SDM04Z## 江苏捷捷微电子股份有限公司 CGT175 ○ 概述： CGT175 是双面台面中心门极结构反向阻断高压晶闸管芯片； 主要工艺技术：台面玻璃钝化工艺技术、多层金属化技术等。 ○ 产品主要用途： 无功补偿，固态继电器，电力模块等。 ○产品极限参数（封装成模块后，除非另有规定，TCASE =25℃） 参数名称 测试条件 符号 数值 -16 -18 Tj 结温范围 -20 -40-125 单位 ℃ 断态重复峰值电压 Tj=25℃ VDRM 1600 1800 2000 V 反向重复峰值电压 Tj=25℃ VRRM 1600 1800 2000 V 通态平均电流 TC=80℃ IT（AV） 175 A 通态浪涌电流 tp=10mS ITSM 4000 A tp=10mS 2 It 80000 A2S dI/dt 150 A/uS 2 I t值 VD=2/3VDRM tp=200uS 通态电流临界上升率 IG=0.3A dIG/dt=0.3A/uS Tj=125℃ ○产品电特性（封装成模块后，除非另有规定，TCASE =25℃） 特性 通态峰值电压 测试条件 符号 数值 单位 VTM ≤1.8 V TC=25℃ IDRM1 ≤100 uA TC=125℃ IDRM2 ≤30 mA TC=25℃ IRRM1 ≤100 uA TC=125℃ IRRM2 ≤30 mA IGT 20-150 mA IT=550A tp=380uS VD=VDRM 断态峰值电流 VR=VRRM 反向峰值电流 门极触发电流 VD=12V RL=30Ω 擎住电流 IG=1.2 IGT IL ≤350 mA 维持电流 I T=1A IH ≤250 mA 电话：+86-513-83639777 - 1 / 2- 网址：http://www.jjwdz.com SDM04Z## 江苏捷捷微电子股份有限公司 VD=12V RL=30Ω 门极触发电压 VGT ≤2 V VGD ≥0.25 V dV/dt ≥1000 V/uS VD=VDRM 门极不触发电压 Tj=125℃ VD=2/3VDRM 断态电压临界上升率 Tj=125℃ 门极开路 ○产品尺寸及特征 硅片尺寸 4inch 硅片厚度 420um 芯片尺寸 15.2mm×15.2mm 正面（门极、阴极）金属电极 AL 或 Ti-Ni-Ag 背面（阳极）金属电极 Ti-Ni-Ag 满版芯片个数 24 只 A K G 器件线路符号 K G K A CGT175 芯片结构图（单位：um） ○产品信息 CGT 175 - 16 X X：门极、阴极金属电极为AL Y：门极、阴极金属电极为Ti-Ni-Ag 中心门极结构单向晶闸管 16:VDRM/VRRM=1600V 18:VDRM/VRRM=1800V 20:VDRM/VRRM=2000V IT(AV)=175A 电话：+86-513-83639777 - 2 / 2- 网址：http://www.jjwdz.com