GSME GMBTA94 Pnp high voltage transistor Datasheet

桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBTA94(销售型號 MMBTA94)
■FEATURES 特點
PNP High Voltage Transistor
■MAXIMUM RATINGS
最大額定值
Characteristic 特性參數
Symbol 符號
Rating 額定值
Unit 單位
Collector-Emitter Voltage 集電極-射極電壓
VCEO
-400
V
Collector-Base Voltage 集電極-極電壓
VCBO
-400
V
Emitter-Base Voltage 發射極基極電壓
VEBO
-7
V
Collector Current 集電極電流
Ic
-200
mA
Device Dissipation 耗散功率
PD
225
mW
TJ,Tstg
-55to+125
℃
Junction and Storage Temperature 結溫和儲存溫度
■ELECTRICAL CHARACTERISTICS 電特性
(TA=25
=25℃ unless otherwise noted 如無特殊說明,溫度爲 25℃))
Characteristic 特性參數
Collector-Emitter Breakdown Voltage
集電極-射極擊穿電壓(IC=-1mA,IB=0)
Collector-Base Breakdown Voltage
集電極-基極擊穿電壓(IC=-100µA,IE=0)
Emitter-Base Breakdown Voltage
發射極-基極擊穿電壓(IE= -100µA ,IC=0)
Collector Cutoff Current 集電極截止電流
(VCB=-400VIE=0)
DC Current Gain 直流電流增益
(Ic=-10mA,VCE=-10.0V)
Collector-Emitter Saturation Voltage
集電極-發射極飽和壓降
(Ic=-20mA, IB=-2mA)
Current-Gain-Bandwidth Product
電流增益帶寬乘積
(Ic=-10mA,VCE=-20V,f=30MHz)
Symbol 符號 Min 最小值 Max 最大值 Unit 單位
V(BR)CEO
-400
—
V
V(BR)CBO
-400
__
V
V(BR)EBO
-7
—
V
ICBO
__
-500
nA
HFE
40
240
—
VCE(sat)
—
-0.6
V
fT
50
__
MHz
桂林斯壯微電子有限責任公司
Guilin Strong Micro-Electronics Co.,Ltd.
GMBTA94(销售型號 MMBTA94)
■DEVICE
MARKING 打標
GMBTA94(销售型號 MMBTA94)=4D
■DIMENSION 外形封裝尺寸
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