OSRAM OSTAR - Projection
Lead (Pb) Free Product - RoHS Compliant
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Vorläufige Daten / Preliminary Data
Besondere Merkmale
Features
• Gehäusetyp: Kompakte Lichtquelle in
Multi-Chip on Board Technologie mit
Glasabdeckung
• Besonderheit des Bauteils: extrem hohe
Helligkeit und Leuchtdichte dank
Oberflächenemission und niedrigem Rth
Vorbereitet für den Einsatz mit zus. Optik
• Wellenlänge: 617 nm (amber); 520 nm (true
green); 464 nm (blue)
• Abstrahlwinkel: Lambertscher Strahler (120°)
• Abstrahlende Fläche: typ. 3,2 x 2,1 mm²
• Technologie: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
• Leuchtdichte: 26*106 cd/m² (amber);
41*106 cd/m² (true green); 9*106 cd/m² (blue)
• Montierbarkeit: verschraubbar
• Stecker: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
• ESD-Festigkeit: ESD-sicher bis 2 kV nach
JESD22-A114-D
• Verpackungseinheit: 50 St. pro Box
= Verpackungseinheit
• Erweiterte Korrosionsfestigkeit:
Details siehe Seite 14
• package: compact lightsource in multi chip on
board technology with glass window on top
• feature of the device: outstanding brightness
and luminance due to pure surface emission
and low Rth
prepared for additional optics
• wavelength: 617 nm (amber); 520 nm (true
green); 464 nm (blue)
• viewing angle: Lambertian Emitter (120°)
• light emitting surface: typ. 3.2 x 2.1 mm²
• technology: Thinfilm InGaAlP; ThinGaN
• Luminance: 26*106 cd/m² (amber);
41*106 cd/m² (true green); 9*106 cd/m² (blue)
• mounting methods: screw holes
• connector: 10 Pin JST SM 10B-SRSS-TB
• ESD-withstand voltage: up to 2 kV acc. to
JESD22-A114-D
• method of packing: 50 pcs. per tray
= packing unit
• Superior Corrosion Robustness:
details see page 14
Applications
• projection
• medical lighting: surgery light
• spotlights
Anwendungen
• Projektion
• Medizintechnik: Operationslampen
• Strahler für die Allgemeinbeleuchtung
2010-03-03
1
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Emissionsfarbe
Lichstärke1) Seite 19
Lichtfluss2) Seite 19
Color of Emission
Luminous
Intensity1) page 19
IF = 1 A
ΙV (cd)
Luminous Flux2) page 19
Type
IF = 1 A
ΦV (lm)
LE A H3W-LAMA-34
amber
112 ...224
465 typ.
LE T H3W-MANA-25
true green
180 ...355
735 typ.
LE B H3W-JAKA-23
blue
45 ... 90
168 typ.
Bestellinformation
Ordering Information
Typ
Type
Bestellnummer
Ordering Code
LE A H3W-LAMA-34
Q65110A7699
LE T H3W-MANA-25
Q65110A7704
LE B H3W-JAKA-23
Q65110A7702
LE_ACC_SHR_10V_SR
Q65110A4679 (Connector)*
Anm.: Die oben genannten Typbezeichnungen umfassen die bestellbaren Selektionen. Diese bestehen aus einer
Helligkeitsgruppe. Es wird nur eine einzige Helligkeitsgruppe und Farbgruppe pro Verpackungsbox geliefert.
* Zum Zweck der Bemusterung kann in kleinen Stückzahlen der konfektionierte JST-Gegenstecker mit Kabel
angefordert werden.
Note:
The above Type Numbers represent the order groups which includes only one brightness group per color and
tray. Only one group will be shipped on each tray.
*In small amounts for the purpose of sampling the corrsponding connector assembled with cable can be
ordered.
