桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA812(销售型號 2SA812) ■FEATURES 特點 PNP General Purpose Transistor ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極-發射極電壓 VCEO -50 Vdc Collector-Base Voltage 集電極-基極電壓 VCBO -60 Vdc Emitter-Base Voltage 發射極-基極電壓 VEBO -5.0 Vdc Ic -100 mAdc Collector Current—Continuous 集電極電流-連續 ■THERMAL CHARACTERISTICS 熱特性 Characteristic 特性參數 Total Device Dissipation 總耗散功率 FR-5 Board(1) TA=25℃環境溫度爲 25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Total Device Dissipation 總耗散功率 Alumina Substrate 氧化鋁襯底,(2)TA=25℃ Derate above25℃ 超過 25℃遞減 Symbol 符號 Max 最大值 Unit 單位 PD 225 mW 1.8 mW/℃ 300 mW 2.4 mW/℃ 417 ℃/W PD Thermal Resistance Junction to Ambient 熱阻 RΘJA Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 TJ,Tstg -55to+150℃ 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMA812(销售型號 2SA812) ■DEVICE MARKING 打標 GMA812(销售型號 2SA812)=M4-M7 HFE:90-180=M4 135-270=M5 200-400=M6 300-600=M7 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃) Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Min 最小值 Type 典型值 Max 最大值 Unit 單位 Emitter Cutoff Current 發射極截止電流(VEB=-5.0v,IC=0) IEBO — — -0.1 μA Collector Cutoff Current 集電極截止電流(VCB=-60v,IE=0) ICBO — — -0.1 μA Collector to Emitter Saturation Voltage 集電極飽和壓降(Ic=-100mAdc,IB=-10mA) VCE(sat) — -0.18 -0.3 Vdc Base to Emitter Saturation Voltage 基極飽和壓降(Ic=-100mAdc,IB=-10mA) VBE(sat) — — -1.0 Vdc Base to Emitter Voltage 基極-發射極電壓(VCE=-6.0v,IC=-1.0mA) VBE -0.58 -0.62 -0.68 Vdc DC Current Gain 直流電流增益 (VCE=-6.0v,IC=-1.0mA) HFE 90 — 600 Gain Bandwidth Product 增益帶寬乘積(VCE=-6.0v,IC=-1.0mA) fT — 180 — MHz Output Capacitance 輸出電容(VCB=-10v,IE=0,f=1.0MHz) Cob — 4.5 — pF ■OFF CHARACTERISTICS 截止電特性 1. FR-5=1.0×0.75×0.062in. 2. Alumina=0.4×0.3×0.024in.99.5%alumina.