Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Höchstzulässige Werte / Maximum rated values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode T vj = - 40°C...Tvj max Periodische Spitzensperrspannung VR R M 1600 V 80 A repetitive peak reverse voltage Durchlaßstrom-Grenzeffektivwert (pro Element) IFRMSM RMS forward current (per chip) T C = 100°C Id 134 A Stoßstrom-Grenzwert T vj = 25°C, tp = 10ms IFSM 650 A surge forward current T vj = T vj max, t p = 10ms 550 A Grenzlastintegral T vj = 25°C, tp = 10ms I²t-value T vj = T vj max, t p = 10ms Ausgangsstrom output current I²t 2100 A²s 1500 A²s 1200 V 70 A IGBT Kollektor-Emitter-Sperrspannung V CES collector-emitter voltage Kollektor-Dauergleichstrom T C = 80°C IC t p = 1ms, T C = 80°C IC R M 150 A T C = 25°C P tot 500 W V GE ± 20 V VR R M 1200 V DC-collector current Periodischer Kollektor-Spitzenstrom repetitive peak collektor current Gesamt-Verlustleistung total power dissipation Gate-Emitter Spitzenspannung gate-emitter peak voltage Schnelle Diode / Fast diode Periodische Spitzensperrspannung repetitive peak reverse voltage T C = 80°C IF 35 A t p = 1ms IFRM 70 A Isolations-Prüfspannung RMS, f = 50Hz, t = 1min V ISOL 2,5 kV insulation test voltage NTC connected to baseplate Dauergleichstrom DC forward current Periodischer Spitzenstrom repetitive peak forward current Modul Charakteristische Werte / Characteristic values Gleichrichterdiode / Rectifierdiode min. Durchlaßspannung typ. max. T vj = T vj max, iF = 100A vF 1,35 V T vj = T vj max V (TO) 0,75 V T vj = T vj max rT 6,3 mΩ T vj = T vj max, vR = VRRM iR 5 mA T C = 25°C RAA`+KK` 1 mΩ forward voltage Schleusenspannung threshold voltage Ersatzwiderstand forward slope resistance Sperrstrom reverse current Modul Leitungswiderstand, Anschlüsse-Chip lead resistance, terminals-chip prepared by: Ralf Jörke date of publication: 13.12.2000 approved by: Lothar Kleber revision: 1 BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 A 34/00 Seite/page 1(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Elektrische Eigenschaften / Electrical properties Charakteristische Werte / Characteristic values IGBT min. typ. max. vCE sat Kollektor-Emitter Sättigungsspannung collector-emitter saturation voltage Tvj = 25°C, iC = 70A, vGE = 15V 2,05 2,75 2,40 Gate-Emitter-Schwellspannung gate-emitter threshold voltage Tvj = 25°C, iC = 3mA, vGE = vCE vGE(TO) Tvj = 25°C, f0 = 1MHz, Cies 5,1 nF iCES 10 500 500 µA Tvj = 125°C, iC = 70A, vGE = 15V Eingangskapazität input capacitance 4,5 5,5 6,5 V V vCE = 25V, vGE = 0V Kollektor-Emitter Reststrom collector-emitter cut-off current Tvj = 25°C, vCE = 1200V, vGE = 0V Gate-Emitter Reststrom gate leakage current Tvj = 25°C, vCE = 0V, vGE = 20V iGES 400 nA Emitter-Gate Reststrom gate-leakage current Tvj = 25°C, vCE = 0V, vEG = 20V iEGS 400 nA Durchlaßspannung forward voltage Tvj = 25°C, iF = 35A vF Sperrverzögerungsladung recovered charge iFM = 35A, -di/dt = 900A/µs, vR = 600V Tvj = 125°C, vCE = 1200V, vGE = 0V Schnelle Diode / Fast diode Tvj = 125°C, iF = 35A 1,85 2,40 1,75 V Qr 3,6 7,6 Tvj = 25°C Tvj = 125°C µAs µAs Thermische Eigenschaften / Thermal properties Gleichrichter / Rectifier, Θ = 120°rect Innerer Wärmewiderstand thermal resistance, junction to case RthJC max. 0,70 max. 0,25 max. 0,80 °C/W °C/W °C/W RthCK max. 0,25 max. 0,16 max. 0,24 °C/W °C/W °C/W Transistor / Transistor, DC Schnelle Diode / Fast diode, DC Übergangs-Wärmewiderstand thermal resistance, case to heatsink Gleichrichter / Rectifier Transistor / Transistor Schnelle Diode / Fast diode Höchstzulässige Sperrschichttemperatur max. junction temperature Tvj max Betriebstemperatur operating temperature Lagertemperatur storage temperature BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 150 °C Tc op - 40...+150 °C Tstg - 40...+150 °C Seite/page 2(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties Gehäuse, siehe Anlage case, see appendix Seite 4 page 4 Al2O3 Innere Isolation internal insulation CTI comperative tracking index 225 Anzugsdrehmoment für mechanische Befestigung mounting torque Toleranz / tolerance ±15% Gewicht weight M1 G 4 typ. Kriechstrecke creepage distance Schwingfestigkeit vibration resistance V Nm 185 g 12,5 mm 50 m/s² f = 50Hz Temperatursensor / Temperature sensor Nennwiderstand rated resistance TC = 25°C R25 5 kΩ 20 mW R100 = 493Ω ± 5% Verlustleistung power dissipation TC = 25°C P25 B-Wert B-value R2 = R1 exp [B(1/T1 - 1/T2)] B25/50 max. 3375 K Kühlkörper / heatsinks : Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehörigen Technischen Erläuterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes. BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 3(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT BIP AM; R. Jörke DD B6U 134 N 16 RR 19. Dez 00 N Seite/page 4(12) B6 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N Analytische Elemente des transienten Wärmewiderstandes ZthJC für DC, Netz-Diode Analytical elements of transient thermal impedance ZthJC for DC, rectifier diode Pos. n 1 2 3 4 R thn [° C / W ] 0,2633 0,1967 0,0322 0,0200 τ n [s] 0,0300 0,0190 0,0140 0,0003 t − τ = ∑ Rthn 1 − e n n =1 nmax Analytische Funktion: BIP AM; R. Jörke Z thJC 19. Dez 00 5 6 7 Seite/page 5(12) B6 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 200 180 Tvj = 150°C 160 140 iF [A] 120 100 80 60 40 20 0 0 0,2 0,4 0,6 0,8 1 1,2 1,4 1,6 1,8 v F [V] Grenzdurchlaßkennlinie / Limiting on-state characteristic i F = f(vF) BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 6(12) 2 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N 150 140 130 120 110 TC [°C] 100 90 80 70 60 50 40 B2: 180°sin B6: 120°rect 30 20 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 Id [A] Höchstzulässige Gehäusetemperatur / Maximum allowable case temperatur TC = f(Id) Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 7(12) B6 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 1000 200A 50A Qr [µAs] 20A 100 5A 10 1 10 100 - di/dt [A/µs] Sperrverzögerungsladung / Recovered charge Qr = f(-di/dt) Tvj = Tvjmax; vR = 0,5VRRM; vRM = 0,8VRRM Parameter: Durchlaßstrom / On-state current i FM BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 8(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 0,90 0,80 60° rect 0,70 120° rect 180° rect 180° sin ZthJC [°C/W] 0,60 DC 0,50 0,40 0,30 0,20 0,10 0,00 0,001 0,01 0,1 1 t [s] Transienter innerer Wärmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance converter ZthJC = f(t) Parameter: Stromflußwinkel / Current conduction angle Θ BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 9(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 150 125 Tvj = 25°C Tvj = 125°C iC [A] 100 75 50 25 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 3 3,5 v CE [V] Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical) vGE = 15V, iC = f(vCE) BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 10(12) 4 Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 50 40 Tvj = 125°C Tvj = 25°C iF [A] 30 20 10 0 0 0,5 1 1,5 2 2,5 v F [V] Durchlaßkennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical) iF = f(vF) BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 11(12) Technische Information / Technical Information Dioden-Modul mit Chopper-IGBT Diode Module with Chopper-IGBT DD B6U 134 N 16 RR N B6 100 R [kΩ ] 10 1 0,1 0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100 110 120 130 140 150 T [°C] NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T) BIP AM; R. Jörke 19. Dez 00 Seite/page 12(12) Nutzungsbedingungen Die in diesem Produktdatenblatt enthaltenen Daten sind ausschließlich für technisch geschultes Fachpersonal bestimmt. Die Beurteilung der Geeignetheit dieses Produktes für die von Ihnen anvisierte Anwendung sowie die Beurteilung der Vollständigkeit der bereitgestellten Produktdaten für diese Anwendung obliegt Ihnen bzw. Ihren technischen Abteilungen. In diesem Produktdatenblatt werden diejenigen Merkmale beschrieben, für die wir eine liefervertragliche Gewährleistung übernehmen. Eine solche Gewährleistung richtet sich ausschließlich nach Maßgabe der im jeweiligen Liefervertrag enthaltenen Bestimmungen. 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Wir weisen darauf hin, dass wir für diese Fälle - die gemeinsame Durchführung eines Risiko- und Qualitätsassessments; - den Abschluss von speziellen Qualitätssicherungsvereinbarungen; - die gemeinsame Einführung von Maßnahmen zu einer laufenden Produktbeobachtung dringend empfehlen und gegebenenfalls die Belieferung von der Umsetzung solcher Maßnahmen abhängig machen. Soweit erforderlich, bitten wir Sie, entsprechende Hinweise an Ihre Kunden zu geben. Inhaltliche Änderungen dieses Produktdatenblatts bleiben vorbehalten. Terms & Conditions of usage The data contained in this product data sheet is exclusively intended for technically trained staff. You and your technical departments will have to evaluate the suitability of the product for the intended application and the completeness of the product data with respect to such application. This product data sheet is describing the characteristics of this product for which a warranty is granted. 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