2010-03-03
2
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Grenzwerte
Maximum Ratings
Bezeichnung
Parameter
Symbol
Symbol
Werte
Values
amber
true
green
Einheit
Unit
blue
Betriebstemperatur*
Operating temperature range*
Tboard, op
– 40 … + 85
°C
Lagertemperatur
Storage temperature range
Tboard, stg
– 40 … + 85
°C
Sperrschichttemperatur
Junction temperature
Tj
125
°C
Durchlassstrom pro Chip DC
Forward current per chip DC
(Tboard =25°C)
IF
1000
mA
Stoßstrom pro Chip DC
Surge current per chip DC
t ≤ 10 μs, D = 0.1; TA=25°C
IFM
2000
mA
Sperrspannung pro Chip DC
Reverse voltage per chip DC
(Tboard=25°C)
VR
0.5
V
Sperrstrom pro Chip DC
Reverse current per chip DC
VR = 0.5 V
IR
10
mA
* Eine Betauung des Moduls muss vermieden werden.
Condensation on the module has to be avoided.
2010-03-03
3
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Kennwerte
Characteristics
(TA = 25 °C)
Bezeichnung
Parameter
Wellenlänge des emittierten Lichtes
Wavelength at peak emission
IF = 1 A
Dominantwellenlänge3) Seite 19
Dominant wavelength3) page 19
IF = 1 A
Symbol
Symbol
Werte
Values
amber
true
green
blue
(typ.)
λpeak
627
516
460
nm
(min.)
(typ.)
(max.)
λdom
λdom
λdom
613
617
625
509
520
533
456
464
469
nm
nm
nm
26
44
30
nm
Spektrale Bandbreite bei 50 % ΙVrel max
Spectral bandwidth at 50 % ΙVrel max
IF = 1 A
(typ.)
Δλ
Abstrahlwinkel bei 50 % ΙV (Vollwinkel)
Viewing angle at 50 % ΙV
(typ.)
2ϕ
(min.)
(typ.)
(max.)
VF
VF
VF
2.25
2.8
3.95
(typ.)
ηopt
28
(typ.)
AColor
Leuchtdichte
Luminance
IF = 1 A
(typ.)
LV
Partieller Lichtfluss
Partial flux
acc. CIE 127:2007
(typ.)
ΦLED, 120
Durchlassspannung pro Chip4) Seite 19
Forward voltage per chip4) page 19
IF = 1 A
Optischer Wirkungsgrad
Optical efficiency
IF = 1 A
Abstrahlende Fläche
Radiating Surface
Wärmewiderstand des gesamten Moduls
Thermal resistance of the module
Sperrschicht / Bodenplatte
Junction / base plate
2010-03-03
Einheit
Unit
Rth JB
4
120
Grad
deg.
3.1
3.8
4.65
30
7
3.2 x 2.1
26*106
41*106
lm/W
mm²
9*106
0.82 x ΦLED, 180
2.0 (typ.)
V
V
V
cd/m²
lm
K/W
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
SMD NTC Thermistors
SMD NTC Thermistors
R25
B25/50
B25/85
[Ω]
No. of R/T
characteristic
s*
B value
Tolerance
Δ B/B
PNTC,max,25
[K]
Resistance
Tolerance
Δ RN/RN
[K]
10k
EPCOS 8502
3940
3980
± 5%
± 3%
180
[mW]
* for further information please visit www.epcos.com
RT = RN ⋅ e
Typische Thermistor Kennlinie2) 5) Seite 19
Typical Thermistor Graph2) 5) page 19
IF = f (VF); Tboard = 25 °C
1⎞
B ⋅ ⎛⎝ --1- – -----T T N⎠
10000
Ω
RT = NTC resistance in Ω at temperature T in K
OHL02609
R
RN = NTC resistance in Ω at rated temperature TN
in K (TN = 298 K for test condition)
T, TN = temperature in K
7000
e = base of the natural logarithm (e = 2.71828)
6000
5000
B = B value, material specific constant of the NTC
thermistor
4000
T ⋅ TN
R
B = B N ⁄ T = ---------------- ⋅ ln ------NT – TN
RT
3000
2000
1000
0
0 10 20 30 40 50 60 70
˚C 90
TNTC
2010-03-03
5
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Helligkeits-Gruppierungsschema
Brightness Groups
Lichtstärke1) Seite 19
Luminous Intensity1) page 19
ΙV (cd)
Helligkeitsgruppe
Brightness Group
Lichtstrom2) Seite 19
Luminous Flux2) page 19
ΦV (lm)
amber;
true
green
LA
LB
MA
MB
NA
112.0 ...
