NTE NTE5586 Silicon controlled rectifier for phase control application Datasheet

NTE5586 & NTE5588
Silicon Controlled Rectifier
for Phase Control Applications
Electrical Characteristics: (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, VDRM & VRRM
NTE5586 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5588 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Non–Repetitive Peak Off–State Voltage, VDSM
NTE5586 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600V
NTE5588 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1600V
Non–Repetitive Peak Reverse Blocking Voltage, VRSM
NTE5586 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 700V
NTE5588 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1700V
Average On–State Current (Half Sine Wave, TC = +85°C), IT(AV) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 226A
RMS On–State Current, I(RMS) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355A
Continuous On–State Current, IT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 355A
Peak One–Cycle, Non–Repetitive Surge Current (10ms Duration), ITSM
60% VRRM reapplied . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4650A
VR ≤ 10V . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5120A
Maximum I2t for Fusing (VR ≤ 10V), I2t
10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131,000A2sec
10ms Duration . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 97350A2sec
Peak Forward Gate Current (Anode Positive with Respect to Cathode), IFGM . . . . . . . . . . . . . . . 20A
Peak Forward Gate Voltage (Anode Positive with Respect to Cathode), VFGM . . . . . . . . . . . . . . 18V
Peak Reverse Gate Voltage, VRGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5V
Average Gate Power, PG . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2W
Peak Gate Power (100µs Pulse Width), PGM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 100W
Rate of Rise of Off–State Voltage (To 80% VDRM, Gate Open), dv/dt . . . . . . . . . . . . . . . . . . 200V/µs
Rate of Rise of ON–State Current, di/dt
(Gate Drive 20V, 20Ω, with tr ≤ 1µs, Anode Voltage ≤ 80% VDRM)
Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 500A/µs
Non–Repetitive . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1000A/µs
Peak On–State Voltage (ITM = 710A), VTM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.62V
Forward Conduction Threshold Voltage, VO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.92V
Forward Conduction Slope Resistance, r . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.99mΩ
Repetitive Peak Off–State Current (At VDRM), IDRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Repetitive Peak Reverse Current (At VRRM), IRRM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 20mA
Maximum Gate Current Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IGT . . 150mA
Maximum Gate Voltage Required to Fire All Devices (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), VGT . . . . . 3V
Maximum Holding (VA = 6V, IA = 2A, TJ = +25°C), IH . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 600mA
Maximum Gate Voltage which will not Trigger any Device, VGD . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.25V
Electrical Characteristics (Cont’d): (Maximum values @ TJ = +125°C unless otherwise specified)
Operating Temperature Range, TC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +125°C
Storage Temperature Range, Tstg . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . –40° to +150°C
Thermal Resistance, Junction–to–Case (VF = Max Rating), RtnJC
DC and 180° Sine wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.12°C/W
120° Rectangular wave . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.14°C/W
Thermal Resistance, Case–to–Heat Sink, RthC–HS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 0.04°C/W
1.443 (36.68) Max
(Across Corners)
ÇÇÇ
ÇÇÇ
ÇÇÇ
1.031 (26.18) Dia
(Ceramic)
.643 (16.35)
For No. 6 Screw
For No. 6 Screw
Cathode
.350 (8.89)
Dia Max
Gate
(White)
Cathode
(Red)
8.100
(205.74)
Max
(Terminals
1, 2, & 3)
3.625
(92.07)
Max
1.212 (30.8)
Dia Max
.156 (3.96) Max
.630 (16.0)
3/4–16 UNF–2A
(Terminal 4)
Anode
1.077 (27.35) Max