Hyper TOPLED® Hyper-Bright LED LS T676, LA T676, LO T676 LY T676 Besondere Merkmale Gehäusebauform: P-LCC-2 Gehäusefarbe: weiß als optischer Indikator einsetzbar zur Hinterleuchtung, Lichtleiter- und Linseneinkopplung für alle SMT-Bestück- und Löttechniken geeignet gegurtet (8-mm-Filmgurt) Features ● ● ● ● ● ● P-LCC-2 package color of package: white for use as optical indicator for backlighting, optical coupling into light pipes and lenses suitable for all SMT assembly and soldering methods available taped on reel (8 mm tape) Semiconductor Group 1 VPL06724 ● ● ● ● ● ● 11.96 LS T676, LA T676, LO T676 LY T676 Lichtstärke Lichtstrom Bestellnummer Luminous Intensity IF = 20 mA I V (mcd) Luminous Flux IF = 20 mA ΦV (mlm) Ordering Code colorless clear 25 40 63 100 40 ... ... ... ... ... 200 80 125 200 320 180 (typ.) 300 (typ.) 450 (typ.) - Q62703-Q3135 Q62703-Q3136 Q62703-Q3137 Q62703-Q3138 Q62703-Q3139 amber colorless clear 40 63 100 160 63 ... ... ... ... ... 320 125 200 320 500 300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.) - Q62703-Q3423 Q62703-Q3424 Q62703-Q3425 Q62703-Q3426 Q62703-Q3427 LO T676-PS LO T676-Q LO T676-R LO T676-S LO T676-QT orange colorless clear 40 63 100 160 63 ... ... ... ... ... 320 125 200 320 500 300 (typ.) 450 (typ.) 600 (typ.) - Q62703-Q3066 Q62703-Q3064 Q62703-Q3065 Q62703-Q3091 Q62703-Q3125 LY T676-PS LY T676-Q LY T676-R LY T676-S LY T676-QT yellow colorless clear 40 63 100 160 63 ... ... ... ... ... 320 125 200 320 500 300 (typ.) 450 (typ.) 700 (typ.) - Q62703-Q3855 Q62703-Q3159 Q62703-Q3160 Q62703-Q3404 Q62703-Q3161 Typ Emissionsfarbe Type Color of Emission LS T676-NR LS T676-P LS T676-Q LS T676-R LS T676-PS super-red LA T676-PS LA T676-Q LA T676-R LA T676-S LA T676-QT Farbe der Lichtaustrittsfläche Color of the Light Emitting Area Streuung der Lichtstärke in einer Verpackungseinheit I V max / I V min ≤ 2.0. Luminous intensity ratio in one packaging unit I V max / I V min ≤ 2.0. Semiconductor Group 2 LS T676, LA T676, LO T676 LY T676 Grenzwerte Maximum Ratings Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS, LA, LO LY Betriebstemperatur Operating temperature range Top – 55 ... + 100 ˚C Lagertemperatur Storage temperature range Tstg – 55 ... + 100 ˚C Sperrschichttemperatur Junction temperature Tj + 100 ˚C Durchlaßstrom Forward current IF 30 20 mA Stoßstrom Surge current t ≤ 10 µs, D = 0.005 IFM 1 0.2 A Sperrspanung1) Reverse voltage1) VR Verlustleistung Power dissipation TA ≤ 25 ˚C Ptot Wärmewiderstand Thermal resistance Sperrschicht / Umgebung Junction / air Montage auf PC-board*) (Padgröße ≥ 16 mm2) mounted on PC board*) (pad size ≥ 16 mm2) Rth JA 1) 1) Belastung in Sperrichtung sollte vermieden werden. Reverse biasing should be avoided. *) PC-board: FR4 Semiconductor Group 3 3 80 V 55 500 mW K/W LS T676, LA T676, LO T676 LY T676 Kennwerte (TA = 25 ˚C) Characteristics Bezeichnung Parameter Symbol Symbol Werte Values Einheit Unit LS LA LO LY Wellenlänge des emittierten Lichtes Wavelength at peak emission IF = 20 mA (typ.) λpeak (typ.) 645 622 610 591 nm Dominantwellenlänge Dominant wavelength IF = 20 mA (typ.) λdom (typ.) 632 615 605 587 nm Spektrale Bandbreite bei 50% Irel max Spectral bandwidth at 50% Irel max IF = 20 mA (typ.) ∆λ (typ.) 16 16 16 15 nm 2ϕ 120 120 120 120 Grad deg. Durchlaßspannung Forward voltage IF = 20 mA (typ.) VF (max.) VF 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 2.0 2.6 V V Sperrstrom Reverse current VR = 3 V (typ.) IR (max.) IR 0.01 10 0.01 10 0.01 10 0.01 10 µA µA Abstrahlwinkel bei 50% Iv (Vollwinkel) Viewing angle at 50% Iv Temperaturkoeffizient von λdom (IF = 20 mA) Temperature coefficient of λdom (IF = 20 mA) TCλ 0.014 0.062 0.067 0.096 nm/K Temperaturkoeffizient von λpeak, IF = 20 mA Temperature coefficient of λpeak, IF = 20 mA TCλ 0.14 0.13 0.13 nm/K (typ.) Temperaturkoeffizient von VF, IF = 20 mA (typ.) TCV Temperature coefficient of VF, IF = 20 mA (typ.) Semiconductor Group 0.13 (typ.) 4 – 1.95 – 1.78 – 1.67 – 2.51 mV/K LS T676, LA T676, LO T676 LY T676 Relative spektrale Emission Irel = f (λ), TA = 25 ˚C, IF = 10 mA Relative spectral emission V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit Standard eye response curve Abstrahlcharakteristik Irel = f (ϕ) Radiation characteristic Semiconductor Group 5 LS T676, LA T676, LO T676 LY T676 Durchlaßstrom IF = f (VF) Forward current TA = 25 ˚C Relative Lichtstärke IV/IV(20 mA) = f (IF) Relative luminous intensity TA = 25 ˚C Maximal zulässiger Durchlaßstrom Max. permissible forward current IF = f (TA) Relative Lichtstärke IV / IV(25 ˚C ) = f (TA) Relative luminous intensity IF = 10 mA Semiconductor Group 6 LS T676, LA T676, LO T676 LY T676 Zulässige Impulsbelastbarkeit If = f(tp) Permissible pulse handling capability LY D = Parameter; TA = 25 °C Zulässige Impulsbelastbarkeit If = f(tp) Permissible pulse handling capability LO, LA, LS D = Parameter; TA = 25 °C (Maße in mm, wenn nicht anders angegeben) (Dimensions in mm, unless otherwise specified) GPL06724 Maßzeichnung Package Outlines Kathodenkennung: abgeschrägte Ecke Cathode mark: bevelled edge Semiconductor Group 7