140.0 ...
180.0 ...
224.0 ...
280.0 ...
140.0
180.0
224.0
280.0
355.0
380 (typ.)
480 (typ.)
600 (typ.)
760 (typ.)
950 (typ.)
blue
JA
JB
KA
45.0 ...
56.0 ...
71.0 ...
56.0
71.0
90.0
150 (typ.)
190 (typ.)
240 (typ.)
Anm.:
Die Standardlieferform von Serientypen beinhaltet eine Familiengruppe. Diese besteht aus wenigen Helligkeitsgruppen.
Einzelne Helligkeitsgruppen sind nicht bestellbar.
Note:
The standard shipping format for serial types includes a family group of only a few individual brightness groups. Individual
brightness groups cannot be ordered.
Wellenlängengruppen (Dominantwellenlänge)3) Seite 19
Wavelength Groups (Dominant Wavelength)3) page 19
Gruppe
Group
min.
max.
min.
max.
Einheit
Unit
509
515
456
462
nm
462
469
nm
amber
min.
max.
2
true green
blue
3
613
619
515
521
4
619
625
521
527
nm
527
533
nm
5
Gruppenbezeichnung auf Etikett
Group Name on Label
Beispiel: LA-3
Example: LA-3
Helligkeitsgruppe
Brightness Group
Wellenlänge
Wavelength
LA
3
Anm.: In einer Verpackungseinheit ist immer nur eine Gruppe für jede Selektion enthalten.
Note: No packing unit ever contains more than one group for each selection.
2010-03-03
6
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Relative spektrale Emission pro Chip2) Seite 19
Relative Spectral Emission per Chip2) page 19
V(λ) = spektrale Augenempfindlichkeit / Standard eye response curve
Irel = f (λ), TA = 25 °C, IF = 1 A
OHL02471
100
Φrel
%
80
Vλ
60
blue
true green
amber
40
20
0
400
450
500
550
650
600
nm
700
λ
Abstrahlcharakteristik2) Seite 19
Radiation Characteristic2) page 19
Ιrel = f (ϕ); TA = 25 °C
40˚
30˚
20˚
10˚
ϕ
0˚
OHL03736
1.0
50˚
0.8
60˚
0.6
70˚
0.4
80˚
0.2
0
90˚
100˚
2010-03-03
1.0
0.8
0.6
0.4
0˚
7
20˚
40˚
60˚
80˚
100˚
120˚
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Durchlassstrom pro Chip2) Seite 19
Forward Current per chip2) page 19
IF = f (VF); TA = 25 °C; LE A H3W
Durchlassstrom pro Chip2) Seite 19
Forward Current per chip2) page 19
IF = f (VF); TA = 25 °C; LE T H3W; LE B H3W
Relative Lichtstärke2) 6) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) 6) page 19
Relative Lichtstärke2) 6) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) 6) page 19
ΙV/ΙV(1 A) = f (IF<1A); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
ΙV/ΙV(1 A) = f (IF>1A); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
LE A H3W
LE A H3W
OHL02995
101
OHL03005
1.7
IV
IV
I V (1 A)
I V (1 A)
1.5
100
1.4
5
1.3
10-1
1.2
5
1.1
10-2 -2
10
5 10 -1
5 10 0
1.0
A 10 1
1.2
1.4
1.6
1.8 A 2
IF
IF
2010-03-03
1
8
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Relative Lichtstärke2) 6) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) 6) page 19
Relative Lichtstärke2) 6) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) 6) page 19
ΙV/ΙV(1 A) = f (IF<1A); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
ΙV/ΙV(1 A) = f (IF>1A); TA = 25 °C; tP=1ms, D=0,0003
LE T H3W; LE B H3W
LE T H3W; LE B H3W
10
OHL03034
1
OHL03951
1.40
