シングルインライン型 SBD Bridge Single In-line Package ■外観図 OUTLINE D6SBN20 Unit : mm Weight : 6.3g （typ.） Package：5S 200V 6A 管理番号（例） Control No. 品名 Type No. 特長 ロット記号（例） 4.6 Date code 30 • 薄型 SIP パッケージ • SBD ブリッジ • 低 VF・低 IR D6SBN 20 0264 20 Feature ＋ ① • Thin-SIP • SBD Bridge • Low VF・Low IR 〜 〜 ② ③ − ④ + 〜 〜 − 17.5 ① ② ③ ④ 外形図については新電元 Web サイト又は〈半導体製品一覧表〉をご参照下 さい。捺印表示については捺印仕様をご確認下さい。 'PSEFUBJMTPGPVUMJOFEJNFOTJPOT SFGFSUPPVSXFCTJUFPSUIF4FNJDPOEVDUPS 4IPSU'PSN$BUBMPH"TGPSUIFNBSLJOH SFGFSUPUIFTQFDJàDBUJPOi.BSLJOH 5FSNJOBM$POOFDUJPOu ■定格表 RATINGS 項 目 Item 保存温度 Storage Temperature 接合部温度 Operation Junction Temperature せん頭逆電圧 Maximum Reverse Voltage 出力電流 Average Rectified Forward Current せん頭サージ順電流 Peak Surge Forward Current 絶縁耐圧 Dielectric Strength 締め付けトルク Mounting Torque 順電圧 Forward Voltage 逆電流 Reverse Current 接合容量 Junction Capacitance D6SBN20 単位 Unit Tstg −55〜150 ℃ Tj 150 ℃ 200 V VRM IO IFSM Vdis TOR （J534） パルス測定，１素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode パルス測定，１素子当たりの規格値 Pulse measurement, per diode IR VR = 200V, Cj １素子当たりの規格値 f = 1MHz, VR = 10V, per diode 接合部・ケース間，フィン付き junction to case, With heatsink 接合部・リード間 junction to lead 接合部・ 周囲間 junction to ambient θjl 6 A 3 120 A 2.0 kV 0.8 N・m 一括端子・ケース間，AC１分間印加 Terminals to Case, AC 1 minute （推奨値：0.5 N・m） （Recommended torque : 0.5 N・m） IF = 3A, θja 128 フィン付き Tc = 110℃ With heatsink 50Hz 正弦波，抵抗負荷 50Hz sine wave, Resistance load フィンなし Ta = 26℃ Without heatsink 50Hz 正弦波，非繰り返し１サイクルせん頭値，Tj = 25℃ 50Hz sine wave, Non-repetitive 1cycle peak value, Tj = 25℃ VF θjc 熱抵抗 Thermal Resistance 品 名 Type No. 記号 条 件 Symbol Conditions MAX 0.90 V MAX 2.0 μA TYP 85 pF MAX 3.4 MAX 5.0 MAX 26 ℃/W Thin SIP Bridge D6SBN20 ■特性図 CHARACTERISTIC DIAGRAMS ＊ Sine wave は 50Hz で測定しています。 ＊ )[TJOFXBWFJTVTFEGPSNFBTVSFNFOUT ＊半導体製品の特性は一般的にバラツキを持っております。 Typical は統計的な実力を表しています。 ＊ 4FNJDPOEVDUPSQSPEVDUTHFOFSBMMZIBWFDIBSBDUFSSJTUJDWBSJBUJPO 5ZQJDBMJTBTUBUJTUJDBMBWFSBHFPGUIFEFWJDFhTBCJMJUZ （J534） 129