RoHS MBR2535FCT THRU MBR25200FCT COMPLIANT 肖特基二极管SCHOTTKY Diodes ■特征 ■外形尺寸和印记 Features Outline Dimensions and Mark ITO-220AB 耐正向浪涌电流能力高 High surge forward current capability ● 低功耗，大电流 Low Power loss, High efficiency ● Io 25.0A 35-200V ● VRRM ● .150(3.8) .102(2.6) .421(10.7) MAX .128(3.25) .085(2.15) .177(4.5) MAX DIA .140(3.56) MAX .201(5.1) MAX .626(15.9) .567(14.4) PIN1 2 3 .126(3.2) .08(2.1) .071(1.8) MAX .035(0.9) MAX Applications ■用途 ● 快速整流用 High speed switching .559(14.2) .504(12.7) .116(2.95) .071(1.80) .031(0.80) MAX .116(2.95) .071(1.80) PIN1 PIN1 CASE PIN3 ■极限值（绝对最大额定值） Dimensions in inches and (millimeters) Limiting Values（Absolute Maximum Rating） 参数名称 Item 符号 单位 Symbol Unit 反向重复峰值电压 Repetitive Peak Reverse Voltage VRRM V 平均整流输出电流 Average Rectified Output Current Io A IFSM A 正向（不重复）浪涌电流 Surge(Non-repetitive)Forward Current 正向浪涌电流的平方对电流浪涌持 续 时间的积分值 Current Squared Time MBR-FCT 条件 Conditions 2535 2545 2560 2580 251002515025200 35 45 60 80 正弦半波60Hz，电阻负载，Tc(Fig.1) 60HZ Half-sine wave, Resistance load, Tc(Fig.1) 60HZ正弦波，一个周期，Ta=25℃ 60HZ sine wave, 1 cycle, Ta=25℃ 150 200 25 200 1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,单个二极 A2s 管 1ms≤t＜8.3ms Tj=25℃,Rating I2t 100 167 of per diode 贮存温度 Storage Temperature Tstg ℃ Tj ℃ 结温 Junction Temperature -55 ~ +150 在正向直流条件下，没有施加反向压 降，通电≤1h（图示1）① IN DC Forward Mode-Forward Operations，without reverse bias, t ≤1 h (Fig. 1)① -55 ~ +150 ■电特性 （Ta=25℃ 除非另有规定） Electrical Characteristics（Ta=25℃ Unless otherwise specified） 参数名称 Item 正向峰值电压 Peak Forward Voltage 反向峰值电流 Peak Reverse Current 热阻 Thermal Resistance 符号 Symbol VFM I FM =12.5A V IRRM1 IRRM2 RθJ-C 最大值 Max MBR-FCT 2535 2545 2560 2580 251002515025200 测试条件 单位 Unit Test Condition mA ℃/W 0.7 0.75 0.85 0.90 Ta=25℃ 0.1 Ta=100℃ 20 VRM =VRRM 结和壳之间 Between junction and case 2.0 NOTE ■ 备注 ①Meets the requirements of IEC 61215 Ed. 2 bypass diode thermal test. S-B092 Rev.1.1, 29-Nov-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com 0.95 MBR2535FCT THRU MBR25200FCT 图2：耐正向浪涌电流曲线 FIG2:Surge Forward Current Capadility IFSM(A) 图1：正向电流降额曲线 FIG1: IF（AV）--Tc Derating 35.0 30.0 200 150 25.0 20.0 TC measure point IN DC 15.0 8.3ms Single Half Since-Wave JEDEC Method 100 10.0 50 5.0 0 50 0 150 Tc(℃) 100 60 40 35V~45V 20 60V 10 0 1 5 2 10 20 50 100 Number of Cycles at 60Hz IRRM(mA) 图3：正向电压曲线 FIG3:Instantaneous Forward Voltage IF(A) Io(A) ■ 特性曲线（典型） Characteristics(Typical) 图4：反向电流曲线 FIG4:Typical Reverse Characteristics 100 10 80~100V 150V 5.0 Tj=100℃ 200V 1.0 1.0 0.1 0.5 0.2 0.1 Tj=25℃ Ta=25℃ 0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 1.2 VF(V) 0.01 0 20 40 60 80 100 VRM(%) S-B092 Rev.1.1, 29-Nov-14 扬州扬杰电子科技股份有限公司 Yangzhou Yangjie Electronic Technology Co., Ltd. www.21yangjie.com