IV
IV (1 A)
IV
I V (1 A)
1.30
10
0
1.25
5
1.20
1.15
10-1
1.10
5
1.05
10-2 -2
10
5 10 -1
5 10 0
1.00
A 10 1
1.5
1
2
A
IF
2) Seite 19
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λdom = f (IF); TA = 25 °C; LE T H3W
Dominante Wellenlänge
Dominant Wavelength2) page 19
λdom = f (IF); TA = 25 °C; LE A H3W
OHL02996
3.0
nm
2.5
IF
OHL03031
25
nm
Δλ dom
Δλ dom
20
2.0
1.5
15
1.0
10
0.5
0
5
-0.5
0
-1.0
-1.5
-5
-2.0
-2.5
0
0.5
1
1.5
2
-10
A 2.5
0.5
1
1.5
2
A 2.5
IF
IF
2010-03-03
0
9
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λdom = f (IF); TA = 25 °C; LE B H3W
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 19
Relative Forward Voltage2) page 19
Relative Vorwärtsspannung2) Seite 19
Relative Forward Voltage2) page 19
ΔVF = VF - VF(25 °C) = f(Tj); IF= 1 A
ΔVF = VF - VF(25 °C) = f(Tj); IF= 1 A
LE T H3W; LE B H3W
LE A H3W
OHL03738
0.30
V
ΔVF
ΔVF
OHL03737
0.3
V
0.1
0.15
0.10
0
0.05
-0.1
0
-0.05
-0.2
-0.10
-0.3
-0.15
-0.20
-40 -20 0
20 40 60 80
-0.4
-40 -20 0
˚C 120
˚C 120
Tj
Tj
2010-03-03
20 40 60 80
10
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Relative Lichtstärke2) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) page 19
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 1 A; LE A H3W
Relative Lichtstärke2) Seite 19
Relative Luminous Intensity2) page 19
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 1 A; LE T H3W
OHL03742
1.6
IV
I V (25 ˚C)
IV
I V (25 ˚C)
1.2
1.2
1.0
1.0
0.8
0.8
0.6
0.6
0.4
0.4
0.2
0.2
0
-40 -20 0
20 40 60 80
0
-40 -20 0
˚C 120
Tj
Relative Lichtstärke
Relative Luminous Intensity2) page 19
ΙV/ΙV(25 °C) = f (Tj); IF = 1 A; LE B H3W
OHL03744
1.6
IV
I V (25 ˚C)
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
-40 -20 0
20 40 60 80
20 40 60 80
˚C 120
Tj
2) Seite 19
˚C 120
Tj
2010-03-03
OHL03743
1.6
11
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λdom = f (Tj); IF = 1 A; LE A H3W
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λdom = f (Tj); IF = 1 A; LE T H3W
OHL03740
8
nm
Δλdom
Δλdom
6
6
4
4
2
2
0
0
-2
-2
-4
-4
-6
-40 -20 0
20 40 60 80
-6
-40 -20 0
˚C 120
Dominante Wellenlänge2) Seite 19
Dominant Wavelength2) page 19
λdom = f (Tj); IF = 1 A; LE B H3W
OHL03739
8
nm
Δλdom
6
4
2
0
-2
-4
20 40 60 80
˚C 120
Tj
2010-03-03
20 40 60 80
˚C 120
Tj
Tj
-6
-40 -20 0
OHL03741
8
nm
12
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Transient Thermal resistance
Zth*(frequency,DC) for 6Chips operated
6 Chips operated; IF = f (TS)
OHL03895
2.5
K/W
Z th*
2.0
1.5
1.0
240 Hz
360 Hz
2880 Hz
0.5
0
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
Duty Cycle
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
Duty cycle D = parameter, Tboard = 55 °C
6 chips operated simultaneously in series
I max
2010-03-03
Duty cycle D = parameter, Tboard = 85 °C
6 chips operated simultaneously in series
OHL03891
2.0
A
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
Zulässige Impulsbelastbarkeit IF = f (tp)
Permissible Pulse Handling Capability
I max
I max
1.7
1.6
1.5
1.4
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
0.6
0.5
240 Hz
360 Hz
2880 Hz
TBoard = 55 ˚C
Tj = 125 ˚C
ΔT = 70 K
0
0.2
0.4
0.6
Duty Cycle
0.8
1
13
OHL03892
2.0
A
I max
240 Hz
360 Hz
2880 Hz
TBoard = 85 ˚C
Tj = 125 ˚C
ΔT = 40 K
0
0.2
0.4
0.6
Duty Cycle
0.8
1
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Maßzeichnung7) Seite 19
Package Outlines7) page 19
Pin-Assignment:
Chip-Position:
1:
2:
3:
4:
5:
6:
7:
8:
9:
10:
LE A H3W
1-6: amber
LE T H3W
1-6: true green
LE B H3W
1-6: blue
Verwendeter Stecker / Used male connector on board:
Empfohlene Gegenstecker /
Recommended female connector for power supply:
Kontakt - Pins:
JST SM10B-SRSS-TB (www.jst.com)
JST SHR-10V-S (www.jst.com)
JST SHR-10V-S-B (www.jst.com)
SSH-003T-P0.2 (www.jst.com)
Korrosionsfestigkeit besser als EN 60068-2-60 (method 4):
mit erweitertem Korrosionstest: 40°C / 90%rh / 15ppm H2S / 336h
Corrosion robustness better than EN 60068-2-60 (method 4):
with enhanced corrosion test: 40°C / 90%rh / 15ppm H2S / 336h
Gewicht / Approx. weight:
2010-03-03
5.3 mg
14
Anode; Chip 5, 6
Cathode; Chip 5, 6
Anode; Chip 4
Cathode; Chip 4
NTC
NTC
Anode; Chip 3
Cathode; Chip 3
Anode; Chip 1, 2
Cathode; Chip 1, 2
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Connecting and disconnecting OSRAM OS Ostar Projection modules
When connecting or disconnecting an Ostar Projection module care has to be taken in order to prevent
a damage of the module. The module is equipped with a male connector socket (JST SM 10B-SR
SS-TB). As a female connector for power supply a JST SHR-10V-S (without protrusions) or a JST
SHR-10V-S-B (with protrusions) with SSH-003T-P0.2 pins is recommended.
When disconnecting the connector the applied pull force must not exceed 17 N * (footnote * A force of
17 N can only be applied dynamically during disconnecting. No constant force must be applied to the
connector.) Disconnection of the module during operation or at high temperatures can damage the
module. The board temperature must not exceed 40°C during disconnection. During mating operation,
mate connectors while holding wires in a bundle on the same axis to the mating axis. For unmating wires
must be held in a bundle within 20 degrees to the mating axis (see Fig. for explanation).
Connector
20˚
Wire
PCB
20˚
20˚
Wire
Connector
PCB
OHO03020
2010-03-03
15
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Verpackung 7) Seite 19
Method of Packing
50 St. pro Box = Verpackungseinheit
7) page 19
50 pcs. per tray = packing unit
Elektrisches Ersatzschaltbild
Equivalent Circuit Diagram
Pin 3
Pin 9
Chip 1
ESDProtection
ESDProtection
Chip 4
Pin 4
Pin 10
Pin 7
Pin 1
Chip 2
Chip 6
ESDProtection
ESDProtection
Chip 3
Pin 8
Chip 5
Pin 2
OHEE4404
2010-03-03
16
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Barcode-Tray-Etikett (BTL)
Barcode-Tray-Label (BTL)
Data
Matrix
Code
Group: xxxx-xxxx-xxxx
LE xxx xxx
DC: Date Code
BIN
BIn Nr.
