JR0105 型门极灵敏触发单向晶闸管芯片 ○ 芯片特征： （ 芯片代码：CP001） ○产品极限参数（封装成 TO-92 后，除非另有规定，TCASE =25℃） NPNP 四层结构的硅单向器件， 门极灵敏触发， IGT 一致性好， 参数名称 单面台面结构（Single Mesa）， 台面玻璃钝化工艺， 背面（阳极）电极金属：Ti-Ni-Ag， 正面（门极、阴极）电极金属：AL。 ○ 芯片尺寸：1.2mm×1.2mm ○ 主要用途： 节能灯保护电路，漏电断路器， 燃气点火器，负离子发生器… ○ 器件线路符号： 数 值 单位 Tj -40～110 ℃ 断态重复峰值电压 VDRM 600 V 反向重复峰值电压 VRRM 600 V IT（RMS） 1 A 通态平均电流 IT（AV） 0.6 A 通态浪涌电流 ITSM 10 A I2t 0.415 A2S 门极正向峰值电流 IGFM 0.2 A 门极峰值功率 PGM 0.5 W 门极平均功率 PG（AV） 0.1 W 结温范围 ＋ P 对通扩散隔离， 符号 通态均方根电流 F=50Hz,tp=10mS 2 I t值 tp=10mS ○ 产品电性能（封装成 TO-92 后，除非另有规定，TCASE=25℃） 特性和测试条件 符号 数值 单 位 VTM ≤1.7 V 断态峰值电流 TC=25℃ IDRM1 ≤5 uA VD=VDRM IDRM2 ≤100 uA 反向峰值电流 TC=25℃ IRRM1 ≤5 uA VR=VRRM IRRM2 ≤100 uA 通态峰值电压 IT=1.4A , tp=380uS ○ 芯片结构图： J R0105芯片结构图 (单位： um) TC=110℃ TC=110℃ 维持电流 IT=0.05A IH ≤3 mA 擎住电流 IG=1.2 IGT IL ≤4 mA IGT 20～60 uA VGT ≤0.8 V VGD ≥0.1 V RGK 10～40 KΩ dV/dt ≥10 V/uS 门极触发电流 K G VD=12V 门极触发电压 VD=12V 门极不触发电压 VD=VDRM，Tj=110℃ RGK=1KΩ RL = 3.3 k G(AL) K(AL) 门极—阴极间电阻 断态电压临界上升率 VD=2/3VDRM, Tj=110℃ A(Ti-Ni-Ag) RGK=1KΩ