BY500-50 ... BY500-1000 BY500-50 ... BY500-1000 Fast Si-Rectifiers – Schnelle Si-Gleichrichter Version 2006-04-24 Nominal current Nennstrom ±0.1 7.5 ±0.1 Type 62.5 ±0.5 Ø 5.4 Ø 1.2 ±0.05 Dimensions - Maße [mm] 5A Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung 50...1000 V Plastic case Kunststoffgehäuse Ø 5.4 x 7.5 [mm] Weight approx. Gewicht ca. 1.0 g Plastic material has UL classification 94V-0 Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert Standard packaging taped in ammo pack Standard Lieferform gegurtet in Ammo-Pack Maximum ratings Type Typ Grenzwerte Repetitive peak reverse voltage Periodische Spitzensperrspannung VRRM [V] Surge peak reverse voltage Stoßspitzensperrspannung VRSM [V] BY500-50 50 50 BY500-100 100 100 BY500-200 200 200 BY500-400 400 400 BY500-600 600 600 BY500-800 800 800 BY500-1000 1000 1000 Max. average forward rectified current, R-load Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last TA = 50°C IFAV 5 A 1) Repetitive peak forward current Periodischer Spitzenstrom f > 15 Hz IFRM 20 A 1) Peak forward surge current, 50/60 Hz half sine-wave Stoßstrom für eine 50/60 Hz Sinus-Halbwelle TA = 25°C IFSM 200/220 A Rating for fusing,t < 10 ms Grenzlastintegral, t < 10 ms TA = 25°C i2t 200 A2s Tj TS -50...+175°C -50...+175°C Junction temperature – Sperrschichttemperatur Storage temperature – Lagerungstemperatur 1 Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden © Diotec Semiconductor AG http://www.diotec.com/ 1 BY500-50 ... BY500-1000 Characteristics Kennwerte Forward voltage – Durchlass-Spannung Tj = 25°C IF = 5 A VF < 1.3 V Leakage current – Sperrstrom Tj = 25°C VR = VRRM IR < 10 µA Reverse recovery time Sperrverzugszeit IF = 0.5 A through/über IR = 1 A to/auf IR = 0.25 A trr < 200 ns Thermal resistance junction to ambient air Wärmewiderstand Sperrschicht – umgebende Luft RthA < 19 K/W 1) Thermal resistance junction to leads Wärmewiderstand Sperrschicht – Anschlussdraht RthL < 8 K/W 120 103 [%] [A] 100 102 80 Tj = 125°C 10 60 40 Tj = 25°C 1 20 IF IFAV 0 0 TA 50 100 150 [°C] 10-1 0.4 Rated forward current versus ambient temperature ) 1 Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. ) 1 1 2 200a-(5a-1.3v) VF 0.8 1.0 1.2 1.4 [V] 1.8 Forward characteristics (typical values) Durchlasskennlinien (typische Werte) Valid, if leads are kept at ambient temperature at a distance of 10 mm from case Gültig, wenn die Anschlussdrähte in 10 mm Abstand von Gehäuse auf Umgebungstemperatur gehalten werden http://www.diotec.com/ © Diotec Semiconductor AG