Bar Code
MATERIAL:
Batch
Material Number
Batch Number
OHA02684
Kartonverpackung und Materialien
Transportation Packing and Materials
Box
DE
MY
P1+
Q
-1
T6
PL 76
R
18
GR
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Muster
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Bin 1:
Bin 2: P3: Q- 1-2
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CK
TE
VA
XT
R:
Barcode label
Original packing label
OHA02886
Dimensions of transportation box in mm (inch)
Breite / Width
223 ±5 (8,7795 ±0,19685)
2010-03-03
Länge / length
Höhe / height
170 ±5 (6,6929 ±0,19685)
21 ±5 (0,826772 ±0,19685)
17
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Revision History: 2010-03-03
Previous Version: 2010-02-15
Page
Subjects (major changes since last revision)
Date of change
16
correction of equivalent circuit
2010-02-15
1, 14
additional information
2010-03-03
Anm.: Wegen der Streichung der LED aus der IEC 60825-1 (2nd edition 2007-03) erfolgt die Bewertung der
Augesicherheit nach dem Standard CIE S009/E:2002 ("photobiological safety of lamps and lamp systems") /
IEC 62471 (1st edition 2006-07).Im Risikogruppensystem dieser CIE- Norm erfüllen die in diesem Datenblatt
angegebenen LED die "moderate risk"- Gruppe (die sich im "sichtbaren" Spektralbereich auf eine
Expositionsdauer von 0,25 s bezieht). Unter realen Umständen (für Expositionsdauer, Augenpupille,
Betrachtungsabstand) geht damit von diesen Bauelementen keinerlei Augengefährdung aus.Grundsätzlich
sollte jedoch erwähnt werden, dass intensive Lichtquellen durch ihre Blendwirkung ein hohes sekundäres
Gefahrenpotenzial besitzen. Wie nach dem Blick in andere helle Lichtquellen (z.B. Autoscheinwerfer) auch,
können temporär eingeschränktes Sehvermögen und Nachbilder je nach Situation zu Irritationen,
Belästigungen, Beeinträchtigungen oder sogar Unfällen führen.
Note:
Due to the cancellation of the LED from IEC 608251 (2nd edition 2007-03) , the evaluation of eye safety occurs
according to the dual IEC/CIE logo standard CIE S009/E:2002 ("photobiological safety of lamps and lamp
systems")- IEC 62471 (1st edition 2006-07). Within the risk grouping system of this CIE standard, the LEDs
specified in this data sheet fall into the "lmoderate risk" group (relating to devices in the visible spectrum with
an exposure time of 0.25s). Under real circumstances (for exposure time, eye pupils, observation distance), it
is assumed that no endangerment to the eye exists from these devices. As a matter of principle, however, it
should be mentioned that intense light sources have a high secondary exposure potential due to their blinding
effect. As is also true when viewing other bright light sources (e.g. headlights), temporary reduction in visual
acuity and afterimages can occur, leading to irritation, annoyance, visual impairment, and even accidents,
depending on the situation.
Attention please!
The information describes the type of component and shall not be considered as assured characteristics.
Terms of delivery and rights to change design reserved. Due to technical requirements components may contain
dangerous substances. For information on the types in question please contact our Sales Organization.
If printed or downloaded, please find the latest version in the Internet.
Packing
Please use the recycling operators known to you. We can also help you – get in touch with your nearest sales office.
By agreement we will take packing material back, if it is sorted. You must bear the costs of transport. For packing
material that is returned to us unsorted or which we are not obliged to accept, we shall have to invoice you for any costs
incurred.
Components used in life-support devices or systems must be expressly authorized for such purpose! Critical
components10) page 19 may only be used in life-support devices or systems11) page 19 with the express written approval of
OSRAM OS.
