M1 ... M7 M1 ... M7 IFAV = 1 A VF < 1.1 V Tjmax = 150°C Standard Recovery SMD Rectifier Diodes SMD-Gleichrichterdioden mit Standard-Sperrverzug VRRM = 50...1000 V IFSM = 27/30 A trr ~ 1500 ns Version 2015-10-02 5.3 ± 0.4 2.2 ± 0.2 0.22 ± 0.1 Besonderheiten Konform zu RoHS, REACH, Konfliktmineralien 1) RoHS Pb Mechanical Data 1) Type Typ 1.5 ±0.2 2.7 ± 0.2 0.1 Features Compliant to RoHS, REACH, Conflict Minerals 1) Typische Anwendungen 50/60 Hz Netzgleichrichtung, Stromversorgungen, Verpolschutz Standardausführung 1) EE WE 1.1 ± 0.4 ± 0.7 Typical Applications 50/60 Hz Mains Rectification, Power Supplies, Polarity Protection Commercial grade 1) EL V ~ SMA / ~ DO-214AC 4.2± 0.3 Dimensions - Maße [mm] Mechanische Daten 1) Taped and reeled 7500 / 13“ Weight approx. Gegurtet auf Rolle 0.07 g Gewicht ca. Case material UL 94V-0 Gehäusematerial Solder & assembly conditions 260°C/10s Löt- und Einbaubedingungen MSL = 1 Maximum ratings2) Type Typ Grenzwerte2) Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] M1 50 50 M2 100 100 M3 200 200 M4 400 400 M5 600 600 M6 800 800 M7 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TT = 75°C IFAV 1A Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 5 A 3) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 27/30 A 3) Rating for fusing, t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 3.6 A2s Tj TS -50...+150°C -50...+150°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 2 Please note the detailed information on our website or at the beginning of the data book Bitte beachten Sie die detaillierten Hinweise auf unserer Internetseite bzw. am Anfang des Datenbuches Tj = 25°C unless otherwise specified – Tj = 25°C wenn nicht anders angegeben © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 M1 ... M7 Characteristics Kennwerte Forward voltage Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 1 A VF < 1.1 V Leakage current Sperrstrom Tj = 25°C Tj = 100°C VR = VRRM VR = VRRM IR IR < 5 µA < 50 µA VR = 4 V Cj 12 pF trr typ. 1500 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 75 K/W 1) Thermal resistance junction to terminal Wärmewiderstand Sperrschicht − Anschluss RthT < 40 K/W Typical junction capacitance Typische Sperrschichtkapzität Reverse recovery time – Sperrverzug IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to IR = 0.25 A 120 102 [%] [A] 100 Tj = 125°C 10 80 Tj = 25°C 60 1 40 10-1 20 IF IFAV 0 0 TT 50 100 150 10-2 0.4 [°C] 30a-(1a-1.1v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Rated forward current vs. temp. of the terminals Zul. Richtstrom in Abh. v. d. Temp. der Terminals Disclaimer: See data book page 2 or website Haftungssauschluss: Siehe Datenbuch Seite 2 oder Internet 3 1 2 Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss Mounted on P.C. board with 25 mm2 copper pads at each terminal Montage auf Leiterplatte mit 25 mm2 Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG