 0,863 0,842 0,825 0,810 0,800 0,793 0,787 0,787 0,794 0,808 V DS = 8 V, I D = 120 mA, Z o <S21 |S12| <S12 [ang] [mag] [ang] 149 0,0135 65 143 0,0156 61 139 0,0176 57 135 0,0197 53 130 0,0210 49 125 0,0225 46 121 0,0240 42 116 0,0253 39 112 0,0265 36 108 0,0274 33 104 0,0281 30 100 0,0286 28 96 0,0293 25 92 0,0297 23 89 0,0302 21 85 0,0304 19 82 0,0306 17 79 0,0307 16 75 0,0310 15 72 0,0313 14 69 0,0313 12 66 0,0313 11 64 0,0316 10 61 0,0314 9 58 0,0314 8 56 0,0315 7 53 0,0315 6 50 0,0315 5 48 0,0315 4 45 0,0315 4 43 0,0315 3 32 0,0314 1 20 0,0315 1 10 0,0322 1 2 0,0339 1 -8 0,0364 1 -20 0,0398 1 -28 0,0430 0 -37 0,0478 -2 -47 0,0528 -6 -57 0,0581 -11 -66 0,0637 -16 -76 0,0692 -21 -85 0,0759 -27 -94 0,0828 -33 -104 0,0902 -39 -112 0,0978 -45 -121 0,1066 -51 -130 0,1169 -58 -140 0,1290 -66 -149 0,1400 -74 -158 0,1568 -82 -168 0,1759 -92 -179 0,1975 -103 169 0,2214 -115 158 0,2474 -128 146 0,2765 -142 137 0,3148 -152 128 0,3530 -161 121 0,3881 -167 7 of 9 = 50 Ω |S22| [mag] 0,404 0,398 0,390 0,381 0,373 0,365 0,357 0,350 0,343 0,338 0,333 0,328 0,324 0,320 0,318 0,317 0,315 0,314 0,312 0,311 0,311 0,311 0,313 0,315 0,317 0,319 0,321 0,325 0,327 0,330 0,334 0,353 0,378 0,403 0,428 0,450 0,474 0,498 0,519 0,538 0,556 0,574 0,595 0,614 0,635 0,656 0,674 0,688 0,698 0,706 0,709 0,711 0,708 0,699 0,688 0,673 0,657 0,648 0,652 0,667 <S22 [ang] -21 -26 -29 -33 -37 -41 -45 -48 -52 -55 -59 -62 -66 -69 -72 -75 -79 -82 -85 -88 -91 -94 -96 -99 -101 -104 -107 -110 -113 -115 -118 -131 -143 -154 -164 -173 179 171 163 154 145 136 127 118 110 102 94 88 81 75 67 60 52 44 34 23 11 -2 -13 -22 k-Fact. [mag] 0,33 0,39 0,44 0,46 0,49 0,51 0,52 0,53 0,54 0,56 0,58 0,60 0,62 0,65 0,67 0,70 0,73 0,76 0,79 0,81 0,85 0,88 0,90 0,94 0,97 1,00 1,03 1,06 1,10 1,12 1,15 1,29 1,42 1,53 1,58 1,58 1,53 1,49 1,40 1,32 1,25 1,17 1,10 1,02 0,94 0,86 0,79 0,75 0,72 0,71 0,72 0,71 0,70 0,71 0,73 0,73 0,71 0,65 0,58 0,51 S 21 /S 12 [dB] 28,4 27,7 27,1 26,4 26,0 25,6 25,2 24,8 24,5 24,2 23,9 23,7 23,4 23,2 22,9 22,7 22,6 22,4 22,2 22,0 21,8 21,7 21,5 21,4 21,3 21,1 21,0 20,9 20,7 20,6 20,5 20,0 19,4 18,8 18,2 17,5 16,7 16,0 15,3 14,5 13,8 13,2 12,5 11,9 11,3 10,7 10,1 9,5 9,0 8,4 7,9 7,3 6,7 6,1 5,6 5,1 4,5 4,0 3,5 3,2 MAG [dB] 20,9 19,9 19,3 18,8 18,5 18,1 16,7 15,5 14,5 13,7 13,0 12,4 11,9 11,5 11,1 10,8 10,6 10,6 10,9 Draft D, September 99 CLX27 Order Instructions: Full type variant including quality level must be specified by the orderer. For HiRel Discrete and Microwave Semiconductors the ordering code specifies device family and quality level only. Ordering Form: Ordering Code: Q.......... CLX27- (nn) (ql) (nn): Output Power Level (ql): Quality Level Ordering Example: Ordering Code: Q62702L118 CLX27-10 ES For CLX27; Output Power Level 10 (Pout>27.5 dBm) in ESA Space Quality Level Further Informations: See our WWW-Pages: - Discrete and RF-Semiconductors (Small Signal Semiconductors) www.infineon.de/semiconductor/products/35/35.htm - HiRel Discrete and Microwave Semiconductors www.infineon.de/semiconductor/products/35/353.htm Please contact also our marketing division : Tel.: Fax.: Address: Semiconductor Group ++89 234 24480 ++89 234 24838 e-mail: [email protected] Infineon Technologies Semiconductors, High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709, D-81617 Munich 8 of 9 Draft D, September 99 CLX27 MWP-25 Package Published by Infineon Technologies Semiconductors, High Frequency Products Marketing, P.O.Box 801709, D-81617 Munich. Infineon Technologies AG 1998. All Rights Reserved. As far as patents or other rights of third parties are concerned, liability is only assumed for components per se, not for applications, processes and circuits implemented within components or assemblies. The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics. 1 2 3 Terms of delivery and rights to change design reserved. For questions on technology, delivery and prices please contact the Offices of Semiconductor Group in Germany or the Infineon Technologies Companies and Representatives woldwide (see address list). Due to technical requirements components may contain dangerous substances. For information on the type in question please contact your nearest Infineon Technologies Office, Semiconductor Group. Infineon Technologies Semiconductors is a certified CECC and QS9000 manufacturer (this includes ISO 9000). Semiconductor Group 9 of 9 Draft D, September 99