2010-03-03
18
LE A H3W, LE T H3W, LE B H3W
Remarks:
1)
Brightness groups are tested at a current pulse duration
of 25 ms and a tolerance of ± 11%. Condition for
luminous intensity measurement acc. to CIE127
condition A
2)
Due to the special conditions of the manufacturing
processes of LED, the typical data or calculated
correlations of technical parameters can only reflect
statistical figures. These do not necessarily correspond
to the actual parameters of each single product, which
could differ from the typical data and calculated
correlations or the typical characeristic line.
If requested, e.g. because of technical improvements,
these typ. data will be changed without any further
notice.
3)
Wavelengths are tested at a current pulse duration of 25
ms and a tolerance of ±1 nm.
4)
Forward voltages are tested at a current pulse duration
of 1 ms and a tolerance of ±0.1 V.
5)
The R-T-Curve of an NTC thermistor can be roughly
described in a restricted range around the rated
temperautre. If a more precise desciption of the R/T
curve is required for practical applications a refined
formular and the corresponding tabulated values can be
found at EPCOS
Fußnoten:
1)
Helligkeitswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ± 11% ermittelt.
Messbedingung für Lichtstärkemessung nach CIE127
Condition A.
2)
Wegen der besonderen Prozessbedingungen bei der
Herstellung von LED können typische oder abgeleitete
technische Parameter nur aufgrund statistischer Werte
wiedergegeben werden. Diese stimmen nicht
notwendigerweise mit den Werten jedes einzelnen
Produktes überein, dessen Werte sich von typischen
und abgeleiteten Werten oder typischen Kennlinien
unterscheiden können. Falls erforderlich, z.B. aufgrund
technischer Verbesserungen, werden diese typischen
Werte ohne weitere Ankündigung geändert.
3)
Wellenlängen werden mit einer Stromeinprägedauer
von 25 ms und einer Genauigkeit von ±1 nm ermittelt.
4)
Spannungswerte werden mit einer Stromeinprägedauer
von 1 ms und einer Genauigkeit von ±0,1 V ermittelt.
5)
Die R-T-Kurve eines NTC läßt sich in einem engen
Bereich um den spezifizierten Wert herum in erster
Näherung durch einen exponentialen Zusammenhang
beschreiben. Sofern eine detailliertere Beschreibung
der R-T-Kurve für die Praxis nötig ist, können eine
ganauere Formel und entsprechende tabellierte Werte
bei EPCOS gefunden werden.
6)
Im gestrichelten Bereich der Kennlinien muss mit
erhöhten
Helligkeitsunterschieden
zwischen
Leuchtdioden innerhalb einer Verpackungseinheit
gerechnet werden.
7)
Maße werden wie folgt angegeben: mm (inch).
8)
Ein kritisches Bauteil ist ein Bauteil, das in
lebenserhaltenden
Apparaten
oder
Systemen
eingesetzt wird und dessen Defekt voraussichtlich zu
einer Fehlfunktion dieses lebenserhaltenden Apparates
oder Systems führen wird oder die Sicherheit oder
Effektivität
dieses
Apparates
oder
Systems
beeinträchtigt.
9)
Lebenserhaltende Apparate oder Systeme sind für (a)
die Implantierung in den menschlichen Körper
oder
(b) für die Lebenserhaltung bestimmt.
Falls sie versagen, kann davon ausgegangen werden,
dass die Gesundheit und das Leben des Patienten in
Gefahr ist.
In the range where the line of the graph is broken, you
must expect higher brightness differences between
single LEDs within one packing unit.
7)
Dimensions are specified as follows: mm (inch).
A critical component is a component used in a
life-support device or system whose failure can
reasonably be expected to cause the failure of that
life-support device or system, or to affect its safety or the
effectiveness of that device or system.
8)
9)
Published by
OSRAM Opto Semiconductors GmbH
Leibnizstraße 4, D-93055 Regensburg
www.osram-os.com
© All Rights Reserved.
2010-03-03
6)
19
Life support devices or systems are intended
(a) to be implanted in the human body,
or
(b) to support and/or maintain and sustain human life. If
they fail, it is reasonable to assume that the health and
the life of the user may be endangered.