Infineon DDB6U134N16RR Diode module with chopper-igbt Datasheet

Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Höchstzulässige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
T vj = - 40°C...Tvj max
Periodische Spitzensperrspannung
VR R M
1600
V
80
A
repetitive peak reverse voltage
Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
IFRMSM
RMS forward current (per chip)
T C = 100°C
Id
134
A
Stoßstrom-Grenzwert
T vj = 25°C, tp = 10ms
IFSM
650
A
surge forward current
T vj = T vj max, t p = 10ms
550
A
Grenzlastintegral
T vj = 25°C, tp = 10ms
I²t-value
T vj = T vj max, t p = 10ms
Ausgangsstrom
output current
I²t
2100
A²s
1500
A²s
1200
V
70
A
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
V CES
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
T C = 80°C
IC
t p = 1ms, T C = 80°C
IC R M
150
A
T C = 25°C
P tot
500
W
V GE
± 20
V
VR R M
1200
V
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T C = 80°C
IF
35
A
t p = 1ms
IFRM
70
A
Isolations-Prüfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V ISOL
2,5
kV
insulation test voltage
NTC connected to baseplate
Dauergleichstrom
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forward current
Modul
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
min.
Durchlaßspannung
typ. max.
T vj = T vj max, iF = 100A
vF
1,35
V
T vj = T vj max
V (TO)
0,75
V
T vj = T vj max
rT
6,3
mΩ
T vj = T vj max, vR = VRRM
iR
5
mA
T C = 25°C
RAA`+KK`
1
mΩ
forward voltage
Schleusenspannung
threshold voltage
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
Sperrstrom
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip
lead resistance, terminals-chip
prepared by: Ralf Jörke
date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber
revision: 1
BIP AM; R. Jörke
19. Dez 00
A 34/00
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
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N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT
min. typ. max.
vCE sat
Kollektor-Emitter Sättigungsspannung
collector-emitter saturation voltage
Tvj = 25°C, iC = 70A, vGE = 15V
2,05 2,75
2,40
Gate-Emitter-Schwellspannung
gate-emitter threshold voltage
Tvj = 25°C, iC = 3mA, vGE = vCE
vGE(TO)
Tvj = 25°C, f0 = 1MHz,
Cies
5,1
nF
iCES
10 500
500
µA
Tvj = 125°C, iC = 70A, vGE = 15V
Eingangskapazität
input capacitance
4,5
5,5
6,5
V
V
vCE = 25V, vGE = 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V
iGES
400
nA
Emitter-Gate Reststrom
gate-leakage current
Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V
iEGS
400
nA
Durchlaßspannung
forward voltage
Tvj = 25°C, iF = 35A
vF
Sperrverzögerungsladung
recovered charge
iFM = 35A, -di/dt = 900A/µs, vR = 600V
Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V
Schnelle Diode / Fast diode
Tvj = 125°C, iF = 35A
1,85 2,40
1,75
V
Qr
3,6
7,6
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
µAs
µAs
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect
Innerer Wärmewiderstand
thermal resistance, junction to case
RthJC
max. 0,70
max. 0,25
max. 0,80
°C/W
°C/W
°C/W
RthCK
max. 0,25
max. 0,16
max. 0,24
°C/W
°C/W
°C/W
Transistor / Transistor, DC
Schnelle Diode / Fast diode, DC
Übergangs-Wärmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Gleichrichter / Rectifier
Transistor / Transistor
Schnelle Diode / Fast diode
Höchstzulässige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
Tvj max
Betriebstemperatur
operating temperature
Lagertemperatur
storage temperature
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19. Dez 00
150
°C
Tc op
- 40...+150
°C
Tstg
- 40...+150
°C
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
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N
B6
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehäuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
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Al2O3
Innere Isolation
internal insulation
CTI
comperative tracking index
225
Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz / tolerance ±15%
Gewicht
weight
M1
G
4
typ.
Kriechstrecke
creepage distance
Schwingfestigkeit
vibration resistance
V
Nm
185
g
12,5
mm
50
m/s²
f = 50Hz
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
rated resistance
TC = 25°C
R25
5
kΩ
20
mW
R100 = 493Ω ± 5%
Verlustleistung
power dissipation
TC = 25°C
P25
B-Wert
B-value
R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)]
B25/50
max.
3375
K
Kühlkörper / heatsinks :
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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N
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B6
Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC, Netz-Diode
Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC, rectifier diode
Pos. n
1
2
3
4
R thn [° C / W ]
0,2633
0,1967
0,0322
0,0200
τ n [s]
0,0300
0,0190
0,0140
0,0003
t
−

τ
= ∑ Rthn 1 − e n

n =1

nmax
Analytische Funktion:
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Z thJC
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5
6
7




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B6
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
200
180
Tvj = 150°C
160
140
iF [A]
120
100
80
60
40
20
0
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
v F [V]
Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i F = f(vF)
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2
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
150
140
130
120
110
TC [°C]
100
90
80
70
60
50
40
B2: 180°sin
B6: 120°rect
30
20
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100 110 120 130 140 150
Id [A]
Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(Id)
Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit
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B6
Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
1000
200A
50A
Qr [µAs]
20A
100
5A
10
1
10
100
- di/dt [A/µs]
Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt)
Tvj = Tvjmax; vR = 0,5VRRM; vRM = 0,8VRRM
Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i FM
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
0,90
0,80
60° rect
0,70
120° rect
180° rect
180° sin
ZthJC [°C/W]
0,60
DC
0,50
0,40
0,30
0,20
0,10
0,00
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Transienter innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance converter ZthJC = f(t)
Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
150
125
Tvj = 25°C
Tvj = 125°C
iC [A]
100
75
50
25
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
v CE [V]
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
vGE = 15V, iC = f(vCE)
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4
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
50
40
Tvj = 125°C
Tvj = 25°C
iF [A]
30
20
10
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
v F [V]
Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
iF = f(vF)
BIP AM; R. Jörke
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 134 N 16 RR
N
B6
100
R [kΩ ]
10
1
0,1
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
T [°C]
NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T)
BIP AM; R. Jörke
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