桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBTA94(销售型號 MMBTA94) ■FEATURES 特點 PNP High Voltage Transistor ■MAXIMUM RATINGS 最大額定值 Characteristic 特性參數 Symbol 符號 Rating 額定值 Unit 單位 Collector-Emitter Voltage 集電極-射極電壓 VCEO -400 V Collector-Base Voltage 集電極-極電壓 VCBO -400 V Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓 VEBO -7 V Collector Current 集電極電流 Ic -200 mA Device Dissipation 耗散功率 PD 225 mW TJ,Tstg -55to+125 ℃ Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度 ■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性 (TA=25 =25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明，溫度爲 25℃)) Characteristic 特性參數 Collector-Emitter Breakdown Voltage 集電極-射極擊穿電壓(IC=-1mA,IB=0) Collector-Base Breakdown Voltage 集電極-基極擊穿電壓(IC=-100µA,IE=0) Emitter-Base Breakdown Voltage 發射極-基極擊穿電壓(IE= -100µA ,IC=0) Collector Cutoff Current 集電極截止電流 (VCB=-400VIE=0) DC Current Gain 直流電流增益 (Ic=-10mA,VCE=-10.0V) Collector-Emitter Saturation Voltage 集電極-發射極飽和壓降 (Ic=-20mA, IB=-2mA) Current-Gain-Bandwidth Product 電流增益帶寬乘積 (Ic=-10mA,VCE=-20V,f=30MHz) Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位 V(BR)CEO -400 — V V(BR)CBO -400 __ V V(BR)EBO -7 — V ICBO __ -500 nA HFE 40 240 — VCE(sat) — -0.6 V fT 50 __ MHz 桂林斯壯微電子有限責任公司 Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd. GMBTA94(销售型號 MMBTA94) ■DEVICE MARKING 打標 GMBTA94(销售型號 MMBTA94)=4D ■DIMENSION 外形封裝尺寸